本發(fā)明涉及飽和鐵芯型超導(dǎo)限流器，更具體的說，涉及一種飽和鐵芯型超導(dǎo)限流器以及杜瓦。

背景技術(shù)：
參考圖1，圖1為現(xiàn)有技術(shù)中的一種飽和鐵芯型超導(dǎo)限流器的結(jié)構(gòu)示意圖，所述飽和鐵芯型超導(dǎo)限流器包括：鐵芯、纏繞在鐵芯上的第一線圈1、第二線圈2以及超導(dǎo)線圈3。一般的，超導(dǎo)線圈放置于杜瓦之內(nèi)，圖1未示出杜瓦。其中，第一線圈1以及第二線圈2為常規(guī)的導(dǎo)體線圈。鐵芯包括相對放置的兩個軛鐵4。兩個軛鐵4之間設(shè)置有第一交流柱7、第二交流柱6以及直流柱5。直流柱5位于第一交流柱7與第二交流柱6之間。第一線圈1纏繞在第一交流柱7上，第二線圈2纏繞在第二交流柱6上，超導(dǎo)線圈3纏繞在直流柱5上。當(dāng)超導(dǎo)線圈3通入大電流時，鐵芯飽和，此時第一線圈1以及第二線圈2的阻抗小，能夠通過比較大電流。當(dāng)發(fā)生短路時，超導(dǎo)線圈3中電流斷開，鐵芯不再飽和，此時第一線圈1以及第二線圈2阻抗大，短路電流就能得到抑制。在飽和鐵芯型超導(dǎo)限流器，超導(dǎo)線圈3為鐵芯提供勵磁，需要通過低溫容器杜瓦來實現(xiàn)超導(dǎo)材料所需要的低溫環(huán)境。超導(dǎo)線圈3在不同的磁場下，其通流能力有很大的區(qū)別。發(fā)明人研究發(fā)現(xiàn)，在飽和鐵芯型超導(dǎo)限流器中，因超導(dǎo)線圈的兩端的磁場比較大，中部的磁場比較小，導(dǎo)致了超導(dǎo)線圈的整體通流能力在兩端比較小，在中部比較大。而由于超導(dǎo)線圈的中部與兩端是串聯(lián)在一起的，中部和兩端通過電流需要一樣，整個超導(dǎo)線圈通流能力受到兩端較低的通流能力限制，導(dǎo)致超導(dǎo)線圈的通流能力較差。

技術(shù)實現(xiàn)要素：
為了解決上述問題，本發(fā)明提供了一種飽和鐵芯型超導(dǎo)限流器以及杜瓦，所述杜瓦將內(nèi)筒側(cè)壁用于放置冷卻介質(zhì)與超導(dǎo)線圈的腔室分為三部分，使得超導(dǎo)線圈的中部以及兩端處于不同冷卻環(huán)境中，進(jìn)而可以提高超導(dǎo)線圈兩端的通流能力，以提高超導(dǎo)線圈的通流能力。為了實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供如下技術(shù)方案：一種杜瓦，用于飽和鐵芯型超導(dǎo)限流器，所述飽和鐵芯型超導(dǎo)限流器具有直流柱以及超導(dǎo)線圈，所述超導(dǎo)線圈具有串聯(lián)的第一部分、第二部分以及第三部分，所述第二部分位于所述第一部分與所述第三部分之間；所述杜瓦包括：內(nèi)筒以及外筒；所述外筒的側(cè)壁具有第一內(nèi)表面以及第一外表面，所述第一內(nèi)表面與所述第一外表面之間具有第一腔室；所述內(nèi)筒設(shè)置在所述第一腔室內(nèi)；所述第一內(nèi)表面包圍形成第二腔室，所述第二腔室用于放置所述直流柱；所述內(nèi)筒的側(cè)壁具有第二內(nèi)表面以及第二外表面；在所述直流柱的延伸方向上，所述第二內(nèi)表面與所述第二外表之間具有依次排布的第一子腔室、第二子腔室以及第三子腔室；其中，所述第一子腔室用于放置第一冷卻介質(zhì)以及所述第一部分；所述第二子腔室用于放置第二冷卻介質(zhì)以及所述第二部分；所述第三子腔室用于放置所述第一冷卻介質(zhì)以及所述第三部分；所述第一冷卻介質(zhì)與所述第二冷卻介質(zhì)不同。優(yōu)選的，在上述杜瓦中，所述第一冷卻介質(zhì)為液氖或是液氦，所述第二冷卻介質(zhì)為液氮。優(yōu)選的，在上述杜瓦中，所述第一內(nèi)表面為圓筒的側(cè)面或橢圓筒的側(cè)面；所述第一外表面為圓筒的側(cè)面或橢圓筒的側(cè)面；所述第二內(nèi)表面為圓筒的側(cè)面或橢圓筒的側(cè)面；所述第二外表面為圓筒的側(cè)面或橢圓筒的側(cè)面。優(yōu)選的，在上述杜瓦中，所述內(nèi)筒以及所述外筒均為圓筒。優(yōu)選的，在上述杜瓦中，所述第一部分與所述第二部分之間以及所述第二部分與所述第三部分之間均通過超導(dǎo)引線連接。本發(fā)明還提供了一種飽和鐵芯型超導(dǎo)限流器，該飽和鐵芯型超導(dǎo)限流器包括：直流柱、超導(dǎo)線圈、內(nèi)筒以及外筒；所述超導(dǎo)線圈具有串聯(lián)的第一部分、第二部分以及第三部分，所述第二部分位于所述第一部分與所述第三部分之間；所述外筒的側(cè)壁具有第一內(nèi)表面以及第一外表面，所述第一內(nèi)表面與所述第一外表面之間具有第一腔室；所述內(nèi)筒設(shè)置在所述第一腔室內(nèi)；所述第一內(nèi)表面包圍形成第二腔室，所述第二腔室用于放置所述直流柱；所述外筒的側(cè)壁具有第二內(nèi)表面以及第二外表面；在所述直流柱的延伸方向上，所述第二內(nèi)表面與所述第二外表之間具有依次排布的第一子腔室、第二子腔室以及第三子腔室；其中，所述第一子腔室用于放置第一冷卻介質(zhì)以及所述第一部分；所述第二子腔室用于放置第二冷卻介質(zhì)以及所述第二部分；所述第三子腔室用于放置所述第一冷卻介質(zhì)以及所述第三部分；所述第一冷卻介質(zhì)與所述第二冷卻介質(zhì)不同。優(yōu)選的，在上述飽和鐵芯型超導(dǎo)限流器中，所述第一冷卻介質(zhì)為液氖，所述第二冷卻介質(zhì)為液氮。優(yōu)選的，在上述飽和鐵芯型超導(dǎo)限流器中，所述第一部分與所述第二部分之間以及所述第二部分與所述第三部分之間均通過超導(dǎo)引線連接。優(yōu)選的，在上述飽和鐵芯型超導(dǎo)限流器中，所述內(nèi)筒以及所述外筒均為圓筒或橢圓筒。優(yōu)選的，在上述飽和鐵芯型超導(dǎo)限流器中，在所述延伸方向上，所述第二部分的長度大于所述第一部分的長度，所述第一部分的長度等于所述第三部分的長度。通過上述描述可知，本發(fā)明技術(shù)方案提供的杜瓦用于飽和鐵芯型超導(dǎo)限流器，所述飽和鐵芯型超導(dǎo)限流器具有直流柱以及超導(dǎo)線圈，所述超導(dǎo)線圈具有串聯(lián)的第一部分、第二部分以及第三部分，所述第二部分位于所述第一部分與所述第三部分之間；所述杜瓦包括：內(nèi)筒以及外筒；所述外筒的側(cè)壁具有第一內(nèi)表面以及第一外表面，所述第一內(nèi)表面與所述第一外表面之間具有第一腔室；所述內(nèi)筒設(shè)置在所述第一腔室內(nèi)；所述第一內(nèi)表面包圍形成第二腔室，所述第二腔室用于放置所述直流柱；所述內(nèi)筒的側(cè)壁具有第二內(nèi)表面以及第二外表面；在所述直流柱的延伸方向上，所述第二內(nèi)表面與所述第二外表之間具有依次排布的第一子腔室、第二子腔室以及第三子腔室；其中，所述第一子腔室用于放置第一冷卻介質(zhì)以及所述第一部分；所述第二子腔室用于放置第二冷卻介質(zhì)以及所述第二部分；所述第三子腔室用于放置所述第一冷卻介質(zhì)以及所述第三部分；所述第一冷卻介質(zhì)與所述第二冷卻介質(zhì)不同?？梢姡龆磐邔?nèi)筒側(cè)壁用于放置冷卻介質(zhì)的腔室分為三部分，使得超導(dǎo)線圈的中部以及兩端處于不同冷卻環(huán)境中，進(jìn)而可以提高超導(dǎo)線圈兩端的通流能力，以提高超導(dǎo)線圈的通流能力。故具有采用所述杜瓦的飽和鐵芯型超導(dǎo)限流器具有較大的通流能力。附圖說明為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)提供的附圖獲得其他的附圖。圖1為現(xiàn)有技術(shù)中的一種飽和鐵芯型超導(dǎo)限流器的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為采用傳統(tǒng)杜瓦的超導(dǎo)線圈的磁場分布仿真結(jié)果圖；圖3為本發(fā)明實施例提供的一種杜瓦在軸線方向的切面圖；圖4為本發(fā)明實施例提供的一種杜瓦在垂直于軸線方向上的切面圖；圖5為本發(fā)明實施例提供的一種杜瓦的結(jié)構(gòu)示意圖。具體實施方式下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒景l(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。如

背景技術(shù)：
所述，在飽和鐵芯型超導(dǎo)限流器中，因超導(dǎo)線圈的兩端的磁場比較大，中部的磁場比較小，導(dǎo)致了超導(dǎo)線圈的整體通流能力在兩端比較小，在中部比較大。而由于超導(dǎo)線圈的中部與兩端是串聯(lián)在一起的，中部和兩端通過電流需要一樣，整個超導(dǎo)線圈通流能力受到兩端較低的通流能力限制，導(dǎo)致超導(dǎo)線圈的通流能力較差。而傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)的杜瓦，將超導(dǎo)線圈的浸泡在同一種液態(tài)冷卻介質(zhì)中，所述液態(tài)冷卻介質(zhì)一般為液氮。整個超導(dǎo)線圈處于相同的冷卻介質(zhì)中，此時，超導(dǎo)線圈的磁場分布如圖2所示。參考圖2，圖2為采用傳統(tǒng)杜瓦的超導(dǎo)線圈的磁場分布仿真結(jié)果圖，圖2中，顏色較深的區(qū)域...