背景技術(shù)：

便攜式消費(fèi)電子產(chǎn)品需求上的強(qiáng)勁增長(zhǎng)推進(jìn)了高容量存儲(chǔ)器件的需求。非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，例如閃存存儲(chǔ)卡，正廣泛地用于滿(mǎn)足數(shù)字信息存儲(chǔ)和交換上日益增長(zhǎng)的需求。它們的便攜性、多功能性和堅(jiān)固設(shè)計(jì)，以及它們的高可靠性和大容量使得這樣的存儲(chǔ)器件理想地用于廣泛種類(lèi)的電子裝置，包括例如數(shù)碼相機(jī)、數(shù)字音樂(lè)播放器、視頻游戲控制臺(tái)、pda和移動(dòng)電話(huà)。

盡管已知各式各樣的封裝配置，但閃存存儲(chǔ)卡通?？芍谱鳛橄到y(tǒng)級(jí)封裝(sip)或多裸芯模塊(mcm)，在這種情形下多個(gè)裸芯以所謂的三維堆疊配置安裝在基板上?，F(xiàn)有技術(shù)圖1示出了常規(guī)半導(dǎo)體封裝體20(沒(méi)有模塑料(moldingcompound))的邊視圖。典型的封裝體包括安裝至基板26的多個(gè)半導(dǎo)體裸芯22、24。基板26可以在上表面形成有接觸墊28，且半導(dǎo)體裸芯22、24可以在上表面形成有裸芯鍵合墊30。引線(xiàn)鍵合32焊接在半導(dǎo)體裸芯22、24的裸芯鍵合墊30和基板26的接觸墊28之間，以將半導(dǎo)體裸芯電耦合至基板?；迳虾突鍍?nèi)的電引線(xiàn)依次提供裸芯和主設(shè)備之間的電通路。一旦在裸芯和基板之間形成電連接，則組件被典型的包封在模塑料中以提供保護(hù)性封裝體。

為了形成半導(dǎo)體封裝體，執(zhí)行裸芯鍵合工藝，在這種情形下，半導(dǎo)體裸芯被從晶片上切割、從粘性帶上拾取、并被鍵合至基板。現(xiàn)有技術(shù)圖2示出了包括多個(gè)半導(dǎo)體裸芯的晶片40，例如裸芯22(僅其中一些在圖2中被編號(hào))。晶片40上的每個(gè)半導(dǎo)體裸芯22已被處理為包括集成電路，如本領(lǐng)域已知的能夠執(zhí)行特定的電子功能。在對(duì)裸芯22進(jìn)行壞裸芯檢測(cè)后，晶片可以設(shè)置在稱(chēng)為裸芯附接膜(daf)帶的粘性膜上，然后例如通過(guò)鋸或激光切割。切割工藝將晶片分離為單獨(dú)的半導(dǎo)體裸芯22，單獨(dú)的半導(dǎo)體裸芯22保持貼附至daf帶。圖2示出了貼附至daf帶44的晶片40。

為了分離單獨(dú)的裸芯，晶片和daf帶被設(shè)置在工藝工具中，現(xiàn)有技術(shù)圖3示出了工藝工具的部分。圖3示出了裸芯抽取工具(dieextractortool) 50，其包括支撐晶片40和daf帶44的真空卡盤(pán)52。為了從daf帶44提取剝離裸芯，提供包括真空端62的拾取工具60。拾取工具60降落在要從daf帶44移除的裸芯22上，真空被施加至端62，然后裸芯22被拉起脫離帶44。拾取工具然后運(yùn)送裸芯22以附接至基板或運(yùn)送到其它地方。

雖然在過(guò)去裸芯抽取工具表現(xiàn)的足夠好，但目前裸芯厚度已經(jīng)降至25微米(μm)且更薄。在這些厚度下，由daf帶和真空端施加在裸芯上的反作用力可能使裸芯破裂、變形和/或損壞，使得降低產(chǎn)量和減緩制造時(shí)間。

附圖說(shuō)明

圖1是常規(guī)半導(dǎo)體器件的現(xiàn)有技術(shù)端視圖。

圖2是安裝在daf帶上的半導(dǎo)體晶片的現(xiàn)有技術(shù)視圖。

圖3是將晶片上的半導(dǎo)體裸芯從daf帶分離的常規(guī)抽取工具的現(xiàn)有技術(shù)側(cè)視圖。

圖4是示出了半導(dǎo)體器件的制造中的本技術(shù)的操作流程圖。

圖5是根據(jù)本技術(shù)的實(shí)施例的包括過(guò)孔的daf帶的橫截面邊視圖。

圖6是daf帶的基層的橫截面邊視圖，其包括在基層中創(chuàng)造過(guò)孔的工具。

圖7是根據(jù)本技術(shù)的實(shí)施例的包括過(guò)孔圖案的daf帶的一段的俯視圖。

圖8是根據(jù)本技術(shù)的實(shí)施例的安裝至daf帶的半導(dǎo)體裸芯的橫截面邊視圖。

圖9是根據(jù)本技術(shù)的實(shí)施例的安裝至daf帶的一段的半導(dǎo)體裸芯的俯視圖。

圖10是根據(jù)本系統(tǒng)的實(shí)施例的抽取工具的支撐臺(tái)的俯視圖。

圖11是包括圖10示出的支撐臺(tái)的裸芯抽取工具的一部分的橫截面邊視圖。

圖11a是根據(jù)本技術(shù)的另一個(gè)實(shí)施例的包括支撐臺(tái)的裸芯抽取工具的一部分的橫截面邊視圖。

圖12是拉伸后的根據(jù)本技術(shù)的實(shí)施例安裝至daf帶的半導(dǎo)體裸芯的橫截面邊視圖。

圖13是拉伸后的根據(jù)本技術(shù)的實(shí)施例安裝至daf帶的一段的半導(dǎo)體裸芯的俯視圖。

圖14是用于抽取的裸芯抽取工具的橫截面邊視圖，其包括與半導(dǎo)體裸芯接合的真空端。

圖15是抽取后的裸芯抽取工具的橫截面邊視圖，其包括與半導(dǎo)體裸芯接合的真空端。

圖16和17是根據(jù)本技術(shù)的可替代實(shí)施例的裸芯抽取工具的俯視圖和橫截面邊視圖。

圖18和19是根據(jù)本技術(shù)的另一可替代實(shí)施例的裸芯抽取工具的俯視圖和橫截面邊視圖。

圖20是包括由本系統(tǒng)的方法形成的半導(dǎo)體裸芯的最終半導(dǎo)體器件的邊視圖。

具體實(shí)施方式

現(xiàn)在將參照附圖描述實(shí)施例，其涉及從粘性帶分離半導(dǎo)體裸芯的系統(tǒng)和方法，以及使用這樣的分離的裸芯形成的半導(dǎo)體器件。在實(shí)施例中，粘性帶形成有多個(gè)流體流動(dòng)的通孔過(guò)孔。晶片被安裝至粘性帶，粘性帶可以隨后被拉伸以分離裸芯并加寬通孔過(guò)孔。

隨后裸芯抽取工具可以將裸芯從粘性帶移除。裸芯抽取工具可以包括支撐臺(tái)，支撐臺(tái)例如是具有中心孔的卡盤(pán)。帶和裸芯可以安裝在卡盤(pán)上，并通過(guò)裸芯頂側(cè)上的夾板夾合在卡盤(pán)上。裸芯抽取工具還可以包括貼附至噴嘴的風(fēng)扇，風(fēng)扇向中心孔中以及粘性帶的底側(cè)上吹氣。正壓通過(guò)粘性帶中的通孔過(guò)孔連通至裸芯的底側(cè)。隨后真空端可以從裸芯的上表面抓取半導(dǎo)體裸芯，并從帶分離裸芯。裸芯的上表面的負(fù)壓與裸芯的底側(cè)上的正壓耦合，允許裸芯從粘性帶自由的分離，而不會(huì)在裸芯中產(chǎn)生可能損壞裸芯的應(yīng)力。

應(yīng)該理解，本發(fā)明可以通過(guò)很多不同形式來(lái)實(shí)施，而不應(yīng)被解釋為限于本文所闡述的實(shí)施例。相反，提供這些實(shí)施例是為了使本公開(kāi)全面完整，并向本領(lǐng)域技術(shù)人員充分傳達(dá)本發(fā)明。實(shí)際上，本發(fā)明旨在覆蓋這些實(shí)施例的替代、修改和等同物，其包括在如所述權(quán)利要求所限定的本發(fā)明的范圍和精神之內(nèi)。此外，在關(guān)于本發(fā)明的以下詳細(xì)描述中，闡述了眾多具體細(xì)節(jié)以便提供對(duì)本發(fā)明的透徹理解。然而，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員應(yīng)該清楚的是，本發(fā)明可以無(wú)需這樣的具體細(xì)節(jié)來(lái)實(shí)施。

本文中可能使用的術(shù)語(yǔ)“頂部”和“底部”、“上”和“下”以及“垂直” 和“水平”僅是為了示例和說(shuō)明的目的，而并非要限制發(fā)明的描述，因?yàn)樗复奈锲房赡馨l(fā)生位置和方向上的交換。同樣，如本文中使用的術(shù)語(yǔ)“大致上”和/或“大約”意味著既定應(yīng)用中可在可接受的制造公差內(nèi)變化的特定尺寸或參數(shù)。在一個(gè)實(shí)施例中，可接受的制造公差為±0.25％。

現(xiàn)在將參考圖4的流程圖以及圖5-19的視圖來(lái)解釋本發(fā)明的實(shí)施例。首先參考圖5-7的視圖，粘性帶100(本文中稱(chēng)為daf帶100)包括基層106和daf108?；鶎?06可以例如由使用粘性daf層來(lái)層壓的聚酯等形成。在實(shí)施例中，基層106可以為大約50μm，且daf108可以為大約10μm，但應(yīng)該理解的是，在進(jìn)一步的實(shí)施例中，基層和/或daf的厚度可以比這些厚度更大或更小?？梢允褂玫膁af帶100的一個(gè)示例是來(lái)自日東電工(nittodenko)公司的em-310vj-pwef，該公司的總部位于日本大阪。然而，應(yīng)當(dāng)理解的是，可以使用多種其它的帶，如下文所解釋的，這些帶可以形成有通孔過(guò)孔，并可以將切割的半導(dǎo)體晶片在抽取工具中保持在一起。

在步驟200中，流體流動(dòng)的通孔過(guò)孔102(這里稱(chēng)為通孔過(guò)孔102)通過(guò)基層106形成。通孔過(guò)孔102可以在daf108施加至基層106之前形成在基層106中。然而，可以預(yù)想的是，在進(jìn)一步的實(shí)施例中，通孔過(guò)孔102可以在施加daf108之后形成。

圖6和圖7分別示出了基層106的一段的邊視圖和俯視圖。daf帶100可以被切割成單獨(dú)的段，段具有足夠大的長(zhǎng)度l和寬度w，以如下文所解釋的支撐安裝在其上的半導(dǎo)體晶片(在進(jìn)一步的實(shí)施例中，長(zhǎng)度和寬度的軸可以反轉(zhuǎn))。可替代的，包括通孔過(guò)孔的daf帶100可以在輥?zhàn)由闲纬桑?dāng)晶片安裝在其上時(shí)將daf帶切割為單獨(dú)的段。

在基層106被支撐在臺(tái)上或者兩個(gè)或更多的邊緣處的情況下，多個(gè)通孔過(guò)孔102(其中一個(gè)在圖5-7中皆被標(biāo)記)可以形成為通過(guò)基層106的全部厚度。通孔過(guò)孔102可以通過(guò)如圖6所示的穿孔工具104來(lái)形成。穿孔工具可以包括多個(gè)具有尖銳的端部的針，能夠刺穿粘性帶100以形成通孔過(guò)孔102。在實(shí)施例中，穿孔工具104中的針的數(shù)量可以變化?？梢允歉采w基層106的一段的整個(gè)長(zhǎng)度的單一行，這樣形成一行孔，然后跨越寬度移動(dòng)以形成下一行孔，直至跨越基層106的段的長(zhǎng)度和寬度形成所有的孔?？梢允歉采w基層10的一段的整個(gè)寬度的單一列的針，這樣形成一列孔，然后沿長(zhǎng)度移動(dòng)以形成下一列孔，直至跨越基層106的段的長(zhǎng)度和寬度形成所有的孔。

在進(jìn)一步的實(shí)施例中，穿孔工具104的針可以覆蓋行或列的一部分。在另外的實(shí)施例中，穿孔工具104中可以有針的x-y陣列，其在基層106的段中形成通孔過(guò)孔102的x-y網(wǎng)格。在x-y陣列中可以有充足數(shù)量的針以在單次通過(guò)中在基層106的段中制造所有的通孔過(guò)孔。可替代的，x-y陣列所占用的可以比基層106的段的整個(gè)長(zhǎng)度和/或?qū)挾壬?，從而可以在多次通過(guò)中形成通孔過(guò)孔102。在又一個(gè)實(shí)施例中，穿孔工具上可以有單一的針，其跨越行和列移動(dòng)以形成孔。

在可替代的實(shí)施例中，作為針的替代，穿孔工具104可以包括多個(gè)鉆頭，其轉(zhuǎn)動(dòng)以鉆通基層106。在實(shí)施例中，可以有單一的鉆頭跨越行和列移動(dòng)。在進(jìn)一步的實(shí)施例中，可以有多個(gè)鉆頭，其具有任一上文所描述的用于針的配置。作為針或鉆頭的替代，穿孔工具可以包括一個(gè)或多個(gè)激光器，其具有任一上文所描述的配置。在實(shí)施例中，通孔過(guò)孔102可以具有大約400μm至大約800μm的直徑，盡管可以理解的是，在進(jìn)一步的實(shí)施例中，通孔過(guò)孔102的直徑可以比該范圍更小或更大。在實(shí)施例中，基層106的過(guò)孔102的密度可以變化，但在示例中，可以有每平方英寸10至500個(gè)過(guò)孔。在可替代的實(shí)施例中，該數(shù)量可以更多或更少。

雖然圖7示出了交錯(cuò)的行和列的圖案，但在進(jìn)一步的實(shí)施例中，通孔過(guò)孔102可以布置為多種其它的圖案。通孔過(guò)孔102的行和/或列可以相對(duì)于彼此對(duì)齊，且通孔過(guò)孔可以布置為基層106的段上的多個(gè)同心圓。當(dāng)從daf帶100移除半導(dǎo)體裸芯時(shí)，半導(dǎo)體裸芯可能更易于在其邊緣處產(chǎn)生應(yīng)力。因此，在進(jìn)一步的實(shí)施例中，通孔過(guò)孔102可以形成在基層106中，且晶片可以按照可控的方式與daf帶對(duì)齊，以使得一旦晶片被安裝在帶上，能夠有更大密度的通孔過(guò)孔位于帶的與裸芯的外邊緣對(duì)齊的部分中，如下文所解釋的。

在上文所述的實(shí)施例中，通孔過(guò)孔可以是圓形的。然而，在進(jìn)一步的實(shí)施例中，通孔過(guò)孔可以是槽，或者具有各種長(zhǎng)度和寬度的其它形狀。

一旦通孔過(guò)孔102形成于基層106中，daf108可以在步驟201中層壓到基層上。圖5示出了最終的daf帶100的邊視圖。在實(shí)施例中，daf帶100可以運(yùn)送覆蓋daf108的襯墊109。

獨(dú)立于daf帶100中通孔過(guò)孔102的形成，半導(dǎo)體裸芯可以在步驟202中形成在晶片上并被檢測(cè)。如圖8的邊視圖和圖9的俯視圖分別所示，包括 單獨(dú)的裸芯112的晶片110可以隨后在步驟204中貼附至帶100的daf108(在襯墊109已被移除之后)并被切割。在一個(gè)示例中，裸芯112可以從晶片110中切割，以具有12.96mm的長(zhǎng)度、9.28mm的寬度和25μm的厚度。應(yīng)當(dāng)理解的是，這些尺寸僅為示例，且在可替代的實(shí)施例中，每個(gè)尺寸都可以變化。例如，在進(jìn)一步的實(shí)施例中，裸芯122可以比25μm更薄。在晶片110貼附至daf帶后，可以使用各種已知的切割技術(shù)，例如鋸切割或激光切割，來(lái)將晶片切割為單獨(dú)的半導(dǎo)體裸芯112。一旦裸芯被安裝在帶上，典型的切割工藝在鄰近的裸芯之間留下小的切口114。

在步驟206中，包括晶片110的daf帶100的段可以被運(yùn)送至裸芯抽取工具120，裸芯抽取工具120包括例如卡盤(pán)122的支撐臺(tái)，如圖10的俯視圖和圖11的橫截面圖分別所示?？ūP(pán)122可以是圓形的臺(tái)，其包括通過(guò)卡盤(pán)122的全部厚度形成的中心孔124?？ūP(pán)可以具有0.2mm至0.6mm之間的厚度，并且更特定的為0.4mm，然而在進(jìn)一步的實(shí)施例中，支撐臺(tái)的厚度可以變化到此范圍之外。

在實(shí)施例中，中心孔124可以是矩形的，其具有與半導(dǎo)體裸芯112的尺寸相同的、或稍大的、或稍小的尺寸。應(yīng)當(dāng)理解的是，在進(jìn)一步的實(shí)施例中，中心孔的形狀不需要是矩形的，且長(zhǎng)度與寬度的長(zhǎng)寬比可以與半導(dǎo)體裸芯112的長(zhǎng)寬比不同。雖然例如在圖10中示出的孔是完全開(kāi)放的孔，但應(yīng)當(dāng)理解的是，孔124可以具有上多孔板，其與卡盤(pán)122的其余上表面共面。在包括這樣的多孔板的實(shí)施例中，開(kāi)口足夠大以允許來(lái)自風(fēng)扇(下文所解釋)的空氣通過(guò)中心孔124連通至卡盤(pán)122的上表面。

如圖11中所指出和示出的，裸芯抽取工具120可以進(jìn)一步包括風(fēng)扇128，用于按照箭頭a的方向?qū)怏w(例如是潔凈空氣、氮?dú)饣蚱渌鼩怏w)通過(guò)噴嘴130吹進(jìn)中心孔124中。風(fēng)扇128可以向中心孔124中吹氣，以產(chǎn)生對(duì)抗daf108的力，該力的大小為daf108和基層106之間的吸引力的兩倍。應(yīng)當(dāng)理解的是，在進(jìn)一步的實(shí)施例中，風(fēng)扇可以吹氣產(chǎn)生更大或更小的對(duì)抗daf108的力。

如下文所解釋的，提供風(fēng)扇128向設(shè)置在中心孔124上的裸芯112的daf108吹氣，以幫助從基層106分離該裸芯上的daf108。期望的是該氣體被施加至中心孔124上的裸芯，而不要被施加至圍繞中心孔124的裸芯。在一個(gè)實(shí)施例中，這可以通過(guò)例如圖11所示的噴嘴130來(lái)促進(jìn)，噴嘴130 具有錐形部分130a，其直徑從其基部(遠(yuǎn)離其鄰近卡盤(pán)122的上表面的開(kāi)口)至其開(kāi)口增加。錐形130a提供了由圖11中的箭頭a的長(zhǎng)度表示的流體流動(dòng)圖案，其中較長(zhǎng)的箭頭比較短的箭頭表示更高的流體流動(dòng)壓力。

在圖11a所示的進(jìn)一步的實(shí)施例中，噴嘴130可以包括外管132a和內(nèi)管132b。外管132a可以接收來(lái)自風(fēng)扇128a的流體，且內(nèi)管132b可以接收來(lái)自風(fēng)扇128b的流體，其中風(fēng)扇128b以比來(lái)自風(fēng)扇128a的流體更高的壓力提供流體。這也可以產(chǎn)生由圖11a中的箭頭a的長(zhǎng)度表示的流體流動(dòng)圖案，其中較長(zhǎng)的箭頭比較短的箭頭表示更高的流體流動(dòng)壓力。在實(shí)施例中，內(nèi)管132b中的流體的壓力可以比外管132a中的流體的壓力大20％，然而在進(jìn)一步的實(shí)施例中，其可以為更大或更小的百分比。

如圖12的邊視圖和圖13的俯視圖分別所示，一旦daf帶100被設(shè)置在卡盤(pán)122上，帶可以在步驟208中按照已知的方式被拉伸，以分離晶片110的裸芯112。除了分離裸芯112之外，拉伸daf帶100還增加了通孔過(guò)孔102的尺寸，例如增加至約500μm到1000μm。在進(jìn)一步的實(shí)施例中，過(guò)孔102可以被拉伸到比該尺寸更大或更小的尺寸。還應(yīng)當(dāng)理解的是，可以在daf帶100被帶至裸芯抽取工具120之前對(duì)其進(jìn)行拉伸。

在實(shí)施例中，如圖14的橫截面圖所示，裸芯抽取工具120可以進(jìn)一步包括夾板(clampingplate)134。夾板134可以由支撐機(jī)構(gòu)(未示出)來(lái)支撐。一旦晶片100被支撐在卡盤(pán)122上，夾板134可以在步驟210中被降低至晶片110的上表面上，以輕微地倚靠半導(dǎo)體裸芯112的上表面，從而不會(huì)損壞在半導(dǎo)體裸芯的上表面內(nèi)的集成電路。裸芯抽取工具120可以進(jìn)一步包括已知構(gòu)造的真空端140。夾板134可以包括開(kāi)口136。真空端140可以被支撐以通過(guò)夾板134的開(kāi)口136上下平移。

在操作中，要從晶片110抽取的裸芯112，例如裸芯112a，可以被設(shè)置在卡盤(pán)122中的中心孔124上。之后，夾板134可以在步驟210中被降低至抵靠晶片110的上表面的位置。在夾板就位的情況下，在步驟214中激活風(fēng)扇。如圖14所示，真空端140可以隨后降低抵靠裸芯112a。

如圖15所示，通過(guò)對(duì)裸芯112a的上表面施加負(fù)壓，裸芯112和daf層可以在步驟216中被拉起并脫離daf帶100的基層106。如下文所解釋的，daf108被用于將裸芯112附接至基板或半導(dǎo)體器件中的其它裸芯。

在常規(guī)設(shè)計(jì)中，裸芯112的上表面上的力和裸芯的底表面上的daf的 反作用力會(huì)在裸芯中產(chǎn)生可能損壞裸芯的應(yīng)力，尤其是在目前的裸芯厚度處。根據(jù)本技術(shù)，風(fēng)扇128將產(chǎn)生正壓的氣體吹至daf帶100的基層106的底側(cè)。這些正壓通過(guò)基層106中的通孔過(guò)孔102連通至daf。該正壓提供了“剝離力”，該“剝離力”足夠大以將daf108從基層106分離，或者顯著的減少了將daf108從基層106分離所需要的力的大小。由正壓提供的剝離力允許daf108和裸芯112輕易的從基層106拉離，并防止了裸芯112內(nèi)可能另外損壞裸芯的應(yīng)力。

在一個(gè)實(shí)施例中，風(fēng)扇可以通過(guò)通孔過(guò)孔102對(duì)daf108施加0.2mpa至0.1mpa的壓力。考慮到過(guò)孔102的尺寸與基層106的厚度的大比率，通過(guò)過(guò)孔102的流體流動(dòng)能量損失可以忽略。daf108以大約0.1mpa至0.05mpa的壓力保持至基層。且daf108以大于大約1.0mpa的壓力保持至裸芯112。因此，在這些各自的壓力下，一旦卡盤(pán)122中的風(fēng)扇128被激活，daf108和半導(dǎo)體裸芯112將一起被輕易的從基層106拉離，基層106則保持在卡盤(pán)122上。應(yīng)當(dāng)理解的是，上文所討論的壓力僅為示例，且在可替代的實(shí)施例中可以變化。一旦裸芯112和daf108從基層106分離，風(fēng)扇128可以關(guān)閉。

一旦裸芯被提升到真空端140上，裸芯可以如下文所解釋的被運(yùn)走且被安裝在基板上。在步驟220中，晶片110可以在步驟220中重新設(shè)置在卡盤(pán)122上，使得下一個(gè)裸芯設(shè)置在中心孔124上，以如上文所解釋的被移除。步驟210、214、216和220可以被重復(fù)，直至所有的裸芯被從daf帶100移除。

圖16的俯視圖和圖17的橫截面邊視圖示出了根據(jù)本技術(shù)的進(jìn)一步實(shí)施例的裸芯抽取工具120。在該實(shí)施例中，裸芯抽取工具120如上文所描述的，除了在圖16和圖17的實(shí)施例中省略了夾板134。作為替代，在圖16和圖17的實(shí)施例中，卡盤(pán)122包括多個(gè)連接至真空152的真空孔150(其中一個(gè)在圖16和圖17中皆被編號(hào))。

一旦真空端140被降低至要從daf帶100移除的裸芯112上，真空152可以被激活以在真空孔150中產(chǎn)生箭頭b方向的負(fù)壓，該負(fù)壓有效的將daf帶100保持在卡盤(pán)122上。風(fēng)扇128可以隨后被激活以通過(guò)通孔過(guò)孔102產(chǎn)生對(duì)抗daf108的正壓，以允許如上文所述的將真空端140上的裸芯112輕易移除。通過(guò)真空152在daf帶100上產(chǎn)生的力超過(guò)了通過(guò)風(fēng)扇128在 daf帶100上產(chǎn)生的力，從而當(dāng)風(fēng)扇128對(duì)著daf帶100的底表面吹時(shí)，daf帶100被牢固的保持在卡盤(pán)122上。

圖18的俯視圖和圖19的橫截面邊視圖示出了根據(jù)本技術(shù)的進(jìn)一步實(shí)施例的裸芯抽取工具120。在該實(shí)施例中，裸芯抽取工具120如上文所描述的，除了卡盤(pán)122可以包括支撐桿154的矩陣(交叉線(xiàn))圖案，支撐桿154之間有開(kāi)口間隔156。另外，上述實(shí)施例的中心開(kāi)口124可以省略。

一旦真空端140被降低至要從daf帶100移除的裸芯112上，晶片110可以通過(guò)如上文所述的夾板134或真空152被固定在卡盤(pán)122上。風(fēng)扇128可以隨后被激活以通過(guò)開(kāi)口間隔156和通孔過(guò)孔102產(chǎn)生對(duì)抗daf108的正壓，以允許如上文所述的將真空端140上的裸芯112輕易移除。在該實(shí)施例中，卡盤(pán)122可以是由機(jī)構(gòu)(未示出)支撐的轉(zhuǎn)移臺(tái)，該機(jī)構(gòu)在x和/或y方向上可控的移動(dòng)卡盤(pán)122。因此，當(dāng)晶片110被重新設(shè)置以從晶片抽取下一個(gè)裸芯時(shí)，整個(gè)卡盤(pán)122可以在x和/或y方向上移動(dòng)。噴嘴130可以保持靜止。晶片110和daf帶100可以在保持固定在卡盤(pán)122上的單一位置，而無(wú)需重新設(shè)置晶片110和daf帶100。

圖20示出了使用通過(guò)上文所述方法抽取的半導(dǎo)體裸芯組裝的半導(dǎo)體器件170。半導(dǎo)體器件170包括多個(gè)半導(dǎo)體裸芯，多個(gè)半導(dǎo)體裸芯包括一個(gè)或多個(gè)裸芯112。這些裸芯可以例如是與控制器裸芯174(例如是asic)耦合的非易失性存儲(chǔ)器?？梢栽O(shè)想其它類(lèi)型的裸芯。裸芯例如經(jīng)由引線(xiàn)鍵合178電耦合至基板176。無(wú)源器件(未示出)可以進(jìn)一步安裝在基板176上。器件170可以例如是柵格陣列(lga)封裝體，其可以可抽取的插入主設(shè)備中和從主設(shè)備移除。在這樣的實(shí)施例中，基板可以包括在器件的底表面上的接觸指180，用于與主機(jī)裝置中的端子嚙合。器件可以包封在模塑料182中，以保護(hù)半導(dǎo)體裸芯和其它器件免受震動(dòng)和潮氣。

總的來(lái)說(shuō)，本技術(shù)可以涉及包括半導(dǎo)體裸芯的半導(dǎo)體器件，該半導(dǎo)體器件由包括以下步驟的方法形成：(a)將該半導(dǎo)體裸芯固定在卡盤(pán)上，使該半導(dǎo)體裸芯安裝至帶，該帶包括基層和裸芯附接膜(daf)，該基層包括多個(gè)通孔過(guò)孔，該裸芯附接膜粘附至該基層的第一表面；(b)向與該基層的第一表面相反的該基層的第二表面上吹氣，并通過(guò)該通孔過(guò)孔，以向該裸芯附接膜施加壓力，該壓力使該裸芯附接膜從該基層偏離；以及(c)從該基層移除該半導(dǎo)體裸芯和該裸芯附接膜，當(dāng)從該基層移除該半導(dǎo)體裸芯和該裸芯附 接膜時(shí)，使該裸芯附接膜從該基層偏離的該壓力減少該半導(dǎo)體裸芯中的應(yīng)力。

在另一示例中，本技術(shù)涉及形成包括半導(dǎo)體裸芯的半導(dǎo)體器件的方法：包括：(a)將該半導(dǎo)體裸芯貼附至帶，該帶包括基層和貼附至該基層的第一表面的裸芯附接膜(daf)，該裸芯附接膜將該半導(dǎo)體裸芯固定在該帶上；(b)將該帶和該裸芯貼附在臺(tái)上，使與該基層的第一表面相反的該基層的第二表面倚靠在該臺(tái)上；(c)通過(guò)該基層向該裸芯附接膜上吹氣，以向該裸芯附接膜施加壓力，該壓力使該裸芯附接膜從該基層偏離；以及(d)從該基層移除該半導(dǎo)體裸芯和該裸芯附接膜，當(dāng)從該基層移除該半導(dǎo)體裸芯和該裸芯附接膜時(shí)，使該裸芯附接膜從該基層偏離的該壓力減少該半導(dǎo)體裸芯中的應(yīng)力。

在另一示例中，本技術(shù)涉及從具有基層、裸芯附接膜(daf)第一層和裸芯附接膜第二層的帶抽取半導(dǎo)體裸芯的工具，該第一層和該第二層以一定的剝離強(qiáng)度保持在一起，該工具包括：支撐臺(tái)，包括用于支撐該帶和該半導(dǎo)體裸芯的上表面，該支撐臺(tái)還包括通過(guò)該支撐臺(tái)的孔；以及風(fēng)扇，設(shè)置為位于該支撐臺(tái)中的該孔中或鄰近該孔，該風(fēng)扇可操作為通過(guò)該基層向該裸芯附接膜上吹氣，以向該裸芯附接膜施加壓力，該壓力使該裸芯附接膜從該基層偏離。

在進(jìn)一步的示例中，本技術(shù)涉及用于將從晶片上切割的半導(dǎo)體裸芯固定在工藝工具上的帶，該帶包括：基層；以及裸芯附接膜(daf)，施加在該基層上，用于粘附至該半導(dǎo)體裸芯，該裸芯附接膜以可以克服的壓力粘附至該基層，以使得可以將該裸芯附接膜從該基層轉(zhuǎn)移至該半導(dǎo)體裸芯上，該基層包括多個(gè)過(guò)孔，該過(guò)孔可操作為以正壓將氣體連通至該裸芯附接膜的表面，以使該裸芯附接膜從該基層偏離。

為了說(shuō)明和描述的目的，呈現(xiàn)了前述具體描述。所做描述無(wú)意于窮舉或?qū)⒚枋鱿拗频剿_(kāi)的精確形式。根據(jù)上面的教導(dǎo)很多修改和變化是可能的。所描述的實(shí)施例選擇為最好地解釋所要求的系統(tǒng)的原理及其實(shí)際應(yīng)用，因此使本領(lǐng)域技術(shù)人員能最好地利用為適用于所預(yù)期的特定用途的在不同實(shí)施例中具有各種修改的所要求的系統(tǒng)。方法的范圍由所附的權(quán)利要求限定。