技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
一種鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管及其形成方法，其中方法包括：提供半導(dǎo)體襯底；刻蝕部分厚度的半導(dǎo)體襯底，在所述半導(dǎo)體襯底中形成溝槽，所述溝槽的兩側(cè)側(cè)壁形成有對(duì)應(yīng)的若干溝槽凹陷對(duì)，相鄰的溝槽之間的半導(dǎo)體襯底作為鰭部，所述溝槽凹陷對(duì)的區(qū)域形成鰭部凸起對(duì)。所述方法能夠增強(qiáng)柵極結(jié)構(gòu)對(duì)鰭部的控制能力，改善短溝道效應(yīng)。

技術(shù)研發(fā)人員：張海洋;王彥
受保護(hù)的技術(shù)使用者：中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國(guó)際集成電路制造(北京)有限公司
技術(shù)研發(fā)日：2016.02.03
技術(shù)公布日：2017.08.11