本發(fā)明一般來說涉及成像系統(tǒng)，且更特定來說涉及呈堆疊芯片構(gòu)形的CMOS圖像傳感器。

背景技術(shù)：

圖像傳感器已變得無所不在。其廣泛地用于數(shù)字靜態(tài)相機(jī)、蜂窩式電話、安全攝影機(jī)以及醫(yī)療、汽車及其它應(yīng)用中。用以制造圖像傳感器且特定來說互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)圖像傳感器的技術(shù)已不斷快速地進(jìn)展。舉例來說，較高幀速率及較低功率消耗的需求已促進(jìn)了這些圖像傳感器的進(jìn)一步小型化及集成。

用以增加CMOS圖像傳感器的幀速率的一種方式可為增加并行操作的讀出電路的數(shù)目。在常規(guī)圖像傳感器中，像素陣列中的一列像素可共享一個(gè)讀出電路。在常規(guī)技術(shù)的其它實(shí)例中，像素陣列中的一列像素單元可共享多個(gè)讀出電路。這些解決方案提供較高幀速率，但需要更多硅面積，此在硅圖像傳感器的小型化中并非有幫助的。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

在一個(gè)方面，本發(fā)明描述一種圖像傳感器，其包括：像素陣列，其安置于第一半導(dǎo)體裸片中，其中所述像素陣列被分割成多個(gè)像素子陣列，其中所述多個(gè)像素子陣列中的每一者被布置成多個(gè)像素群組，且其中所述多個(gè)像素群組中的每一者被布置成p×q個(gè)像素單元陣列；多個(gè)讀出電路，其安置于第二半導(dǎo)體裸片中；及互連層，其堆疊于所述第一半導(dǎo)體裸片與所述第二半導(dǎo)體裸片之間，其中所述互連層包含多個(gè)導(dǎo)體，且其中所述多個(gè)像素子陣列中的每一者通過所述多個(gè)導(dǎo)體中的對(duì)應(yīng)一者耦合到所述多個(gè)讀出電路中的對(duì)應(yīng)一者。

在另一方面，本發(fā)明描述一種用于讀出從圖像傳感器的像素陣列分割出的若干像素子陣列的方法，其中所述多個(gè)像素子陣列中的每一者包含多個(gè)像素群組，且其中所述多個(gè)像素群組中的每一者包含多個(gè)像素單元，所述方法包括：將所述 多個(gè)像素單元復(fù)位；對(duì)包含于所述像素單元中的每一者中的所關(guān)注光電檢測(cè)器進(jìn)行積分以響應(yīng)于入射光而在所述所關(guān)注光電檢測(cè)器中光生電荷載子；將所述多個(gè)像素群組中的每一者的單個(gè)浮動(dòng)擴(kuò)散節(jié)點(diǎn)復(fù)位，其中所述單個(gè)浮動(dòng)擴(kuò)散節(jié)點(diǎn)耦合到對(duì)應(yīng)像素群組的所述多個(gè)像素單元且由所述多個(gè)像素單元共享；對(duì)來自所述多個(gè)像素子陣列中的每一者的所述單個(gè)浮動(dòng)擴(kuò)散節(jié)點(diǎn)的復(fù)位信號(hào)取樣，其中來自所述多個(gè)像素子陣列中的每一者的所述單個(gè)浮動(dòng)擴(kuò)散節(jié)點(diǎn)的所述復(fù)位信號(hào)是與來自其它像素子陣列的復(fù)位信號(hào)被并行地取樣；將在所述所關(guān)注光電檢測(cè)器中光生的電荷載子轉(zhuǎn)移到所述像素群組中的每一者的所述單個(gè)浮動(dòng)擴(kuò)散節(jié)點(diǎn)；及對(duì)來自所述多個(gè)像素子陣列中的每一者的所述單個(gè)浮動(dòng)擴(kuò)散節(jié)點(diǎn)的圖像信號(hào)取樣，其中來自所述多個(gè)像素子陣列中的每一者的所述單個(gè)浮動(dòng)擴(kuò)散節(jié)點(diǎn)的所述圖像信號(hào)是與來自其它像素子陣列的圖像信號(hào)被并行地取樣。

在另一方面，本發(fā)明描述一種成像系統(tǒng)，其包括：像素陣列，其安置于第一半導(dǎo)體裸片中，其中所述像素陣列被分割成多個(gè)像素子陣列，其中所述多個(gè)像素子陣列中的每一者被布置成多個(gè)像素群組，且其中所述多個(gè)像素群組中的每一者被布置成p×q個(gè)像素單元陣列；多個(gè)讀出電路，其包含于安置于第二半導(dǎo)體裸片中的讀出電路中，其中所述多個(gè)像素子陣列中的每一者通過多個(gè)導(dǎo)體中的對(duì)應(yīng)一者耦合到所述多個(gè)讀出電路中的對(duì)應(yīng)一者；及控制電路，其安置于所述第二半導(dǎo)體中，耦合到所述像素陣列以控制所述像素陣列的操作，其中所述控制電路安置于所述第二半導(dǎo)體裸片中。

附圖說明

參考以下各圖描述本發(fā)明的非限制性及非窮盡性實(shí)施例，其中除非另有規(guī)定，否則貫穿各個(gè)視圖，相似參考編號(hào)指代相似部件。

圖1是根據(jù)本發(fā)明的教示圖解說明包含圖像傳感器的成像系統(tǒng)的一個(gè)實(shí)例的框圖，所述圖像傳感器包含具有布置于像素子陣列中的多個(gè)像素的像素陣列，所述像素陣列具有用于堆疊CMOS圖像傳感器方案中的低功率、快速讀出的像素架構(gòu)。

圖2是根據(jù)本發(fā)明的教示的包含包含于像素陣列中的實(shí)例性像素子陣列的圖像傳感器的一部分的示意圖。

圖3是根據(jù)本發(fā)明的教示展示用于讀出被分割成像素子陣列的像素陣列的實(shí)例性過 程的流程圖。

在圖式的所有數(shù)個(gè)視圖中，對(duì)應(yīng)參考字符指示對(duì)應(yīng)組件。所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員將了解，各圖中的元件是為簡(jiǎn)單及清晰起見而圖解說明的，且未必按比例繪制。舉例來說，為幫助改進(jìn)對(duì)本發(fā)明的各種實(shí)施例的理解，各圖中的元件中的一些元件的尺寸可能相對(duì)于其它元件被放大。而且，通常不描繪在商業(yè)上可行的實(shí)施例中有用或必需的常見而眾所周知的元件以便促進(jìn)對(duì)本發(fā)明的這些各種實(shí)施例的較不受阻礙的觀看。

具體實(shí)施方式

根據(jù)本發(fā)明的教示揭示用于讀出包含于多個(gè)像素群組(包含于從堆疊CMOS圖像傳感器中的像素陣列分割出的多個(gè)像素子陣列中)中的多個(gè)像素單元的成像系統(tǒng)與方法的實(shí)例。在以下描述中，陳述眾多特定細(xì)節(jié)以便提供對(duì)本發(fā)明的透徹理解。然而，所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員將明了，無需采用特定細(xì)節(jié)來實(shí)踐本發(fā)明。在其它例子中，未詳細(xì)描述眾所周知的材料或方法以避免使本發(fā)明模糊。

在本說明書通篇中對(duì)“一個(gè)實(shí)施例”、“一實(shí)施例”、“一個(gè)實(shí)例”或“一實(shí)例”的提及意指結(jié)合所述實(shí)施例或?qū)嵗枋龅奶囟ㄌ卣?、結(jié)構(gòu)或特性包含于本發(fā)明的至少一個(gè)實(shí)施例中。因此，在本說明書通篇的各個(gè)位置中短語“在一個(gè)實(shí)施例中”、“在一實(shí)施例中”、“一個(gè)實(shí)例”或“一實(shí)例”的出現(xiàn)未必全部指代同一實(shí)施例或?qū)嵗?。此外，所述特定特征、結(jié)構(gòu)或特性可在一或多個(gè)實(shí)施例或?qū)嵗幸匀魏芜m合組合及/或子組合而組合。特定特征、結(jié)構(gòu)或特性可包含于集成電路、電子電路、組合邏輯電路或提供所描述功能性的其它適合組件中。另外，應(yīng)了解，隨本文提供的各圖是出于向所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員闡釋的目的且圖式未必按比例繪制。

如將在各種實(shí)例中揭示，用以以高速度及/或低功率讀出像素陣列的有效方法利用布置于堆疊CMOS芯片解決方案中的像素子陣列，其中像素單元包含于第一半導(dǎo)體裸片中，且其中讀出電路包含于第二半導(dǎo)體裸片中。例如，在一個(gè)實(shí)例中，所述第一半導(dǎo)體裸片可為像素裸片，且所述第二半導(dǎo)體裸片可為專用集成電路(ASIC)裸片。在一個(gè)實(shí)例中，所述像素子陣列可由n×m個(gè)像素群組的集群組成。在所述實(shí)例中，在所述n×m個(gè)像素群組內(nèi)的像素單元的放大器輸出節(jié)點(diǎn)耦合在一起使得所述n×m個(gè)像素群組中的每一者共享包含于根據(jù)本發(fā)明的教示的讀出電路中的單個(gè)讀出電路。在所述實(shí)例中，根據(jù)本發(fā)明的教示以高速度及/或以低功率并行讀出所述像素子陣列。

為圖解說明，圖1是根據(jù)本發(fā)明的教示圖解說明包含具有被分割成多個(gè)像素子陣列 的像素陣列105的圖像傳感器的實(shí)例性成像系統(tǒng)100的框圖，像素陣列105包含用于堆疊圖像傳感器方案中的低功率、快速讀取的像素架構(gòu)。在所圖解說明的實(shí)例中，成像系統(tǒng)100借助堆疊CMOS芯片來實(shí)現(xiàn)，堆疊CMOS芯片包含與ASIC裸片180堆疊在一起且耦合到ASIC裸片180的像素裸片170。例如，在一個(gè)實(shí)例中，像素裸片170包含像素陣列105，且ASIC裸片180包含控制電路120、讀出電路130及功能邏輯140。在所描繪的實(shí)例中，控制電路120耦合到像素陣列105的控制操作，像素陣列105經(jīng)耦合以由讀出電路130通過位線160讀出。

特定來說，在圖1中所描繪的實(shí)例中，像素陣列105為被分割成如所展示的多個(gè)像素子陣列110的二維(2D)陣列。在一個(gè)實(shí)例中，每一像素子陣列110包含多個(gè)像素群組，所述多個(gè)像素群組中的每一者包含多個(gè)像素單元(圖1中未展示)。在所述實(shí)例中，像素子陣列中的所述多個(gè)像素群組中的每一者經(jīng)耦合以利用位線160中的同一位線，且共享讀出電路130中的同一讀出電路，下文將結(jié)合圖2描述其更多細(xì)節(jié)。

控制電路120耦合到像素陣列105以控制像素陣列105的操作特性。在一個(gè)實(shí)例中，控制電路120經(jīng)耦合以產(chǎn)生用于控制每一像素單元的圖像獲取的全局快門信號(hào)。在所述實(shí)例中，所述全局快門信號(hào)同時(shí)啟用像素陣列105的所有像素子陣列110內(nèi)的特定像素單元以在單個(gè)獲取窗期間同時(shí)轉(zhuǎn)移來自其相應(yīng)光電檢測(cè)器的圖像電荷。

在一個(gè)實(shí)例中，在像素子陣列110中的像素單元中的每一者已獲取其圖像數(shù)據(jù)或圖像電荷之后，由讀出電路130通過位線160中的一位線讀出圖像數(shù)據(jù)。在各種實(shí)例中，讀出電路130可包含放大電路、模/數(shù)轉(zhuǎn)換(ADC)電路或其它電路。功能邏輯140可僅存儲(chǔ)所述圖像數(shù)據(jù)或甚至通過應(yīng)用圖像后效果(例如，剪裁、旋轉(zhuǎn)、移除紅眼、調(diào)整亮度、調(diào)整對(duì)比度或其它)來操縱所述圖像數(shù)據(jù)。

圖2是根據(jù)本發(fā)明的教示的包含像素子陣列210的圖像傳感器的一部分的一個(gè)實(shí)例的示意圖，像素子陣列210可為包含于例如(舉例來說)圖1的像素陣列105的像素陣列中的多個(gè)像素子陣列中的一者。在圖2中所描繪的實(shí)例中，像素子陣列210包含被布置成n＝2列及m＝2行的多個(gè)像素群組220、221、222及223。構(gòu)成圖2中所描繪的實(shí)例中的像素子陣列210的四個(gè)像素群組220、221、222及223中的每一者包含被布置成p＝2列及q＝2行的四個(gè)像素單元230、231、232及233以及由每一像素群組220、221、222及223的所有四個(gè)像素單元230、231、232及233共享的像素支持電路240。

像素單元為圖1的像素陣列105中的最小重復(fù)單元，且圖2中所圖解說明的實(shí)例中所展示的像素單元230、231、232及233中的每一者包含光電檢測(cè)器251及經(jīng)耦合以由轉(zhuǎn)移信號(hào)TG控制的轉(zhuǎn)移晶體管252。布置于像素陣列105中的同一行中且在相應(yīng)像素 群組內(nèi)的同一位置中的轉(zhuǎn)移晶體管可由同一轉(zhuǎn)移信號(hào)控制。舉例來說，布置于像素群組220的左上角中的像素單元230的轉(zhuǎn)移晶體管252由轉(zhuǎn)移信號(hào)TG1(i-1)控制，且像素群組221中的布置于與像素群組220中的像素單元230相同的行中的對(duì)應(yīng)像素單元也包含由如所展示的轉(zhuǎn)移信號(hào)TG1(i-1)控制的轉(zhuǎn)移晶體管。

例如像素群組220的特定像素群組的像素單元230、231、232及233中的四個(gè)轉(zhuǎn)移晶體管252中的每一者共享單個(gè)浮動(dòng)擴(kuò)散節(jié)點(diǎn)241。所圖解說明的實(shí)例中所展示的像素支持電路240中的每一者耦合到每一特定像素群組的像素單元230、231、232及233中的四個(gè)轉(zhuǎn)移晶體管252且由四個(gè)轉(zhuǎn)移晶體管252共享，且包含復(fù)位晶體管242、放大器晶體管243(其在所圖解說明的實(shí)例中為源極隨耦器(SF)耦合的晶體管243)、行選擇晶體管244及電容器245(其耦合到電容器線270)。浮動(dòng)擴(kuò)散節(jié)點(diǎn)241經(jīng)耦合以經(jīng)由電力供應(yīng)器RFD通過復(fù)位晶體管242復(fù)位到浮動(dòng)擴(kuò)散復(fù)位電壓。復(fù)位晶體管242經(jīng)耦合以響應(yīng)于復(fù)位信號(hào)RST而受控制。在所述實(shí)例中，布置于同一行中的像素群組由同一復(fù)位信號(hào)控制。例如，像素群組220及221由復(fù)位信號(hào)RST(i-1)控制，而像素群組222及223由復(fù)位信號(hào)RST(i)控制。

浮動(dòng)擴(kuò)散節(jié)點(diǎn)241還耦合到放大器晶體管的控制端子，圖2中的所述放大器晶體管為使其柵極端子耦合到浮動(dòng)擴(kuò)散節(jié)點(diǎn)241且使其漏極端子耦合到電力供應(yīng)器VDD的源極隨耦器晶體管243。在所描繪的實(shí)例中，行選擇晶體管244由行選擇信號(hào)控制。在所述實(shí)例中，布置于同一行中的像素群組由同一行選擇信號(hào)RS控制。例如，像素群組220及221由行選擇信號(hào)RS(i-1)控制，而像素群組222及223由行選擇信號(hào)RS(i)控制。在一個(gè)實(shí)例中，行選擇晶體管244耦合于位線260與源極隨耦器晶體管243的漏極端子之間。源極隨耦器晶體管243的源極端子耦合到位線260。同一像素子陣列中的像素單元耦合到同一位線。

電容器245耦合于浮動(dòng)擴(kuò)散部241與電容器線270之間。在所描繪的實(shí)例中，耦合到像素群組220及222的電容器線270經(jīng)耦合以接收信號(hào)cap_line(j)。電容器245可增加浮動(dòng)擴(kuò)散節(jié)點(diǎn)241的電容以響應(yīng)于cap_line(j)而增加像素單元的動(dòng)態(tài)范圍。在所圖解說明的實(shí)例中，每一像素群組220、221、222及223的電容器245可用于在正讀取特定像素群組時(shí)停用其它像素群組。例如，可在像素群組221及223的讀出期間通過響應(yīng)于cap_line(j)將低電壓施加到電容器線270而停用像素群組220及222。類似地，可在像素群組220及222的讀出期間通過經(jīng)由cap_line(j+1)施加低電壓而停用像素群組221及223。

在其它實(shí)例中，應(yīng)了解，可省略電容器245及電容器線270，且可通過將低電壓施 加到RFD而停用含有不被讀出的像素單元的像素群組。在其它實(shí)例中，可通過以下方式停用含有不被讀出的像素單元的像素群組：在浮動(dòng)擴(kuò)散部241與例如接地的低電壓之間耦合下拉晶體管；及啟用下拉晶體管以將低電壓提供到浮動(dòng)擴(kuò)散部241。

如上文所總結(jié)，應(yīng)注意，在圖2中所描繪的實(shí)例中，像素子陣列210包含布置于n×m陣列中的多個(gè)像素群組，其中n＝2且m＝2。另外，應(yīng)注意，每一像素群組包含布置于p×q陣列中的多個(gè)像素單元，其中p＝2且q＝2，且其中每一像素群組中的像素單元全部共享同一像素支持電路240。當(dāng)然應(yīng)了解，所圖解說明的實(shí)例出于闡釋目的而利用n＝2、m＝2、p＝2及q＝2，且在其它實(shí)例中，可針對(duì)n、m、p及q利用其它值，其中n>1，m>1，p>1且q>1，且其中n、m、p及q為整數(shù)。

如所描繪的實(shí)例中所圖解說明，像素子陣列210的所有像素單元形成于像素裸片270上，且共享同一位線260。在一個(gè)實(shí)例中，位線260可將像素子陣列210的所有像素單元耦合到單個(gè)讀出電路285，讀出電路285可包含為包含于形成于與像素裸片270堆疊在一起且耦合到像素裸片270的ASIC裸片280上的讀出電路283中的多個(gè)讀出電路中的一者。在一個(gè)實(shí)例中，包含于讀出電路283中的所述多個(gè)讀出電路中的每一單個(gè)讀出電路285通過單個(gè)位線260耦合到所述多個(gè)像素子陣列中的單一者。在一個(gè)實(shí)例中，互連層290安置于像素裸片270與ASIC裸片280之間。在一個(gè)實(shí)例中，互連層290可包含多個(gè)導(dǎo)體。在實(shí)例中，可利用所述多個(gè)導(dǎo)體中的每一者將讀出電路283耦合到包含于像素裸片270中的電路。

例如，在圖2中所描繪的實(shí)例中，使用包含于互連層290中的所述多個(gè)導(dǎo)體中的一者實(shí)現(xiàn)位線260。換句話說，在一個(gè)實(shí)例中，像素裸片270中的所述多個(gè)像素子陣列(例如，像素子陣列210)中的每一單一者可通過包含于互連層290中的所述多個(gè)導(dǎo)體(例如，位線260)中的對(duì)應(yīng)單一者耦合到包含于ASIC裸片280中的讀出電路283中的多個(gè)讀出電路(例如，讀出電路285)中的對(duì)應(yīng)單一者。如此，在一個(gè)實(shí)例中，根據(jù)本發(fā)明的教示，可由所述多個(gè)讀出電路中的對(duì)應(yīng)單一者通過所述多個(gè)導(dǎo)體中的對(duì)應(yīng)單一者或單個(gè)位線并行讀出所述多個(gè)像素子陣列中的每一單一者。

在一個(gè)實(shí)例中，互連層290可包含導(dǎo)通體，例如微型穿硅導(dǎo)通體(μTSV)或穿硅導(dǎo)通體(TSV)。在其它實(shí)例中，一個(gè)像素子陣列210可耦合到形成于ASIC裸片280上的一個(gè)以上讀出電路285。在又其它實(shí)例中，兩個(gè)或兩個(gè)以上像素子陣列210可共享形成于ASIC裸片280上的一個(gè)讀出電路285。在一個(gè)實(shí)例中，所述多個(gè)讀出電路285中的每一者可包含形成于ASIC裸片280上的模/數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC)電路、加法器及存儲(chǔ)器(例如靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SRAM)或動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM))。在再其它實(shí)例中，所述多個(gè)讀出 電路285中的每一者可包含形成于ASIC裸片280上的ADC電路及加法器，其中例如SRAM及DRAM的存儲(chǔ)器形成于可通過互連層耦合到ASIC裸片280的存儲(chǔ)器裸片上。

圖3是根據(jù)本發(fā)明的教示展示用于并行讀出從圖像傳感器的像素陣列分割出的若干像素子陣列的實(shí)例性過程的流程圖。在所描繪的實(shí)例中，應(yīng)了解，所述過程可應(yīng)用于(舉例來說)如在上文中關(guān)于圖1及/或圖2所描述的像素子陣列。例如，如上文所描述，每一像素子陣列包含多個(gè)像素群組，所述多個(gè)像素群組中的每一者包含如上文關(guān)于圖1及/或圖2詳細(xì)論述的多個(gè)像素單元。例如，在讀出周期期間，每次從圖1中的像素陣列105的每個(gè)像素子陣列110選擇一個(gè)像素單元，且根據(jù)本發(fā)明的教示與像素陣列的其它像素子陣列并行讀出像素子陣列110。

為圖解說明，在圖3的過程框310中，將每一像素子陣列110中的像素單元復(fù)位。在一個(gè)實(shí)例中，通過斷言相應(yīng)復(fù)位信號(hào)RST及轉(zhuǎn)移信號(hào)TG而將像素單元復(fù)位。在所述實(shí)例中，在將像素子陣列110的所關(guān)注像素單元復(fù)位之后對(duì)復(fù)位信號(hào)RST及轉(zhuǎn)移信號(hào)TG兩者解除斷言。

在過程框320中，對(duì)像素子陣列110的所關(guān)注光電檢測(cè)器進(jìn)行積分。在此時(shí)間期間，響應(yīng)于光電檢測(cè)器上的入射光而在所關(guān)注光電檢測(cè)器中光生電荷載子。

在過程框330中，通過以下方式將像素群組中的每一者中與所關(guān)注像素單元相關(guān)聯(lián)的單個(gè)浮動(dòng)擴(kuò)散節(jié)點(diǎn)復(fù)位：斷言相關(guān)聯(lián)復(fù)位信號(hào)RST以接通像素群組的復(fù)位晶體管。在將浮動(dòng)擴(kuò)散部復(fù)位之后，對(duì)復(fù)位信號(hào)RST解除斷言。

在過程框340中，通過以下方式對(duì)來自像素子陣列的所關(guān)注像素群組的浮動(dòng)擴(kuò)散節(jié)點(diǎn)的復(fù)位信號(hào)與來自其它像素子陣列的復(fù)位信號(hào)并行地取樣：斷言所關(guān)注像素群組的相關(guān)聯(lián)行選擇信號(hào)RG，且在一些實(shí)例中視需要斷言及/或解除斷言其它像素群組的cap_lines。在一個(gè)實(shí)例中，應(yīng)了解，根據(jù)本發(fā)明的教示，每一像素子陣列的復(fù)位信號(hào)是與來自圖像傳感器的其它像素子陣列的其它復(fù)位信號(hào)被并行地取樣。在對(duì)復(fù)位信號(hào)取樣之后對(duì)相關(guān)聯(lián)行選擇信號(hào)RG解除斷言。

在過程框345中，當(dāng)斷言所關(guān)注像素群組的相關(guān)聯(lián)轉(zhuǎn)移信號(hào)TG時(shí)將所關(guān)注光電檢測(cè)器中的光生的電荷載子轉(zhuǎn)移到所關(guān)注像素群組的相關(guān)聯(lián)浮動(dòng)擴(kuò)散節(jié)點(diǎn)。在已將像素子陣列110的所關(guān)注像素單元的電荷載子轉(zhuǎn)移到浮動(dòng)擴(kuò)散節(jié)點(diǎn)且對(duì)所述電荷載子取樣之后對(duì)轉(zhuǎn)移信號(hào)TG解除斷言。

在過程框350中，通過以下方式對(duì)來自像素子陣列的所關(guān)注像素群組的浮動(dòng)擴(kuò)散節(jié)點(diǎn)的圖像信號(hào)與來自其它像素子陣列的圖像信號(hào)并行地取樣：斷言所關(guān)注像素群組的相關(guān)聯(lián)行選擇信號(hào)RG，且在一些實(shí)例中視需要斷言及/或解除斷言其它像素群組的 cap_lines。在一個(gè)實(shí)例中，應(yīng)了解，根據(jù)本發(fā)明的教示對(duì)每一像素子陣列的圖像信號(hào)與來自圖像傳感器的其它像素子陣列的其它圖像信號(hào)并行地取樣。在對(duì)圖像信號(hào)取樣之后對(duì)相關(guān)聯(lián)列行擇信號(hào)RG解除斷言。

在決策框360中，如果尚未讀出的像素子陣列中存在更多像素單元，那么處理循環(huán)回到過程框330，其中如所展示將與所關(guān)注像素單元相關(guān)聯(lián)的像素群組中的每一者中的單個(gè)浮動(dòng)擴(kuò)散節(jié)點(diǎn)復(fù)位。

如果在決策框360中確定已讀出像素子陣列的所有像素單元，那么處理循環(huán)回到過程框310，其中如所展示將像素子陣列110的所有像素單元復(fù)位。在一個(gè)實(shí)例中，決策框可確定是否已讀出像素子陣列中的像素單元的子集，且如果已讀出，那么將像素子陣列110中的像素單元的所述子集的全部復(fù)位。

包含發(fā)明摘要中所描述內(nèi)容的本發(fā)明的所圖解說明實(shí)例的以上描述并不打算為窮盡性或限制于所揭示的精確形式。盡管出于說明性目的而在本文中描述本發(fā)明的特定實(shí)施例及實(shí)例，但可在不背離本發(fā)明的較寬廣精神及范圍的情況下做出各種等效修改。

鑒于上文詳細(xì)描述，可對(duì)本發(fā)明的實(shí)例做出這些修改。以下權(quán)利要求書中使用的術(shù)語不應(yīng)理解為將本發(fā)明限制于說明書及權(quán)利要求書中所揭示的具體實(shí)施例。相反，所述范圍將完全由以下權(quán)利要求書來確定，所述權(quán)利要求書將根據(jù)所創(chuàng)建的權(quán)利要求解釋原則來加以理解。因此，本說明書及各圖應(yīng)視為說明性的而非限制性的。