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一種基于量子點(diǎn)電致發(fā)光器件的彩色顯示器件的制作方法

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一種基于量子點(diǎn)電致發(fā)光器件的彩色顯示器件的制造方法與工藝

本發(fā)明屬于量子點(diǎn)電致發(fā)光領(lǐng)域,具體涉及一種基于量子點(diǎn)電致發(fā)光器件的彩色顯示器件。



背景技術(shù):

量子點(diǎn)(quantumdot)是基于量子尺寸效應(yīng)發(fā)明的新一代發(fā)光材料,發(fā)光光譜隨尺寸變化而變化。由于其合成直徑的可控和剛性結(jié)構(gòu)的限制,發(fā)光光譜半峰寬較窄,色純度高,非常適合作為高色純度的發(fā)光材料。

目前,普通的量子點(diǎn)電致發(fā)光二極管(qd-led)效率較低,原因在于量子點(diǎn)的發(fā)光屬于熒光,只能利用單線態(tài)激子,理論的內(nèi)量子效率不超過(guò)25%,還有75%的三線態(tài)激子無(wú)法得到利用,所以電流效率較低。

業(yè)界已有的解決方案為在量子點(diǎn)發(fā)光層中加入主體材料、磷光材料等增強(qiáng)能量的收集,電子和空穴在主體材料中復(fù)合,產(chǎn)生的單線態(tài)激子和三線態(tài)激子從主體材料、磷光材料傳遞給量子點(diǎn),然后量子點(diǎn)發(fā)光,提高器件的電流效率:

1)通過(guò)在量子點(diǎn)發(fā)光層中加入主體材料,電子和空穴在主體材料中復(fù)合,產(chǎn)生的單線態(tài)激子從主體材料傳遞給量子點(diǎn),然后量子點(diǎn)發(fā)光。與不添加主體材料相比,器件的外量子效率(eqe)提高了至少兩倍。

2)通過(guò)在量子點(diǎn)發(fā)光層中加入主體材料和磷光染料,電子和空穴在主體材料中復(fù)合,產(chǎn)生的單線態(tài)激子和三線態(tài)激子分別從主體材料和磷光材料傳遞給量子點(diǎn),然后量子點(diǎn)發(fā)光。將磷光染料的比例從0增加到10%左右后,發(fā)現(xiàn)器件的外量子效率(eqe)提高了約3倍。

其中,在室溫下,主體材料從三線激發(fā)態(tài)回到基態(tài)的電子躍遷非常少,其能量絕大部分以熱的形式損失掉了,其主要單線態(tài)激子從主體材料傳遞給量子點(diǎn)。由于三線激發(fā)態(tài)產(chǎn)生的幾率為單線激發(fā)態(tài)的三倍,因此相當(dāng)于75%的能量沒(méi)有被用于傳遞給量子點(diǎn)。充分利用這一能量,將有效地提高量子點(diǎn)電致發(fā)光器件的發(fā)光效率。



技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:

本發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題是:現(xiàn)有技術(shù)中基于量子點(diǎn)電致發(fā)光器件的彩色顯示器件,其量子點(diǎn)電致發(fā)光器件的效率不高,還有待進(jìn)一步提升。

為了解決上述技術(shù)問(wèn)題,本發(fā)明提供了一種基于量子點(diǎn)電致發(fā)光器件的彩色顯示器件,其在量子點(diǎn)發(fā)光層中添加tadf材料,tadf材料能夠?qū)⑷€態(tài)激子轉(zhuǎn)換為單線態(tài)激子,然后通過(guò)forster熒光共振能量轉(zhuǎn)移將單線態(tài)激子傳遞給量子點(diǎn),從而提高量子點(diǎn)電致發(fā)光器件的電流效率。

本發(fā)明中所述的發(fā)光光譜均是指歸一化后的發(fā)光光譜,吸收光譜均是指歸一化后的吸收光譜。

本發(fā)明的基于量子點(diǎn)電致發(fā)光器件的彩色顯示器件,其包括多個(gè)排列成陣列的量子點(diǎn)電致發(fā)光器件和彩色濾光片,所述量子點(diǎn)電致發(fā)光器件,包括發(fā)光層,其特征在于,所述發(fā)光層包含紅色發(fā)光的量子點(diǎn)材料、綠色發(fā)光的量子點(diǎn)材料、藍(lán)色發(fā)光的量子點(diǎn)材料和熱活化延遲熒光材料,其中,紅色發(fā)光的量子點(diǎn)材料、綠色發(fā)光的量子點(diǎn)材料和藍(lán)色發(fā)光的量子點(diǎn)材料混合形成白光材料,熱活化延遲熒光材料的發(fā)光光譜與藍(lán)色發(fā)光的量子點(diǎn)材料的吸收光譜在歸一化后,波峰對(duì)應(yīng)的波長(zhǎng)之差在50nm以內(nèi);

以彩色濾光片對(duì)量子點(diǎn)電致發(fā)光器件的發(fā)光過(guò)濾,以實(shí)現(xiàn)彩色顯示。

優(yōu)選地,紅色發(fā)光的量子點(diǎn)材料、綠色發(fā)光的量子點(diǎn)材料和藍(lán)色發(fā)光的量子點(diǎn)材料的總重量在所述發(fā)光層中所占的比例不高于40wt%,熱活化延遲熒光材料在所述發(fā)光層中所占的比例不低于10wt%。

優(yōu)選地,所述發(fā)光層中還包括磷光主體材料。所述磷光主體材料的三線態(tài)能級(jí)高于所選擇的熱活化延遲熒光材料的單線態(tài)能級(jí)。

優(yōu)選地,所述磷光主體材料為cbp、cdbp、mcp、dcb、dcz,ad-cz、tcz1、czsi、cbz1-f2、simcp、tcteb、26dczppy、mpo12、tcta、tpbi、pvk、psifc6c6、p36ehf、ttbcbp、cfl、tftpa、tstc、bobp3、t2n、tpbi、o-czoxd、buph1、dbf、sppo1、mp012、po1、p06、35dczppy、4czpbp、3czpbp、cbf和tcteb中的一種或其組合。

優(yōu)選地,紅色發(fā)光的量子點(diǎn)材料、綠色發(fā)光的量子點(diǎn)材料和藍(lán)色發(fā)光的量子點(diǎn)材料的總重量在所述發(fā)光層中所占的比例不高于40wt%,優(yōu)選為5-40wt%,熱活化延遲熒光材料在所述發(fā)光層中所占的比例不低于10wt%,優(yōu)選為10-95wt%,其余為磷光主體材料。

所述熱活化延遲熒光材料的ct激發(fā)態(tài)的三線態(tài)能級(jí)高于n-π激發(fā)態(tài)的三線態(tài)能級(jí),并且相差為0~0.3ev之間。

其中,所述紅色發(fā)光的量子點(diǎn)材料為發(fā)光光譜波峰對(duì)應(yīng)的波長(zhǎng)在618-685nm的硫化鋅、氧化鋅、氮化鎵、硒化鋅、硫化鎘、硒化鎵、硒化鎘、碲化鋅、碲化鎘、砷化鎵、磷化銦和碲化鉛中的一種或其組合,紅色發(fā)光的量子點(diǎn)材料的粒徑在5-8nm之間;綠色發(fā)光的量子點(diǎn)材料為發(fā)光光譜波峰對(duì)應(yīng)的波長(zhǎng)在506-582nm的硫化鋅、氧化鋅、氮化鎵、硒化鋅、硫化鎘、硒化鎵、硒化鎘、碲化鋅、碲化鎘、砷化鎵、磷化銦和碲化鉛中的一種或其組合,綠色發(fā)光的量子點(diǎn)材料的粒徑在4-7nm之間;藍(lán)色發(fā)光的量子點(diǎn)材料為發(fā)光光譜波峰對(duì)應(yīng)的波長(zhǎng)在408-492nm的硫化鋅、氧化鋅、氮化鎵、硒化鋅、硫化鎘、硒化鎵、硒化鎘、碲化鋅、碲化鎘、砷化鎵、磷化銦和碲化鉛中的一種或其組合,藍(lán)色發(fā)光的量子點(diǎn)材料的粒徑在2-6nm之間。

優(yōu)選地,所述熱活化延遲熒光材料為具有如下通式結(jié)構(gòu)的材料中的一種或其組合:

,,,

,,,

,,

,,

其中,r1選自h,ph或以下基團(tuán),r2、r3、r4選自以下基團(tuán):

,,,,,,,,,,,,,,;

r5選自以下基團(tuán):

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本發(fā)明的基于量子點(diǎn)電致發(fā)光器件的彩色顯示器件中,所述量子點(diǎn)電致發(fā)光器件包括在基板上依次層疊的陽(yáng)極、空穴注入層、所述發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層及陰極。優(yōu)選地,所述量子點(diǎn)電致發(fā)光器件的所述空穴注入層與所述發(fā)光層之間設(shè)有空穴傳輸層。更優(yōu)選地,所述量子點(diǎn)電致發(fā)光器件的所述空穴傳輸層與所述發(fā)光層之間設(shè)有電子阻擋層;所述發(fā)光層與所述電子傳輸層之間設(shè)有空穴阻擋層。

本發(fā)明能夠達(dá)到以下技術(shù)效果:

與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明的彩色顯示器件,其量子點(diǎn)電致發(fā)光器件的發(fā)光層加入了熱活化延遲熒光材料。熱活化延遲熒光材料(tadf,thermallyactivateddelayedfluorescence)可以在室溫下將三線態(tài)激子轉(zhuǎn)化為單線態(tài)激子。如果將tadf材料作為輔助摻雜材料,添加在發(fā)光層中,tadf可以有效的將三線態(tài)激子轉(zhuǎn)換為單線態(tài)激子,然后所有的單線態(tài)激子都通過(guò)熒光共振能量轉(zhuǎn)移(fret),將單線態(tài)激子傳遞傳遞給量子點(diǎn),然后量子點(diǎn)發(fā)光。tadf將本來(lái)不能發(fā)光的三線態(tài)激子轉(zhuǎn)換為可以利用的單線態(tài)激子,內(nèi)量子效率極限從25%提高到100%,有效的提高能量利用效率。

在本發(fā)明的量子點(diǎn)電致發(fā)光器件的發(fā)光層中tadf材料能夠有效的將三線態(tài)激子轉(zhuǎn)換為單線態(tài)激子,并通過(guò)forster熒光共振能量轉(zhuǎn)移將單線態(tài)激子傳遞到量子點(diǎn)上,激發(fā)量子點(diǎn)發(fā)光,提高量子點(diǎn)電致發(fā)光器件的電流效率。

本發(fā)明的彩色顯示器件采用白光加濾光片的方法,工藝簡(jiǎn)單,制造成本低,便于生產(chǎn)大尺寸顯示面板。

附圖說(shuō)明

圖1是普通白光器件發(fā)光光譜、量子點(diǎn)白光器件發(fā)光光譜、紅/綠/藍(lán)光濾光片透射光譜示意圖。

圖2是本發(fā)明的彩色顯示器件的量子點(diǎn)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖3是本發(fā)明的彩色顯示器件的量子點(diǎn)電致發(fā)光器件的發(fā)光層的能量傳輸及發(fā)光示意圖。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步說(shuō)明,以使本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以更好的理解本發(fā)明并能予以實(shí)施,但所舉實(shí)施例不作為對(duì)本發(fā)明的限定。

目前實(shí)現(xiàn)電致發(fā)光器件實(shí)現(xiàn)彩色顯示的方式主要有兩種,一種是使用紅綠藍(lán)三基色的像素單元,一種是使用白光加濾光片。與前一種方法相比,白光加濾光片的方法工藝簡(jiǎn)單,制造成本低,便于生產(chǎn)大尺寸顯示面板。但是由于普通白光器件中紅綠藍(lán)三種光譜的半峰寬較大,與對(duì)應(yīng)顏色的濾光片的透射光譜不能完全吻合,因此普通白光器件所發(fā)射的白光光譜在經(jīng)過(guò)濾光片時(shí),存在較大的光損失,導(dǎo)致綜合的光利用率較低。量子點(diǎn)的發(fā)光光譜的半峰寬較小,與對(duì)應(yīng)顏色的濾光片的透射光譜完全吻合,因此使用量子點(diǎn)制備的白光發(fā)光器件的白光光譜在經(jīng)過(guò)濾光片時(shí),具有較少的光損失,綜合的光利用率較高。如圖1所示,在波長(zhǎng)為500nm和580nm附近,普通白光器件依然具有較強(qiáng)的發(fā)光,然而量子點(diǎn)器件幾乎沒(méi)有發(fā)光,而紅綠藍(lán)三種顏色的濾光片在此兩處的透射率均較低,因此普通白光器件在這兩處的發(fā)光不能透過(guò),即沒(méi)有被利用。

因此,本發(fā)明提供一種基于量子點(diǎn)電致發(fā)光器件的彩色顯示器件,其包括多個(gè)排列成陣列的量子點(diǎn)電致發(fā)光器件和彩色濾光片,所述量子點(diǎn)電致發(fā)光器件,包括發(fā)光層,所述發(fā)光層包含紅色發(fā)光的量子點(diǎn)材料、綠色發(fā)光的量子點(diǎn)材料、藍(lán)色發(fā)光的量子點(diǎn)材料和熱活化延遲熒光材料,其中,紅色發(fā)光的量子點(diǎn)材料、綠色發(fā)光的量子點(diǎn)材料和藍(lán)色發(fā)光的量子點(diǎn)材料混合形成白光材料,熱活化延遲熒光材料的發(fā)光光譜與藍(lán)色發(fā)光的量子點(diǎn)材料的吸收光譜在歸一化后,波峰對(duì)應(yīng)的波長(zhǎng)之差在50nm以內(nèi);

以彩色濾光片對(duì)量子點(diǎn)電致發(fā)光器件的發(fā)光過(guò)濾,以實(shí)現(xiàn)彩色顯示。

如圖2所示,本發(fā)明彩色顯示器件的量子點(diǎn)電致發(fā)光器件包括:陽(yáng)極201、空穴注入層(hil)202、空穴傳輸層(htl)203、電子阻擋層(ebl)204、發(fā)光層(eml)205、空穴阻擋層(hbl)206、電子傳輸層(etl)207、電子注入層(eil)208及陰極209。實(shí)驗(yàn)中以刻蝕好特定圖形的ito導(dǎo)電玻璃基片作為襯底,將基片放在含清洗液的去離子水中超聲波清洗,洗液溫度約為60℃,然后用紅外烤燈將清洗完的基片烤干,放入蒸鍍腔室中依次蒸鍍空穴注入層202、空穴傳輸層203、電子阻擋層204,然后通過(guò)旋涂制備發(fā)光層205,然后再依次蒸鍍空穴阻擋層206、電子傳輸層207、電子注入層208及陰極209。蒸鍍過(guò)程中腔室壓強(qiáng)低于5.0×10-3pa,依次蒸鍍10nm厚度的hatcn作為空穴注入層202,40nm厚度的npb作為空穴傳輸層203,20nm厚度的tcta作為電子阻擋層204,然后旋涂一層包含量子點(diǎn)材料和熱活化延遲熒光材料的發(fā)光層材料,使形成厚度為30nm的發(fā)光層205,然后依次蒸鍍20nm厚度的bcp作為空穴阻擋層206,30nm厚度的alq3作為電子傳輸層207,1nm的lif氟化鋰作為電子注入層208,最后蒸鍍150nm的金屬al作為陰極209。

hatcn

npb

tcta

alq3

bcp。

本發(fā)明的彩色顯示器件的量子點(diǎn)電致發(fā)光器件,其發(fā)光層采用藍(lán)色發(fā)光、綠色發(fā)光、紅色發(fā)光的量子點(diǎn)一起與tadf材料混合(熱活化延遲熒光材料的發(fā)光光譜與量子點(diǎn)材料的吸收光譜重合),tadf材料能夠?qū)⑷€態(tài)激子轉(zhuǎn)換為單線態(tài)激子,然后通過(guò)forster熒光共振能量轉(zhuǎn)移將激子傳遞給量子點(diǎn),從而提高量子點(diǎn)電致發(fā)光二極管的電流效率,形成一個(gè)高效率的發(fā)出多種顏色的電致發(fā)光器件,然后通過(guò)cf過(guò)濾,可以實(shí)現(xiàn)高色域的彩色顯示。

具體地,如圖3所示,器件的工作原理如下:1)電子和空穴分別注入到tadf材料中,然后發(fā)生復(fù)合,產(chǎn)生25%的單線態(tài)激子,75%的三線態(tài)激子;2)三線態(tài)激子吸收熱能,通過(guò)系間竄越(isc)轉(zhuǎn)換為單線態(tài)激子;3)單線態(tài)激子通過(guò)forster能量轉(zhuǎn)移,轉(zhuǎn)移到量子點(diǎn)上;4)量子點(diǎn)發(fā)光,產(chǎn)生高效率高色純度的光。

本發(fā)明的彩色顯示器件中,量子點(diǎn)電致發(fā)光器件的發(fā)光層通過(guò)調(diào)節(jié)不同量子點(diǎn)的比例,可以實(shí)現(xiàn)多種不同顏色量子點(diǎn)同時(shí)發(fā)光。將藍(lán)色發(fā)光的量子點(diǎn)、綠色發(fā)光的量子點(diǎn)和紅色發(fā)光的量子點(diǎn)一起與tadf材料混合,可以通過(guò)slot等工藝制備一個(gè)發(fā)出多種顏色的電致發(fā)光器件,然后通過(guò)cf過(guò)濾,可以實(shí)現(xiàn)彩色顯示。與傳統(tǒng)白光oled+cf相比,由于量子點(diǎn)的發(fā)光峰非常窄,經(jīng)過(guò)cf過(guò)濾后,色純度高,而且光的有效利用率比較高。

紅色發(fā)光量子點(diǎn)電致發(fā)光器件的發(fā)光層中紅色發(fā)光的量子點(diǎn)材料為發(fā)光光譜波峰對(duì)應(yīng)的波長(zhǎng)在618-685nm(發(fā)光光譜波峰對(duì)應(yīng)的波長(zhǎng)在此數(shù)值范圍內(nèi)的量子點(diǎn)發(fā)紅光)的硫化鋅、氧化鋅、氮化鎵、硒化鋅、硫化鎘、硒化鎵、硒化鎘、碲化鋅、碲化鎘、砷化鎵、磷化銦和碲化鉛中的一種或其組合,紅色發(fā)光的量子點(diǎn)材料的粒徑在5-8nm之間;綠色發(fā)光量子點(diǎn)電致發(fā)光器件的發(fā)光層中綠色發(fā)光的量子點(diǎn)材料為發(fā)光光譜波峰對(duì)應(yīng)的波長(zhǎng)在506-582nm(發(fā)光光譜波峰對(duì)應(yīng)的波長(zhǎng)在此數(shù)值范圍內(nèi)的量子點(diǎn)發(fā)綠光)的硫化鋅、氧化鋅、氮化鎵、硒化鋅、硫化鎘、硒化鎵、硒化鎘、碲化鋅、碲化鎘、砷化鎵、磷化銦和碲化鉛中的一種或其組合,綠色發(fā)光的量子點(diǎn)材料的粒徑在4-7nm之間;藍(lán)色發(fā)光量子點(diǎn)電致發(fā)光器件的發(fā)光層中藍(lán)色發(fā)光的量子點(diǎn)材料為發(fā)光光譜波峰對(duì)應(yīng)的波長(zhǎng)在408-492nm(發(fā)光光譜波峰對(duì)應(yīng)的波長(zhǎng)在此數(shù)值范圍內(nèi)的量子點(diǎn)發(fā)藍(lán)光)的硫化鋅、氧化鋅、氮化鎵、硒化鋅、硫化鎘、硒化鎵、硒化鎘、碲化鋅、碲化鎘、砷化鎵、磷化銦和碲化鉛中的一種或其組合,藍(lán)色發(fā)光的量子點(diǎn)材料的粒徑在2-6nm之間。

本發(fā)明中熱活化延遲熒光材料的ct激發(fā)態(tài)的三線態(tài)能級(jí)高于n-π激發(fā)態(tài)的三線態(tài)能級(jí),并且相差為0~0.3ev之間。

可用于本發(fā)明的tadf材料包括但不限于具有如下通式結(jié)構(gòu)的化合物中的一種或其組合:

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其中,r1選自h,ph或以下基團(tuán),r2、r3、r4選自以下基團(tuán):

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r5選自以下基團(tuán):

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本發(fā)明的彩色顯示器件中,量子點(diǎn)電致發(fā)光器件的發(fā)光層除了量子點(diǎn)材料和熱活化延遲熒光材料之外,還可添加磷光主體材料。一般tadf材料的載流子遷移率較低,添加載流子遷移率較好的磷光主體材料,可以進(jìn)一步提高器件性能。在本發(fā)明的發(fā)光層中,磷光主體材料的三線態(tài)能級(jí)高于所選擇的熱活化延遲熒光材料的單線態(tài)能級(jí)。

本發(fā)明的磷光主體材料可選自但不限于如下材料中的一種或其組合:

下述對(duì)比例及實(shí)施例中,量子點(diǎn)電致發(fā)光器件的空穴注入層、空穴傳輸層、電子傳輸層、電子注入層、陰極等結(jié)構(gòu)保持不變,只有發(fā)光層部分采用不同發(fā)光體系。

對(duì)比例1

采用磷光染料做發(fā)光層的普通白光器件。

本對(duì)比例的磷光電致發(fā)光器件結(jié)構(gòu)如下:

ito/hatcn(10nm)/npb(40nm)/tcta(20nm)/mcp:fir6:ir(ppy)3:(btp)2ir(acac)=86:10:3:1(30nm)/bcp(20nm)/alq3(30nm)/lif(1nm)/al(150nm)。

,

。

即本對(duì)比例的發(fā)光層沒(méi)有量子點(diǎn)材料,只有磷光主體和磷光染料,其中mcp為磷光主體材料,在發(fā)光層中所占的比例為86wt%;fir6為藍(lán)光磷光染料,在發(fā)光層中所占的比例為10wt%;ir(ppy)3為綠光磷光染料,在發(fā)光層中所占的比例為3wt%;(btp)2ir(acac)為紅光磷光染料,在發(fā)光層中所占的比例為1wt%;

對(duì)比例2

采用量子做發(fā)光層的量子點(diǎn)白光器件。

本對(duì)比例的量子點(diǎn)電致發(fā)光器件結(jié)構(gòu)如下:

ito/hatcn(10nm)/npb(40nm)/tcta(20nm)/藍(lán)色發(fā)光量子點(diǎn):綠色發(fā)光量子點(diǎn):紅色發(fā)光量子點(diǎn)=1:1:1(30nm)/bcp(20nm)/alq3(30nm)/lif(1nm)/al(150nm)

即本對(duì)比例的發(fā)光層只采用量子點(diǎn)材料,其中藍(lán)色發(fā)光量子點(diǎn)為直徑為4.2nm(發(fā)光光譜波峰對(duì)應(yīng)的波長(zhǎng)為452nm)的cdse量子點(diǎn),綠色發(fā)光量子點(diǎn)為直徑為5.5nm(發(fā)光光譜波峰對(duì)應(yīng)的波長(zhǎng)為526nm)的cdse量子點(diǎn),紅色發(fā)光量子點(diǎn)為直徑為6.7nm(發(fā)光光譜波峰對(duì)應(yīng)的波長(zhǎng)為622nm)的cdse量子點(diǎn),三種不同尺寸的量子點(diǎn)材料的重量比為1:1:1,即三者各占發(fā)光層的33wt%。

對(duì)比例3

采用量子點(diǎn)材料與主體材料mcp作為發(fā)光層的量子點(diǎn)白光器件。

本對(duì)比例的量子點(diǎn)電致發(fā)光器件結(jié)構(gòu)如下:

ito/hatcn(10nm)/npb(40nm)/tcta(20nm)/mcp:藍(lán)色發(fā)光量子點(diǎn):綠色發(fā)光量子點(diǎn):紅色發(fā)光量子點(diǎn)=79:7:7:7(30nm)/bcp(20nm)/alq3(30nm)/lif(1nm)/al(150nm)

即本對(duì)比例的發(fā)光層采用量子點(diǎn)材料加磷光主體材料mcp,其中磷光主體材料占發(fā)光層重量的79%,藍(lán)色發(fā)光量子點(diǎn)為直徑為4.2nm的cdse量子點(diǎn),綠色發(fā)光量子點(diǎn)為直徑為5.5nm的cdse量子點(diǎn),紅色發(fā)光量子點(diǎn)為直徑為6.7nm的cdse量子點(diǎn),三種不同尺寸的量子點(diǎn)材料各占發(fā)光層的7wt%。

實(shí)施例1

本實(shí)施例采用量子點(diǎn)材料加入tadf材料(acrsa)作為發(fā)光層,其中acrsa占發(fā)光層的79wt%;藍(lán)色量子點(diǎn)為直徑為4.2nm的cdse量子點(diǎn),綠色量子點(diǎn)為直徑為5.5nm的cdse量子點(diǎn),紅色量子點(diǎn)為直徑為6.7nm的cdse量子點(diǎn),三種不同尺寸的量子點(diǎn)材料各占發(fā)光層的7wt%。acrsa為已知的tadf材料,其ct激發(fā)態(tài)的三線態(tài)能級(jí)高于n-π激發(fā)態(tài)的三線態(tài)能級(jí),并且相差為0~0.3ev之間。

本實(shí)施例的量子點(diǎn)電致發(fā)光器件結(jié)構(gòu)如下:

ito/hatcn(10nm)/npb(40nm)/tcta(20nm)/acrsa:藍(lán)色量子點(diǎn):綠色量子點(diǎn):紅色量子點(diǎn)=79:7:7:7(30nm)(30nm)/bcp(20nm)/alq3(30nm)/lif(1nm)/al(150nm)

acrsa

實(shí)施例2

本實(shí)施例采用量子點(diǎn)材料加入磷光主體材料mcp和tadf材料(acrsa)作為發(fā)光層,其中mcp占發(fā)光層的59wt%,acrsa占發(fā)光層的20wt%;藍(lán)色發(fā)光量子點(diǎn)為直徑為4.2nm的cdse量子點(diǎn),綠色發(fā)光量子點(diǎn)為直徑為5.5nm的cdse量子點(diǎn),紅色發(fā)光量子點(diǎn)為直徑為6.7nm的cdse量子點(diǎn),三種不同尺寸的量子點(diǎn)材料各占發(fā)光層的7wt%。

本實(shí)施例的量子點(diǎn)電致發(fā)光器件結(jié)構(gòu)如下:

ito/hatcn(10nm)/npb(40nm)/tcta(20nm)/mcp:acrsa:藍(lán)色量子點(diǎn):綠色量子點(diǎn):紅色量子點(diǎn)=59:20:7:7:7(30nm)/bcp(20nm)/alq3(30nm)/lif(1nm)/al(150nm)

上述對(duì)比例及實(shí)施例的實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)如下表所示:

因?yàn)閷?duì)比例及實(shí)施例顏色不完全一致,所以無(wú)法簡(jiǎn)單從電流效率方面加以對(duì)比,我們重點(diǎn)對(duì)比1000nits下外量子效率和對(duì)應(yīng)的驅(qū)動(dòng)電壓,以選擇最佳性能的器件。

通過(guò)上表可以看出:

1)在量子點(diǎn)發(fā)光層中摻雜磷光主體材料,有利于提高空穴和電子在發(fā)光層中的傳輸和復(fù)合,提高量子點(diǎn)發(fā)光器件的效率,降低器件的工作電壓;

2)在量子點(diǎn)發(fā)光層中摻雜熱活化延遲熒光材料,tadf材料能夠?qū)⑷€態(tài)激子轉(zhuǎn)化為單線態(tài)激子,然后單線態(tài)激子通過(guò)forster能量轉(zhuǎn)移傳遞給量子點(diǎn);與dexter能量轉(zhuǎn)移相比,forster能量轉(zhuǎn)移的作用距離大,能量傳遞的效率高,能夠大幅提高量子點(diǎn)發(fā)光器件的效率。

3)在量子點(diǎn)發(fā)光層中摻雜磷光主體材料和熱活化延遲熒光材料,既可以提高空穴和電子在發(fā)光層中的傳輸和復(fù)合,降低器件的工作電壓,又可以利用tadf材料增強(qiáng)能量轉(zhuǎn)移,提高量子點(diǎn)發(fā)光器件的效率;

4)與使用磷光染料作為發(fā)光層的普通白光器件相比,使用量子點(diǎn)作為發(fā)光層的白光器件經(jīng)過(guò)彩色濾光片后各顏色光的利用率更高。與對(duì)比例1相比,實(shí)施例2的藍(lán)光利用率提高了2.5倍,綠光利用率提高了1.4倍,紅光提高了1.8倍。

實(shí)施例3~實(shí)施例7

實(shí)施例3~實(shí)施例7的量子點(diǎn)電致發(fā)光器件結(jié)構(gòu)如下:

ito/hatcn(10nm)/npb(40nm)/tcta(20nm)/mcp:acrsa:藍(lán)色發(fā)光量子點(diǎn):綠色發(fā)光量子點(diǎn):紅色發(fā)光量子點(diǎn)30nm)/bcp(20nm)/alq3(30nm)/lif(1nm)/al(150nm)

其發(fā)光層采用量子點(diǎn)材料加入磷光主體材料mcp和tadf材料(acrsa)作為發(fā)光層;藍(lán)色發(fā)光量子點(diǎn)為直徑為4.2nm的cdse量子點(diǎn),綠色發(fā)光量子點(diǎn)為直徑為5.5nm的cdse量子點(diǎn),紅色發(fā)光量子點(diǎn)為直徑為6.7nm的cdse量子點(diǎn)。各實(shí)施例的比例不同。

從上表可看出,當(dāng)mcp的重量濃度很低時(shí),器件中的載流子傳輸性能變差,此時(shí)器件的工作電壓較高;通過(guò)降低acrsa和量子點(diǎn)的濃度,提高mcp的重量濃度,能夠改善器件的載流子傳輸性能,降低工作電壓;然而此時(shí),由于tadf和量子點(diǎn)的濃度被降低,器件的量子效率降低,發(fā)光性能變差;綜合考慮各項(xiàng)影響因素,優(yōu)選的條件為mcp的重量濃度為59-69wt%,tadf的重量濃度為10-20%,紅色、綠色、藍(lán)色量子點(diǎn)的重量濃度各為7wt%。

以上所述實(shí)施例僅是為充分說(shuō)明本發(fā)明而所舉的較佳的實(shí)施例,本發(fā)明的保護(hù)范圍不限于此。本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本發(fā)明基礎(chǔ)上所作的等同替代或變換,均在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。本發(fā)明的保護(hù)范圍以權(quán)利要求書(shū)為準(zhǔn)。

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