技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體器件及其制造方法，涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。所述方法包括：提供基底，在所述基底上依次形成底部電極層、絕緣層和頂部電極層；在所述頂部電極層上沉積形成緩沖層，其中，所述緩沖層具有與所述頂部電極層相接近的熱膨脹系數(shù)；在所述緩沖層上形成阻擋層。根據(jù)本發(fā)明的制造方法，在頂部電極層與阻擋層TiN之間增加一層Ti，由于Ti與金屬AlCu的熱膨脹系數(shù)接近，因此可以使得Al和Ti能更好的粘合在一起，而不會(huì)在之后的工藝中將上層的TiN阻擋層擠裂，而使光阻流入下層的頂部電極層并與頂部電極層中的金屬反應(yīng)，進(jìn)而避免了MIM局部刻蝕殘留物缺陷的產(chǎn)生，提高了器件的良率和性能。

技術(shù)研發(fā)人員：郭玉潔;張偉
受保護(hù)的技術(shù)使用者：中芯國際集成電路制造（上海）有限公司;中芯國際集成電路制造（北京）有限公司
技術(shù)研發(fā)日：2016.01.13
技術(shù)公布日：2017.07.21