本發(fā)明涉及利用清洗藥液清洗基板的表面的基板處理方法以及基板處理裝置。成為處理對象的基板包括半導(dǎo)體晶片等。

背景技術(shù)：

在半導(dǎo)體器件的制造工序中，進(jìn)行向半導(dǎo)體晶片的表面供給清洗藥液，來從該基板的表面除去不需要物質(zhì)的清洗處理。

用于逐張地處理半導(dǎo)體晶片的單張式的基板處理裝置包括：旋轉(zhuǎn)夾具，將基板保持為水平來旋轉(zhuǎn)；噴嘴，向保持于旋轉(zhuǎn)夾具的基板的表面供給清洗藥液。一邊使保持有基板的旋轉(zhuǎn)夾具旋轉(zhuǎn)，一邊向基板的表面供給清洗藥液。由此，清洗藥液遍及基板的表面的整個(gè)區(qū)域，從基板的表面的整個(gè)區(qū)域除去不需要物質(zhì)。

現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)1：日本特開2004－281463號公報(bào)。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

發(fā)明所要解決的問題

在實(shí)施這樣的清洗處理的基板的表面，有時(shí)形成包含氧化膜或氮化膜等膜的圖案。在清洗處理中，由于向基板的表面供給清洗藥液，基板的表面所包含的膜中可能產(chǎn)生膜損耗(膜的減少)。根據(jù)清洗藥液的種類以及膜的種類不同，膜快速地被除去，其結(jié)果是可能膜損耗被增加。

隨著近幾年的圖案的細(xì)微化，膜損耗的允許范圍變得更窄，膜損耗對半導(dǎo)體的晶體管特性帶來影響的可能性正在成為現(xiàn)實(shí)。因此，尤其，在具有細(xì)微圖案的基板的清洗處理中，需要降低或防止伴隨清洗處理產(chǎn)生的膜損耗。

因此，本發(fā)明的目的在于提供一種基板處理方法以及基板處理裝置，能夠一邊降低或防止細(xì)微圖案所包含的膜的損耗，一邊清洗具有細(xì)微圖案的基板的表面。

用于解決問題的手段

本發(fā)明提供一種基板處理方法，是對表面具有含有膜的細(xì)微圖案的基板實(shí)施清洗處理的基板處理方法，包括：甲硅烷基化工序，該工序向所述含有膜的基板的表面供給甲硅烷基化劑；以及藥液清洗工序，該工序在進(jìn)行所述甲硅烷基化工序之后，或者與所述甲硅烷基化工序并行地，向所述基板的表面供給清洗藥液，來清洗該基板的表面。

根據(jù)該方法，在進(jìn)行藥液清洗工序之前，或者與該藥液清洗工序并行地，執(zhí)行甲硅烷基化工序。在甲硅烷基化工序中，通過甲硅烷基化劑，對基板的表面所包含的膜的表層進(jìn)行甲硅烷基化(改質(zhì))，通過保護(hù)層覆蓋該膜。因此，能夠在通過保護(hù)層覆蓋膜的狀態(tài)下，進(jìn)行藥液清洗工序。因此，難以在藥液清洗工序產(chǎn)生膜的損耗。由此，能夠一邊降低或者防止細(xì)微圖案所包含的膜的損耗，一邊清洗具有細(xì)微圖案的基板的表面。

在本發(fā)明的一實(shí)施方式中，所述甲硅烷基化工序包括：向所述基板的表面供給液體的甲硅烷基化劑的工序。

根據(jù)該方法，能夠利用共通的裝置進(jìn)行：利用了液體的甲硅烷基化劑的甲硅烷基化工序；利用了清洗藥液的藥液工序。此時(shí)，不必在對基板進(jìn)行一系列的處理的途中挪換基板，因此能夠在短時(shí)間內(nèi)進(jìn)行該一系列的處理。

所述藥液清洗工序可包括：在進(jìn)行所述甲硅烷基化工序之后，向所述基板的表面供給所述清洗藥液的后供給工序。根據(jù)該方法，在進(jìn)行藥液清洗工序之前，執(zhí)行甲硅烷基化工序。即，在膜被保護(hù)層覆蓋之后，開始向基板的表面供給清洗藥液。由此，能夠進(jìn)一步降低或者防止隨著利用清洗藥液清洗基板表面而產(chǎn)生的膜的損耗。

所述藥液清洗工序可包括：與所述甲硅烷基化工序并行地，向所述基板的表面供給所述清洗藥液的并行供給工序。根據(jù)該方法，與藥液清洗工序并行地，執(zhí)行甲硅烷基化工序。即，與向基板的表面供給清洗藥液的動作并行地，通過保護(hù)層覆蓋膜。由此，能夠降低或者防止膜的損耗。另外，由于藥液清洗工序和甲硅烷基化工序并行地進(jìn)行，與依次執(zhí)行這兩個(gè)工序的情況相比，處理時(shí)間變短。因此，能夠一邊縮短整體的處理時(shí)間，一邊降低或者防止隨著利用清洗藥液清洗基板表面而產(chǎn)生的膜的損耗。

此時(shí)，可利用氨過氧化氫水溶液的混合液來作為清洗藥液。即使甲硅烷基化劑與氨過氧化氫水溶液的混合液發(fā)生混合接觸，也不會產(chǎn)生強(qiáng)烈的反應(yīng)，因此不會產(chǎn)生特別的問題。因此，即使將向基板的表面供給甲硅烷基化劑的動作，與向基板的表面供給氨過氧化氫水溶液的混合液的動作并行地進(jìn)行，也不會存在因這些混合接觸而產(chǎn)生強(qiáng)烈的反應(yīng)的擔(dān)憂。由此，不會產(chǎn)生甲硅烷基化劑和清洗藥液之間的強(qiáng)烈的反應(yīng)，能夠縮短整體的處理時(shí)間。

所述基板處理方法還可包括：與所述甲硅烷基化工序并行地，或者在進(jìn)行所述甲硅烷基化工序之前，對所述基板的表面進(jìn)行物理清洗的物理清洗工序。

根據(jù)該方法，不僅通過供給清洗藥液來清洗基板的表面，還通過物理清洗清洗基板的表面，由此，能夠更良好地清洗基板的表面。

所述基板處理方法還可包括：與所述甲硅烷基化工序并行地，對所述基板進(jìn)行加熱的基板加熱工序。

根據(jù)該方法，與甲硅烷基化工序并行地，加熱基板，對基板的表面實(shí)施高溫化。因此，能夠使設(shè)于基板的膜的表層、和甲硅烷基化劑所具有的甲硅烷基之間的反應(yīng)速度變高，因此，能夠在甲硅烷基化工序中，在膜的表層形成牢固的保護(hù)層。由此，能夠進(jìn)一步降低或者防止隨著利用清洗藥液清洗基板表面而產(chǎn)生的膜的損耗。

所述基板處理方法還可包括：在進(jìn)行所述甲硅烷基化工序之前，在所述基板的表面形成氧化膜的氧化膜形成工序。

根據(jù)該方法，在進(jìn)行甲硅烷基化工序之前，執(zhí)行氧化膜形成工序。在該氧化膜形成工序中，在基板的表面所包含的膜的表層，形成氧化膜。

甲硅烷基化劑所具有的甲硅烷基，容易與氧化膜所含有的羥基(oh基)發(fā)生反應(yīng)。因此，在進(jìn)行甲硅烷基化工序之前，通過氧化膜覆蓋基板w的表面所包含的膜的表層，由此能夠通過保護(hù)層(甲硅烷基化層)覆蓋基板w的表面所包含的膜。由此，能夠在甲硅烷基化工序中，進(jìn)一步良好地對基板w的表面所包含的膜的表層進(jìn)行甲硅烷基化(改質(zhì))，因此，能夠進(jìn)一步降低或者防止隨著利用清洗藥液清洗基板表面而產(chǎn)生的膜的損耗。

所述清洗藥液可包括氨過氧化氫水溶液的混合液。

根據(jù)該方法，利用氨過氧化氫水溶液的混合液作為清洗藥液。若利用氨過氧化氫水溶液的混合液來作為清洗藥液，則存在基板的表面所包含的膜發(fā)生損耗的擔(dān)憂。但是，在通過保護(hù)層覆蓋膜的表層的狀態(tài)下，供給氨過氧化氫水溶液的混合液，因此能夠降低或者防止藥液清洗工序中的膜的損耗。

在利用氨過氧化氫水溶液的混合液作為清洗藥液的情況下，隨著清洗處理，存在基板的表面(細(xì)微圖案的表面)變得粗糙的擔(dān)憂。

但是，在通過保護(hù)層覆蓋基板的細(xì)微圖案的表層的狀態(tài)下，向基板的表面供給氨過氧化氫水溶液的混合液，因此能夠抑制或者防止隨著供給氨過氧化氫水溶液的混合液而在基板的表面(細(xì)微圖案的表面)產(chǎn)生基板粗糙的情況。

另外，所述清洗藥液可包括硫酸過氧化氫水溶液的混合液。

根據(jù)該方法，利用硫酸過氧化氫水溶液的混合液作為清洗藥液。若利用硫酸過氧化氫水溶液的混合液作為清洗藥液，存在基板的表面所包含的膜產(chǎn)生損耗的擔(dān)憂。但是，在通過保護(hù)層覆蓋膜的表層的狀態(tài)下，供給硫酸過氧化氫水溶液的混合液，因此能夠降低或防止藥液清洗工序中的膜的損耗。

所述細(xì)微圖案可包括通過等離子cvd法制作的sin膜。

根據(jù)該方法，通過等離子cvd法制作的sin膜比較容易發(fā)生損耗。即使包含這樣的sin膜的細(xì)微圖案形成于基板的表面的情況下，也能夠有效地抑制sin膜的損耗。由此，能夠在利用清洗藥液清洗基板的表面時(shí)，降低或者防止sin膜的損耗。

本發(fā)明提供一種基板處理裝置，是用于對表面具有含有膜的細(xì)微圖案的基板實(shí)施清洗處理的基板處理裝置，包括：甲硅烷基化劑供給單元，該單元用于向所述基板的表面供給甲硅烷基化劑；清洗藥液供給單元，該單元用于向所述基板的表面供給清洗藥液；以及控制單元，該單元通過控制所述甲硅烷基化劑供給單元和所述清洗藥液供給單元，執(zhí)行甲硅烷基化工序和藥液清洗工序，在所述甲硅烷基化工序中，向所述基板的表面供給甲硅烷基化劑，在所述藥液清洗工序中，在進(jìn)行所述甲硅烷基化工序之后，或者與所述甲硅烷基化工序并行地，向所述基板的表面供給清洗藥液來清洗該基板的表面

根據(jù)該結(jié)構(gòu)，在進(jìn)行藥液清洗工序之前，或者與該藥液清洗工序并行地，執(zhí)行甲硅烷基化工序。在甲硅烷基化工序中，通過甲硅烷基化劑，對基板的表面所包含的膜的表層進(jìn)行甲硅烷基化(改質(zhì))，通過保護(hù)層覆蓋該膜。因此，能夠在通過保護(hù)層覆蓋膜的狀態(tài)下，進(jìn)行藥液清洗工序。因此，難以在藥液清洗工序產(chǎn)生膜的損耗。由此，能夠一邊降低或者防止細(xì)微圖案所包含的膜的損耗，一邊清洗具有細(xì)微圖案的基板的表面。

在本發(fā)明的一實(shí)施方式中，所述甲硅烷基化工序包括：向所述基板的表面供給液體的甲硅烷基化劑的工序。

根據(jù)該結(jié)構(gòu)，能夠利用共通的裝置進(jìn)行：利用了液體的甲硅烷基化劑的甲硅烷基化工序；利用了清洗藥液的藥液工序。此時(shí)，不必在對基板進(jìn)行一系列的處理的途中挪換基板，因此能夠在短時(shí)間內(nèi)進(jìn)行該一系列的處理。

所述藥液清洗工序可包括：在進(jìn)行所述甲硅烷基化工序之后，向所述基板的表面供給所述清洗藥液的后供給工序。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，在進(jìn)行藥液清洗工序之前，執(zhí)行甲硅烷基化工序。即，在膜被保護(hù)層覆蓋之后，開始向基板的表面供給清洗藥液。由此，能夠進(jìn)一步降低或者防止隨著利用清洗藥液清洗基板表面而產(chǎn)生的膜的損耗。

所述藥液清洗工序可包括：與所述甲硅烷基化工序并行地，向所述基板的表面供給所述清洗藥液的并行供給工序。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，與藥液清洗工序并行地，執(zhí)行甲硅烷基化工序。即，與向基板的表面供給清洗藥液的動作并行地，通過保護(hù)層覆蓋膜。由此，能夠降低或者防止膜的損耗。另外，由于藥液清洗工序和甲硅烷基化工序并行地進(jìn)行，與依次執(zhí)行這兩個(gè)工序的情況相比，處理時(shí)間變短。因此，能夠一邊縮短整體的處理時(shí)間，一邊降低或者防止隨著利用清洗藥液清洗基板表面而產(chǎn)生的膜的損耗。

此時(shí)，可利用氨過氧化氫水溶液的混合液來作為清洗藥液。即使甲硅烷基化劑與氨過氧化氫水溶液的混合液發(fā)生混合接觸，也不會產(chǎn)生強(qiáng)烈的反應(yīng)，因此不會產(chǎn)生特別的問題。因此，即使將向基板的表面供給甲硅烷基化劑的動作，與向基板的表面供給氨過氧化氫水溶液的混合液的動作并行地進(jìn)行，也不會存在因這些混合接觸而產(chǎn)生強(qiáng)烈的反應(yīng)的擔(dān)憂。由此，不會產(chǎn)生甲硅烷基化劑和清洗藥液之間的強(qiáng)烈的反應(yīng)，能夠縮短整體的處理時(shí)間。

所述控制單元與所述甲硅烷基化工序并行地，或者在進(jìn)行所述甲硅烷基化工序之前，可執(zhí)行：對所述基板的表面進(jìn)行物理清洗的物理清洗工序。

根據(jù)該結(jié)構(gòu)，不僅通過供給清洗藥液來清洗基板的表面，還通過物理清洗清洗基板的表面，由此，能夠更良好地清洗基板的表面。

所述控制單元與所述甲硅烷基化工序并行地，還可執(zhí)行：對所述基板進(jìn)行加熱的基板加熱工序。

根據(jù)該結(jié)構(gòu)，與甲硅烷基化工序并行地，加熱基板，對基板的表面實(shí)施高溫化。因此，能夠使設(shè)于基板的膜的表層、和甲硅烷基化劑所具有的甲硅烷基之間的反應(yīng)速度變高，因此，能夠在甲硅烷基化工序中，在膜的表層形成牢固的保護(hù)層。由此，能夠進(jìn)一步降低或者防止隨著利用清洗藥液清洗基板表面而產(chǎn)生的膜的損耗。

所述控制單元在進(jìn)行所述甲硅烷基化工序之前，還可執(zhí)行：在所述基板的表面形成氧化膜的氧化膜形成工序。

根據(jù)該結(jié)構(gòu)，在進(jìn)行甲硅烷基化工序之前，執(zhí)行氧化膜形成工序。在該氧化膜形成工序中，在基板的表面所包含的膜的表層，形成氧化膜。

甲硅烷基化劑所具有的甲硅烷基，容易與氧化膜所含有的羥基(oh基)發(fā)生反應(yīng)。因此，在進(jìn)行甲硅烷基化工序之前，通過氧化膜覆蓋基板w的表面所包含的膜的表層，由此能夠通過保護(hù)層(甲硅烷基化層)覆蓋基板w的表面所包含的膜。由此，能夠在甲硅烷基化工序中，進(jìn)一步良好地對基板w的表面所包含的膜的表層進(jìn)行甲硅烷基化(改質(zhì))，因此，能夠進(jìn)一步降低或者防止隨著利用清洗藥液清洗基板表面而產(chǎn)生的膜的損耗。

所述清洗藥液可包括氨過氧化氫水溶液的混合液。

根據(jù)該結(jié)構(gòu)，利用氨過氧化氫水溶液的混合液作為清洗藥液。若利用氨過氧化氫水溶液的混合液來作為清洗藥液，則存在基板的表面所包含的膜發(fā)生損耗的擔(dān)憂。但是，在通過保護(hù)層覆蓋膜的表層的狀態(tài)下，供給氨過氧化氫水溶液的混合液，因此能夠降低或者防止藥液清洗工序中的膜的損耗。

在利用氨過氧化氫水溶液的混合液作為清洗藥液的情況下，隨著清洗處理，存在基板的表面(細(xì)微圖案的表面)變得粗糙的擔(dān)憂。

但是，在通過保護(hù)層覆蓋基板的細(xì)微圖案的表層的狀態(tài)下，向基板的表面供給氨過氧化氫水溶液的混合液，因此能夠抑制或者防止隨著供給氨過氧化氫水溶液的混合液而在基板的表面(細(xì)微圖案的表面)產(chǎn)生基板粗糙的情況。

另外，所述清洗藥液可包括硫酸過氧化氫水溶液的混合液。

根據(jù)該結(jié)構(gòu)，利用硫酸過氧化氫水溶液的混合液作為清洗藥液。若利用硫酸過氧化氫水溶液的混合液作為清洗藥液，則存在基板的表面所包含的膜產(chǎn)生損耗的擔(dān)憂。但是，在通過保護(hù)層覆蓋膜的表層的狀態(tài)下，供給硫酸過氧化氫水溶液的混合液，因此能夠降低或防止藥液清洗工序中的膜的損耗。

所述細(xì)微圖案可包括通過等離子cvd法制作的sin膜。

參照附圖并通過下面說明的實(shí)施方式，可明確本發(fā)明的上述或者其他目的、特征以及效果。

附圖說明

圖1是示出本發(fā)明第一實(shí)施方式的基板處理裝置的布局的圖解性的俯視圖。

圖2是在水平方向上觀察所述基板處理裝置所包含的處理單元的圖。

圖3是將處理對象的基板的表面放大來示出的剖視圖。

圖4是用于說明所述處理單元所進(jìn)行的第一清洗處理例的流程圖。

圖5a至圖5d是用于說明所述第一清洗處理例的圖解性的圖。

圖6a-6b中的圖6a是示出在供給液體的甲硅烷基化劑之前的基板的表面的狀態(tài)的圖，圖6b是示出在供給液體的甲硅烷基化劑之后的基板的表面的狀態(tài)的圖。

圖7a和7b是用于說明在sc1清洗工序進(jìn)行的清洗處理的圖解性的圖。

圖8a和8b是用于說明蝕刻處理來作為清洗處理的比較的圖解性的圖。

圖9是在水平方向上觀察本發(fā)明第二實(shí)施方式的處理單元的圖。

圖10是圖解性地示出所述處理單元所具有的雙流體噴嘴的結(jié)構(gòu)的剖視圖。

圖11是用于說明所述處理單元所進(jìn)行的第二清洗處理例的流程圖。

圖12是用于說明所述第二清洗處理例所包括的甲硅烷基化劑液滴噴出工序的圖解性的圖。

圖13是在水平方向上觀察本發(fā)明的第三實(shí)施方式的處理單元的圖。

圖14是用于說明所述處理單元所進(jìn)行的第三清洗處理例的流程圖。

圖15是在水平方向上觀察本發(fā)明的第四實(shí)施方式的處理單元的圖。

圖16是用于說明所述處理單元所進(jìn)行的第四清洗處理例的流程圖。

圖17是用于說明所述處理單元所進(jìn)行的第五清洗處理例的流程圖。

圖18是用于說明所述第五清洗處理例所包括的甲硅烷基化工序的圖解性的圖。

圖19是在水平方向上觀察本發(fā)明的第五實(shí)施方式的處理單元的圖。

圖20是用于說明所述處理單元所進(jìn)行的第六清洗處理例的流程圖。

圖21是用于說明所述第六清洗處理例所包括的氧化膜形成工序的圖解性的圖。

圖22是示出利用sc1作為清洗藥液的情況下的與膜損耗有關(guān)的實(shí)驗(yàn)結(jié)果的圖表。

具體實(shí)施方式

圖1是示出本發(fā)明第一實(shí)施方式的基板處理裝置1的布局的圖解性的俯視圖。

基板處理裝置1是逐張地處理半導(dǎo)體晶片等圓形的基板w的單張式的基板處理裝置?；逄幚硌b置1利用清洗藥液清洗基板w的表面(例如，形成有細(xì)微圖案的圖案形成面)?；逄幚硌b置1具有：索引(index)區(qū)2；處理區(qū)3，與索引區(qū)2結(jié)合；控制裝置(控制單元)4，控制基板處理裝置1所具有的裝置的動作或閥的開閉。

索引區(qū)2具有收納架保持部5、索引機(jī)械手(indexrobot)ir及ir移動機(jī)構(gòu)6。收納架保持部5保持能夠容納多張基板w的收納架c。復(fù)數(shù)個(gè)收納架c以沿著水平的收納架排列方向u排列的狀態(tài)，保持于收納架保持部5。ir移動機(jī)構(gòu)6使索引機(jī)械手ir沿著收納架排列方向u移動。索引機(jī)械手ir進(jìn)行：向保持于收納架保持部5的收納架c搬入基板w的搬入動作、從收納架c搬出基板w的搬出動作。

另一方面，處理區(qū)3具有：用于處理基板w的復(fù)數(shù)個(gè)(例如，4個(gè)以上)處理單元7；中央機(jī)械手(centerrobot)cr。在俯視時(shí)，復(fù)數(shù)個(gè)處理單元7以包圍中央機(jī)械手cr的方式配置。復(fù)數(shù)個(gè)處理單元7例如為彼此共通的處理單元。

圖2是在水平方向上觀察處理單元7的圖。各處理單元7向基板w的表面供給作為堿性清洗藥液(清洗藥液)的一例的sc1(氨過氧化氫水溶液的混合液：ammonia－h(huán)ydrogenperoxidemixture)，從而進(jìn)行從基板w的表面除去顆粒等的處理(清洗處理)。各處理單元7包括：箱形的腔室11，具有內(nèi)部空間；旋轉(zhuǎn)夾具(基板保持單元)12，在腔室11內(nèi)將一張基板w保持為水平的姿勢，使基板w圍繞穿過基板w的中心的鉛垂的旋轉(zhuǎn)軸線a1旋轉(zhuǎn)；sc1供給單元(清洗藥液供給單元)13，向保持于旋轉(zhuǎn)夾具12的基板w的上表面(表面)供給sc1；沖洗液供給單元14，向保持于旋轉(zhuǎn)夾具12的基板w的上表面供給沖洗液；第一甲硅烷基化劑供給單元(甲硅烷基化劑供給單元)15，用于向保持于旋轉(zhuǎn)夾具12的基板w的上表面供給液體狀的甲硅烷基化劑；筒狀的罩16，包圍旋轉(zhuǎn)夾具12的周圍。

腔室11包括：箱狀的分隔壁17，容納旋轉(zhuǎn)夾具12或噴嘴；作為送風(fēng)單元的ffu(風(fēng)機(jī)過濾單元)18，從分隔壁17的上部向分隔壁17內(nèi)送入潔凈空氣(通過過濾器過濾的空氣)；排氣管道19，從分隔壁17的下部排出腔室11內(nèi)的氣體。ffu18配置于分隔壁17的上方，安裝于分隔壁17的頂棚。ffu18從分隔壁17的頂棚向腔室11內(nèi)朝下送入潔凈空氣。排氣管道19與罩16的底部連接，朝向設(shè)置有基板處理裝置1的工廠所具有的排氣處理設(shè)備，導(dǎo)出腔室11內(nèi)的氣體。因此，通過ffu18以及排氣管道19形成：在腔室11內(nèi)向下方流動的下降流(downflow)。在腔室11內(nèi)形成有下降流的狀態(tài)下，進(jìn)行基板w的處理。

作為旋轉(zhuǎn)夾具12，采用如下夾持式的夾具，即，沿著水平方向夾住基板w，將基板w保持為水平。具體地說，旋轉(zhuǎn)夾具12包括：旋轉(zhuǎn)馬達(dá)20；旋轉(zhuǎn)軸21，與該旋轉(zhuǎn)馬達(dá)20的驅(qū)動軸形成一體；圓板狀的旋轉(zhuǎn)基座22，大致水平地安裝于旋轉(zhuǎn)軸21的上端。

在旋轉(zhuǎn)基座22的上表面的周緣部，配置有復(fù)數(shù)個(gè)(3個(gè)以上，例如為6個(gè))夾持構(gòu)件23。在旋轉(zhuǎn)基座22的上表面周緣部的與基板w的外周形狀對應(yīng)的圓周上，隔開恰當(dāng)?shù)拈g隔配置有復(fù)數(shù)個(gè)夾持構(gòu)件23。

另外，作為旋轉(zhuǎn)夾具12，不限于夾持式的結(jié)構(gòu)，例如也可以采用如下真空吸附式的結(jié)構(gòu)(真空夾具)，即，通過對基板w的背面進(jìn)行真空吸附，將基板w保持為水平的姿勢，而且在該狀態(tài)下圍繞鉛垂的旋轉(zhuǎn)軸線旋轉(zhuǎn)，從而使保持于旋轉(zhuǎn)夾具12的基板w旋轉(zhuǎn)。

sc1供給單元13包括：sc1噴嘴24，噴出sc1；第一sc1配管25，與sc1噴嘴24連接；第一sc1閥26，安裝于第一sc1配管25；第一噴嘴臂27，在該第一噴嘴臂27的前端部安裝有sc1噴嘴24；第一噴嘴移動單元28，通過使第一噴嘴臂27擺動，來使sc1噴嘴24移動。

當(dāng)打開第一sc1閥26時(shí)，從第一sc1配管25供給至sc1噴嘴24的sc1，會從sc1噴嘴24向下方噴出。當(dāng)關(guān)閉第一sc1閥26時(shí)，停止從sc1噴嘴24噴出sc1的動作。第一噴嘴移動單元28使sc1噴嘴24在處理位置和退避位置之間移動，其中，所述處理位置指，從sc1噴嘴24噴出的sc1供給至基板w的上表面的位置，所述退避位置指，在俯視時(shí)，sc1噴嘴24向旋轉(zhuǎn)夾具12的側(cè)方退避的位置。而且，第一噴嘴移動單元28使sc1噴嘴24沿著基板w的上表面移動，從而使sc1的供給位置在基板w的上表面內(nèi)移動。

沖洗液供給單元14包括：沖洗液噴嘴29，噴出沖洗液；沖洗液配管30，與沖洗液噴嘴29連接；沖洗液閥31，安裝于沖洗液配管30；第二噴嘴臂32，在該第二噴嘴臂32的前端部安裝有沖洗液噴嘴29；第二噴嘴移動單元33，通過使第二噴嘴臂32擺動，來使沖洗液噴嘴29移動。第二噴嘴移動單元33使沖洗液噴嘴29在處理位置和退避位置之間移動，其中，所述處理位置指，從沖洗液噴嘴29噴出的水供給至基板w的上表面的中央部的位置，所述退避位置指，在俯視時(shí)，沖洗液噴嘴29向旋轉(zhuǎn)夾具12的側(cè)方退避的位置。

當(dāng)打開沖洗液閥31時(shí)，從沖洗液配管30供給至沖洗液噴嘴29的沖洗液，會從沖洗液噴嘴29朝向基板w的上表面中央部噴出。沖洗液例如為純水(去離子水：deionziedwater)。沖洗液并不限于純水，也可以是碳酸水、電解離子水、含氫水、臭氧水以及稀釋濃度(例如，10～100ppm左右)的鹽酸水中的一個(gè)。

第一甲硅烷基化劑供給單元15包括：甲硅烷基化劑噴嘴34，噴出液體狀的甲硅烷基化劑(硅烷偶聯(lián)劑)；甲硅烷基化劑配管35，與甲硅烷基化劑噴嘴34連接；甲硅烷基化劑閥36，安裝于甲硅烷基化劑配管35；第三噴嘴臂37，在該第三噴嘴臂37的前端部安裝有甲硅烷基化劑噴嘴34；第三噴嘴移動單元38，通過使第三噴嘴臂37擺動，來使甲硅烷基化劑噴嘴34移動。

就從甲硅烷基化劑噴嘴34噴出的甲硅烷基化劑而言，是如下有機(jī)硅化合物：在分子的一端具有通過水解給予硅烷醇基(si-oh)的乙氧基(或者甲氧基)，另一端具有氨基或縮水甘油基等有機(jī)官能團(tuán)。作為甲硅烷基化劑，例如能夠例舉hmds(六甲基二硅氮烷)或tms(四甲基硅烷)。

當(dāng)打開甲硅烷基化劑閥36時(shí)，從甲硅烷基化劑配管35供給至甲硅烷基化劑噴嘴34的液體的甲硅烷基化劑，會從甲硅烷基化劑噴嘴34向下方噴出。當(dāng)關(guān)閉甲硅烷基化劑閥36時(shí)，停止從甲硅烷基化劑噴嘴34噴出甲硅烷基化劑的動作。第三噴嘴移動單元38使甲硅烷基化劑噴嘴34在處理位置和退避位置之間移動，其中，所述處理位置指，從甲硅烷基化劑噴嘴34噴出的甲硅烷基化劑供給至基板w的上表面中央部的位置，所述退避位置指，在俯視時(shí)，甲硅烷基化劑噴嘴34向旋轉(zhuǎn)夾具12的側(cè)方退避的位置。

罩16配置于保持于旋轉(zhuǎn)夾具12的基板w的外側(cè)(遠(yuǎn)離旋轉(zhuǎn)軸線a1的方向)。罩16包圍旋轉(zhuǎn)基座22。在旋轉(zhuǎn)夾具12使基板w旋轉(zhuǎn)的狀態(tài)下向基板w供給處理液時(shí)，向基板w供給的處理液向基板w的周圍甩出。在向基板w供給處理液時(shí)，朝上打開的罩16的上端部16a配置于旋轉(zhuǎn)基座22的上方。因此，向基板w的周圍排出的處理液會由罩16阻擋。并且，由罩16阻擋的處理液會送至未圖示的回收裝置或者廢液裝置。

控制裝置4例如利用微型計(jì)算機(jī)構(gòu)成。在控制裝置4連接有作為控制對象的旋轉(zhuǎn)馬達(dá)20、第一噴嘴移動單元28、第二噴嘴移動單元33、第三噴嘴移動單元38、第一sc1閥26、沖洗液閥31、甲硅烷基化劑閥36等?？刂蒲b置4按照預(yù)先設(shè)定的程序，控制旋轉(zhuǎn)馬達(dá)20、第一噴嘴移動單元28、第二噴嘴移動單元33、第三噴嘴移動單元38等的動作。而且，控制裝置4控制第一sc1閥26、沖洗液閥31、甲硅烷基化劑閥36等的開閉動作等。

圖3是將處理對象的基板w的表面放大來示出的剖視圖。

處理對象的基板w，是例如形成mosfet(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)或finfit(鰭式場效應(yīng)晶體管)的基體的基板，包括硅基板41。在硅基板41的表面形成有納米級的細(xì)微圖案40。以下，對于細(xì)微圖案40進(jìn)行說明。

具體地說，在硅基板41的表層部，從其表面向下挖而形成有溝槽42。溝槽42在圖3的左右方向上隔開規(guī)定的間隔形成有復(fù)數(shù)個(gè)，分別在與圖3的紙面正交的方向上延伸。在各溝槽42埋設(shè)有第一sio2膜43。第一sio2膜43形成：用于將元件形成區(qū)域44與除了該元件形成區(qū)域44之外的其他區(qū)域絕緣的元件分離部45。第一sio2膜43的表面大致與硅基板41的表面41a處于同一面。

在各元件形成區(qū)域44形成有第二sio2膜46。第二sio2膜46例如由teos膜(原硅酸四乙酯，tetraethylorthosilicate)形成。在第二sio2膜46的表面，配置有發(fā)揮柵電極的功能的多晶硅膜47。在第二sio2膜46上，多晶硅膜47的兩側(cè)面，被發(fā)揮偏移間隔物的功能的第三sio2膜48覆蓋。第三sio2膜48例如由熱氧化膜構(gòu)成。在多晶硅膜47的兩側(cè)方，隔著第三sio2膜48形成有發(fā)揮側(cè)壁(側(cè)壁膜)的功能的sin膜49。sin膜49例如通過等離子cvd法制作。

在各元件形成區(qū)域44的多晶硅膜47的配置位置的兩側(cè)方，分別埋設(shè)有sige膜50。sige膜50分別在與圖3的紙面正交的方向上延伸。sige膜50的表面大致與硅基板41的表面41a處于同一面。

圖4是用于說明處理單元7所進(jìn)行的第一清洗處理例的流程圖。圖5a至5d是用于說明第一清洗處理例的圖解性的圖。圖6是用于說明基板w的表面的甲硅烷基化的圖。圖7是用于說明在sc1清洗工序(s4)進(jìn)行的清洗處理的圖解性的圖。圖8是用于說明蝕刻處理來作為清洗處理的比較的圖解性的圖。

以下，對于圖3所示的基板w的表面(圖案形成面)被處理的例子進(jìn)行說明。一邊主要參照圖2、圖3以及圖4，一邊對于第一清洗處理例進(jìn)行說明。適當(dāng)?shù)貐⒄請D5a至5d以及圖6。

在通過基板處理裝置1處理基板w時(shí)，向腔室11內(nèi)搬入基板w(步驟s1)。具體地說，在噴嘴24、29、34等腔室11內(nèi)的結(jié)構(gòu)從旋轉(zhuǎn)夾具12的上方退避的狀態(tài)下，控制裝置4使搬送機(jī)械手(未圖示的)向腔室11內(nèi)搬入基板w。并且，在基板w的表面(圖案形成面)朝向上方的狀態(tài)下，控制裝置4使搬送機(jī)械手將基板w載置于旋轉(zhuǎn)夾具12上。然后，在基板w保持于旋轉(zhuǎn)夾具12的狀態(tài)下，控制裝置4使旋轉(zhuǎn)馬達(dá)20旋轉(zhuǎn)。由此，開始使基板w旋轉(zhuǎn)(步驟s2)。在基板w載置于旋轉(zhuǎn)夾具12上之后，控制裝置4使搬送機(jī)械手從腔室11內(nèi)退避。

接著，如圖5a所示，進(jìn)行甲硅烷基化工序(步驟s3)，在該甲硅烷基化工序中，向基板w的上表面(表面)供給液體的甲硅烷基化劑，來對該基板w的上表面實(shí)施甲硅烷基化。具體地說，控制裝置4通過控制第三噴嘴移動單元38，使甲硅烷基化劑噴嘴34從退避位置向處理位置移動。當(dāng)甲硅烷基化劑噴嘴34配置于基板w的上表面中央部的上方時(shí)，控制裝置4打開甲硅烷基化劑閥36，從甲硅烷基化劑噴嘴34朝向旋轉(zhuǎn)狀態(tài)的基板w的上表面中央部噴出液體的甲硅烷基化劑。供給至基板w的上表面中央部的液體的甲硅烷基化劑，受到因基板w旋轉(zhuǎn)而產(chǎn)生的離心力而朝向基板w的上表面外周部移動。由此，液體的甲硅烷基化劑遍及基板w的上表面的整個(gè)區(qū)域，從而對基板w的上表面(表面)的整個(gè)區(qū)域?qū)嵤┘坠柰榛?/p>

圖6a、圖6b示出了使用hmds作為甲硅烷基化劑的情況下的、供給液體的甲硅烷基化劑之前和之后的基板w的表面的狀態(tài)。如圖3以及圖6a、圖6b所示，通過基板w的表面的甲硅烷基化，存在于硅基板41的表面41a以及膜43、47、48、49、50的表層的硅烷醇基(si-oh)置換為三甲基甲硅烷基(si-(ch3)3)。一個(gè)三甲基甲硅烷基具有3個(gè)甲基(ch3)。因此，在對基板w的表面進(jìn)行甲硅烷基化之后，硅基板41的表面41a以及膜43、47、48、49、50的表層被甲基的傘覆蓋，由此，在膜43、47、48、49、50的表層形成：具有對sc1的耐藥性的保護(hù)層。

當(dāng)從開始向基板w供給液體的甲硅烷基化劑起經(jīng)過預(yù)先設(shè)定的期間時(shí)，控制裝置4關(guān)閉甲硅烷基化劑閥36，停止從甲硅烷基化劑噴嘴34噴出液體的甲硅烷基化劑的動作。另外，控制裝置4通過控制第三噴嘴移動單元38，使甲硅烷基化劑噴嘴34從旋轉(zhuǎn)夾具12的上方退避。

另外，在甲硅烷基化工序(s3)中，控制裝置4也可以控制第三噴嘴移動單元38，來使液體的甲硅烷基化劑在基板w的上表面的供給位置移動(例如在上表面中央部和上表面周緣部之間移動)。

接著，如圖5b所示，進(jìn)行向基板w供給sc1的sc1清洗工序(步驟s4，藥液清洗工序，后供給工序)。具體地說，控制裝置4通過控制第一噴嘴移動單元28，使sc1噴嘴24從退避位置向處理位置移動。然后，控制裝置4打開第一sc1閥26，從sc1噴嘴24朝向旋轉(zhuǎn)狀態(tài)的基板w的上表面噴出sc1。而且，在基板w旋轉(zhuǎn)的狀態(tài)下，控制裝置4使sc1在基板w的上表面的供給位置，在上表面中央部和上表面周緣部之間移動。由此，sc1的供給位置通過基板w的上表面的整個(gè)區(qū)域，對基板w的上表面的整個(gè)區(qū)域進(jìn)行掃描(scan)。因此，從sc1噴嘴24噴出的sc1直接供給至基板w的上表面的整個(gè)區(qū)域，從而對基板w的上表面的整個(gè)區(qū)域均勻地進(jìn)行清洗處理。由此，能夠從基板w的上表面良好地除去顆粒等。

清洗處理一般是從基板除去雜質(zhì)的處理。如圖7所示，本實(shí)施方式的sc1清洗工序(s4)通過向基板w的表面供給sc1，從基板w的表面除去附著于基板w的表面(硅基板41自身的表面或細(xì)微圖案40的表面)的雜質(zhì)51(顆粒或微小雜質(zhì)等)。該清洗處理與下面敘述的蝕刻處理(濕式蝕刻)不同。

蝕刻處理通常是用于除去半導(dǎo)體、絕緣物以及導(dǎo)電體的各種材料或它們的膜的處理。用于供給蝕刻藥液的濕式蝕刻是，用于從基板w除去局部材料膜的處理。在該濕式蝕刻中，如圖8所示，對硅基板41自身以及/或者硅基板41上的細(xì)微圖案40進(jìn)行加工(除去)。從這一點(diǎn)來說，上述的清洗處理與濕式蝕刻存在很大的不同。

當(dāng)從開始向基板w供給sc1起經(jīng)過預(yù)先設(shè)定的期間時(shí)，控制裝置4關(guān)閉第一sc1閥26，來停止從sc1噴嘴24噴出sc1的動作。另外，控制裝置4通過控制第一噴嘴移動單元28，使sc1噴嘴24從旋轉(zhuǎn)夾具12的上方退避。

sige容易與sc1發(fā)生反應(yīng)來被除去。因此，在向基板w的上表面供給sc1的sc1清洗工序(s4)中，存在sige膜50發(fā)生損耗的擔(dān)憂。這樣的一個(gè)原因推定為，是由于被過氧化氫水溶液氧化而在sige膜50的表面產(chǎn)生的鍺氧化物，溶解于水。即，sige膜50的表面的氧化以及因這樣而產(chǎn)生的鍺氧化物的蝕刻快速地進(jìn)行，sige膜50的膜快速地減少。另外，在利用sc1等堿清洗藥液來作為清洗藥液的情況下，存在基板w的上表面(細(xì)微圖案40的上表面)變得粗糙(產(chǎn)生基板粗糙現(xiàn)象)的擔(dān)憂。由于這些理由，需要保護(hù)基板w的上表面。

在基板w的表面形成有細(xì)微圖案40。隨著這樣的圖案的細(xì)微化以及三維化，膜損耗的允許范圍變得更窄。即，在以往膜損耗并不成為問題的sc1清洗處理中，膜損耗對半導(dǎo)體的晶體管特性帶來影響的可能性也正在成為現(xiàn)實(shí)。在這樣的三維的細(xì)微化圖案的sc1清洗工序((s4)，后述的sc1清洗工序(s14)以及含甲硅烷基化劑sc1液滴噴出工序(s23)的情況也同樣)中，需要降低或防止伴隨sc1清洗的sige膜50的損耗。

但是，在硅基板41的表面41a以及膜43、47、48、49、50被保護(hù)層覆蓋的狀態(tài)(即，sige膜50被保護(hù)層覆蓋的狀態(tài))下，進(jìn)行sc1清洗工序(s4)，因此，難以在sc1清洗工序(s4)發(fā)生膜的損耗(尤其，sige膜50的損耗)。

另外，隨著向基板w的上表面供給sc1，存在于硅基板41的表面41a以及膜43、47、48、49、50的表層的三甲基甲硅烷基(si-(ch3)3)置換為硅烷醇基(si-oh)。由此，形成于硅基板41的表面41a以及膜43、47、48、49、50的表層的保護(hù)層，被作為清洗藥液的sc1沖掉。

接著，如圖5c所示，進(jìn)行向基板w的上表面供給沖洗液的沖洗工序(步驟s5)。具體地說，控制裝置4通過控制第二噴嘴移動單元33，使沖洗液噴嘴29從退避位置向處理位置移動。然后，控制裝置4打開沖洗液閥31，從沖洗液噴嘴29朝向旋轉(zhuǎn)狀態(tài)的基板w的上表面的中央部噴出水。當(dāng)從開始向基板w供給沖洗液起經(jīng)過預(yù)先設(shè)定的期間時(shí)，控制裝置4關(guān)閉沖洗液閥31，停止從沖洗液噴嘴29噴出沖洗液的動作。另外，控制裝置4通過控制第二噴嘴移動單元33，使沖洗液噴嘴29從旋轉(zhuǎn)夾具12的上方退避。

接著，如圖5d所示，控制裝置4控制旋轉(zhuǎn)馬達(dá)20，使基板w的轉(zhuǎn)速加速至甩出干燥速度。由此，附著于基板w的上表面的沖洗液被甩出，從而對基板w進(jìn)行干燥(s6：干燥工序)。

當(dāng)干燥工序(s6)進(jìn)行預(yù)先設(shè)定的期間時(shí)，控制裝置4驅(qū)動旋轉(zhuǎn)馬達(dá)20，使旋轉(zhuǎn)夾具12的旋轉(zhuǎn)(基板w的旋轉(zhuǎn))停止(步驟s7)。由此，一張基板w的清洗處理結(jié)束，控制裝置4與搬入基板w時(shí)同樣地，將已處理的基板w通過搬送機(jī)械手從腔室11內(nèi)搬出(步驟s8)。

如上所述，根據(jù)第一實(shí)施方式，在進(jìn)行sc1清洗工序(s4)之前，執(zhí)行甲硅烷基化工序(s3)。在甲硅烷基化工序(s3)中，通過甲硅烷基化劑對硅基板41的表面41a以及膜43、47、48、49、50的表層進(jìn)行甲硅烷基化(改質(zhì))，由此通過保護(hù)層覆蓋硅基板41的表面41a以及膜43、47、48、49、50的表層。能夠在通過保護(hù)層覆蓋硅基板41的表面41a以及膜43、47、48、49、50的表層的狀態(tài)下，進(jìn)行sc1清洗工序(s4)。因此，難以在sc1清洗工序(s4)產(chǎn)生sige膜50的損耗。由此，能夠一邊降低或防止細(xì)微圖案40所含有的sige膜50損耗，一邊利用sc1清洗具有細(xì)微圖案40的基板w的表面。

另外，在通過保護(hù)層覆蓋硅基板41的表面41a以及膜43、47、48、49、50的表層的狀態(tài)下，向基板w的表面供給sc1，因此能夠抑制或者防止隨著供給sc1而產(chǎn)生的基板w的上表面(細(xì)微圖案40的上表面)的基板粗糙現(xiàn)象。

另外，在基板w的上表面殘留有甲硅烷基化劑的狀態(tài)下，開始向基板w的上表面供給sc1，因此，在sc1清洗工序(s4)的初期，存在甲硅烷基化劑(hmds或tms)和sc1發(fā)生混合接觸的擔(dān)憂。但是，即使甲硅烷基化劑(hmds或tms)和sc1發(fā)生混合接觸，也不會產(chǎn)生強(qiáng)烈的反應(yīng)。因此，即使與甲硅烷基化工序(s3)緊接著執(zhí)行sc1清洗工序(s4)，也不會在基板w的上表面產(chǎn)生強(qiáng)烈的反應(yīng)。

另外，甲硅烷基化工序(s3)和sc1清洗工序(s4)利用共通的處理單元7進(jìn)行。因此，不必在對基板w進(jìn)行一系列的處理的途中挪換基板w，因此能夠在短時(shí)間內(nèi)進(jìn)行該一系列的處理。

圖9是在水平方向上觀察本發(fā)明第二實(shí)施方式的處理單元207的圖。圖10是圖解性地示出處理單元207所具有的第一雙流體噴嘴203的結(jié)構(gòu)的剖視圖。

在第二實(shí)施方式中，對于與第一實(shí)施方式的各部對應(yīng)的部分，標(biāo)注與圖1至圖6的情況相同的附圖標(biāo)記，省略說明。

第二實(shí)施方式的基板處理裝置201所包含的處理單元207與第一實(shí)施方式的基板處理裝置1所包含的處理單元7的不同點(diǎn)在于，具有第二甲硅烷基化劑供給單元(甲硅烷基化劑供給單元)202，來代替第一甲硅烷基化劑供給單元15。

第二甲硅烷基化劑供給單元202包括第一雙流體噴嘴203，該第一雙流體噴嘴203用于向保持于旋轉(zhuǎn)夾具12的基板w的上表面噴出液體的甲硅烷基化劑的液滴。第一雙流體噴嘴203具有作為掃描噴嘴的基本形狀，能夠變更液體的甲硅烷基化劑在基板w的上表面中的供給位置。第一雙流體噴嘴203安裝于第四噴嘴臂204的前端部，該第四噴嘴臂204在旋轉(zhuǎn)夾具12的上方近似水平地延伸。在第四噴嘴臂204為了使第四噴嘴臂204擺動而連接有第四噴嘴移動單元205，該第四噴嘴移動單元205使第一雙流體噴嘴203移動。

第二甲硅烷基化劑供給單元202包括：第一混合部206，用于使甲硅烷基化劑和作為溶劑的碳酸水混合(使甲硅烷基化劑溶解于碳酸水)；第一甲硅烷基化劑配管208，將來自甲硅烷基化劑供給源的甲硅烷基化劑供給至第一混合部206；第一甲硅烷基化劑閥209，安裝于第一甲硅烷基化劑配管208；碳酸水配管210，將碳酸水供給源的碳酸水供給至第一混合部206；碳酸水閥211，安裝于碳酸水配管210；第一混合液配管212，連接在第一混合部206和第一雙流體噴嘴203之間；氣體配管213，供給作為來自氣體供給源的氣體的一例的氮?dú)?；第一氣體閥214，切換從氣體配管213向第一雙流體噴嘴203供給氣體的動作以及停止供給。甲硅烷基化劑是如下有機(jī)硅化合物：在分子的一端具有通過水解給予硅烷醇基(si-oh)的乙氧基(或者甲氧基)，另一端具有氨基或縮水甘油基等有機(jī)官能團(tuán)。作為甲硅烷基化劑，能夠例舉hmds或tms。作為向第一雙流體噴嘴203供給的氣體，除了氮?dú)庵?，還能夠利用非活性氣體、干燥空氣以及潔凈空氣等。

如圖10所示，第一雙流體噴嘴203具有大致圓柱狀的外形。第一雙流體噴嘴203包括：外筒226，構(gòu)成外殼；內(nèi)筒227，嵌入外筒226的內(nèi)部。

外筒226以及內(nèi)筒227分別同軸配置于共用的中心軸線l上，而且彼此連接。內(nèi)筒227的內(nèi)部空間成為：來自第一混合液配管212的液體的甲硅烷基化劑流動的直線狀的甲硅烷基化劑流路228。另外，在外筒226以及內(nèi)筒227之間，形成有氣體配管213所供給的氣體流動的圓筒狀的氣體流路229。

甲硅烷基化劑流路228在內(nèi)筒227的上端開口，來作為甲硅烷基化劑導(dǎo)入口230。來自第一混合液配管212的液體的甲硅烷基化劑，經(jīng)由該甲硅烷基化劑導(dǎo)入口230導(dǎo)入甲硅烷基化劑流路228。另外，甲硅烷基化劑流路228在內(nèi)筒227的下端開口，來作為在中心軸線l上具有中心的圓狀的液體噴出口231。導(dǎo)入甲硅烷基化劑流路228的甲硅烷基化劑從該液體噴出口231噴出。

另一方面，氣體流路229是具有與中心軸線l共同的中心軸線的圓筒狀的間隙，而且被外筒226以及內(nèi)筒227的上端部堵塞，該氣體流路229在外筒226以及內(nèi)筒227的下端開口，來作為圓環(huán)狀的氣體噴出口232，該氣體噴出口232在中心軸線l上具有中心，而且包圍液體噴出口231。氣體流路229的下端部與氣體流路229的長度方向的中間部相比，流路面積變小，越朝向下方而直徑變得越小。另外，在外筒226的中間部，形成有與氣體流路229連通的氣體導(dǎo)入口233。

在氣體導(dǎo)入口233，以貫通外筒226的狀態(tài)連接有氣體配管213，使氣體配管213的內(nèi)部空間和氣體流路229連通。來自氣體配管213的氣體，經(jīng)由該氣體導(dǎo)入口233導(dǎo)入氣體流路229，從氣體噴出口232噴出。

一邊打開第一氣體閥214從氣體噴出口232噴出氣體，一邊打開第一甲硅烷基化劑閥209以及碳酸水閥211從液體噴出口231噴出液體的甲硅烷基化劑，由此在第一雙流體噴嘴203的外部的噴出口(液體噴出口231)附近，使氣體與液體的甲硅烷基化劑發(fā)生碰撞(混合)，從而能夠形成甲硅烷基化劑的微小的液滴的噴流。由此，從第一雙流體噴嘴203噴出甲硅烷基化劑的液滴的噴流(液體的甲硅烷基化劑以噴霧狀噴出)。

在控制裝置4連接有作為控制對象的旋轉(zhuǎn)馬達(dá)20、第一噴嘴移動單元28、第二噴嘴移動單元33、第四噴嘴移動單元205、第一sc1閥26、沖洗液閥31、第一甲硅烷基化劑閥209、碳酸水閥211、第一氣體閥214等。控制裝置4按照預(yù)先設(shè)定的程序控制旋轉(zhuǎn)馬達(dá)20、第一噴嘴移動單元28、第二噴嘴移動單元33、第四噴嘴移動單元205等的動作。而且，控制裝置4控制第一sc1閥26、沖洗液閥31、第一甲硅烷基化劑閥209、碳酸水閥211、第一氣體閥214等的開閉動作等。

圖11是用于說明處理單元207所進(jìn)行的第二清洗處理例的流程圖。圖12是用于說明第二清洗處理例所包含的甲硅烷基化劑液滴噴出工序(s13)的圖解性的圖。

第二清洗處理例與圖4所示的第一清洗處理例的不同點(diǎn)在于，進(jìn)行甲硅烷基化劑液滴噴出工序(步驟s13)，來代替甲硅烷基化工序(s3，參照圖4)。一邊參照圖9、圖11以及圖12，一邊對于第二清洗處理例進(jìn)行說明。

圖11所示的步驟s11、s12的工序?yàn)榉謩e與圖4所示的步驟s1、s2相同的工序，另外，圖11所示的步驟s14～s18的工序?yàn)榉謩e與圖4所示的步驟s4～s8相同的工序。因此，省略這些工序的說明。

在基板w開始旋轉(zhuǎn)(步驟s12)之后，當(dāng)基板w的轉(zhuǎn)速達(dá)到預(yù)先設(shè)定的液體處理速度時(shí)，開始執(zhí)行甲硅烷基化劑液滴噴出工序(s13)。在甲硅烷基化劑液滴噴出工序(s13)中，控制裝置4將第一氣體閥214以及第一甲硅烷基化劑閥209同時(shí)打開。由此，在第一雙流體噴嘴203的外部的噴出口附近，形成液體的甲硅烷基化劑的微小的液滴的噴流。即，從第一雙流體噴嘴203噴出液體的甲硅烷基化劑的液滴的噴流。

從第一雙流體噴嘴203向基板w的上表面中的液體的甲硅烷基化劑的供給位置(以下，僅稱為“供給位置”)sp，吹送多數(shù)個(gè)甲硅烷基化劑的液滴，因此通過甲硅烷基化劑的液滴的碰撞，能夠以物理方式除去附著于基板w的上表面的顆粒等(物理清洗)。換句話講，甲硅烷基化劑液滴噴出工序(s13)包括：甲硅烷基化工序，向基板w的上表面(表面)供給液體的甲硅烷基化劑；物理清洗工序，與甲硅烷基化工序并行地，對基板w的上表面(表面)進(jìn)行物理清洗。

另外，與來自第一雙流體噴嘴203的甲硅烷基化劑的液滴的噴流的噴出動作并行地，控制裝置4控制第四噴嘴移動單元205，來使供給位置sp在基板w的上表面中央部和基板w的上表面周緣部之間進(jìn)行往復(fù)移動或者向一個(gè)方向移動。一邊使基板w旋轉(zhuǎn)，一邊使供給位置sp在基板w的上表面中央部和基板w的上表面周緣部之間移動，因此供給位置sp通過基板w的上表面的整個(gè)區(qū)域。由此，能夠向基板w的上表面的整個(gè)區(qū)域供給液體的甲硅烷基化劑，能夠均勻地對基板w的上表面的整個(gè)區(qū)域進(jìn)行處理。

當(dāng)開始噴出甲硅烷基化劑起經(jīng)過預(yù)先設(shè)定的期間時(shí)，關(guān)閉第一甲硅烷基化劑閥209以及碳酸水閥211，停止從第一雙流體噴嘴203噴出液體的甲硅烷基化劑的動作。另外，控制裝置4通過控制第四噴嘴移動單元205，使第一雙流體噴嘴203從旋轉(zhuǎn)夾具12的上方退避。由此，甲硅烷基化劑液滴噴出工序(s13)結(jié)束。在甲硅烷基化劑液滴噴出工序(s13)結(jié)束之后，開始進(jìn)行sc1清洗工序(s14，藥液清洗工序，后供給工序)。

根據(jù)第二實(shí)施方式，獲得與第一實(shí)施方式說明的作用效果相同的作用效果，而且能夠獲得下面敘述的作用效果。即，不僅通過供給sc1來清洗基板w的上表面(表面)，而且還通過利用第一雙流體噴嘴203的物理清洗來清洗基板w的上表面(表面)，因此，能夠更良好地清洗基板w的上表面(表面)。

圖13是在水平方向上觀察本發(fā)明的第三實(shí)施方式的處理單元307的圖。

在第三實(shí)施方式中，與第一實(shí)施方式的各部對應(yīng)的部分，標(biāo)注與圖1至6的情況相同的附圖標(biāo)記，省略說明。

第三實(shí)施方式的基板處理裝置301所包含的處理單元307，與第一實(shí)施方式的基板處理裝置1所包含的處理單元7的不同點(diǎn)在于，具有甲硅烷基化劑&sc1供給單元(甲硅烷基化劑供給單元、清洗藥液供給單元)302，來代替sc1供給單元13以及第一甲硅烷基化劑供給單元15。

甲硅烷基化劑&sc1供給單元302包括第二雙流體噴嘴303，該第二雙流體噴嘴303用于向保持于旋轉(zhuǎn)夾具12的基板w的上表面噴出包含甲硅烷基化劑的sc1(以下，稱為“含有甲硅烷基化劑的sc1”)的液滴。第二雙流體噴嘴303具有作為掃描噴嘴的基本形狀，能夠變更基板w的上表面中的含有甲硅烷基化劑的sc1的供給位置。第二雙流體噴嘴303安裝于第五噴嘴臂304的前端部，該第五噴嘴臂304在旋轉(zhuǎn)夾具12的上方大致水平地延伸。在第五噴嘴臂304為了使第五噴嘴臂304擺動而連接有第五噴嘴移動單元305，該第五噴嘴移動單元305使第二雙流體噴嘴303移動。

甲硅烷基化劑&sc1供給單元302例如包括：第二混合部306，用于使固體狀的甲硅烷基化劑和作為清洗藥液的sc1混合(將甲硅烷基化劑溶解于清洗藥液)；第二甲硅烷基化劑配管308，將來自甲硅烷基化劑供給源的甲硅烷基化劑供給至第二混合部306；第二甲硅烷基化劑閥309，安裝于第二甲硅烷基化劑配管308；第二sc1配管310，將sc1供給源的sc1供給至第二混合部306；第二sc1閥311，安裝于第二sc1配管310；第二混合液配管312，連接在第二混合部306和第二雙流體噴嘴303之間；第二氣體配管313，供給作為來自氣體供給源的氣體的一例的氮?dú)?；第二氣體閥314，切換從第二氣體配管313向第二雙流體噴嘴303供給氣體的動作以及停止供給。甲硅烷基化劑是如下有機(jī)硅化合物：在分子的一端具有通過水解給予硅烷醇基(si-oh)的乙氧基(或者甲氧基)，另一端具有氨基或縮水甘油基等有機(jī)官能團(tuán)。作為甲硅烷基化劑，能夠例舉hmds或tms。作為向第二雙流體噴嘴303供給的氣體，除了氮?dú)庵?，還能夠利用非活性氣體、干燥空氣以及潔凈空氣等。第二雙流體噴嘴303具有與第二實(shí)施方式的第一雙流體噴嘴203大致相同的形狀。省略第二雙流體噴嘴303的詳細(xì)說明。

通過將第二甲硅烷基化劑閥309以及第二sc1閥311這兩者打開，向第二混合部306供給甲硅烷基化劑和sc1，使甲硅烷基化劑和sc1在第二混合部306內(nèi)充分地進(jìn)行混合，從而生成含有甲硅烷基化劑的sc1。另外，即使甲硅烷基化劑(hmds或tms)和sc1發(fā)生混合接觸，也不會產(chǎn)生強(qiáng)烈的反應(yīng)。因此，不會因?yàn)樵诘诙旌喜?06內(nèi)甲硅烷基化劑和sc1混合而產(chǎn)生強(qiáng)烈的反應(yīng)。

一邊打開第二氣體閥314從氣體噴出口232(參照圖10)噴出氣體，一邊打開第二甲硅烷基化劑閥309以及第二sc1閥311來從液體噴出口(相當(dāng)于圖10的液體噴出口231)噴出含有甲硅烷基化劑的sc1，由此在第二雙流體噴嘴303的外部的液體噴出口(相當(dāng)于圖10的液體噴出口231)附近，使氣體與含有甲硅烷基化劑的sc1發(fā)生碰撞(混合)，從而能夠形成含有甲硅烷基化劑的sc1的微小的液滴的噴流。由此，從第二雙流體噴嘴303噴出含有甲硅烷基化劑的sc1的液滴的噴流(含有甲硅烷基化劑的sc1以噴霧狀噴出)。

在控制裝置4連接有作為控制對象的旋轉(zhuǎn)馬達(dá)20、第二噴嘴移動單元33、第五噴嘴移動單元305、沖洗液閥31、第二甲硅烷基化劑閥309、第二sc1閥311、第二氣體閥314等?？刂蒲b置4按照預(yù)先設(shè)定的程序，控制旋轉(zhuǎn)馬達(dá)20、第二噴嘴移動單元33、第五噴嘴移動單元305等的動作。而且，控制裝置4控制沖洗液閥31、第二甲硅烷基化劑閥309、第二sc1閥311、第二氣體閥314等的開閉動作等。

圖14是用于說明處理單元307所進(jìn)行的第三清洗處理例的流程圖。

第三清洗處理例與圖4的第一清洗處理例的不同點(diǎn)在于，進(jìn)行含有甲硅烷基化劑的sc1液滴噴出工序(步驟s23，并行供給工序)，來代替甲硅烷基化工序(s3，參照圖4)。一邊參照圖13以及圖14，一邊對于第三清洗處理例進(jìn)行說明。

圖14所示的步驟s11、s12的工序?yàn)榉謩e與圖4所示的步驟s1、s2相同的工序，另外，圖14所示的步驟s24～s27的工序?yàn)榉謩e與圖4所示的步驟s5～s8同等的工序。因此，省略這些工序的說明。

在基板w開始旋轉(zhuǎn)(步驟s22)之后，當(dāng)基板w的轉(zhuǎn)速達(dá)到預(yù)先設(shè)定的液體處理速度時(shí)，開始執(zhí)行含有甲硅烷基化劑的sc1液滴噴出工序(s23)。在含有甲硅烷基化劑的sc1液滴噴出工序(s23)中，控制裝置4將第二氣體閥314以及第二甲硅烷基化劑閥309同時(shí)打開。由此，在第二雙流體噴嘴303的外部的噴出口附近，形成含有甲硅烷基化劑的sc1的微小的液滴的噴流。即，從第二雙流體噴嘴303噴出含有甲硅烷基化劑的sc1的液滴的噴流。

從第二雙流體噴嘴303向基板w的上表面中的含有甲硅烷基化劑的sc1的供給位置，吹送多個(gè)含有甲硅烷基化劑的sc1的液滴。因此，能夠通過含有甲硅烷基化劑的sc1的液滴的碰撞，通過物理方式除去附著于基板w的上表面的顆粒等(物理清洗)。另外，通過向基板w的上表面供給含有甲硅烷基化劑的sc1中的sc1，清洗基板w的上表面。換句話講，含有甲硅烷基化劑的sc1液滴噴出工序(s23)包括：甲硅烷基化工序，向基板w的上表面(表面)供給液體的甲硅烷基化劑；物理清洗工序，與甲硅烷基化工序并行地，對基板w的上表面(表面)進(jìn)行物理清洗；清洗藥液供給工序，與甲硅烷基化工序并行地，向基板w的上表面(表面)供給sc1(清洗藥液)。

另外，與來自第二雙流體噴嘴303的甲硅烷基化劑的液滴的噴流的噴出并行地，控制裝置4控制第五噴嘴移動單元305，使基板w的上表面中的含有甲硅烷基化劑的sc1的供給位置，在基板w的上表面中央部和基板w的上表面周緣部之間水平地往復(fù)移動或者向一個(gè)方向移動。一邊使基板w旋轉(zhuǎn)，一邊使基板w的上表面中的含有甲硅烷基化劑的sc1的供給位置在基板w的上表面中央部和基板w的上表面周緣部之間移動，因此該供給位置通過基板w的上表面的整個(gè)區(qū)域。由此，能夠向基板w的上表面的整個(gè)區(qū)域供給含有甲硅烷基化劑的sc1，能夠均勻地對基板w的上表面的整個(gè)區(qū)域進(jìn)行處理。供給至基板w的上表面的含有甲硅烷基化劑的sc1，包含甲硅烷基化劑，因此能夠?qū)鍂的上表面(表面)的整個(gè)區(qū)域進(jìn)行甲硅烷基化。如圖6a、6b所示，通過對基板w的表面進(jìn)行甲硅烷基化，存在于硅基板41的表面41a以及膜43、47、48、49、50的表層的硅烷醇基(si-oh)置換為三甲基甲硅烷基(si-(ch3)3)。因此，在對基板w的表面進(jìn)行甲硅烷基化之后，硅基板41的表面41a以及膜43、47、48、49、50的表層被甲基的傘覆蓋，由此，在膜43、47、48、49、50的表層形成具有對sc1的耐藥性的保護(hù)層。

另外，通過含有甲硅烷基化劑的sc1所包含的sc1，能夠從基板w的上表面良好地除去顆粒等。就第三實(shí)施方式的含有甲硅烷基化劑的sc1液滴噴出工序(s23)而言，與第一實(shí)施方式的sc1清洗工序(s4)同樣地，如圖7所示，通過向基板w的上表面供給含有甲硅烷基化劑的sc1，來從基板w的表面除去附著于基板w的表面(硅基板41自身的表面或圖案40的表面)的雜質(zhì)51(顆?；蛭⑿‰s質(zhì)等)的處理，是與上述蝕刻處理(濕式蝕刻)不同的處理。

當(dāng)開始噴出含有甲硅烷基化劑的sc1起經(jīng)過預(yù)先設(shè)定的期間時(shí)，關(guān)閉第一甲硅烷基化劑閥209以及碳酸水閥211，停止從第二雙流體噴嘴303噴出甲硅烷基化劑的動作。另外，控制裝置4通過控制第五噴嘴移動單元305，使第二雙流體噴嘴303從旋轉(zhuǎn)夾具12的上方退避。由此，含有甲硅烷基化劑的sc1液滴噴出工序(s23)結(jié)束。在含有甲硅烷基化劑的sc1液滴噴出工序(s23)結(jié)束之后，開始進(jìn)行沖洗工序(s24)。

根據(jù)第三實(shí)施方式，獲得與在第一實(shí)施方式說明的作用效果相同的作用效果，而且還獲得下面敘述的作用效果。即，甲硅烷基化工序和藥液清洗工序彼此并行地執(zhí)行。即，與向基板w的上表面供給sc1的動作并行地，通過保護(hù)層覆蓋硅基板41的表面41a以及膜43、47、48、49、50。一邊通過保護(hù)層覆蓋硅基板41的表面41a以及膜43、47、48、49、50(即，sige膜50被保護(hù)層覆蓋)，一邊利用sc1進(jìn)行清洗處理。因此，在含有甲硅烷基化劑的sc1液滴噴出工序(s23)中，難以產(chǎn)生膜的損耗(尤其，sige膜50的損耗)。由此，能夠一邊降低或防止sige膜50的損耗，一邊利用sc1清洗該基板w的上表面。

另外，即使甲硅烷基化劑(hmds或tms)和sc1混合接觸，也不會產(chǎn)生強(qiáng)烈的反應(yīng)。因此，即使在含有甲硅烷基化劑的sc1液滴噴出工序(s23)中，在第二混合部306內(nèi)甲硅烷基化劑和sc1混合接觸，也不會存在第二混合部306內(nèi)產(chǎn)生強(qiáng)烈的反應(yīng)的擔(dān)憂。由此，不會產(chǎn)生甲硅烷基化劑和清洗藥液之間的強(qiáng)烈的反應(yīng)，能夠縮短整個(gè)處理時(shí)間。

圖15是在水平方向上觀察本發(fā)明的第四實(shí)施方式的處理單元407的圖。

在第四實(shí)施方式中，對于與第一實(shí)施方式的各部對應(yīng)的部分，標(biāo)注與圖1至圖6的情況相同的附圖標(biāo)記，省略說明。

第四實(shí)施方式的基板處理裝置401所包含的處理單元407與第一實(shí)施方式的基板處理裝置1所包含的處理單元7的不同點(diǎn)在于，具有用于供給作為酸性清洗藥液(清洗藥液)的一例的spm(硫酸過氧化氫水溶液的混合液：sulfuricacid/hydrogenperoxidemixture)的spm供給單元(清洗藥液供給單元)402，來代替sc1供給單元13。即，處理單元407例如利用spm作為清洗藥液，對基板w的表面執(zhí)行抗蝕劑除去處理，在該抗蝕劑除去處理中，除去形成于基板w的表面(形成有圖案的圖案形成面)且在注入離子之后不需要的抗蝕劑。另外，還有一點(diǎn)在于，利用帶有加熱板413的旋轉(zhuǎn)夾具412，來代替旋轉(zhuǎn)夾具12。

spm供給單元402包括：spm噴嘴403，噴出spm；spm配管404，與spm噴嘴403連接；spm閥405，安裝于spm配管404；第六噴嘴臂406，在該第六噴嘴臂406的前端部安裝有spm噴嘴403；第六噴嘴移動單元408，通過使第六噴嘴臂406擺動，來使spm噴嘴403移動。

當(dāng)打開spm閥405時(shí)，從spm配管404供給至spm噴嘴403的spm，會從spm噴嘴403向下方噴出。當(dāng)關(guān)閉spm閥405時(shí)，停止從spm噴嘴403噴出spm的動作。第六噴嘴移動單元408使spm噴嘴403在處理位置和退避位置之間移動，其中，所述處理位置指，從spm噴嘴403噴出的spm供給至基板w的上表面的位置，所述退避位置指，在俯視時(shí)，spm噴嘴403向旋轉(zhuǎn)夾具412的側(cè)方退避的位置。而且，第六噴嘴移動單元408通過使spm噴嘴403沿著基板w的上表面移動，使spm的供給位置在基板w的上表面內(nèi)移動。

第四實(shí)施方式的旋轉(zhuǎn)夾具412，除了具有加熱板413這一點(diǎn)之外，與第一實(shí)施方式的旋轉(zhuǎn)夾具12的結(jié)構(gòu)相同。旋轉(zhuǎn)夾具412中的與旋轉(zhuǎn)夾具12的各部對應(yīng)的部分，標(biāo)注與圖1至圖6的情況相同的附圖標(biāo)記，省略說明。

作為發(fā)熱構(gòu)件的加熱板413從下方對保持于夾持構(gòu)件23的基板w進(jìn)行加熱。加熱板413為電阻方式的加熱器，容納于旋轉(zhuǎn)基座22和保持于夾持構(gòu)件23的基板w之間的空間。加熱板413例如利用陶瓷或碳化硅(sic)形成，呈圓板狀。加熱板413的上表面具有平坦的基板相向面413a，該基板相向面413a形成為直徑稍稍小于基板w的直徑的圓形。在加熱板413的內(nèi)部，例如埋設(shè)有電阻式的加熱器414。向加熱器414通電來使加熱器414發(fā)熱，由此，使包括基板相向面413a的整個(gè)加熱板413發(fā)熱。以使基板相向面413a接近基板w的下表面的方式設(shè)置加熱板413，由此，在加熱板413的加熱狀態(tài)下，來自基板相向面413a的熱通過熱輻射傳遞至基板w，這樣可以使基板w變暖。

在控制裝置4連接有作為控制對象的旋轉(zhuǎn)馬達(dá)20、第二噴嘴移動單元33、第三噴嘴移動單元38、第六噴嘴移動單元408、沖洗液閥31、甲硅烷基化劑閥36、spm閥405等?？刂蒲b置4按照預(yù)先設(shè)定的程序控制旋轉(zhuǎn)馬達(dá)20、第二噴嘴移動單元33、第三噴嘴移動單元38、第六噴嘴移動單元408等的動作。而且，控制裝置4控制沖洗液閥31、甲硅烷基化劑閥36、spm閥405等的開閉動作等。

圖16是用于說明處理單元407所進(jìn)行的第四清洗處理例的流程圖。

第四清洗處理例與圖4所示的第一清洗處理例不同點(diǎn)在于，進(jìn)行spm清洗工序(步驟s44，藥液清洗工序，后供給工序)，來代替sc1清洗工序(s4，參照圖4)。第四清洗處理例為由處理單元7進(jìn)行的抗蝕劑除去處理的處理例。一邊參照圖15以及圖16，一邊對于第四清洗處理例進(jìn)行說明。

當(dāng)通過基板處理裝置401處理基板w時(shí)，向腔室11內(nèi)搬入基板w(步驟s41)。搬入腔室11內(nèi)的基板w，例如為進(jìn)行了高劑量的離子注入處理之后的基板。基板w以其表面(抗蝕劑圖案的形成面)朝向上方的狀態(tài)載置于旋轉(zhuǎn)夾具412上。然后，基板w開始旋轉(zhuǎn)(步驟s42)。接著，開始執(zhí)行甲硅烷基化工序(步驟s43)。圖16所示的步驟s41～s43的工序?yàn)榉謩e與圖4所示的步驟s1～s3相同的工序。通過甲硅烷基化工序(s43)，對基板w的上表面進(jìn)行甲硅烷基化，如圖6b所示，在進(jìn)行基板w的上表面的甲硅烷基化之后，硅基板41的表面41a以及膜43、47、48、49、50的表層被甲基的傘覆蓋，由此，在膜43、47、48、49、50的表層形成具有對spm的耐藥性的保護(hù)層。

在甲硅烷基化工序(s43)結(jié)束之后，進(jìn)行向基板w供給spm的spm清洗工序(s44)。具體地說，控制裝置4通過控制第六噴嘴移動單元408，使spm噴嘴403從退避位置向處理位置移動。然后，控制裝置4打開spm閥405，從spm噴嘴403朝向旋轉(zhuǎn)狀態(tài)的基板w的上表面噴出spm。而且，在基板w旋轉(zhuǎn)的狀態(tài)下，控制裝置4使spm供給至基板w的上表面的供給位置，在上表面中央部和上表面周緣部之間移動。由此，spm的供給位置通過基板w的上表面的整個(gè)區(qū)域，對基板w的上表面的整個(gè)區(qū)域進(jìn)行掃描(scan)。因此，從spm噴嘴403噴出的spm直接供給至基板w的上表面的整個(gè)區(qū)域，對基板w的上表面的整個(gè)區(qū)域均勻地進(jìn)行處理。由此，能夠從基板w的上表面良好地除去抗蝕劑。

當(dāng)從開始向基板w供給spm起經(jīng)過預(yù)先設(shè)定的期間時(shí)，控制裝置4關(guān)閉spm閥405，停止從spm噴嘴403噴出spm的動作。另外，控制裝置4通過控制第六噴嘴移動單元408，使spm噴嘴403從旋轉(zhuǎn)夾具412的上方退避。

sio2以及通過等離子cvd法制作的sin，容易與spm發(fā)生反應(yīng)來被除去。因此，在向基板w的上表面供給spm的spm清洗工序(s44)中，第一sio2膜43、第三sio2膜48以及/或者sin膜49可能發(fā)生損耗。因此，需要保護(hù)基板w的上表面。

在基板w的表面形成有細(xì)微圖案40。隨著這樣的圖案的細(xì)微化以及三維化，膜損耗的允許范圍變得更窄。即，在以往膜損耗并不成為問題的spm進(jìn)行的抗蝕劑除去處理中，膜損耗對半導(dǎo)體的晶體管特性帶來影響的可能性也正在成為現(xiàn)實(shí)。在這樣的三維的細(xì)微化圖案的spm清洗工序(s44，后述的spm清洗工序(s55)的情況也相同)中，需要降低或防止伴隨spm清洗而產(chǎn)生的膜43、48、49的損耗。

但是，在通過保護(hù)層覆蓋硅基板41的表面41a以及膜43、47、48、49、50的狀態(tài)(即，膜43、48、49的表層被保護(hù)層覆蓋的狀態(tài))下進(jìn)行spm清洗工序(s44)，因此難以在spm清洗工序(s44)產(chǎn)生膜的損耗(尤其，膜43、48、49的損耗)。

另外，隨著向基板w的上表面供給spm，存在于硅基板41的表面41a以及膜43、47、48、49、50的表層的三甲基甲硅烷基(si-(ch3)3)置換為硅烷醇基(si-oh)。由此，形成于硅基板41的表面41a以及膜43、47、48、49、50的表層的保護(hù)層被作為清洗藥液的spm沖掉。

接著，進(jìn)行向基板w的上表面供給沖洗液的沖洗工序(步驟s45)。在沖洗工序(s45)結(jié)束之后，進(jìn)行干燥工序(步驟s46)。在干燥工序(s46)結(jié)束之后，控制裝置4使基板w停止旋轉(zhuǎn)(步驟s47)，從腔室11內(nèi)搬出已處理的基板w(步驟s48)。圖16所示的步驟s45～s48的工序?yàn)榉謩e與圖4所示的步驟s5～s8相同的工序。

圖17是用于說明處理單元407所進(jìn)行的第五清洗處理例的流程圖。圖18是用于說明第五清洗處理例所包含的甲硅烷基化工序(步驟s53)的圖解性的圖。

第四實(shí)施方式的第五清洗處理例與圖16所示的第四清洗處理例的不同點(diǎn)在于，與甲硅烷基化工序(s53)并行地，執(zhí)行加熱基板w的基板加熱工序(步驟s54)。一邊參照圖15以及圖17，一邊對于第五清洗處理例進(jìn)行說明。

圖17所示的步驟s51、s52的工序?yàn)榉謩e與圖16所示的步驟s41、s42相同的工序。另外，圖16所示的步驟s55～s59的工序?yàn)榉謩e與圖4所示的步驟s44～s48同等的工序。因此，省略這些工序的說明。

在基板w開始旋轉(zhuǎn)(s52)之后，當(dāng)基板w的轉(zhuǎn)速達(dá)到預(yù)先設(shè)定的液體處理速度時(shí)，開始執(zhí)行甲硅烷基化工序(s53)。

具體地說，控制裝置4通過控制第三噴嘴移動單元38，使甲硅烷基化劑噴嘴34從退避位置向處理位置移動。當(dāng)甲硅烷基化劑噴嘴34配置于基板w的上表面中央部的上方時(shí)，控制裝置4打開甲硅烷基化劑閥36，如圖18所示，從甲硅烷基化劑噴嘴34朝向旋轉(zhuǎn)狀態(tài)的基板w的上表面中央部噴出液體的甲硅烷基化劑。向基板w的上表面中央部供給的甲硅烷基化劑，受到因基板w旋轉(zhuǎn)而產(chǎn)生的離心力，而朝向基板w的上表面外周部移動。由此，甲硅烷基化劑遍及基板w的上表面的整個(gè)區(qū)域。由此，對基板w的上表面(表面)進(jìn)行甲硅烷基化，在膜43、47、48、49、50的表層形成保護(hù)層。

如圖18所示，與甲硅烷基化工序(s53)并行地，控制裝置4(參照圖1)將加熱板413控制為加熱狀態(tài)。具體地說，控制裝置4在開始從甲硅烷基化劑噴嘴34噴出液體的甲硅烷基化劑之前，對加熱器414進(jìn)行接通(on)控制，將加熱板413控制為發(fā)熱狀態(tài)。通過加熱板413加熱基板w，基板w的溫度上升至規(guī)定的第一高溫。在本實(shí)施方式中，第一高溫是能夠除去基板w的上表面的圖案40所含有的水分的程度的充分的溫度(例如大約100℃以上)。并且，在從加熱板413開始發(fā)熱起經(jīng)過加熱板413的基板相向面413a達(dá)到第一高溫的時(shí)間之后，控制裝置4使從甲硅烷基化劑噴嘴34噴出液體的甲硅烷基化劑的動作開始進(jìn)行。

通過加熱板413加熱基板w的動作，在開始噴出甲硅烷基化劑之后也繼續(xù)進(jìn)行。因此，基板w的上表面所包括的硅基板41的表面41a以及膜43、47、48、49、50的表層，與甲硅烷基化劑所具有的甲硅烷基之間的反應(yīng)速度高。

當(dāng)從開始向基板w供給液體的甲硅烷基化劑起經(jīng)過預(yù)先設(shè)定的期間時(shí)，控制裝置4關(guān)閉甲硅烷基化劑閥36，停止從甲硅烷基化劑噴嘴34噴出甲硅烷基化劑的動作。另外，控制裝置4通過控制第三噴嘴移動單元38，使甲硅烷基化劑噴嘴34從旋轉(zhuǎn)夾具412的上方退避。另外，控制裝置4對加熱器414進(jìn)行斷開(off)控制，使加熱板413從發(fā)熱狀態(tài)脫離。

接著，進(jìn)行向基板w的上表面供給spm來清洗基板w的上表面的spm清洗工序(步驟s55)。

另外，設(shè)置于旋轉(zhuǎn)夾具412的加熱板413，也可以以能夠升降的方式設(shè)置。此時(shí)，也可以在加熱板413結(jié)合有用于使加熱板413升降的升降單元(未圖示)。升降單元使加熱板413在上位置和下位置之間進(jìn)行升降，其中，所述上位置指，基板相向面413a與基板w的下表面接近的位置，所述下位置指，基板相向面413a向基板w的下方大幅度地退避的位置。升降單元在上位置和下位置之間的各位置將加熱板413保持為水平姿勢。

此時(shí)，在執(zhí)行對基板w的第五清洗處理例的過程中，控制裝置4控制加熱器414，總是將加熱板413維持為加熱狀態(tài)。并且，在甲硅烷基化工序(s53)之前的工序(圖16所示的s51、s52)中，加熱板413配置于下位置。并且，在執(zhí)行干燥工序(s57)時(shí)，控制裝置4控制升降單元，來使處于加熱狀態(tài)的加熱板413從下位置朝向上位置移動來配置于上位置。由此，通過加熱板413使基板w變暖。

根據(jù)上述第四實(shí)施方式，在進(jìn)行spm清洗工序(s44、s55)之前，執(zhí)行甲硅烷基化工序(s43、s53)。在甲硅烷基化工序(s43、s53)中，通過甲硅烷基化劑對硅基板41的表面41a以及膜43、47、48、49、50的表層進(jìn)行甲硅烷基化(改質(zhì))，通過保護(hù)層覆蓋硅基板41的表面41a以及膜43、47、48、49、50的表層。從而能夠在通過保護(hù)層覆蓋膜43、48，49的表層的狀態(tài)下，進(jìn)行spm清洗工序(s44、s55)。因此，難以在spm清洗工序(s44、s55)發(fā)生膜43、48、49的損耗。由此，能夠一邊降低或防止細(xì)微圖案40所包含的膜43、48、49的損耗，一邊利用spm清洗具有細(xì)微圖案40的基板w的表面。

另外，根據(jù)第五清洗處理例，能夠使硅基板41的表面41a以及膜43、47、48、49、50的表層，與甲硅烷基化劑所具有的甲硅烷基之間的反應(yīng)速度變高，因此，在甲硅烷基化工序(s53)中，能夠在硅基板41的表面41a以及膜43、47、48、49、50的表層形成牢固的保護(hù)層。由此，能夠更有效地降低spm清洗工序(s55)中的膜43、48、49的損耗。

另外，甲硅烷基化工序(s43、s53)和spm清洗工序(s44、s55)利用共用的處理單元407進(jìn)行。此時(shí)，不必在對基板w進(jìn)行一系列的處理的途中挪換基板w，因此能夠在短時(shí)間內(nèi)進(jìn)行該一系列的處理。

此外，在第四實(shí)施方式中，在執(zhí)行第五清洗處理例的情況下，需要設(shè)置帶有加熱板413的旋轉(zhuǎn)夾具412來作為旋轉(zhuǎn)夾具，但是在執(zhí)行第四清洗處理例的情況下，可以設(shè)置帶有加熱板413的旋轉(zhuǎn)夾具412以及沒有加熱板的旋轉(zhuǎn)夾具12中的任一個(gè)，來作為旋轉(zhuǎn)夾具。

圖19是在水平方向上觀察本發(fā)明的第五實(shí)施方式的處理單元507的圖。

在第五實(shí)施方式中，對于與第四實(shí)施方式的各部對應(yīng)的部分，標(biāo)注與圖15至圖18的情況相同的附圖標(biāo)記，省略說明。

第五實(shí)施方式的基板處理裝置501所包含的處理單元507與第四實(shí)施方式的基板處理裝置401所包含的處理單元407的不同點(diǎn)在于，具有用于供給臭氧水(含有o3的水)的臭氧水供給單元502。

臭氧水供給單元502包括：臭氧水噴嘴503，噴出臭氧水；臭氧水配管504，與臭氧水噴嘴503連接；臭氧水閥505，安裝于臭氧水配管504；第七噴嘴臂506，在該第七噴嘴臂506的前端部安裝有臭氧水噴嘴503；第七噴嘴移動單元508，通過使第七噴嘴臂506擺動，來使臭氧水噴嘴503移動。

當(dāng)打開臭氧水閥505時(shí)，從臭氧水配管504供給臭氧水噴嘴503的臭氧水，會從臭氧水噴嘴503向下方噴出。當(dāng)關(guān)閉臭氧水閥505時(shí)，停止從臭氧水噴嘴503噴出臭氧水的動作。第七噴嘴移動單元508使臭氧水噴嘴503在處理位置和退避位置之間移動，其中，所述處理位置指，從臭氧水噴嘴503噴出的臭氧水向基板w的上表面供給的位置，所述退避位置指，在俯視時(shí)，臭氧水噴嘴503向旋轉(zhuǎn)夾具412的側(cè)方退避的位置。

在控制裝置4連接有作為控制對象的旋轉(zhuǎn)馬達(dá)20、第二噴嘴移動單元33、第三噴嘴移動單元38、第六噴嘴移動單元408、第七噴嘴移動單元508、沖洗液閥31、甲硅烷基化劑閥36、spm閥405、臭氧水閥505等?？刂蒲b置4按照預(yù)先設(shè)定的程序控制旋轉(zhuǎn)馬達(dá)20、第二噴嘴移動單元33、第三噴嘴移動單元38、第六噴嘴移動單元408、第七噴嘴移動單元508等的動作。而且，控制裝置4控制沖洗液閥31、甲硅烷基化劑閥36、spm閥405、臭氧水閥505等的開閉動作等。

圖20是用于說明處理單元507所進(jìn)行的第六清洗處理例的流程圖。圖21是用于說明第六清洗處理例所包含的氧化膜形成工序(s63)的圖解性的圖。

第六清洗處理例與圖17所示的第五清洗處理例的不同點(diǎn)在于，在進(jìn)行甲硅烷基化工序(步驟s64)之前，進(jìn)行在基板w的上表面(表面)形成氧化膜的氧化膜形成工序(步驟s63)。一邊參照圖20以及圖21，一邊說明第六清洗處理例。

圖20所示的步驟s61、s62的工序?yàn)榉謩e與圖17所示的步驟s41、s42相同的工序。另外，圖20所示的步驟s64～s70的工序?yàn)榉謩e與圖4所示的步驟s53～s59相同的工序。因此，省略這些工序的說明。

氧化膜形成工序(s63)是開始使基板w旋轉(zhuǎn)(s62)之后進(jìn)行的。氧化膜形成工序(s63)是向基板w的上表面(表面)供給臭氧水的工序。在執(zhí)行氧化膜形成工序(s63)時(shí)，控制裝置4通過控制第七噴嘴移動單元508，使臭氧水噴嘴503從退避位置向處理位置移動。當(dāng)臭氧水噴嘴503配置于基板w的上表面中央部的上方時(shí)，如圖21所示，控制裝置4打開臭氧水閥505，從臭氧水噴嘴503朝向旋轉(zhuǎn)狀態(tài)的基板w的上表面中央部噴出臭氧水。供給至基板w的上表面中央部的臭氧水，受到因基板w旋轉(zhuǎn)而產(chǎn)生的離心力而朝向基板w的上表面外周部移動。由此，臭氧水遍及基板w的上表面的整個(gè)區(qū)域，在基板w的上表面的整個(gè)區(qū)域形成氧化膜。

另外，在氧化膜形成工序(s63)中，控制裝置4控制第七噴嘴移動單元508，來使臭氧水供給至基板w的上表面的供給位置移動(例如在上表面中央部和上表面周緣部之間移動)。

當(dāng)從開始向基板w供給臭氧水起經(jīng)過預(yù)先設(shè)定的期間時(shí)，控制裝置4關(guān)閉臭氧水閥505，停止從臭氧水噴嘴503噴出臭氧水的動作。另外，控制裝置4控制第七噴嘴移動單元508，使臭氧水噴嘴503從旋轉(zhuǎn)夾具412的上方退避。然后，開始進(jìn)行甲硅烷基化工序(s64)以及第一基板高溫化工序(s65)。

根據(jù)第五實(shí)施方式，在進(jìn)行甲硅烷基化工序(s64)之前，執(zhí)行氧化膜形成工序(s63)。在氧化膜形成工序(s63)中，在硅基板41的表面41a以及膜43、47、48、49、50的表層形成氧化膜。

甲硅烷基化劑所具有的甲硅烷基容易與氧化膜所含有的羥基(oh基)發(fā)生反應(yīng)。因此，在進(jìn)行甲硅烷基化工序(s64)之前，通過氧化膜覆蓋硅基板41的表面41a以及膜43、47、48、49、50的表層，由此，能夠在甲硅烷基化工序中，更良好地對基板w的表面所包括的硅基板41的表面41a以及膜43、47、48、49、50的表層進(jìn)行甲硅烷基化(改質(zhì))，因而，能夠進(jìn)一步降低或者防止隨著利用spm清洗基板w的表面而產(chǎn)生的sige膜50的損耗。

接著，對于與膜損耗有關(guān)的第一實(shí)驗(yàn)進(jìn)行說明。

＜實(shí)施例＞

將表面形成有sio2膜以及通過等離子cvd法制作的sin膜的硅基板，用作為樣品，利用基板處理裝置1對該硅基板實(shí)施上述的第一清洗處理例的清洗處理。此外，用于實(shí)驗(yàn)的dhf(稀氫氟酸)的濃度(hf的含有濃度)大約為0.5～0.6重量％。

＜比較例＞

將表面形成有sio2膜以及通過等離子cvd法制作的sin膜的硅基板，用作為樣品，利用基板處理裝置1對該硅基板實(shí)施了利用了sc1的清洗處理。該清洗處理是在第一清洗處理例中廢除甲硅烷基化工序(s73)的處理。此外，用于實(shí)驗(yàn)的dhf(稀氫氟酸)的濃度(hf的含有濃度)大約為0.5～0.6重量％。

在實(shí)施例以及比較例中，分別測量了清洗處理之前和之后的sio2膜以及sin膜的膜減少量。圖22示出了第一實(shí)驗(yàn)的實(shí)驗(yàn)結(jié)果。

從圖22判斷出：在不進(jìn)行甲硅烷基化工序(s3)的比較例中，sio2膜以及sin膜的膜減少量多，但是在進(jìn)行sc1工序(s4)之前進(jìn)行了甲硅烷基化工序(s73)的實(shí)施例中，sio2膜以及sin膜的膜減少量都少。因此，通過在進(jìn)行sc1工序(s4)之前進(jìn)行甲硅烷基化工序(s3)，能夠抑制甲硅烷基化工序(s3)中的sio2膜以及sin膜的各自的膜減少現(xiàn)象。

以上，對于本發(fā)明的五個(gè)實(shí)施方式進(jìn)行了說明，但是本發(fā)明還能夠以其它方式實(shí)施。

例如，在第二實(shí)施方式以及第三實(shí)施方式中，說明了采用液滴噴出清洗作為物理清洗的情況，在該液滴噴出清洗中，將來自雙流體噴嘴203、303的處理液(液體的甲硅烷基化劑、清洗藥液)的微小的液滴的噴流，供給至基板w的表面。但是，作為物理清洗，也可以與代替該步驟或與該步驟并行地，一邊向基板w的表面供給處理液，一邊進(jìn)行使擦洗刷(scrubbrush)等刷子接觸在該基板w的表面來清洗該表面的刷子清洗。

另外，在第四實(shí)施方式以及第五實(shí)施方式中，作為第一基板高溫化工序(s65)的一例，作為發(fā)熱構(gòu)件，舉例說明了電阻方式的加熱器，但是能夠采用其他鹵素?zé)舻燃t外線加熱器來作為發(fā)熱構(gòu)件。此時(shí)，能夠采用使紅外線加熱器與基板w的表面相向配置，來從上方向基板w照射紅外線的手段。

另外，在第四實(shí)施方式以及第五實(shí)施方式中，并不限于利用發(fā)熱構(gòu)件對基板w進(jìn)行加熱，也可以通過向基板w供給高溫流體(高溫氣體或高溫液體)來使基板w變暖。

另外，在第五實(shí)施方式中，作為氧化膜形成工序的一例，說明了向基板w的表面供給臭氧水的工序(s63)。但是，作為氧化膜形成工序，也可以代替供給臭氧水的工序或與供給臭氧水的工序并行地，進(jìn)行為了在基板w的表面形成氧化膜而使基板w高溫化的第二基板高溫化工序。在該第二基板高溫化工序中，通過將第四實(shí)施方式或第五實(shí)施方式的處理單元407、507所具有的加熱板413控制為發(fā)熱狀態(tài)，來實(shí)現(xiàn)基板w的高溫化。在該第二基板高溫化工序中，基板w的溫度上升至比上述的第一基板高溫化工序(s65)的第一高溫更高的第二高溫。第二高溫為，能夠在基板w的表面的圖案40的表層形成氧化膜的程度的充分的溫度(例如大約200℃～大約300℃)。

另外，在通過使基板w進(jìn)行高溫化來執(zhí)行氧化膜形成工序的情況下，使該氧化膜形成工序在與處理單元407、507不同的處理的氧化膜形成單元中執(zhí)行。該氧化膜形成單元設(shè)置于基板處理裝置401、501的處理區(qū)3(參照圖1)。

另外，在第一實(shí)施方式、第二實(shí)施方式、第四實(shí)施方式以及第五實(shí)施方式的第一清洗處理例以及第二清洗處理例、第四清洗處理例～第六清洗處理例中，也可以在甲硅烷基化工序(s3、s23、s43、s54、s63)和藥液清洗工序(s4、s24、s44、s55、s64)之間設(shè)置沖洗工序，在該沖洗工序中，向基板w的上表面供給沖洗液，來沖掉附著于基板w的上表面的甲硅烷基化劑。

另外，在第四實(shí)施方式以及第五實(shí)施方式的第四清洗處理例～第六清洗處理例中，藥液清洗工序(s44、s55、s64)也可以不是在執(zhí)行甲硅烷基化工序(s43、s53、s63)之后進(jìn)行，而是與甲硅烷基化工序并行地進(jìn)行。

另外，在第四實(shí)施方式以及第五實(shí)施方式的第四清洗處理例～第六清洗處理例中，也可以與甲硅烷基化工序(s43、s53、s63)并行地，或者在進(jìn)行該甲硅烷基化工序(s43、s53、s63)之前，對基板w的表面進(jìn)行物理清洗。

另外，在第一實(shí)施方式～第三實(shí)施方式的第一清洗處理例～第三清洗處理例中，也可以與甲硅烷基化工序(s3、s23、s33)并行地，通過加熱板(與圖15等所示的加熱板413相同)或加熱器(例如紅外線加熱器)等加熱基板w。

另外，在第四實(shí)施方式以及第五實(shí)施方式的第四清洗處理例～第六清洗處理例中，也可以不加熱基板w，而進(jìn)行甲硅烷基化工序(s43、s53、s63)。

另外，在第一實(shí)施方式～第三實(shí)施方式的第一清洗處理例～第三清洗處理例中，也可以在進(jìn)行甲硅烷基化工序(s3、s23、s33、s73)之前，在基板w的表面形成氧化膜。

另外，在上述的第一實(shí)施方式至第五實(shí)施方式中，也可以使sc1噴嘴24、沖洗液噴嘴29、甲硅烷基化劑噴嘴34、第一雙流體噴嘴203、第二雙流體噴嘴303、spm噴嘴40、臭氧水噴嘴503以及稀氫氟酸噴嘴603的至少一個(gè)為固定噴嘴，以使噴出口靜止的狀態(tài)噴出清洗藥液、沖洗液以及液體的甲硅烷基化劑。

另外，在上述的第一實(shí)施方式、第二實(shí)施方式、第四實(shí)施方式中，也可以與向基板w的上表面供給清洗藥液的動作并行地，向基板w的下表面也供給清洗藥液，來清洗基板w的上下表面。

另外，在上述的第一實(shí)施方式～第五實(shí)施方式的第一清洗處理例～第六清洗處理例中，在甲硅烷基化工序(s3、s23、s33、s43、s53、s63)中，也可以向基板w的表面供給氣體的甲硅烷基化劑，而不是甲硅烷基化液(液體的甲硅烷基化劑)。

另外，將第四實(shí)施方式以及第五實(shí)施方式的第四清洗處理例～第六清洗處理例說明為，用于從進(jìn)行高劑量的離子注入處理之后的基板w除去抗蝕劑圖案的處理，但是第四清洗處理例～第六清洗處理例也可以是用于從灰化處理后的基板w的表面除去抗蝕劑殘?jiān)奶幚怼?/p>

另外，在第一實(shí)施方式～第三實(shí)施方式的第一清洗處理例～第三清洗處理例中，在進(jìn)行sc1清洗處理工序(s4、s14、s23)之后，存在在基板w的圖案40的表面形成自然氧化膜的擔(dān)憂。因此，也可以為了除去該自然氧化膜，而在進(jìn)行sc1清洗處理工序(s4、s14、s23)之后向基板w的表面供給稀氫氟酸(hf)等，來從圖案40的表面除去自然氧化膜。自然氧化膜與作為掩膜等圖案形成的氧化膜相比，結(jié)合力更弱，因此能夠良好地從基板w除去。

另外，在上述的各實(shí)施方式中，作為酸性清洗藥液，舉例示出了spm，但是除此之外，還能夠使用sc2(含有hcl和h2o2的混合液)、緩沖氫氟酸(bufferedhf：含有hf和氟化銨的混合液)等來作為酸性的清洗藥液。

另外，在上述的各實(shí)施方式中，作為清洗藥液，舉例示出了酸性清洗藥液以及堿性清洗藥液，但是作為清洗藥液，也能夠利用異丙醇(isopropylalcohol：ipa)等有機(jī)溶劑。作為有機(jī)溶劑，除了ipa之外，還能夠例舉甲醇、乙醇、hfe(hydrofluoroether，氫氟醚)、丙酮以及trans-1,2二氯乙烯。另外，作為處理對象的基板，以圖3所示的基板w作為一例，但是處理對象的基板當(dāng)然不限于基板w。

例如，舉例示出了圖案40包含sin膜49以及sio2膜43、46、48的情況，但是形成于基板w的表面的圖案也可以包含sin膜、sio2膜、sige膜以及sicn膜中的至少一個(gè)。另外，sin膜并不限于通過等離子cvd法制作，也可以是通過其他手段(pvd法或其他cvd法)制作的sin膜。

另外，供給至基板w的表面的甲硅烷基化劑，也可以不是液體狀而是蒸汽。

另外，作為供給至基板w的表面的甲硅烷基化劑，例舉了hmds或tms，但是除此之外，作為甲硅烷基化劑，例如能夠使用tmsi(n-trimethylsilyimidazole，n-三甲基甲硅烷基咪唑)、bstfa(n,o-bis[trimethylsilyl]trifluoroacetamide，n,o-雙(三甲基甲硅烷基)三氟乙酰胺)、bsa(n,o-bis[trimethylsilyl]acetamide，n,o-雙[三甲基甲硅烷基]乙酰胺)、mstfa(n-methyl-n-trimethylsilyl-trifluoacetamide，n-甲基-n-三甲基甲硅烷基三氟乙酰胺)、tmsdma(n-trimethylsilyldimethylamine，n-三甲基甲硅烷基二甲胺)、tmsdea(n-trimethylsilyldiethylamine，n-三甲基硅烷基二乙胺)、mtmsa(n,o-bis(trimethylsilyl)trifluoroacetamide，n,o-雙(三甲基甲硅烷基)三氟乙酰胺)、tmcs(含堿，withbase)(trimethylchlorosilane，三甲基氯硅烷)、hmds(hexamethyldisilazane，六甲基二硅氮烷)、具有疏水基的胺、有機(jī)硅化合物、tms(tetramethylsilane，四甲基硅烷)、氟化烷基氯硅烷、烷基二硅氮烷、二甲基甲硅烷基二甲胺、二甲基甲硅烷基二乙胺、雙(二甲基氨基)二甲基硅烷、以及有機(jī)硅烷化合物。

詳細(xì)說明了本發(fā)明的實(shí)施方式，但是這些僅僅是為了明確本發(fā)明的技術(shù)內(nèi)容而使用的具體例，本發(fā)明并不限定于這些具體例，本發(fā)明的范圍僅由權(quán)利要求書限定。

本申請與2015年2月5日向日本特許廳提交的特愿2015－21525號對應(yīng)，將該申請的全部公開內(nèi)容通過引用編入于此。

附圖標(biāo)記的說明

1基板處理裝置；

4控制裝置(控制單元)；

13sc1供給單元(清洗藥液供給單元)；

15第一甲硅烷基化劑供給單元(甲硅烷基化劑供給單元)；

40圖案(細(xì)微圖案)；

43第一sio2膜；

48第三sio2膜；

49sin膜；

50sige膜；

201基板處理裝置；

202第二甲硅烷基化劑供給單元(甲硅烷基化劑供給單元)；

301基板處理裝置；

302甲硅烷基化劑&sc1供給單元(甲硅烷基化劑供給單元，清洗藥液供給單元)；

401基板處理裝置；

402spm供給單元(清洗藥液供給單元)；

501基板處理裝置；

w基板。