本發(fā)明例如涉及電流熔絲這樣的保護(hù)元件。

背景技術(shù)：

專利文獻(xiàn)1公開了電流熔絲。在該電流熔絲中，在圓筒狀的盒體的中央部配置電流熔絲部件。以兩側(cè)的引線支承電流熔絲部件。電流熔絲部件的周圍由焊劑覆蓋。

根據(jù)專利文獻(xiàn)1所公開的電流熔絲，能夠防止電流熔絲部件的表面的氧化。

專利文獻(xiàn)1：日本特開平11－213852號公報

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

但是，在專利文獻(xiàn)1所公開的電流熔絲中，存在難以不喪失其功能而變小型化這樣的問題點(diǎn)。本發(fā)明是解決這樣的問題的發(fā)明。本發(fā)明的目的在于使保護(hù)元件小型化。

參照附圖，說明本發(fā)明的保護(hù)元件。此外，在該欄中使用了圖中的符號是為了用于幫助發(fā)明的內(nèi)容的理解，并未意圖將內(nèi)容限定于圖示的范圍。

為了解決上述課題，依照本發(fā)明的某個方面，保護(hù)元件具備導(dǎo)電體54和盒體12。當(dāng)焦耳熱積分值達(dá)到規(guī)定的值以上時，導(dǎo)電體54熔斷。盒體12收納導(dǎo)電體54。盒體12具有外殼部30和增強(qiáng)部32。在外殼部30收納導(dǎo)電體。當(dāng)力施加于外殼部30時，增強(qiáng)部32抑制外殼部30的變形。

當(dāng)由于導(dǎo)電體54的熔斷而產(chǎn)生電弧時還產(chǎn)生沖擊。通過增大盒體12的容積，能夠減小由于該沖擊而施加到外殼部30的應(yīng)力。另一方面，當(dāng)盒體12具有外殼部30和增強(qiáng)部32時，即使不增大盒體12的容積，在導(dǎo)電體54熔斷時盒體12破損的可能性也變低。其原因?yàn)樵鰪?qiáng)部32承受由于該沖擊而施加到外殼部30的應(yīng)力。由此，與相比于收容于盒體12的物體的體積增大盒體12的容積的保護(hù)元件相比較，能夠變小型化。其結(jié)果，能夠使保護(hù)元件小型化。

另外，上述增強(qiáng)部32最好具有增強(qiáng)板40和突出部42的對。增強(qiáng)板40以使任意的面與導(dǎo)電體54對置的方式固定于外殼部30的內(nèi)周面。突出部42以夾持增強(qiáng)板40的方式從外殼部30的內(nèi)周面突出。

當(dāng)在導(dǎo)電體54熔斷時產(chǎn)生電弧后，增強(qiáng)板40中的與導(dǎo)電體54對置的面會受到與該電弧的產(chǎn)生相伴的沖擊。其原因?yàn)橐允乖鰪?qiáng)板40的任意的面與導(dǎo)電體54對置的方式使其固定于外殼部30的內(nèi)周面，且由突出部42的對夾持增強(qiáng)板40。由此，例如相比于增強(qiáng)板40中的棱與導(dǎo)電體54對置的情況，能夠由外殼部30中的增強(qiáng)板40緩和沖擊的范圍變寬。由于該范圍變寬，所以例如相比于增強(qiáng)板40中的棱與導(dǎo)電體54對置的情況，盒體12破損的可能性變低。由于盒體12破損的可能性變低，所以能夠使保護(hù)元件小型化。

或者，上述增強(qiáng)板40最好為長方體狀。在該情況下，最好為以使突出部42沿著增強(qiáng)板40的方式配置的板狀。

突出部42沿著長方體狀的增強(qiáng)板40。突出部42為板狀。由此，相比于突出部42例如為細(xì)的柱狀的情況，易于在力施加于增強(qiáng)板40時抑制增強(qiáng)板40的位置偏離。

另外，上述保護(hù)元件最好還具備接觸構(gòu)件14。接觸構(gòu)件14與導(dǎo)電體54以及盒體12接觸。接觸構(gòu)件14與導(dǎo)電體54一起收納于盒體12。

接觸構(gòu)件14能夠?qū)?dǎo)電體54產(chǎn)生的熱傳遞給盒體12。由于能夠?qū)?dǎo)電體54產(chǎn)生的熱傳遞給盒體12，所以相比于不是這樣的情況，由于通電而在導(dǎo)電體54產(chǎn)生的熱易于向?qū)щ婓w54的外部流出。由于熱易于向外部流出，所以相比于不是這樣的情況，在導(dǎo)電體54熔斷之后電弧快速地被冷卻。由于電弧快速地被冷卻，所以能夠減小盒體12的容積。其結(jié)果，能夠使保護(hù)元件小型化。

或者，上述增強(qiáng)部32最好具有增強(qiáng)板40。增強(qiáng)板40固定于外殼部30的內(nèi)周面。增強(qiáng)板40的熱傳導(dǎo)率比外殼部30高。在該情況下，接觸構(gòu)件14與盒體12中的增強(qiáng)板40接觸。

當(dāng)接觸構(gòu)件14與增強(qiáng)板40接觸時，相比于接觸構(gòu)件14與外殼部30接觸的情況，能夠?qū)?dǎo)電體54產(chǎn)生的熱快速地傳遞給增強(qiáng)板40。其原因?yàn)樵鰪?qiáng)板40的熱傳導(dǎo)率比外殼部30的熱傳導(dǎo)率高。由于能夠快速地傳遞熱，所以相比于不是這樣的情況，由于通電而在導(dǎo)電體54產(chǎn)生的熱易于向?qū)щ婓w54的外部流出。由于熱易于向外部流出，所以相比于不是這樣的情況，在導(dǎo)電體54熔斷之后電弧快速地被冷卻。由于電弧快速地被冷卻，所以能夠減小盒體12的容積。其結(jié)果，能夠使保護(hù)元件小型化。

根據(jù)本發(fā)明，能夠使保護(hù)元件小型化。

附圖說明

圖1是本發(fā)明的某個實(shí)施方式的保護(hù)元件的俯視圖。

圖2是本發(fā)明的某個實(shí)施方式的保護(hù)元件的剖視圖。

圖3是本發(fā)明的某個實(shí)施方式的導(dǎo)電部的俯視圖。

圖4是本發(fā)明的某個實(shí)施方式的盒體的立體圖。

符號說明

10：導(dǎo)電部；12：盒體；14：接觸構(gòu)件；16：包覆樹脂；30：外殼部；32：增強(qiáng)部；36：底面部；38：側(cè)面部；40：散熱體兼增強(qiáng)板；42：突出部；50：基板；52：正側(cè)電極；54：導(dǎo)電體；56：正側(cè)焊料；58：合金基部；60：低熔點(diǎn)合金；62：背側(cè)電極；64：引線；66：背側(cè)焊料；70：通孔；80：硅橡膠；82：粒子狀的氧化鋁。

具體實(shí)施方式

以下，根據(jù)附圖，詳細(xì)地說明本發(fā)明。在以下的說明中，對相同的構(gòu)件附加有相同的符號。它們的名稱以及功能也相同。因此，不重復(fù)關(guān)于它們的詳細(xì)的說明。

[結(jié)構(gòu)的說明]

圖1是本實(shí)施方式的保護(hù)元件的俯視圖。在圖1中，接觸構(gòu)件14的一部分、包覆樹脂16的一部分以及背側(cè)焊料66的一部分被去掉。圖2是本實(shí)施方式的保護(hù)元件的剖視圖。在圖2中，本實(shí)施方式的保護(hù)元件在中央部分沿著引線64被切斷。根據(jù)圖1和圖2，說明本實(shí)施方式的保護(hù)元件的結(jié)構(gòu)。

本實(shí)施方式的保護(hù)元件具備導(dǎo)電部10、盒體12、接觸構(gòu)件14以及包覆樹脂16。導(dǎo)電部10為流過電流的部分。盒體12收納導(dǎo)電部10。接觸構(gòu)件14與導(dǎo)電部10一起收納于盒體12。包覆樹脂16包覆收納于盒體12的導(dǎo)電部10。

圖3是本實(shí)施方式的導(dǎo)電部10的俯視圖。在圖3中，正側(cè)焊料56的一部分被切下。根據(jù)圖1至圖3說明本實(shí)施方式的導(dǎo)電部10的結(jié)構(gòu)。本實(shí)施方式的導(dǎo)電部10具有基板50、一對正側(cè)電極52、導(dǎo)電體54、一對正側(cè)焊料56、合金基部58、低熔點(diǎn)合金60、一對背側(cè)電極62、一對引線64以及一對背側(cè)焊料66。正側(cè)電極52配置于基板50的任意面。在本實(shí)施方式中，將配置有正側(cè)電極52的面視為基板50的正面。在本實(shí)施方式的情況下，作為正側(cè)電極52而將銅箔固定于基板50的正面。導(dǎo)電體54配置于基板50的正面。在盒體12之中，導(dǎo)電體54配置成與盒體12的內(nèi)周面對置。導(dǎo)電體54當(dāng)流過電流時使該電流的能量的一部分成為熱。當(dāng)焦耳熱積分值達(dá)到規(guī)定的值以上時導(dǎo)電體54自己熔斷?！敖苟鸁岱e分值”是指熔絲的部件(在本實(shí)施方式的情況下，導(dǎo)電體54相當(dāng)于“熔絲的部件”)熔斷所需的能量。焦耳熱積分值的計算公式由于是公知的，所以此處不重復(fù)其說明。在本實(shí)施方式的情況下，導(dǎo)電體54為線材。在本實(shí)施方式的情況下，導(dǎo)電體54的一端連接于正側(cè)電極52的一方。導(dǎo)電體54的另一端連接于正側(cè)電極52的另一方。在本實(shí)施方式的情況下，導(dǎo)電體54為被鍍錫的純銅制。正側(cè)焊料56連接正側(cè)電極52和導(dǎo)電體54。由此，正側(cè)電極52與導(dǎo)電體54之間導(dǎo)通。合金基部58固定于基板50的正面。與導(dǎo)電體54同樣地低熔點(diǎn)合金60配置于基板50的正面。低熔點(diǎn)合金60隔著合金基部58固定于基板50。低熔點(diǎn)合金60也與盒體12的內(nèi)周面對置。在本實(shí)施方式的情況下，低熔點(diǎn)合金60跨過導(dǎo)電體54的中央部分覆蓋導(dǎo)電體54。在本實(shí)施方式的情況下，“低熔點(diǎn)合金”是指為上述導(dǎo)電體54熔斷的溫度以下的熔點(diǎn)，且只要是融解的狀態(tài)，上述導(dǎo)電體54就溶解的合金。這樣的低熔點(diǎn)合金是公知的。因此，此處不重復(fù)其詳細(xì)的說明。背側(cè)電極62配置于基板50的面中的、在從上述正面觀察時位于背側(cè)的面。在本實(shí)施方式中，將該面視為基板50的背面。在本實(shí)施方式的情況下，背側(cè)電極62與正側(cè)電極52同樣地為銅箔。一對背側(cè)電極62中的一方配置于一對正側(cè)電極52中的位于一方的背側(cè)的位置。一對背側(cè)電極62中的另一方配置于一對正側(cè)電極52中的位于另一方的背側(cè)的位置。一對引線64的一方連接于一對背側(cè)電極62的一方。一對引線64的另一方連接于一對背側(cè)電極62的另一方。引線64穿過盒體12的側(cè)壁。背側(cè)焊料66將背側(cè)電極62與引線64進(jìn)行連接。由此，背側(cè)電極62與引線64之間導(dǎo)通。

基板50具有通孔70。在本實(shí)施方式的情況下，基板50具有4個通孔70。正側(cè)電極52的一方與背側(cè)電極62的一方在兩個通孔70相互連接。由此，正側(cè)電極52的一方與背側(cè)電極62的一方之間導(dǎo)通。正側(cè)電極52的另一方與背側(cè)電極62的另一方在其它兩個通孔70處相互連接。況且，在這些通孔70填充有背側(cè)焊料66的一部分。正側(cè)焊料56在這些通孔70的端部與背側(cè)焊料66連接。在該端部，正側(cè)焊料56與背側(cè)焊料66成為一體。其結(jié)果，流經(jīng)引線64的一方的電流經(jīng)過背側(cè)電極62的一方和正側(cè)電極52的一方而流到導(dǎo)電體54。在導(dǎo)電體54中流過的電流經(jīng)過背側(cè)電極62的另一方和正側(cè)電極52的另一方而流經(jīng)引線64的另一方。

圖4是本實(shí)施方式的盒體12的立體圖。根據(jù)圖1、圖2以及圖4，說明本實(shí)施方式的盒體12的結(jié)構(gòu)。盒體12具有外殼部30和增強(qiáng)部32。在外殼部30收納導(dǎo)電部10。在力施加于外殼部30時，增強(qiáng)部32抑制外殼部30的變形。

在本實(shí)施方式的情況下，外殼部30是合成樹脂制。外殼部30的內(nèi)周面具有底面部36和側(cè)面部38。底面部36為作為外殼部30的底部的部分。側(cè)面部38包圍底面部36。導(dǎo)電部10配置于由外殼部30中的底面部36和側(cè)面部38包圍的空間。

增強(qiáng)部32具有1片散熱體兼增強(qiáng)板40和4片突出部42。在本實(shí)施方式的情況下，散熱體兼增強(qiáng)板40為氧化鋁制。在本實(shí)施方式的情況下，散熱體兼增強(qiáng)板40是燒結(jié)氧化鋁而成的。因此，在本實(shí)施方式的情況下，散熱體兼增強(qiáng)板40的熱傳導(dǎo)率比合成樹脂制的外殼部30高。散熱體兼增強(qiáng)板40對接觸構(gòu)件14的熱進(jìn)行吸收。散熱體兼增強(qiáng)板40將吸收的熱向盒體12的外部放出。在本實(shí)施方式的情況下，散熱體兼增強(qiáng)板40為長方體狀。在本實(shí)施方式的情況下，散熱體兼增強(qiáng)板40在外殼部30的內(nèi)周面中的底面部36由公知的硅樹脂粘接。由此，散熱體兼增強(qiáng)板40中的面積最大的面與導(dǎo)電體54對置。在本實(shí)施方式的情況下，4張突出部42與外殼部30成為一體。4張突出部42從外殼部30的底面部36突出。突出部42沿著長方體狀的增強(qiáng)板40。突出部42為板狀。4張突出部42中的一對配置成夾持散熱體兼增強(qiáng)板40的一端。4張突出部42中的另一對配置成夾持散熱體兼增強(qiáng)板40的另一端。

根據(jù)圖1和圖2說明本實(shí)施方式的接觸構(gòu)件14。接觸構(gòu)件14的一部分配置于盒體12的散熱體兼增強(qiáng)板40與導(dǎo)電體54之間。由此，接觸構(gòu)件14與導(dǎo)電體54以及盒體12接觸。接觸構(gòu)件14的另一部分經(jīng)由突出部42之間向?qū)щ婓w54的兩端方向延伸。在本實(shí)施方式的情況下，接觸構(gòu)件14包括硅橡膠80和粒子狀的氧化鋁82。此外，接觸構(gòu)件14具有不發(fā)生漏電的程度的電氣電阻，這是不言而喻的。

根據(jù)圖1和圖2，說明本實(shí)施方式的包覆樹脂16。包覆樹脂16填充于盒體12內(nèi)的空間中的從導(dǎo)電部10至側(cè)面部38的邊緣為止的部分。由此，如上所述，包覆樹脂16包覆收納于盒體12的導(dǎo)電部10。包覆樹脂16的一部分順著盒體12的側(cè)面部38進(jìn)入到導(dǎo)電部10與底面部36之間的空間。在本實(shí)施方式的情況下，包覆樹脂16為環(huán)氧樹脂與粒子狀的氧化鋁的混合物。

[制造方法的說明]

本實(shí)施方式的保護(hù)元件的制造方法具備導(dǎo)電部形成工序、接觸構(gòu)件涂敷工序、盒體收納工序以及包覆工序。在導(dǎo)電部形成工序中形成導(dǎo)電部10。用于形成導(dǎo)電部10的具體的工序與形成于基板上的公知的保護(hù)元件相同，所以此處不重復(fù)其詳細(xì)的說明。在接觸構(gòu)件涂敷工序中，對導(dǎo)電部10的導(dǎo)電體54涂敷硅橡膠與粒子狀的氧化鋁的混合物。在盒體收納工序中，首先，散熱體兼增強(qiáng)板40固定于盒體12的外殼部30。外殼部30通過注塑預(yù)先制造出。固定有散熱體兼增強(qiáng)板40的外殼部30為盒體12。盒體12被導(dǎo)電部10遮覆。由此，在外殼部30的區(qū)劃中的正中的區(qū)域，在接觸構(gòu)件涂敷工序中涂敷的混合物與導(dǎo)電體54和散熱體兼增強(qiáng)板40接觸。在該區(qū)劃的相鄰的區(qū)域，由突出部42抑制該混合物的進(jìn)入，所以形成空間。之后，在接觸構(gòu)件涂敷工序中涂敷的混合物硬化。硬化后的該混合物成為接觸構(gòu)件14。在包覆工序中，粒子狀的氧化鋁與尚未硬化的環(huán)氧樹脂的混合物填充于盒體12內(nèi)。由此，盒體12內(nèi)的導(dǎo)電部10被包覆。之后，該填充的環(huán)氧樹脂硬化。環(huán)氧樹脂硬化之后的混合物成為包覆樹脂16。

[使用方法的說明]

本實(shí)施方式的保護(hù)元件的使用方法與公知的電流熔絲相同。即，本實(shí)施方式的保護(hù)元件連接于未圖示的電路。當(dāng)預(yù)先決定的范圍的大電流在導(dǎo)電體54中流過時，導(dǎo)電體54的溫度超過規(guī)定的溫度。當(dāng)焦耳熱積分值成為規(guī)定的值以上時，導(dǎo)電體54熔斷。在熔斷后產(chǎn)生電弧的情況下在保護(hù)元件內(nèi)部滅弧。由此，在連接保護(hù)元件的電路中電流被切斷。

[實(shí)施例的說明]

(實(shí)施例)

制作出5個上述保護(hù)元件。在各保護(hù)元件設(shè)定有“1”至“5”這樣的試驗(yàn)片編號。

(比較例)

制作出5個除了不具有散熱體兼增強(qiáng)板40這點(diǎn)之外與實(shí)施例相同的構(gòu)造的保護(hù)元件。在各保護(hù)元件設(shè)定有“1”至“5”這樣的試驗(yàn)片編號。

(切斷試驗(yàn))

測量出實(shí)施例和比較例的保護(hù)元件的電阻。之后，在電壓值400伏下使電流值5.7安培的直流電流流過這些保護(hù)元件，進(jìn)行了切斷試驗(yàn)。之后，觀察了保護(hù)元件的外觀。之后，進(jìn)行了絕緣電阻測試和耐電壓試驗(yàn)。在表1中，示出測量結(jié)果的一覽。

[表1]

如表1所示，在實(shí)施例的保護(hù)元件的情況下，任意的保護(hù)元件的外觀在使直流電流流過之前及之后都看不到變化。漏電流也小于0.01ma。在比較例的保護(hù)元件的情況下，當(dāng)使直流電流流過時，盒體膨脹。即，如從表1的結(jié)果可明確那樣，盒體12具有增強(qiáng)部32的保護(hù)元件相比于不是這樣的保護(hù)元件，盒體12破損的可能性低。

[效果的說明]

接下來敘述的事項的成功與否對保護(hù)元件的小型化的成功與否造成影響。這是能否防止導(dǎo)電體54熔斷時的收納于盒體12的物體漏出這樣的事項。當(dāng)收納于該盒體12的物體漏出時，有時對存在于保護(hù)元件的周圍的物體造成不良影響。為了避免該不良影響，存在相比于收納于盒體12的物體的體積增大盒體12的容積的趨勢。其原因?yàn)橥ㄟ^增大盒體12的容積，從而緩和在導(dǎo)電體54熔斷時盒體12受到的沖擊。該沖擊例如由在導(dǎo)電體54熔斷時產(chǎn)生的電弧引起。由于該沖擊緩和，從而相比于不是這樣的情況，在導(dǎo)電體54熔斷時盒體12破損的可能性變低。由于盒體12破損的可能性變低，從而相比于不是這樣的情況，收納于盒體12的物體漏出的可能性變低。當(dāng)相比于收納于盒體12的物體的體積增大盒體12的容積時，相比于不是這樣的情況，保護(hù)元件變大型化。當(dāng)盒體12具有外殼部30和增強(qiáng)部32時，即使相比于收納于盒體12的物體的體積不增大盒體12的容積，盒體12破損的可能性也變低。其原因?yàn)樵诒緦?shí)施方式的保護(hù)元件中，增強(qiáng)部32承受由于電弧引起的沖擊而施加于外殼部30的應(yīng)力。由此，與相比于收納于盒體12的物體的體積增大盒體12的容積的保護(hù)元件相比較，本實(shí)施方式的保護(hù)元件有可能變小型化。

另外，在本實(shí)施方式的保護(hù)元件中，如果在導(dǎo)電體54熔斷時產(chǎn)生電弧，則散熱體兼增強(qiáng)板40中的與導(dǎo)電體54對置的面會受到伴隨該電弧的產(chǎn)生的沖擊。以使散熱體兼增強(qiáng)板40中的面積最大的面與導(dǎo)電體54對置的方式，散熱體兼增強(qiáng)板40固定于外殼部30的內(nèi)周面。由此，例如相比于散熱體兼增強(qiáng)板40中的棱與導(dǎo)電體54最臨近地對置的情況，能夠由外殼部30中的散熱體兼增強(qiáng)板40緩和沖擊的范圍變寬。由于該范圍變寬，所以例如相比于散熱體兼增強(qiáng)板40中的棱與導(dǎo)電體54最臨近地對置的情況，盒體12破損的可能性變低。由于盒體12破損的可能性變低，所以能夠使保護(hù)元件小型化。

另外，在本實(shí)施方式的保護(hù)元件中，板狀的突出部42沿著長方體狀的散熱體兼增強(qiáng)板40，所以相比于突出部42例如為細(xì)的柱狀的情況，在力施加于散熱體兼增強(qiáng)板40時，易于抑制散熱體兼增強(qiáng)板40的位置偏離。

另外，當(dāng)在導(dǎo)電體54中流過電流時，導(dǎo)電體54使該電流的能量的一部分變成熱。在本實(shí)施方式的保護(hù)元件中，能夠經(jīng)由接觸構(gòu)件14將導(dǎo)電體54產(chǎn)生的熱傳遞給盒體12。由此，能夠不經(jīng)由氣體而將導(dǎo)電體54產(chǎn)生的熱傳遞給盒體12，所以相比于不是這樣的情況，由于通電而在導(dǎo)電體54產(chǎn)生的熱易于向?qū)щ婓w54的外部流出。由于熱易于向外部流出，所以相比于不是這樣的情況，在導(dǎo)電體54熔斷之后電弧快速地被冷卻。因?yàn)殡娀】焖俚乇焕鋮s，所以能夠減小盒體12的容積。其結(jié)果，能夠使保護(hù)元件小型化。

另外，導(dǎo)電體54產(chǎn)生的熱傳遞給接觸構(gòu)件14的粒子狀的氧化鋁82、硅橡膠80以及低熔點(diǎn)合金60。熱在粒子狀的氧化鋁82中傳遞擴(kuò)散到接觸構(gòu)件14整體。由此，能夠抑制由于熱長期地聚集于導(dǎo)電體54的周圍而導(dǎo)致的導(dǎo)電體54的溫度上升。由此，由于比規(guī)定的焦耳熱積分值小的焦耳熱積分值而導(dǎo)電體54熔斷的可能性比接觸構(gòu)件14不包含粒子狀的氧化鋁82的情況低。由于導(dǎo)電體54熔斷的可能性變低，所以無需增大導(dǎo)電體54的剖面中的與流過電流的方向正交的面的剖面面積。當(dāng)不必要時，相比于無法減小該剖面面積的情況，在焦耳熱積分值為規(guī)定的值以上的情況下，導(dǎo)電體54易于熔斷。由于易于熔斷，所以熱越無法充分流出到接觸構(gòu)件14，則即使在短時間焦耳熱積分值成為規(guī)定的值以上導(dǎo)電體54也不熔斷的可能性越低。即，動作的快速性提高。

接觸構(gòu)件14包含硅橡膠80，所以相比于其它耐熱性差的合成樹脂包含于接觸構(gòu)件14的情況，能夠抑制熱所致的接觸構(gòu)件14的劣化。另外，接觸構(gòu)件14包含粒子狀的氧化鋁82，所以能夠進(jìn)一步抑制熱所致的接觸構(gòu)件14的劣化。

另外，當(dāng)保護(hù)元件具備氧化鋁制的散熱體兼增強(qiáng)板40時，傳遞到接觸構(gòu)件14整體的熱的一部分傳遞給散熱體兼增強(qiáng)板40。由此，相比于沒有散熱體兼增強(qiáng)板40的情況，接觸構(gòu)件14的溫度上升速度變低。由于溫度上升速度變低，所以導(dǎo)電體54在比規(guī)定的焦耳熱積分值小的焦耳熱積分值下熔斷的可能性比沒有散熱體兼增強(qiáng)板40的情況低。另外，當(dāng)保護(hù)元件具備氧化鋁制的散熱體兼增強(qiáng)板40時，相比于不是這樣的情況，散熱體兼增強(qiáng)板40的拉伸強(qiáng)度、壓縮強(qiáng)度以及彎曲強(qiáng)度變強(qiáng)。由于它們變強(qiáng)，所以由于在導(dǎo)電體54熔斷時產(chǎn)生的電弧而盒體12破損的可能性變低。

<變形例的說明>

上述保護(hù)元件是為了使本發(fā)明的技術(shù)思想具體化而例示的。上述保護(hù)元件能夠在本發(fā)明的技術(shù)思想的范圍內(nèi)實(shí)施各種變更。

例如，上述散熱體兼增強(qiáng)板40的形狀以及素材不被特別限定。即散熱體兼增強(qiáng)板40也可以燒結(jié)除了氧化鋁以外的金屬氧化物而成。散熱體兼增強(qiáng)板40也可以通過除了燒結(jié)以外的方法而制造出。保護(hù)元件也可以具備代替散熱體兼增強(qiáng)板40和突出部42的對的增強(qiáng)部。

另外，上述接觸構(gòu)件14也可以包含纖維狀的氧化鋁。接觸構(gòu)件14也可以包含除了氧化鋁以外的金屬氧化物。在除了氧化鋁以外的金屬氧化物的例子中有硅砂和氧化鈦。在該情況下，只要是氧化鋁以上的熱傳導(dǎo)率的金屬氧化物，就能夠?qū)峥焖俚貍鬟f給接觸構(gòu)件14整體。接觸構(gòu)件14也可以不包含金屬氧化物。收納于盒體12的導(dǎo)電部10也可以由接觸構(gòu)件14包覆。在該情況下，接觸構(gòu)件14填充于從盒體12的底面部36至側(cè)面部38的邊緣為止的空間。

另外，上述接觸構(gòu)件14包含的物質(zhì)不限定于硅橡膠80。例如，也可以是除了硅橡膠80以外的硅樹脂。也可以是除了硅樹脂以外的聚合物。在接觸構(gòu)件14包含聚合物和金屬氧化物的情況下，不限定它們的比例。在接觸構(gòu)件14包含聚合物和金屬氧化物的情況下，優(yōu)選為金屬氧化物體的體積％比聚合物的體積％高。優(yōu)選為不論接觸構(gòu)件14的組成如何，都含50質(zhì)量％以上的金屬氧化物。

另外，上述導(dǎo)電部10的結(jié)構(gòu)以及方式不限定于上述結(jié)構(gòu)以及方式。