技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
一種半導(dǎo)體發(fā)光元件，所述半導(dǎo)體發(fā)光元件具有第一發(fā)光層和第二發(fā)光層。第一發(fā)光層具有：基底層，所述基底層具有多個(gè)基底區(qū)段，所述多個(gè)基底區(qū)段具有從第一半導(dǎo)體層接受應(yīng)力應(yīng)變的組分，所述基底區(qū)段被分割成隨機(jī)網(wǎng)格圖案；以及第一量子阱結(jié)構(gòu)層，所述第一量子阱結(jié)構(gòu)層保留了所述多個(gè)基底區(qū)段的區(qū)段形狀，并且包括形成在基底層上的至少一個(gè)量子阱層和至少一個(gè)勢(shì)壘層。所述第二發(fā)光層具有：第二量子阱結(jié)構(gòu)層，所述第二量子阱結(jié)構(gòu)層包括至少一個(gè)量子阱層和多個(gè)勢(shì)壘層，所述多個(gè)勢(shì)壘層具有與所述第一量子阱結(jié)構(gòu)層中的至少一個(gè)勢(shì)壘層不同的組分；以及槽，所述槽在所述多個(gè)勢(shì)壘層中最靠近所述第一發(fā)光層側(cè)的端部勢(shì)壘層的表面上，保留了所述區(qū)段形狀。

技術(shù)研發(fā)人員：藤原崇子;杉山正和;M·瑪尼施
受保護(hù)的技術(shù)使用者：斯坦雷電氣株式會(huì)社;國(guó)立大學(xué)法人東京大學(xué)
技術(shù)研發(fā)日：2015.10.22
技術(shù)公布日：2017.08.01