技術特征：

1.一種半導體元件的制造方法，其特征在于，具有：

在由碳化硅制成的基板的第1表面上形成含有選自由鈦、鎢、鉬及鉻構成的組中的至少一種金屬的金屬膜的工序；及

對所述金屬膜照射波長為330nm～370nm范圍內的脈沖激光束，使得在所述基板與所述金屬膜之間的界面產生硅化反應，從而形成金屬硅化物膜的工序，

所述金屬膜的厚度為30nm以上，所述脈沖激光束的脈沖寬度在20ns～200ns的范圍內，并且以滿足如下條件的方式選擇能量密度，即所述金屬膜的表面的最高到達溫度不超過所述金屬膜的熔點且所述金屬膜與所述基板之間的界面的最高到達溫度成為所述金屬膜的硅化反應溫度以上。

2.根據權利要求1所述的半導體元件的制造方法，其特征在于，

所述金屬膜由鈦形成，

所述金屬膜的厚度在70nm～100nm的范圍內。

3.根據權利要求1所述的半導體元件的制造方法，其特征在于，

所述金屬膜由鈦形成，

所述金屬膜的厚度在100nm～150nm的范圍內，

所述脈沖激光束的脈沖寬度在50ns～200ns的范圍內。

4.根據權利要求1所述的半導體元件的制造方法，其特征在于，

所述金屬膜由選自由鎢、鉬及鉻構成的組中的一種金屬形成，

所述金屬膜的厚度在70nm～150nm的范圍內。

5.根據權利要求1至4中任一項所述的半導體元件的制造方法，其特征在于，

所述脈沖激光束為選自由Nd：YAG激光、Nd：YLF激光、Nd：YVO₄激光、Yb：YAG激光、Yb：YLF激光及Yb：YVO₄激光構成的組中的一種固體激光的三次諧波。