1.一種光致發(fā)光材料膏，其包括：
第一無機(jī)光致發(fā)光材料，其具有第一密度，
第二無機(jī)光致發(fā)光材料，其具有第二密度，其中所述第一無機(jī)光致發(fā)光材料的所述第一密度不同于所述第二無機(jī)光致發(fā)光材料的所述第二密度，
光透射不可固化硅酮流體，其中所述第一無機(jī)光致發(fā)光材料及所述第二無機(jī)光致發(fā)光材料基本上均質(zhì)地分布于所述光透射硅酮流體內(nèi)以形成所述光致發(fā)光材料膏，
其中所述不可固化硅酮流體本身不可固化，且
其中所述光致發(fā)光材料膏中的所述第一光致發(fā)光材料及所述第二光致發(fā)光材料的裝載重量處于約60％到約95％的范圍內(nèi)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光致發(fā)光材料膏，其中所述不可固化硅酮流體本身不可固化且當(dāng)與另一材料混合時(shí)不可固化。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的光致發(fā)光材料膏，其中所述不可固化硅酮流體包括聚二甲基硅氧烷。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的光致發(fā)光材料膏，其中所述不可固化硅酮流體包括聚苯基甲基硅氧烷。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光致發(fā)光材料膏，其中所述不可固化硅酮流體本身不可固化且當(dāng)與另一材料混合時(shí)可固化。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的光致發(fā)光材料膏，其中所述不可固化硅酮流體構(gòu)成雙部分可固化硅酮材料的一部分。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光致發(fā)光材料膏，其中所述光致發(fā)光材料膏中的所述光致發(fā)光材料的裝載重量處于從約80％到約90％的范圍內(nèi)。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光致發(fā)光材料膏，其中所述光致發(fā)光材料膏中的所述光致發(fā)光材料的裝載重量處于從約70％到約80％的范圍內(nèi)。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光致發(fā)光材料膏，其中所述不可固化硅酮流體具有介于約500厘沲與約100,000厘沲之間的粘度或約5,000厘沲的粘度。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光致發(fā)光材料膏，其中所述光致發(fā)光材料具有介于約5μm與約35μm之間的平均粒子大小或介于約15μm與約20μm之間的平均粒子大小。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光致發(fā)光材料膏，其中所述第一光致發(fā)光材料包括經(jīng)鈰活化的發(fā)綠光的鋁酸镥磷光體材料。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的光致發(fā)光材料膏，其中所述經(jīng)鈰活化的發(fā)綠光的鋁酸镥磷光體由镥、鈰、至少一種堿土金屬、鋁、氧及至少一種鹵素組成，其中所述磷光體經(jīng)配置以吸收具有介于從約380nm到約480nm的范圍內(nèi)的波長的激發(fā)輻射，且發(fā)射具有介于從約500nm到約550nm的范圍內(nèi)的峰值發(fā)射波長的光。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的光致發(fā)光材料膏，其中所述第二光致發(fā)光材料包括發(fā)紅光的基于氮化物的磷光體。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的光致發(fā)光材料膏，其中所述發(fā)紅光的磷光體包括由化學(xué)式MaSrbSicAldNeEuf表示的基于氮化物的組合物，其中：M是Ca，且0.1≤a≤0.4；1.5<b<2.5；4.0≤c≤5.0；0.1≤d≤0.15；7.5<e<8.5；且0<f<0.1；其中a+b+f>2+d/v且v是M的化合價(jià)。
15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的光致發(fā)光材料膏，其中所述發(fā)紅光的磷光體包括由化學(xué)式M(x/v)M'2Si5-xAlxN8:RE表示的基于氮化物的組合物，其中：M是具有化合價(jià)v的至少一種單價(jià)、二價(jià)或三價(jià)金屬；M'是Mg、Ca、Sr、Ba及Zn中的至少一者；且RE是Eu、Ce、Tb、Pr及Mn中的至少一者；其中x滿足0.1≤x<0.4，且其中所述發(fā)紅光的磷光體具有M'2Si5N8:RE的總體晶體結(jié)構(gòu)，Al替代所述總體晶體結(jié)構(gòu)內(nèi)的Si，且M位于所述總體晶體結(jié)構(gòu)內(nèi)基本上格隙位點(diǎn)處。
16.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光致發(fā)光材料膏，其中所述第一光致發(fā)光材料具有第一平均粒子大小且所述第二光致發(fā)光材料具有第二平均粒子大小，其中所述第一平均粒子大小不同于所述第二光致發(fā)光材料的所述平均粒子大小。
17.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光致發(fā)光材料膏，其進(jìn)一步包括光漫射材料的粒子。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的光致發(fā)光材料膏，其中光漫射材料的所述粒子具有介于約40nm與約500nm之間的平均粒子大小或約60nm的平均粒子大小。
19.根據(jù)權(quán)利要求17所述的光致發(fā)光材料膏，其中光漫射材料的所述粒子具有約60nm的平均粒子大小。
20.根據(jù)權(quán)利要求17所述的光致發(fā)光材料膏，其中所述光漫射材料選自由以下各項(xiàng)組成的群組：氧化鋅、二氧化鈦、硫酸鋇、氧化鎂、二氧化硅、氧化鋁、二氧化鋯及其混合物。
21.一種制造遠(yuǎn)程光致發(fā)光波長轉(zhuǎn)換組件的方法，其包括：
通過將選定量的光致發(fā)光材料膏與選定量的可固化硅酮材料混合而形成光致發(fā)光材料化合物，其中所述光致發(fā)光膏包括：第一無機(jī)光致發(fā)光材料，其具有第一密度；第二無機(jī)光致發(fā)光材料，其具有第二密度；及光透射不可固化硅酮流體，所述第一無機(jī)光致發(fā)光材料及所述第二無機(jī)光致發(fā)光材料基本上均質(zhì)地分布于所述光透射不可固化硅酮流體內(nèi)，且所述光致發(fā)光膏中的所述第一光致發(fā)光材料及所述第二光致發(fā)光材料的裝載重量處于約60％到約95％的范圍內(nèi)；
通過選自由以下各項(xiàng)組成的群組的一種方法來形成所述光致發(fā)光組件：用所述光致發(fā)光材料化合物來模制所述光致發(fā)光組件；將所述光致發(fā)光材料化合物沉積于光透射襯底上且將所述光致發(fā)光材料化合物沉積于光反射襯底上；及
使所述光致發(fā)光材料化合物至少部分地固化。
22.根據(jù)權(quán)利要求21所述的方法，其中所述可固化硅酮材料包括雙部分硅酮材料，且其中當(dāng)所述光致發(fā)光材料膏的所述不可固化硅酮流體構(gòu)成所述雙部分可固化硅酮材料的一部分時(shí)；
所述方法進(jìn)一步包括通過將所述選定量的所述光致發(fā)光材料膏與所述雙部分可固化硅酮材料的所述選定量的另一部分混合而形成所述光致發(fā)光材料化合物。
23.根據(jù)權(quán)利要求21所述的方法，其中所述可固化硅酮材料具有介于約100,000厘沲與約1,500,000厘沲之間的粘度。
24.根據(jù)權(quán)利要求21所述的方法，其中所述可固化硅酮材料具有介于約5,000厘沲與約10,000厘沲之間的粘度。
25.根據(jù)權(quán)利要求21所述的方法，且其包括將所述光致發(fā)光材料膏以在所述光致發(fā)光材料化合物中按重量計(jì)高達(dá)約70％的量與所述可固化硅酮材料混合。
26.一種制造光致發(fā)光波長轉(zhuǎn)換式固態(tài)發(fā)光裝置的方法，其包括：
通過將選定量的光致發(fā)光材料膏與選定量的可固化硅酮材料混合而形成光致發(fā)光材料化合物，其中所述光致發(fā)光膏包括：第一無機(jī)光致發(fā)光材料，其具有第一密度；第二無機(jī)光致發(fā)光材料，其具有第二密度；及光透射不可固化硅酮流體，所述第一無機(jī)光致發(fā)光材料及所述第二無機(jī)光致發(fā)光材料基本上均質(zhì)地分布于所述光透射不可固化硅酮流體內(nèi)，且所述光致發(fā)光膏中的所述第一光致發(fā)光材料及所述第二光致發(fā)光材料的裝載重量處于約60％到約95％的范圍內(nèi)；
將所述光致發(fā)光材料化合物施配到固態(tài)光源上；及
使所述光致發(fā)光材料化合物至少部分地固化。
27.根據(jù)權(quán)利要求26所述的方法，其中當(dāng)所述光致發(fā)光材料膏的所述不可固化硅酮流體構(gòu)成雙部分可固化硅酮材料的一部分時(shí)；
所述方法進(jìn)一步包括通過將所述選定量的所述光致發(fā)光材料膏與所述雙部分可固化硅酮材料的所述選定量的另一部分混合而形成所述光致發(fā)光材料化合物。
28.根據(jù)權(quán)利要求26所述的方法，其中所述可固化硅酮材料具有介于約5,000厘沲與約10,000厘沲之間的粘度。
29.根據(jù)權(quán)利要求26所述的方法，且其包括將所述光致發(fā)光材料膏以在所述光致發(fā)光材料化合物中按重量計(jì)高達(dá)約70％的量與所述可固化硅酮材料混合。
30.根據(jù)權(quán)利要求26所述的方法，其中所述固態(tài)光源包括：經(jīng)封裝LED芯片、光透射襯底上的LED芯片、玻璃上LED芯片及板上LED芯片。