1.一種照明設(shè)備（1），包括：
a）光轉(zhuǎn)換器（100），其包括光接收面（110）；
b）固態(tài)光源（10），其被配置成生成在光接收面（110）處具有至少10W/cm2的光子通量的光源光（11），
其中光轉(zhuǎn)換器（100）被配置成將光源光（11）的至少部分轉(zhuǎn)換成具有第一頻率的光轉(zhuǎn)換器光（101），其中光轉(zhuǎn)換器（100）包括處于選自光子晶體結(jié)構(gòu)（31）和等離子體結(jié)構(gòu)（32）的光學(xué)結(jié)構(gòu)（30）中的半導(dǎo)體量子點(diǎn)（20），其中光學(xué)結(jié)構(gòu)（30）被配置成增加光轉(zhuǎn)換器（100）中的與第一頻率諧振的光子態(tài)密度以用于降低飽和淬火，并且其中量子點(diǎn)（20）具有至少80%的量子效率。
2.依照權(quán)利要求1的照明設(shè)備（1），其中光轉(zhuǎn)換器（100）包括處于光學(xué)結(jié)構(gòu)（30）中的多個(gè)量子點(diǎn)（20），其中該光學(xué)結(jié)構(gòu)包括所述等離子體結(jié)構(gòu)（32），并且其中該等離子體結(jié)構(gòu)（32）是不規(guī)則的等離子體結(jié)構(gòu)。
3.依照權(quán)利要求1的照明設(shè)備（1），其中光轉(zhuǎn)換器（100）包括處于光學(xué)結(jié)構(gòu)（30）中的多個(gè)量子點(diǎn)（20），其中該光學(xué)結(jié)構(gòu)包括所述等離子體結(jié)構(gòu)（32），并且其中該等離子體結(jié)構(gòu)（32）是規(guī)則的等離子體結(jié)構(gòu)。
4.依照權(quán)利要求1的照明設(shè)備（1），其中光轉(zhuǎn)換器（100）包括包含多個(gè)所述量子點(diǎn)（20）的多晶光子晶體結(jié)構(gòu)（31）。
5.依照前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)的照明設(shè)備（1），其中量子點(diǎn)發(fā)光核（20）具有到光學(xué)結(jié)構(gòu)（30）所包括的金屬結(jié)構(gòu)（302）的至少5nm的最短距離。
6.依照前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)的照明設(shè)備（1），其中量子點(diǎn)（20）包括二氧化硅涂層，或者其中光學(xué)結(jié)構(gòu)包括包含量子點(diǎn)（20）的二氧化硅結(jié)構(gòu)（301）。
7.依照前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)的照明設(shè)備（1），其中光轉(zhuǎn)換器（100）包括多個(gè)不同的半導(dǎo)體量子點(diǎn)（20），其被配置成將光源光（11）的至少部分轉(zhuǎn)換成具有第一頻率分布的光轉(zhuǎn)換器光（101）。
8.依照權(quán)利要求7的照明設(shè)備（1），包括多個(gè)光學(xué)結(jié)構(gòu)域（310），其中所述光學(xué)結(jié)構(gòu)域（310）被配置成增加一個(gè)或多個(gè)量子點(diǎn)（20）附近的且與所述一個(gè)或多個(gè)量子點(diǎn)（20）的第一頻率諧振的光子態(tài)密度。
9.依照前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)的照明設(shè)備（1），其中量子點(diǎn)（20）具有至少90%的量子效率，并且其中量子點(diǎn)（20）在光轉(zhuǎn)換器（100）中具有4ns或更少的輻射衰減時(shí)間。
10.一種包括被配置成接收來(lái)自光源的光源光的光接收面（110）的光轉(zhuǎn)換器（100），其中光轉(zhuǎn)換器（100）被配置成將光源光的至少部分轉(zhuǎn)換成具有第一頻率的光轉(zhuǎn)換器光，其中光轉(zhuǎn)換器（100）包括處于選自光子晶體結(jié)構(gòu)（31）和等離子體結(jié)構(gòu)（32）的光學(xué)結(jié)構(gòu)（30）中的半導(dǎo)體量子點(diǎn)（20），其中光學(xué)結(jié)構(gòu)（30）被配置成增加光轉(zhuǎn)換器（100）中的且與第一頻率諧振的光子態(tài)密度以用于降低飽和淬火，并且其中量子點(diǎn)（20）具有至少80%的量子效率。
11.依照權(quán)利要求10的光轉(zhuǎn)換器（100），其中光轉(zhuǎn)換器（100）包括包含多個(gè)量子點(diǎn)（20）的多晶光子晶體結(jié)構(gòu)（31）。
12.依照權(quán)利要求10-11中任一項(xiàng)的光轉(zhuǎn)換器（100），其中量子點(diǎn)（20）包括二氧化硅涂層，或者其中光學(xué)結(jié)構(gòu)包括包含所述量子點(diǎn)（20）的二氧化硅結(jié)構(gòu)（301）。
13.依照權(quán)利要求10-12中任一項(xiàng)的光轉(zhuǎn)換器（100），其中量子點(diǎn)（20）具有到光學(xué)結(jié)構(gòu)（30）所包括的金屬結(jié)構(gòu)（302）的至少5nm的最短距離。
14.依照權(quán)利要求10-13中任一項(xiàng)的光轉(zhuǎn)換器（100），其中光學(xué)結(jié)構(gòu)包括包含含有所述量子點(diǎn)（20）的二氧化硅結(jié)構(gòu)（301）的等離子體光學(xué)結(jié)構(gòu)，其中所述量子點(diǎn)（20）具有到光學(xué)結(jié)構(gòu)（30）所包括的金屬結(jié)構(gòu)（302）的至少5nm的最短距離。
15.包括處于選自光子晶體結(jié)構(gòu)（31）和等離子體結(jié)構(gòu)（32）的光學(xué)結(jié)構(gòu)（30）中的半導(dǎo)體量子點(diǎn)（20）的光轉(zhuǎn)換器（100）的使用，其中光學(xué)結(jié)構(gòu)（300）被配置成增加量子點(diǎn)（20）處的且與第一頻率諧振的光子態(tài)密度以用于降低飽和淬火，并且其中量子點(diǎn)（20）具有至少80%的量子效率以阻止量子點(diǎn)（20）的飽和淬火。