技術(shù)總結(jié)
一種用以使熔體成長為結(jié)晶片的結(jié)晶器，其可包括致冷面面對于熔體的暴露面的致冷塊，致冷塊被設(shè)置以用于在致冷面產(chǎn)生致冷塊溫度，且致冷塊溫度低于在熔體的暴露面的熔體溫度。所述系統(tǒng)還可包括配置于致冷塊內(nèi)且被配置以用于傳送氣體噴射至暴露面的噴嘴，其中氣體噴射以及致冷塊交互操作以產(chǎn)生處理區(qū)，所述處理區(qū)以第一散熱速率移除來自于暴露面的熱。第一散熱速率大于處理區(qū)之外的外部區(qū)域中的暴露面的第二散熱速率。

技術(shù)研發(fā)人員：彼德·L·凱勒曼;布萊恩·梅克英特許;菲德梨克·M·卡爾森;大衛(wèi)·莫雷爾;阿拉·莫瑞迪亞;南帝斯·德塞;孫大為;法蘭克·辛克萊
受保護的技術(shù)使用者：瓦里安半導體設(shè)備公司
文檔號碼：201580016307
技術(shù)研發(fā)日：2015.03.13
技術(shù)公布日：2016.11.23