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半導(dǎo)體單元、半導(dǎo)體器件、發(fā)光裝置、顯示裝置和半導(dǎo)體器件制造方法與流程

文檔序號:11891553閱讀:來源:國知局

技術(shù)特征:

1.一種半導(dǎo)體單元,包括:

基板;

半導(dǎo)體器件,其包括半導(dǎo)體層和一個或多個電極,所述一個或多個電極連接到所述半導(dǎo)體層并包括鉑族元素作為主要材料;以及

電鍍層,其粘接所述基板和所述電極。

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體單元,其中:

所述半導(dǎo)體器件還包括絕緣層,所述絕緣層設(shè)置成與所述半導(dǎo)體層接觸并包括開口,以及

所述電極具有被形成為與所述絕緣層接觸并經(jīng)由所述開口連接到所述半導(dǎo)體層的結(jié)構(gòu)。

3.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體單元,其中:

所述電極包括從所述開口的端邊緣向外延伸的延伸部分,以及

所述電鍍層連接到至少所述電極的所述延伸部分。

4.如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體單元,其中:

在所述開口內(nèi)的所述電極的區(qū)中進(jìn)一步提供所述電鍍層。

5.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體單元,其中:

所述半導(dǎo)體層包括活性層、第一導(dǎo)電類型層和第二導(dǎo)電類型層,以及

所述一個或多個電極包括第一電極,所述第一電極連接到至少所述第一導(dǎo)電類型層。

6.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體單元,其中:

所述一個或多個電極還包括第二電極,所述第二電極連接到所述第二導(dǎo)電類型層。

7.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體單元,其中:

所述絕緣層包括面向所述基板的表面,以及

所述電極和所述電鍍層的粘接表面的面積與所述表面的面積之比是50%或更大和85%或更小。

8.一種半導(dǎo)體器件,包括:

半導(dǎo)體層;

一個或多個電極,其連接到所述半導(dǎo)體層并包括鉑族元素作為主要材料;以及

電鍍層,其粘接到所述電極。

9.一種發(fā)光裝置,包括:

發(fā)光板;以及

驅(qū)動器電路,其驅(qū)動所述發(fā)光板,所述發(fā)光板包括:

基板;

發(fā)光器件,每個包括半導(dǎo)體層和一個或多個電極,所述一個或多個電極連接到所述半導(dǎo)體層并包括鉑族元素作為主要材料,以及

電鍍層,其粘接所述基板和所述發(fā)光器件的所述電極。

10.一種顯示裝置,包括:

發(fā)光單元,每個包括發(fā)光器件作為一個像素并在逐像素基礎(chǔ)上包括發(fā)光單元,所述發(fā)光器件發(fā)射不同波長范圍的光;以及

驅(qū)動器電路,其驅(qū)動所述發(fā)光單元,所述驅(qū)動電路包括:

基板,

半導(dǎo)體器件,其包括所述半導(dǎo)體層和一個或多個電極,所述一個或多個電極連接到半導(dǎo)體層并包括鉑族元素作為主要材料,以及

電鍍層,其粘接所述基板和所述電極。

11.一種制造半導(dǎo)體單元的方法,包括:

暴露電極,所述電極連接到半導(dǎo)體層并包括鉑族元素作為主要材料;

使被暴露的電極面向安裝基板;以及

在所述電極和所述安裝基板之間形成電鍍層。

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