1.一種太陽(yáng)能電池，包括：
多個(gè)子電池，所述子電池中的每一者包括已分割的物理上分離的半導(dǎo)體基板部分，其中所述已分割的物理上分離的半導(dǎo)體基板部分的相鄰者之間具有溝槽；和
單片金屬化結(jié)構(gòu)，其中所述單片金屬化結(jié)構(gòu)的一部分耦接所述多個(gè)子電池中的子電池，其中，所述已分割的物理上分離的半導(dǎo)體基板部分的相鄰者之間的所述溝槽暴露所述單片金屬化結(jié)構(gòu)的一部分。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽(yáng)能電池，其中所述太陽(yáng)能電池還包括：
設(shè)置在所述已分割的物理上分離的半導(dǎo)體基板部分的相鄰者之間的所述溝槽中的封裝材料。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽(yáng)能電池，其中所述子電池中的每一者具有大致相同的電壓特性和大致相同的電流特性。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽(yáng)能電池，其中所述多個(gè)子電池是多個(gè)并聯(lián)二極管、多個(gè)串聯(lián)二極管或它們的組合。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽(yáng)能電池，其中所述太陽(yáng)能電池是背接觸太陽(yáng)能電池，并且其中所述單片金屬化結(jié)構(gòu)設(shè)置在所述已分割的物理上分離的半導(dǎo)體基板部分中每一者的與光接收表面相背對(duì)的背表面上。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的太陽(yáng)能電池，其中由所述子電池中的每一者產(chǎn)生的電流大致相同。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的太陽(yáng)能電池，其中所述子電池中每一者的所述光接收表面是紋理化表面。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽(yáng)能電池，其中所述已分割的物理上分離的半導(dǎo)體基板部分中的每一者是塊體單晶硅基板部分。
9.一種光伏模塊，包括根據(jù)權(quán)利要求1所述的多個(gè)太陽(yáng)能電池。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的光伏(PV)模塊，其中，對(duì)于每個(gè)太陽(yáng)能電池，所述光伏模塊的層壓體的封裝材料設(shè)置在所述已分割的物理上分離的半導(dǎo)體基板部分的相鄰者之間的所述溝槽中。
11.一種制造太陽(yáng)能電池的方法，所述方法包括：
在半導(dǎo)體基板的第一表面上形成金屬化結(jié)構(gòu)；和
從所述半導(dǎo)體基板的與第一表面相背對(duì)的第二表面刻繪所述半導(dǎo)體基板，所述刻繪被所述金屬化結(jié)構(gòu)的部分停止并從所述第二表面暴露所述金屬化結(jié)構(gòu)的部分。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中在所述半導(dǎo)體基板的所述第一表面上形成所述金屬化結(jié)構(gòu)包括對(duì)形成于所述半導(dǎo)體基板的所述第一表面上的金屬箔進(jìn)行圖案化。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中在所述半導(dǎo)體基板的所述第一表面上形成所述金屬化結(jié)構(gòu)包括在所述半導(dǎo)體基板的所述第一表面的部分上電鍍一層或多層金屬膜。
14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中所述刻繪包括使用激光進(jìn)行刻繪。
15.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，還包括：
在刻繪所述半導(dǎo)體基板之前，對(duì)所述半導(dǎo)體基板的所述第二表面進(jìn)行紋理化。
16.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中所述刻繪包括形成多個(gè)子電池，
所述子電池中的每一者包括已分割的物理上分離的半導(dǎo)體基板部分，所述已分割的物理上分離的半導(dǎo)體基板部分的相鄰者之間具有溝槽，其中所述金屬化結(jié)構(gòu)耦接所述多個(gè)子電池中的子電池。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，還包括：
在所述已分割的物理上分離的半導(dǎo)體基板部分的相鄰者之間的所述溝槽中形成封裝材料。
18.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中形成所述多個(gè)子電池包括形成所述子電池中的每一者以使它們具有大致相同的電壓特性和大致相同的電流特性。
19.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中形成所述多個(gè)子電池包括形成多個(gè)并聯(lián)二極管、多個(gè)串聯(lián)二極管或它們的組合。
20.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，還包括：
在刻繪所述半導(dǎo)體基板之后，在光伏(PV)模塊層壓體中嵌入所述太陽(yáng)能電池，其中所述光伏模塊層壓體的封裝材料填充所述已分割的物理上分離的半導(dǎo)體基板部分的相鄰者之間的所述溝槽。
21.一種根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法制造的太陽(yáng)能電池。
22.一種制造包括具有第一表面的半導(dǎo)體基板的太陽(yáng)能電池的方法，所述方法包括：
直接在所述半導(dǎo)體基板的所述第一表面上形成所述太陽(yáng)能電池的至少兩個(gè)子太陽(yáng)能電池之間的互連件，以在所述兩個(gè)子電池之間提供電池間電連接，再切割所述半導(dǎo)體基板直到切割至所述第一表面，從而在物理上分離所述至少兩個(gè)子太陽(yáng)能電池。
23.根據(jù)權(quán)利要求22所述的方法，其中形成所述太陽(yáng)能電池的至少兩個(gè)子太陽(yáng)能電池之間的所述互連件還包括：
在所述太陽(yáng)能電池的所述半導(dǎo)體基板的所述第一表面上形成金屬化結(jié)構(gòu)。
24.根據(jù)權(quán)利要求23所述的方法，其中切割所述半導(dǎo)體基板還包括：
從所述半導(dǎo)體基板的與第一表面相背對(duì)的第二表面刻繪所述半導(dǎo)體基板。
25.根據(jù)權(quán)利要求24所述的方法，其中刻繪所述半導(dǎo)體基板還包括：
一旦從所述第二表面暴露所述金屬化結(jié)構(gòu)的部分則停止所述刻繪。
26.根據(jù)權(quán)利要求24所述的方法，其中一旦從所述第二表面暴露所述金屬化結(jié)構(gòu)的部分則停止所述刻繪包括：停止于緩沖損傷層上，所述緩沖損傷層選自聚合物層、金屬層和金屬網(wǎng)構(gòu)成的組。
27.根據(jù)權(quán)利要求24所述的方法，其中刻繪所述半導(dǎo)體基板還包括：
在所述至少兩個(gè)子太陽(yáng)能電池之間形成溝槽，使得所述金屬化結(jié)構(gòu)電耦接所述至少兩個(gè)子太陽(yáng)能電池的部分；和
在所述溝槽中形成封裝材料。
28.根據(jù)權(quán)利要求22所述的方法，其中切割所述半導(dǎo)體基板還包括：
在所述至少兩個(gè)子太陽(yáng)能電池的每一者中形成至少一個(gè)二極管；和
形成所述至少兩個(gè)子太陽(yáng)能電池中的每一者，以使其具有大致相同的電壓特性和大致相同的電流特性。
29.根據(jù)權(quán)利要求28所述的方法，其中在所述至少兩個(gè)子太陽(yáng)能電池的每一者中形成至少一個(gè)二極管還包括：
在所述至少兩個(gè)子太陽(yáng)能電池中每一者的所述至少一個(gè)二極管中形成P型摻雜區(qū)域和N型摻雜區(qū)域；
形成通往所述P型摻雜區(qū)域的第一金屬觸點(diǎn)；和
形成通往所述N型摻雜區(qū)域的第二金屬觸點(diǎn)。
30.根據(jù)權(quán)利要求23所述的方法，其中形成所述金屬化結(jié)構(gòu)還包括：
與形成所述金屬化結(jié)構(gòu)實(shí)質(zhì)上同時(shí)地，在所述半導(dǎo)體基板的所述第一表面的部分上電鍍一層或多層金屬膜。
31.根據(jù)權(quán)利要求23所述的方法，其中形成所述金屬化結(jié)構(gòu)還包括：
對(duì)形成于所述半導(dǎo)體基板的所述第一表面上的金屬箔進(jìn)行圖案化。
32.根據(jù)權(quán)利要求24所述的方法，還包括：
在刻繪所述半導(dǎo)體基板之前，對(duì)所述半導(dǎo)體基板的所述第二表面進(jìn)行紋理化。