技術(shù)總結(jié)
用于薄膜光電子器件(100、200)中的通孔和單片互連的方法，其中至少一個線段通孔(163、165、165’、167)通過激光鉆孔形成并且穿過前接觸層(150、152、154、156、158)和半導(dǎo)體有源層(130)，以及其中激光鉆孔使得在通孔的內(nèi)表面(135)處形成導(dǎo)電的永久金屬化的富銅CIGS型合金的CIGS型壁(132、134、136、138)，從而在前接觸的至少一部分與背接觸層(120、124、126、128、129)的一部分之間形成導(dǎo)電通路，在前接觸層的表面處形成凸塊形凸起部分(155)，形成背接觸層的凸起部分(125、127、127’)，以及可選地形成覆蓋前接觸層(150)的一部分的富銅CIGS型合金(155’)的凸起部分。薄膜CIGS器件包括可通過所述方法獲得的至少一個線段通孔。

技術(shù)研發(fā)人員：R·齊特納;T·內(nèi)特
受保護的技術(shù)使用者：弗里索姆股份公司
文檔號碼：201580006416
技術(shù)研發(fā)日：2015.01.26
技術(shù)公布日：2016.12.28