技術(shù)總結(jié)
本申請?zhí)峁┮环N共晶鍵合方法，該方法包括：在第一基片表面形成第一鍵合材料圖形；在第二基片表面形成第二鍵合材料圖形；在所述第二鍵合材料圖形中形成朝向所述第二基片表面凹陷的下凹陷部；將所述第一鍵合材料圖形和所述第二鍵合材料圖形對齊，并在預(yù)定壓力和預(yù)定溫度下按壓所述第一基片和所述第二基片，以使所述第一基片和所述第二基片通過所述第一鍵合材料圖形和所述第二鍵合材料圖形發(fā)生共晶鍵合。根據(jù)本申請，在基片鍵合材料圖形中形成凹陷部，以容納共晶鍵合過程中形成的部分共晶材料的合金，由此，減少或消除溢流物。

技術(shù)研發(fā)人員：邱鵬;張挺;顧佳燁
受保護(hù)的技術(shù)使用者：上海新微技術(shù)研發(fā)中心有限公司
文檔號碼：201510885153
技術(shù)研發(fā)日：2015.12.04
技術(shù)公布日：2017.06.13