技術(shù)特征：

1.一種基于Si襯底的GaN外延結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括在Si襯底上依次疊層設(shè)置的第一AlN緩沖層、層狀滑移層、第二AlN緩沖層、Al_xGa_1-xN緩沖層以及GaN外延層；所述Al_xGa_1-xN緩沖層中Al的含量x的取值范圍為0＜x＜1。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的GaN外延結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述GaN外延結(jié)構(gòu)還包括設(shè)置于所述Si襯底與所述第一AlN緩沖層之間的鋁阻隔層。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的GaN外延結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述層狀滑移層的材料為六方氮化硼。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的GaN外延結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述層狀滑移層的厚度為40nm～50nm。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的GaN外延結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述Al_xGa_1-xN緩沖層中Al的含量x的取值范圍為0.2～0.4。

6.一種基于Si襯底的GaN外延結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，包括：

在Si襯底上制備第一AlN緩沖層；

在所述第一AlN緩沖層上制備層狀滑移層；

在所述層狀滑移層上逐層制備第二AlN緩沖層、Al_xGa_1-xN緩沖層以及GaN外延層；其中，所述Al_xGa_1-xN緩沖層中Al的含量x的取值范圍為0＜x＜1。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制備方法，其特征在于，所述制備方法還包括：在所述Si襯底與所述第一AlN緩沖層之間制備鋁阻隔層。

8.根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的制備方法，其特征在于，所述層狀滑移層的材料為六方氮化硼。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的制備方法，其特征在于，在所述第一AlN緩沖層上制備所述層狀滑移層的具體方法包括：在980℃～1100℃下通入硼源和氮源，采用脈沖原子層沉積法在所述第一AlN緩沖層上外延生長六方氮化硼。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的制備方法，其特征在于，所述硼源和氮源采用交替通入方式，所述硼源的通入流量為15sccm～20sccm，所述氮源的通入流量為1900sccm～2200sccm，所述硼源和氮源的通入時間之比為12s～18s:10s～15s；其中，所述硼源與所述氮源的通入之間具有10s～25s的間隔時間，以使所述硼源中的硼原子進行遷移。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的制備方法，其特征在于，所述硼源、氮源分別為B(C₂H₅)₃、NH₃。

12.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制備方法，其特征在于，所述層狀滑移層的厚度為40nm～50nm；所述第一AlN緩沖層的厚度為20nm～60nm；所述第二AlN緩沖層的厚度為200nm～400nm；所述Al_xGa_1-xN緩沖層的厚度為500nm～1μm；所述GaN外延層的厚度不超過1.5μm。