技術(shù)總結(jié)
一種鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管及其形成方法，包括：提供半導(dǎo)體襯底，半導(dǎo)體襯底表面形成有鰭部和隔離層；在隔離層表面形成橫跨鰭部的偽柵結(jié)構(gòu)；在所述隔離層表面形成介質(zhì)層，介質(zhì)層的表面與偽柵結(jié)構(gòu)表面齊平；去除偽柵結(jié)構(gòu)，形成凹槽；在凹槽內(nèi)壁表面依次形成柵介質(zhì)層、功函數(shù)層和非晶硅層，所述非晶硅層包括沿半導(dǎo)體襯底表面平行排列的第一區(qū)域、第二區(qū)域；刻蝕非晶硅層，形成階梯非晶硅層，使階梯非晶硅層的第一區(qū)域、第二區(qū)域分別具有不同的高度；進(jìn)行退火處理，使位于階梯非晶硅層的第一區(qū)域、第二區(qū)域下方的功函數(shù)層分別具有不同的功函數(shù)；去除階梯非晶硅層，在功函數(shù)層表面形成金屬柵極。上述方法有利于提高形成的鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管的性能。

技術(shù)研發(fā)人員：張海洋
受保護(hù)的技術(shù)使用者：中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司
文檔號(hào)碼：201510225524
技術(shù)研發(fā)日：2015.05.05
技術(shù)公布日：2016.12.07