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穿戴式裝置的制作方法

文檔序號(hào):11837971閱讀:來源:國(guó)知局

技術(shù)特征:

1.一種穿戴式裝置,包括:

一非導(dǎo)體基座,大致為一中空結(jié)構(gòu);

一金屬環(huán)圈,設(shè)置于該非導(dǎo)體基座上,并具有一饋入點(diǎn)和一接地點(diǎn),其中該金屬環(huán)圈至少具有一第一缺口;以及

一匹配電路,其中該金屬環(huán)圈的該接地點(diǎn)經(jīng)由該匹配電路耦接至一接地電位;

其中該金屬環(huán)圈和該匹配電路共同形成一天線結(jié)構(gòu)。

2.如權(quán)利要求1所述的穿戴式裝置,其中該穿戴式裝置應(yīng)用于一手表。

3.如權(quán)利要求1所述的穿戴式裝置,其中該非導(dǎo)體基座大致為一無蓋箱型,而該金屬環(huán)圈位于該無蓋箱型的一開口側(cè)。

4.如權(quán)利要求1所述的穿戴式裝置,還包括:

一印刷電路板,設(shè)置于該非導(dǎo)體基座內(nèi),并包括一接地面,其中該接地面提供該接地電位。

5.如權(quán)利要求1所述的穿戴式裝置,其中該金屬環(huán)圈的該饋入點(diǎn)鄰近于該第一缺口。

6.如權(quán)利要求1所述的穿戴式裝置,其中該金屬環(huán)圈還具有一第二缺口,使得該金屬環(huán)圈由該第一缺口和該第二缺口分離為一第一部份和一第二部份。

7.如權(quán)利要求6所述的穿戴式裝置,其中該金屬環(huán)圈的該接地點(diǎn)鄰近于該第二缺口。

8.如權(quán)利要求1所述的穿戴式裝置,其中該匹配電路包括一電感器、一電容器,或是其組合。

9.如權(quán)利要求1所述的穿戴式裝置,還包括:

一透明元件,由該金屬環(huán)圈所包圍。

10.如權(quán)利要求1所述的穿戴式裝置,其中該天線結(jié)構(gòu)激發(fā)產(chǎn)生一操作頻帶,而該操作頻帶約介于2400MHz至2484MHz之間。

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