1.一種片間互連方法，其特征在于，該方法包括：
在襯底上形成第一鍵合凸點(diǎn)；
在所述第一鍵合凸點(diǎn)上沉積具有導(dǎo)電性能的第一三維納米結(jié)構(gòu)；
利用所述第一三維納米結(jié)構(gòu)將所述第一鍵合凸點(diǎn)與待鍵合件上形成的第二鍵合凸點(diǎn)進(jìn)行鍵合，以使所述襯底與所述待鍵合件互連。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在所述第一鍵合凸點(diǎn)上沉積所述第一三維納米結(jié)構(gòu)的步驟包括：在所述襯底上未形成所述第一鍵合凸點(diǎn)的區(qū)域上涂覆保護(hù)層；在所述襯底上沉積所述第一三維納米結(jié)構(gòu)，以使所沉積的第一三維納米結(jié)構(gòu)覆蓋所述保護(hù)層和所述第一鍵合凸點(diǎn)；以及
所述方法還包括：移除所述保護(hù)層。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，移除所述保護(hù)層的步驟在利用所述第一三維納米結(jié)構(gòu)將所述第一鍵合凸點(diǎn)與所述第二鍵合凸點(diǎn)進(jìn)行鍵合的步驟之前完成。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，所述第一鍵合凸點(diǎn)相對于所述保護(hù)層向內(nèi)凹陷。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，移除所述保護(hù)層的步驟在利用所述第一三維納米結(jié)構(gòu)將所述第一鍵合凸點(diǎn)與待鍵合件上形成的第二鍵合凸點(diǎn)進(jìn)行鍵合的步驟之后完成。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，所述第一鍵合凸點(diǎn)相對于所述保護(hù)層向外突出。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在所述第一鍵合凸點(diǎn)上沉積所述第一三維納米結(jié)構(gòu)的步驟包括：在所述襯底上沉積所述第一三維納米結(jié)構(gòu)，以使所沉積的第一三維納米結(jié)構(gòu)覆蓋所述襯底上未形成所述第一鍵合凸點(diǎn)的區(qū)域以及所述第一鍵合凸點(diǎn)；
直接移除所述襯底上未形成所述第一鍵合凸點(diǎn)的區(qū)域上的第一三維納米結(jié)構(gòu)。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在所述第一鍵合凸點(diǎn)上沉積所述第一三維納米結(jié)構(gòu)的步驟包括：
在所述襯底上沉積所述第一三維納米結(jié)構(gòu)，以使所沉積的第一三維納米結(jié)構(gòu)覆蓋所述襯底上未形成所述第一鍵合凸點(diǎn)的區(qū)域以及所述第一鍵合凸點(diǎn)；
在所述第一鍵合凸點(diǎn)周圍形成保護(hù)層，以使所述保護(hù)層包圍所述第一鍵合凸點(diǎn)及所述第一鍵合凸點(diǎn)上的第一三維納米結(jié)構(gòu)；
移除所述襯底上未形成所述第一鍵合凸點(diǎn)的區(qū)域上的第一三維納米結(jié)構(gòu)；以及
移除所述保護(hù)層。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在所述第一鍵合凸點(diǎn)上沉積所述第一三維納米結(jié)構(gòu)的步驟包括：
在所述襯底的所述第一鍵合凸點(diǎn)的上方設(shè)置一模板，該模板上形成有與所述第一鍵合凸點(diǎn)相對應(yīng)的通孔；
在所述模板上沉積所述第一三維納米結(jié)構(gòu)，以使所沉積的第一三維納米結(jié)構(gòu)的至少一部分穿過所述通孔到達(dá)所述第一鍵合凸點(diǎn)上；以及
移除所述模板。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述待鍵合件為晶圓或芯片。
11.根據(jù)權(quán)利要求1-10中任一權(quán)利要求所述的方法，其特征在于，該方法還包括：
在利用所述第一三維納米結(jié)構(gòu)將所述第一鍵合凸點(diǎn)與所述第二鍵合凸點(diǎn)進(jìn)行鍵合的步驟之前，先在所述待鍵合件的所述第二鍵合凸點(diǎn)上沉積具有導(dǎo)電性能的第二三維納米結(jié)構(gòu)；之后，再利用所述第一三維納米結(jié)構(gòu)和所述第二三維納米結(jié)構(gòu)將所述第一鍵合凸點(diǎn)與所述第二鍵合凸點(diǎn)進(jìn)行鍵合。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其特征在于，所述第一三維納米結(jié)構(gòu)和/或所述第二三維納米結(jié)構(gòu)形成為絮狀或團(tuán)簇狀。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其特征在于，所述第一三維納米結(jié)構(gòu)和/或所述第二三維納米結(jié)構(gòu)由以下材料中的至少一者形成：銅(Cu)、鋁(Al)、鎳(Ni)、銀(Ag)、金(Au)。