本發(fā)明涉及一種光刻干濕法混合去膠返工方法，屬于半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域。

背景技術(shù)：
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光刻技術(shù)是集成電路制造中利用光學(xué)-化學(xué)反應(yīng)原理和化學(xué)、物理刻蝕方法，將電路圖形傳遞到單晶表面或介質(zhì)層上，形成有效圖形窗口或功能圖形的工藝技術(shù)。隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，光刻技術(shù)傳遞圖形的尺寸限度縮小了2～3個(gè)數(shù)量級(jí)(從毫米級(jí)到亞微米級(jí))，已從常規(guī)光學(xué)技術(shù)發(fā)展到應(yīng)用電子束、X射線、微離子束、激光等新技術(shù)；使用波長已從4000埃擴(kuò)展到0.1埃數(shù)量級(jí)范圍。光刻技術(shù)成為一種精密的微細(xì)加工技術(shù)。

伴隨線寬的縮小，對(duì)于圖形精度和均勻性以及套準(zhǔn)精度的要求越來越嚴(yán)格，半導(dǎo)體制造業(yè)對(duì)于關(guān)鍵層次的圖形的關(guān)鍵尺寸的控制精度要求在3％～10％左右。在光刻尺寸精度、套準(zhǔn)精度或光阻形貌超出容許范圍時(shí)，PLC晶園就必須進(jìn)行光刻返工處理流程。返工的目的是去除光刻時(shí)的光刻膠，對(duì)PLC晶園表面清理，使其具備第二次光刻的條件。其中，最主要的部分就是去除光刻膠。

在PLC晶園生產(chǎn)前端工藝中，經(jīng)過光刻膠涂布、曝光、顯影等工藝處理后的晶圓，在高能粒子注入后，露出的圖形是根據(jù)產(chǎn)品電學(xué)特性需求需要進(jìn)行離子注入的區(qū)域，同時(shí)在光刻膠覆蓋的區(qū)域表面會(huì)形成一定厚度的堅(jiān)硬的外殼。表面的堅(jiān)硬外殼給去膠工藝帶來一定的困難。

目前現(xiàn)有的光刻去膠返工工藝，最常見的有：干法灰化去膠或濕化 學(xué)法去膠，以及二者的結(jié)合?，F(xiàn)有的干法灰化去膠過程中使用的靜電卡盤大多為圓形，且其上部只可以放置一個(gè)PLC晶園，由于靜電卡盤內(nèi)部都需要設(shè)置電極，使靜電卡盤帶有靜電可以吸附PLC晶園，目前每個(gè)圓形的靜電卡盤上都設(shè)置有一個(gè)電極比較麻煩，而且增加成本，且PLC晶園都是直接與靜電卡盤接觸，會(huì)導(dǎo)致PLC晶園溫度過高，影響PLC晶園的質(zhì)量。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：
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針對(duì)上述問題，本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是提供一種光刻干濕法混合去膠返工方法。

本發(fā)明的一種光刻干濕法混合去膠返工方法，它包含以下步驟：1、提供一PLC晶園，所述PLC晶園包括表面的金屬層，所述金屬層表面設(shè)有光刻膠；2、通過方形靜電卡盤同時(shí)支撐數(shù)個(gè)PLC晶園，方形靜電卡盤上表面設(shè)置有數(shù)個(gè)隔熱支撐柱，PLC晶園通過數(shù)個(gè)隔熱支撐柱與方形靜電卡盤接觸；3、對(duì)PLC晶園表面進(jìn)行預(yù)加熱；4、對(duì)PLC晶園光刻膠表面的硬殼進(jìn)行軟化；5、向腔室內(nèi)沖O₂、H₂和N₂的混合氣體，腔室內(nèi)的溫度控制在150-190℃對(duì)PLC晶園表面干法去膠；6、用1∶5的硫酸和雙氧水PLC晶園進(jìn)行清洗；7、將步驟5清洗后的PLC晶園用去離子水清洗；8、用N₂將PLC晶園吹干。

作為優(yōu)選，所述的步驟5的清洗溫度控制在200±10℃。

作為優(yōu)選，所述的步驟5為清洗步驟4反應(yīng)過程中產(chǎn)生的聚合物和未反應(yīng)完的光刻膠。

本發(fā)明的有益效果為：它結(jié)構(gòu)新穎，將靜電卡盤和PLC晶園接觸點(diǎn)變小，降低PLC晶園的溫度，保證工藝順利進(jìn)行，可以有效去除光刻膠，靜電卡盤上可以同時(shí)放置多個(gè)PLC晶園，提高效率。

附圖說明：

為了易于說明，本發(fā)明由下述的具體實(shí)施及附圖作以詳細(xì)描述。

圖1為本發(fā)明的結(jié)構(gòu)示意圖，

圖2為本發(fā)明的仰視圖。

圖中：a-方形靜電卡盤；b-隔熱支撐柱；c-PLC晶園。

具體實(shí)施方式：

為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚明了，下面通過附圖中示出的具體實(shí)施例來描述本發(fā)明。但是應(yīng)該理解，這些描述只是示例性的，而并非要限制本發(fā)明的范圍。此外，在以下說明中，省略了對(duì)公知結(jié)構(gòu)和技術(shù)的描述，以避免不必要地混淆本發(fā)明的概念。

如圖1-2所示，本具體實(shí)施方式采用以下技術(shù)方案：它包含以下步驟：1、提供一PLC晶園，所述PLC晶園包括表面的金屬層，所述金屬層表面設(shè)有光刻膠；2、通過方形靜電卡盤同時(shí)支撐數(shù)個(gè)PLC晶園，方形靜電卡盤上表面設(shè)置有數(shù)個(gè)隔熱支撐柱，PLC晶園c通過數(shù)個(gè)隔熱支撐柱b與方形靜電卡盤a接觸；3、對(duì)PLC晶園表面進(jìn)行預(yù)加熱；4、對(duì)PLC晶園光刻膠表面的硬殼進(jìn)行軟化；5、向腔室內(nèi)沖O₂、H₂和N₂的混合氣體，腔室內(nèi)的溫度控制在150-190℃對(duì)PLC晶園表面干法去膠；6、用1∶5的硫酸和雙氧水PLC晶園進(jìn)行清洗；7、將步驟5清洗后的PLC晶園用去離子水清洗；8、用N₂將PLC晶園吹干。

進(jìn)一步的，所述的步驟5的清洗溫度控制在200±10℃。

進(jìn)一步的，所述的步驟5為清洗步驟4反應(yīng)過程中產(chǎn)生的聚合物和未反應(yīng)完的光刻膠。

以上顯示和描述了本發(fā)明的基本原理和主要特征和本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)。本行業(yè)的技術(shù)人員應(yīng)該了解，本發(fā)明不受上述實(shí)施例的限制，上述實(shí)施例和說明書中描述的只是說明本發(fā)明的原理，在不脫離本發(fā)明精神和范圍的前提下，本發(fā)明還會(huì)有各種變化和改進(jìn)，這些變化和改進(jìn)都落入要 求保護(hù)的本發(fā)明范圍內(nèi)。本發(fā)明要求保護(hù)范圍由所附的權(quán)利要求書及其等效物界定。