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用于可彎曲并且可伸展的器件的波狀互連件的制作方法

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用于可彎曲并且可伸展的器件的波狀互連件的制作方法與工藝

本公開(kāi)內(nèi)容總體上涉及集成電路(IC)組件的領(lǐng)域,并且更具體而言涉及用于可彎曲并且可伸展的器件的波狀互連件以及相關(guān)聯(lián)的技術(shù)和構(gòu)造。



背景技術(shù):

集成電路(IC)器件采用各種可伸展、可彎曲、柔性的、和/或可穿戴的器件來(lái)進(jìn)行集成。這種新興器件的電氣路線(xiàn)選擇(routing)的互連件密度通常比更加剛性的襯底上的IC器件的互連件密度小得多。例如,可伸展的器件的當(dāng)前互連件密度可以處于大約每毫米(mm)1個(gè)輸入/輸出(I/O)連接的范圍內(nèi)或甚至更低。對(duì)于減小電信號(hào)的路徑選擇所需的面積可能期望更高的互連件密度以提高具有減小的形狀因數(shù)的帶寬。

附圖說(shuō)明

通過(guò)結(jié)合附圖的以下具體實(shí)施方式將容易理解實(shí)施例。為了便于描述,相同的附圖標(biāo)記標(biāo)示相同的結(jié)構(gòu)元件。通過(guò)示例的方式而非通過(guò)限制的方式在附圖的圖中示出實(shí)施例。

圖1示意性地示出了根據(jù)一些實(shí)施例的示例性集成電路(IC)組件的截面?zhèn)纫晥D。

圖2示意性地示出了根據(jù)一些實(shí)施例的采用彎曲構(gòu)造的圖1的示例性IC組件的截面?zhèn)纫晥D。

圖3示意性地示出了根據(jù)一些實(shí)施例的包括波狀互連件的互連組件的截面頂視圖。

圖4示意性地示出了根據(jù)一些實(shí)施例的包括波狀互連件的互連組件的截面?zhèn)纫晥D。

圖5a-f示意性地示出了根據(jù)一些實(shí)施例的在制造的各個(gè)階段期間的示例性IC組件的截面?zhèn)纫晥D。

圖6a-c示意性地示出了根據(jù)一些實(shí)施例的在制造的各個(gè)階段期間的示例性IC組件的截面?zhèn)纫晥D。

圖7示意性地示出了根據(jù)一些實(shí)施例的另一個(gè)示例性IC組件的截面?zhèn)纫晥D。

圖8a-f示意性地示出了根據(jù)一些實(shí)施例的在制造的各個(gè)階段期間的圖7的示例性IC組件的截面?zhèn)纫晥D。

圖9示意性地示出了根據(jù)一些實(shí)施例的制造IC組件的方法的流程圖。

圖10示意性地示出了根據(jù)一些實(shí)施例的示例性計(jì)算設(shè)備,該計(jì)算設(shè)備包括具有如本文中所述的波狀互連件的IC組件。

具體實(shí)施方式

本公開(kāi)內(nèi)容的實(shí)施例描述了用于可彎曲并且可伸展的器件的波狀互連件以及相關(guān)聯(lián)的技術(shù)和構(gòu)造。在以下描述中,一般使用由本領(lǐng)域中的技術(shù)人員利用來(lái)將他們的工作的實(shí)質(zhì)傳達(dá)給本領(lǐng)域中的其他技術(shù)人員的術(shù)語(yǔ)來(lái)描述說(shuō)明性實(shí)施方式的各個(gè)方面。然而,對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人員將顯而易見(jiàn)的是,可以在只有所述方面中的一些方面的情況下實(shí)踐本公開(kāi)內(nèi)容的實(shí)施例。出于解釋的目的,闡述了具體的數(shù)量、材料、和構(gòu)造以便于提供對(duì)說(shuō)明性實(shí)施方式的透徹理解。然而,對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人員將顯而易見(jiàn)的是,可以在沒(méi)有具體細(xì)節(jié)的情況下實(shí)踐本公開(kāi)內(nèi)容的實(shí)施例。在其它實(shí)例中,省略或簡(jiǎn)化了公知的特征,以免使說(shuō)明性實(shí)施方式難以理解。

在以下具體實(shí)施方式中,參考形成了本說(shuō)明書(shū)的一部分的附圖,其中,相同的附圖標(biāo)記標(biāo)示相同的部分,并且其中,通過(guò)說(shuō)明性實(shí)施例的方式示出,在所述說(shuō)明性實(shí)施例中可以實(shí)踐本公開(kāi)內(nèi)容的主題。要理解的是,可以利用其它實(shí)施例,并且可以在不脫離本公開(kāi)內(nèi)容的范圍的情況下作出結(jié)構(gòu)或邏輯變化。因此,不應(yīng)以限制性意義考慮以下具體實(shí)施方式,并且實(shí)施例的范圍由所附權(quán)利要求及其等同物限定。

出于本公開(kāi)內(nèi)容的目的,短語(yǔ)“A和/或B”表示(A)、(B)、或(A和B)。出于本公開(kāi)內(nèi)容的目的,短語(yǔ)“A、B、和/或C”表示(A)、(B)、(C)、(A和B)、(A和C)、(B和C)、或(A、B和C)。

本說(shuō)明書(shū)可以使用基于視角的描述,例如頂/底、中/外、之上/之下等等。這樣的描述僅用于便于討論并且不旨在將本文中所描述的實(shí)施例的應(yīng)用限制為任何特定的取向。

本說(shuō)明書(shū)可以使用短語(yǔ)“在實(shí)施例中”或“在一些實(shí)施例中”,這些短語(yǔ)均指的是相同或不同實(shí)施例中的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例。此外,如針對(duì)本公開(kāi)內(nèi)容的實(shí)施例所使用的術(shù)語(yǔ)“包括”、“具有”等是同義的。

在本文中可以使用術(shù)語(yǔ)“與……耦合”連同其派生詞?!榜詈稀笨梢砸庵敢韵虑闆r中的一個(gè)或多個(gè)?!榜詈稀笨梢砸庵竷蓚€(gè)或更多個(gè)元件直接物理或電接觸。然而,“耦合”也可以意指兩個(gè)或多個(gè)元件彼此間接接觸,但還仍然彼此協(xié)作或交互作用,并且可以意指一個(gè)或多個(gè)其它元件耦合或連接在被認(rèn)為彼此耦合的元件之間。

在各個(gè)實(shí)施方式中,短語(yǔ)“第一特征形成、沉積、或以其它方式設(shè)置在第二特征上”可以意指第一特征形成、沉積、或設(shè)置在第二特征之上,并且第一特征的至少一部分可以與第二特征的至少一部分直接接觸(例如,直接物理和/或電接觸)或間接接觸(例如,具有在第一特征與第二特征之間的一個(gè)或多個(gè)其它特征)。

如本文中所使用的,術(shù)語(yǔ)“模塊”可以指代以下項(xiàng)、以下項(xiàng)的部分、或包括以下項(xiàng):專(zhuān)用集成電路(ASIC)、電子電路、片上系統(tǒng)(SoC)、處理器(共享的、專(zhuān)用的、或組)、和/或執(zhí)行一個(gè)或多個(gè)軟件或固件程序的存儲(chǔ)器(共享的、專(zhuān)用的、或組)、組合邏輯電路、和/或提供所述功能的其它適合的部件。

圖1示意性地示出了根據(jù)一些實(shí)施例的示例性集成電路(IC)組件100的截面?zhèn)纫晥D。在一些實(shí)施例中,IC組件100可以代表可伸展和/或可彎曲的IC組件100。例如,在一些實(shí)施例中,IC組件100可以是可穿戴式設(shè)備(例如,由人可穿戴的物品)。根據(jù)各個(gè)實(shí)施例,如可以看出,IC組件100包括柔性襯底102、一個(gè)或多個(gè)波狀互連件(在下文中為“波狀互連件104”)、一個(gè)或多個(gè)IC器件(例如,IC器件106a、106b)、以及鈍化層108。

柔性襯底102可以由被配置為伸展和/或彎曲的材料組成。例如,在一些實(shí)施例中,柔性襯底102可以由彈性材料組成。在一些實(shí)施例中,柔性襯底102由有機(jī)材料(例如,包含碳)組成,所述有機(jī)材料包括聚合物,例如聚二甲硅氧烷(PDMS)、聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯(PET)、橡膠、硅膠(例如,鉑金硅膠)、聚酰亞胺等。在其它實(shí)施例中,柔性襯底102可以由非有機(jī)材料(例如,由二氧化硅或其它非有機(jī)材料組成的填充顆粒)組成。在其它實(shí)施例中,柔性襯底102可以由其它適合的材料組成。

在一些實(shí)施例中,波狀互連件104可以設(shè)置在柔性襯底102上。如可以看出,波狀互連件104可以具有波狀輪廓,并且可以被配置為按照路線(xiàn)發(fā)送電信號(hào),例如一個(gè)或多個(gè)IC器件106a、106b的輸入/輸出(I/O)信號(hào)或電源/地面。例如,在一些實(shí)施例中,波狀互連件可以在IC器件106a和106b之間按照路線(xiàn)發(fā)送電信號(hào)。波狀互連件104可以由諸如金屬之類(lèi)的導(dǎo)電材料組成。在一些實(shí)施例中,波狀互連件104可以由銅、鎳、金、鋁、銀、或它們的組合組成,并且可以采用導(dǎo)電油墨、焊膏或其它適合的形式的形式。在其它實(shí)施例中,波狀互連件104可以由其它適合的材料組成。

波狀互連件104的波狀輪廓可以允許IC組件100的柔性運(yùn)動(dòng)范圍。例如,在一些實(shí)施例中,可以伸展、彎曲IC組件或以其它方式使IC組件變形。簡(jiǎn)要地參考圖2,根據(jù)一些實(shí)施例,以彎曲的構(gòu)造描繪了圖1的示例性IC組件100的截面?zhèn)纫晥D。在所描繪的實(shí)施例中,彎曲IC組件100以形成環(huán)形形狀。IC組件100并不限于彎曲的構(gòu)造并且可以被伸展和/或彎曲成各種適合的構(gòu)造以適合各種目的。例如,可以伸展和/或彎曲IC組件100以提供可以容易并入到被人穿戴的物品中的形狀。在所描繪的實(shí)施例中,可以使用任何適合的模塊將IC組件100的端部耦合在一起以提供可以被穿戴在人的手臂、腿部、或頸部周?chē)沫h(huán)形形狀。在其它實(shí)施例中,IC組件100可以并入到衣服、配飾或其它產(chǎn)品的物品中,其中IC組件100的柔性本質(zhì)可以允許IC組件的彎曲或伸展。

參考圖1和圖2兩者,一個(gè)或多個(gè)IC器件106a和106b可以與波狀互連件104電耦合。在所描繪的實(shí)施例中,IC組件100可以代表波狀互連板(WIB)組件,其中IC器件106a和106b與柔性襯底直接耦合。例如,可以使用表面安裝技術(shù)(SMT)將IC器件106a和106b安裝在柔性襯底上。在所描繪的實(shí)施例中,可以使用一個(gè)或多個(gè)管芯互連結(jié)構(gòu)105a(例如,凸塊、柱體、或相似結(jié)構(gòu))將IC器件106a與柔性襯底102上的分別與波狀互連件104相對(duì)應(yīng)的電接觸部(例如,焊盤(pán)、跡線(xiàn)(未示出))耦合??梢允褂霉苄具B接膜105b(例如,各向異性導(dǎo)電膜(ACF)或其它導(dǎo)電粘合劑)將IC器件106a與波狀互連件104的相應(yīng)電接觸部耦合。在其它實(shí)施例中,可以使用其它適合的技術(shù)將一個(gè)或多個(gè)IC器件106a、106b與柔性襯底102耦合。

IC器件106a、106b可以代表各種各樣的適合的IC器件中的任何器件。例如,在一些實(shí)施例中,IC器件106a、106b中的任一者可以代表管芯、封裝件、傳感器、插座、電池、無(wú)源器件、通信接口或任何其它適合集成電路的器件。管芯或封裝件可以包括處理器、存儲(chǔ)器、片上系統(tǒng)(SoC)、或ASIC或可以是處理器、存儲(chǔ)器、片上系統(tǒng)(SoC)、或ASIC的一部分。在一個(gè)實(shí)施例中,IC器件106a可以代表管芯并且IC器件106b可以代表任何適合類(lèi)型的傳感器。管芯可以被配置為從傳感器接收信息并且執(zhí)行基于所接收到的信息的動(dòng)作。在一些實(shí)施例中,一個(gè)或多個(gè)IC器件106a、106b相對(duì)于柔性襯底102和/或柔性鈍化層108可以是剛性的。

在一些實(shí)施例中,如可以看出,柔性鈍化層108可以形成在柔性襯底102上。在一些實(shí)施例中,柔性鈍化層108可以設(shè)置在波狀互連件104和/或一個(gè)或多個(gè)IC器件106a、106b上。柔性鈍化層108可以是例如模塑料或被配置為至少部分或完全密封一個(gè)或多個(gè)IC器件106a、106b的其它管芯密封劑。柔性鈍化層108可以由各種各樣的適合的材料組成,包括結(jié)合柔性襯底102所述的材料。在一個(gè)實(shí)施例中,柔性鈍化層108可以具有與柔性襯底102相同的材料成分。

圖3示意性地示出了根據(jù)一些實(shí)施例的包括波狀互連件104的互連組件300的截面頂視圖,并且圖4示意性地示出了根據(jù)一些實(shí)施例的包括波狀互連件104的互連組件300的截面?zhèn)纫晥D。如可以看出,波狀互連件104可以設(shè)置在柔性襯底102上并且柔性鈍化層108可以設(shè)置在波狀互連件104上。柔性襯底102、波狀互連件104以及柔性鈍化層108可以與結(jié)合圖1-2所述的實(shí)施例一致,反之亦然。

在一些實(shí)施例中,如圖3中可以看出,柔性襯底102可以限定一般會(huì)在x方向和y方向上延伸的平面。在一些實(shí)施例中,波狀互連件104可以被配置為沿著與所述平面共面的x方向按照路線(xiàn)發(fā)送IC器件(例如,圖1-2的IC器件106a或106b)的電信號(hào)。如圖3中可以看出,波狀互連件可以彼此平行并且當(dāng)從垂直于x方向和y方向的方向(例如,圖4的z方向)上看時(shí)可以具有直線(xiàn)輪廓。在一些實(shí)施例中,如圖4中可以看出,當(dāng)從垂直于x方向并且與由柔性襯底102限定的平面共面的方向(例如,圖3的y方向)上看時(shí),波狀互連件104可以具有波狀輪廓。

如結(jié)合圖3和圖4所述的波狀互連件104的波狀輪廓的構(gòu)造可以允許:當(dāng)從z方向上看時(shí)(例如,當(dāng)從圖3中的頂視圖看時(shí)),IC組件(例如,圖1的IC組件100)相對(duì)于具有曲折互連件(具有波狀輪廓)的IC組件具有更高的互連件密度。例如,這樣的曲折互連件的曲折互連可以具有大約100微米的線(xiàn)寬度和大約1.5mm的曲折寬度,以提供大約每毫米1個(gè)I/O連接的互連件密度。另一方面,在一個(gè)實(shí)施例中,本公開(kāi)內(nèi)容的波狀互連件104的個(gè)體波狀互連件可以具有大約10微米的線(xiàn)寬度(例如,在y方向上)并且在鄰近的波狀互連件之間的空間為大約10微米(例如,在鄰近的波狀互連件之間大約20微米的間距),以提供大約每毫米50個(gè)I/O連接的互連件密度。因此,對(duì)于類(lèi)似的彎曲和/或伸展強(qiáng)度,本公開(kāi)內(nèi)容的波狀互連件104可以使互連件密度相對(duì)于曲折互連件增加大約50倍或更高的因數(shù)。在其它實(shí)施例中,波狀互連件104可以具有其它適合的互連件密度,包括例如大約每毫米10到100個(gè)I/O連接。在一些實(shí)施例中,波狀互連件104中的每個(gè)互連件可以具有某一厚度(例如,在z方向上)。在一些實(shí)施例中,半振幅與厚度的比例可以大于或等于10。

波狀互連件104的波狀輪廓可以具有半振幅(例如,峰值到峰值振幅的一半)。在一些實(shí)施例中,半振幅與波狀互連件104的線(xiàn)寬度的比例可以大于1:2或1/2。對(duì)于具有較軟/更加柔性的材料(例如,PDMS)的柔性襯底102,半振幅與波狀互連件104的線(xiàn)寬度的比例可以大于1:15或1/15以有效地允許柔性襯底102的伸展和/或彎曲。根據(jù)一些實(shí)施例,波狀互連件104持續(xù)諸如伸展和/或彎曲而不中斷的繞曲的有效性可以是基于半振幅與線(xiàn)寬度的比例,而互連件的厚度和線(xiàn)寬度可以是最不相關(guān)的。然而,對(duì)于以上所討論的曲折互連件,持續(xù)這種繞曲的有效性可以是基于曲折寬度與曲折互連件的線(xiàn)寬度的比例。至少出于用于控制膜厚度的處理可以比用于控制線(xiàn)寬度的處理更加準(zhǔn)確的原因,波狀互連件104可以允許高得多的互連件密度。例如,波狀互連件104的波狀互連可以具有10微米的線(xiàn)寬度/空間、1微米的厚度以及50微米的半振幅,而曲折互連件可以具有20微米的線(xiàn)寬度/空間和1mm的曲折寬度以提供類(lèi)似的伸展和/或彎曲彈性。在這樣的情況下,波狀互連件提供的互連件密度比曲折互連件高大約50倍或更多。

在一些實(shí)施例中,柔性襯底102和波狀互連件104可以被配置為沿著x方向伸展和/或沿著z方向彎曲。在其它實(shí)施例中,柔性襯底102和波狀互連件104可以被配置為沿著其它適合的方向伸展和/或彎曲。

在圖4的所描繪的實(shí)施例中,波狀互連件104的波狀輪廓是曲線(xiàn)輪廓(例如,具有圓形的邊緣)。在其它實(shí)施例中,波狀輪廓可以具有其它的形狀,包括例如:三角形、矩形或不規(guī)則形狀。曲線(xiàn)波狀輪廓對(duì)于具有銳角的波狀輪廓可以是優(yōu)選的,因?yàn)閼?yīng)力集中可能與銳角一致,這可能使柔性襯底102變形。

圖5a-f示意性地示出了根據(jù)一些實(shí)施例的在制造的各個(gè)階段期間的示例性IC組件500的截面?zhèn)纫晥D。在一些實(shí)施例中,結(jié)合圖5a-f所述的技術(shù)可以用于形成WIB。根據(jù)各個(gè)實(shí)施例,IC組件500可以與結(jié)合圖1-2的IC組件100所述的實(shí)施例一致,反之亦然。

參考圖5a,在柔性襯底102的表面中形成波狀輪廓之后描繪了IC組件500。該波狀輪廓可以與要形成在柔性襯底102的波狀輪廓上的波狀互連件的波狀輪廓相對(duì)應(yīng)??梢愿鶕?jù)各種適合的技術(shù)(包括例如:印刷、模制或光刻工藝)來(lái)形成波狀輪廓。在其它實(shí)施例中,可以使用其它適合的技術(shù)來(lái)形成波狀輪廓。

參考圖5b,使用凹版印刷工藝在柔性襯底102的表面中形成波狀輪廓期間描繪了IC組件500。在凹版印刷工藝中,可以使用由比柔性襯底102的材料更硬的材料組成的印刷元件555來(lái)對(duì)柔性襯底102壓印波狀輪廓圖案。印刷元件555可以翻轉(zhuǎn)柔性襯底102的表面并且在柔性襯底102的表面上形成與印刷元件555的表面上的圖案相對(duì)應(yīng)的壓痕以產(chǎn)生波狀輪廓。在一些實(shí)施例中,在對(duì)柔性襯底102進(jìn)行固化之前執(zhí)行印刷工藝以為印刷提供更軟的材料。

參考圖5c,使用模糊光刻工藝在柔性襯底102的表面中形成波狀輪廓期間描繪了IC組件500。模糊光刻工藝可以包括例如:在柔性襯底102上對(duì)光可界定材料557進(jìn)行沉積和圖案化。可以使用灰度光刻、部分光透明抗蝕劑、低分辨率光可界定材料、偏離聚焦深度(out of depth focus)或其它適合的技術(shù)來(lái)對(duì)光可界定材料557進(jìn)行處理以在柔性襯底102中形成波狀輪廓。

參考圖5d,在波狀輪廓上沉積金屬以形成一個(gè)或多個(gè)波狀互連件104之后描繪了IC組件500??梢允褂萌魏芜m合的工藝(包括例如加性或減性工藝)來(lái)沉積金屬。在一些實(shí)施例中,金屬最初可以被沉積為單一膜,并且隨后被圖案化以形成波狀互連件104的離散線(xiàn)。

參考圖5e,在柔性襯底104上安裝一個(gè)或多個(gè)IC器件106a、106b之后描繪了IC組件500??梢允褂肧MT或其它適合的安裝技術(shù)將IC器件106a、106b與柔性襯底102直接耦合。在一些實(shí)施例中,可以使用管芯互連結(jié)構(gòu)105a(例如,凸塊或柱體)來(lái)將IC器件106a與波狀互連件104耦合。在一些實(shí)施例中,可以使用ACF將IC器件106b與波狀互連件104耦合。在其它實(shí)施例中,可以使用其它適合的技術(shù)將IC器件106a、106b與柔性襯底102耦合。

參考圖5f,在柔性襯底104上形成柔性鈍化層108之后描繪了IC組件500。在一些實(shí)施例中,可以通過(guò)將電絕緣的材料沉積在柔性襯底102上以覆蓋波狀互連件104來(lái)形成柔性鈍化層108。在一些實(shí)施例中,可以沉積柔性鈍化層108的材料以部分或完全密封IC器件106a、106b??梢允褂萌魏芜m合的工藝(包括例如,模制和/或?qū)訅汗に?來(lái)沉積柔性鈍化層108的材料。IC組件500可以彎曲、伸展或以其它方式被繞曲成另一種形狀(例如,圖2的彎曲構(gòu)造)。

圖6a-c示意性地示出了根據(jù)一些實(shí)施例的在制造的各個(gè)階段期間的示例性IC組件600的截面?zhèn)纫晥D。在一些實(shí)施例中,結(jié)合圖6a-c所述的技術(shù)可以用于形成WIB。根據(jù)各個(gè)實(shí)施例,IC組件600可以與結(jié)合圖1-2的IC組件100所述的實(shí)施例一致,反之亦然。

參考圖6a,在柔性襯底102上形成波狀互連件的路徑選擇線(xiàn)(routing lines)504之后描繪了IC組件600。在一些實(shí)施例中,如可以看出,柔性襯底102可以與載體570臨時(shí)耦合并且具有背朝大體上平坦的載體570的表面。在沉積金屬之前柔性襯底102可以與載體570耦合。在一些實(shí)施例中,可以將金屬覆蓋式沉積為用于提供金屬層的膜,隨后使用例如蝕刻和/或光刻工藝來(lái)對(duì)所述金屬層進(jìn)行圖案化以形成波狀互連件的路徑選擇線(xiàn)504。在其它實(shí)施例中,可以選擇性地沉積(例如,油墨印刷工藝)金屬以形成波狀互連件的路徑選擇線(xiàn)504。

參考圖6b,在將載體570從柔性襯底102去耦合并且使金屬和柔性襯底102成形以產(chǎn)生具有波狀輪廓的波狀互連件104之后描繪了IC組件600。在一些實(shí)施例中,可以從載體570釋放柔性襯底102,并且隨后可以使用例如壓制或化學(xué)工藝以使金屬和柔性襯底102局部變形來(lái)使路徑選擇線(xiàn)504的金屬和柔性襯底102成形。在一些實(shí)施例中,如可以看出,成形工藝可以使得波狀輪廓形成在柔性襯底102的相對(duì)側(cè)上。

參考圖6c,在柔性襯底102上安裝IC器件106a、106b并且在柔性襯底102上形成柔性鈍化層108之后描繪了IC組件600??梢愿鶕?jù)結(jié)合圖5e所述的技術(shù)來(lái)安裝IC器件106a、106b。在一些實(shí)施例中,如可以看出,柔性鈍化層108可以形成在柔性襯底102的相對(duì)側(cè)上以鎖定波狀互連件104的波狀輪廓。

圖7示意性地示出了根據(jù)一些實(shí)施例的另一個(gè)示例性IC組件700的截面?zhèn)纫晥D。根據(jù)各個(gè)實(shí)施例,可以采用波狀互連模塊(WIM)構(gòu)造來(lái)配置IC組件700。

在一些實(shí)施例中,波狀互連件104可以嵌入在模塊781中,模塊781包括柔性襯底102和鈍化層108。在一些實(shí)施例中,模塊781僅可以包括柔性襯底和波狀互連件104。例如,在一些實(shí)施例中,柔性鈍化層108a可以沉積在波狀互連件104上。

如可以看出,可以使用一個(gè)或多個(gè)穿過(guò)襯底的互連件777(例如,金屬化通孔(PTH)或過(guò)孔)將波狀互連件104與嵌入在另一個(gè)柔性襯底702中的IC器件106a、106b電耦合。在一些實(shí)施例中,如可以看出,穿過(guò)襯底的互連件777可以延伸穿過(guò)柔性102和702的至少一部分。

波狀互連件104中的每個(gè)波狀互連件可以與形成在IC器件106a、106b上的焊盤(pán)779的相對(duì)應(yīng)的焊盤(pán)電耦合。在一些實(shí)施例中,如可以看出,可以形成另一個(gè)柔性鈍化層108a以密封包括波狀互連件104的模塊781。柔性襯底702和/或鈍化層108a可以與分別結(jié)合柔性襯底102和/或鈍化層108所述的實(shí)施例一致。

圖8a-f示意性地示出了根據(jù)一些實(shí)施例的在制造的各個(gè)階段期間的圖7的示例性IC組件700的截面?zhèn)纫晥D。根據(jù)各個(gè)實(shí)施例,IC組件700可以與結(jié)合圖7所述的實(shí)施例一致,反之亦然。

參考圖8a,在將IC器件106a、106b嵌入在柔性襯底702中之后描繪了IC組件700??梢允褂酶鞣N各樣的適合的技術(shù)(包括例如,內(nèi)建層壓工藝)中的任何技術(shù)來(lái)嵌入IC器件106a、106b。在一些實(shí)施例中,可以在嵌入IC器件106a、106b之前在IC器件106a、106b上形成焊盤(pán)779。

參考圖8b,在將包括波狀互連件104的模塊781與柔性襯底702耦合之后描繪了IC組件700??梢酝ㄟ^(guò)執(zhí)行結(jié)合圖5a-d所述的動(dòng)作來(lái)形成模塊781。在一些實(shí)施例中,鈍化層(例如,圖5f的柔性鈍化層108)可以沉積在圖5d的IC組件500上以形成模塊781。

可以使用任何適合的技術(shù)(包括例如層壓)或使用粘合劑將模塊781與柔性襯底702耦合。在一些實(shí)施例中,使用任何適合的對(duì)齊技術(shù),可以在將模塊781與柔性襯底702耦合之前將模塊781與柔性襯底702對(duì)齊。

參考圖8c,在形成與穿過(guò)襯底的互連件(要穿過(guò)模塊781形成的)相對(duì)應(yīng)的開(kāi)口877之后描繪了IC組件700。在一些實(shí)施例中,焊盤(pán)779中的一個(gè)或多個(gè)焊盤(pán)的尺寸被設(shè)為大于模塊781與柔性襯底702之間的對(duì)齊不確定性以有助于穿過(guò)襯底的互連件的對(duì)齊和形成??梢允褂萌魏芜m合的技術(shù)(例如,圖案化和蝕刻或諸如激光打孔之類(lèi)的打孔)來(lái)形成開(kāi)口877。在一些實(shí)施例中,鄰近的焊盤(pán)779可以被定位為處于大約300微米或更小的間距。

參考圖8d,如可以看出,在開(kāi)口877中沉積金屬以形成將波狀互連件104與IC器件106a、106b電耦合的穿過(guò)襯底的互連件777并且在模塊781上沉積柔性鈍化層108a之后描繪了IC組件700。在一些實(shí)施例中,可以沉積金屬以大體上填充開(kāi)口877以形成穿過(guò)襯底的互連件777。在其它實(shí)施例中,可以沉積金屬以部分填充開(kāi)口877。在其它實(shí)施例中,可以使用結(jié)合圖8e-f所述的其它技術(shù)來(lái)形成穿過(guò)襯底的互連件777。

參考圖8e,在使用另一種技術(shù)形成開(kāi)口877a、877b以提供更高密度的電氣路徑選擇之后描繪了IC組件700。例如,在圖8e中,可以在模塊781中和/或嵌入在柔性襯底702中的IC器件106a、106b的表面上使用預(yù)先繪制的焊盤(pán)位置來(lái)有助于開(kāi)口877a、877b的形成。掩蔽層108b可以形成在模塊781和柔性襯底702上。在一些實(shí)施例中,可以穿過(guò)掩蔽層108b和模塊781的柔性鈍化層108形成一個(gè)或多個(gè)開(kāi)口877a以暴露波狀互連件104的波狀互連??梢源┻^(guò)掩蔽層108b形成一個(gè)或多個(gè)開(kāi)口877b以暴露IC器件106a、106b上的一個(gè)或多個(gè)對(duì)應(yīng)的焊盤(pán)779。在一些實(shí)施例中,掩蔽層108b可以由柔性材料組成。例如,在一些實(shí)施例中,掩蔽層108b可以與結(jié)合柔性襯底102和/或柔性鈍化層108所述的實(shí)施例一致。

參考圖8f,如可以看出,在圖8e的開(kāi)口877a、877b中沉積金屬以形成將波狀互連件104與IC器件106a、106b電耦合的穿過(guò)襯底的互連件777a、777b并且在掩蔽層108b上沉積柔性鈍化層108a之后描繪了IC組件700。在一些實(shí)施例中,可以沉積金屬以?xún)H部分填充圖8e的開(kāi)口877a、877b以形成穿過(guò)襯底的互連件777a、777b。例如,如可以看出,金屬可以?xún)?nèi)襯開(kāi)口877a、877b,并且提供穿過(guò)沉底的互連件777a與穿過(guò)襯底的互連件777b之間的路徑選擇。在其它實(shí)施例中,可以沉積金屬以填充開(kāi)口877。直接激光成像(DLI)可以用于對(duì)從IC器件106a、106b上的穿過(guò)襯底的互連件777(例如,與開(kāi)口877b相對(duì)應(yīng))到模塊781上的穿過(guò)襯底的互連件777(例如,與開(kāi)口877a相對(duì)應(yīng))的路徑選擇進(jìn)行圖案化。在一些實(shí)施例中,如可以看出,柔性鈍化層108a的材料可以部分填充開(kāi)口877a、877b。

圖9示意性地示出了根據(jù)一些實(shí)施例的制造IC組件(例如,圖1-2的IC組件100或圖7的IC組件700)的方法900的流程圖。方法900的動(dòng)作可以與結(jié)合圖1-8所述的技術(shù)一致。

在902,方法900可以包括提供柔性襯底(例如,圖5c的柔性襯底102)。根據(jù)各個(gè)實(shí)施例,柔性襯底可以限定平面。

在904,方法900可以包括在柔性襯底上形成波狀互連件(例如,圖5d或圖6b的波狀互連件104)。根據(jù)各個(gè)實(shí)施例,波狀互連件可以被配置為沿著與由柔性襯底限定的平面共面的第一方向按照路線(xiàn)發(fā)送IC器件的電信號(hào)。當(dāng)從垂直于第一方向并且與平面共面的第二方向上看時(shí),波狀互連件可以具有波狀輪廓。

在一些實(shí)施例中,形成波狀互連件可以包括在柔性襯底的表面中形成波狀輪廓(例如,如結(jié)合圖5a-c所述和/或描繪的)并且隨后在波狀輪廓上沉積金屬(例如,如結(jié)合圖5d所述和/或描繪的)。在一些實(shí)施例中,印刷、模制或光刻工藝可以用于形成波狀輪廓。在其它實(shí)施例中,形成波狀互連件可以包括在柔性襯底的大體上平坦的表面上沉積金屬(例如,如結(jié)合圖6a所述和/或描繪的),并且隨后使金屬和柔性襯底成形以產(chǎn)生波狀輪廓(例如,如結(jié)合圖6b所述和/或描繪的)。

在906,方法900可以包括將一個(gè)或多個(gè)IC器件(例如,圖1-2和圖7的IC器件106a、106b)與波狀互連件電耦合。在一些實(shí)施例中,可以通過(guò)使用例如SMT(例如,形成焊接接頭等)將一個(gè)或多個(gè)IC器件與波狀互連件耦合來(lái)將一個(gè)或多個(gè)IC器件安裝在柔性襯底上(例如,如結(jié)合圖5e或6c所述和/或描繪的)。在其它實(shí)施例中,一個(gè)或多個(gè)IC器件可以嵌入在另一個(gè)柔性襯底(例如,圖8a的柔性襯底702)中,該柔性襯底可以與波狀互連件的柔性襯底耦合??梢栽诓罨ミB件與嵌入的一個(gè)或多個(gè)IC器件之間形成電連接。在一些實(shí)施例中,電連接可以是穿過(guò)襯底的互連件(例如,圖8d的穿過(guò)襯底的互連件777或圖8f的穿過(guò)襯底的互連件777a、777b)。在兩個(gè)或更多個(gè)IC器件與波狀互連件耦合的情況下,波狀互連件可以被配置為在IC器件中的兩個(gè)或更多個(gè)器件之間按照路線(xiàn)發(fā)送電信號(hào)。

在908,方法900可以包括在柔性襯底上形成鈍化層。在一些實(shí)施例中,可以沉積鈍化層(例如,圖5f的柔性鈍化層108)以覆蓋波狀互連件。在一些實(shí)施例中,可以在將一個(gè)或多個(gè)IC器件安裝在柔性襯底上之后沉積鈍化層以使得在鈍化層被沉積到柔性襯底上時(shí)鈍化層被沉積在一個(gè)或多個(gè)IC器件上(例如,如結(jié)合圖5f所述和/或描繪的)。在一些實(shí)施例中,鈍化層可以沉積在柔性襯底的相對(duì)側(cè)上以鎖定波狀輪廓(例如,如結(jié)合圖6c所述和/或描繪的)。在一些實(shí)施例中,鈍化層可以沉積在波狀互連件上以形成模塊(例如,圖8b的模塊781)。在一些實(shí)施例中,可以沉積鈍化層(例如,圖8d或8f的鈍化層108a)以將模塊密封。

各種操作以最有助于理解所要求保護(hù)的主題的方式依次被描述為多個(gè)分立的操作。然而,描述的順序不應(yīng)被解釋為暗示這些操作必須是順序相關(guān)的。

可以使用任何適合的硬件和/或軟件將本公開(kāi)內(nèi)容的實(shí)施例實(shí)施到系統(tǒng)中以按照需要進(jìn)行配置。圖10示意性地示出了根據(jù)一些實(shí)施例的示例性計(jì)算設(shè)備,該計(jì)算設(shè)備包括具有如本文中所述的波狀互連件(例如,圖1-2或圖7的波狀互連件104)的IC組件(例如,圖1-2的IC組件100或圖7的IC組件700)。計(jì)算設(shè)備1000可以容納諸如母板1002之類(lèi)的板(例如,在殼體1008中)。在一些實(shí)施例中,母板和/或殼體可以包括柔性材料以允許計(jì)算設(shè)備的伸展和/或彎曲。母板1002可以包括多個(gè)部件,包括但不限于處理器1004和至少一個(gè)通信芯片1006。處理器1004可以物理地和電氣地耦合到母板1002。在一些實(shí)施方式中,至少一個(gè)通信芯片1006也可以物理地和電氣地耦合到母板1002。在其它的實(shí)施方式中,通信芯片1006可以是處理器1004的部分。

根據(jù)其應(yīng)用,計(jì)算設(shè)備1000可以包括可以或可以不物理地和電氣地耦合到母板1002的其它部件。這些其它部件可以包括但不限于易失性存儲(chǔ)器(例如,DRAM)、非易失性存儲(chǔ)器(例如,ROM)、閃速存儲(chǔ)器、圖形處理器、數(shù)字信號(hào)處理器、密碼處理器、芯片組、天線(xiàn)、顯示器、觸摸屏顯示器、觸摸屏控制器、電池、音頻編碼解碼器、視頻編碼解碼器、功率放大器、全球定位系統(tǒng)(GPS)設(shè)備、羅盤(pán)、蓋革計(jì)數(shù)器、加速度計(jì)、陀螺儀、揚(yáng)聲器、照相機(jī)、以及大容量存儲(chǔ)設(shè)備(例如,硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器、光盤(pán)(CD)、數(shù)字通用盤(pán)(DVD)等)。

通信芯片1006可以實(shí)現(xiàn)用于數(shù)據(jù)往返計(jì)算設(shè)備1000的傳輸?shù)臒o(wú)線(xiàn)通信。術(shù)語(yǔ)“無(wú)線(xiàn)”及其派生詞可以用于描述可以通過(guò)使用經(jīng)調(diào)制電磁輻射來(lái)經(jīng)由非固體介質(zhì)傳遞數(shù)據(jù)的電路、設(shè)備、系統(tǒng)、方法、技術(shù)、通信通道等。該術(shù)語(yǔ)并不暗示相關(guān)聯(lián)的設(shè)備不包含任何導(dǎo)線(xiàn),雖然在一些實(shí)施方式中它們可以不包含導(dǎo)線(xiàn)。通信芯片1006可以實(shí)現(xiàn)多種無(wú)線(xiàn)標(biāo)準(zhǔn)或協(xié)議中的任何標(biāo)準(zhǔn)或協(xié)議,包括但不限于電氣與電子工程師(IEEE)協(xié)會(huì)標(biāo)準(zhǔn),包括Wi-Fi(IEEE 802.11系列)、IEEE 802.16標(biāo)準(zhǔn)(例如,IEEE 802.16-2005修訂)、長(zhǎng)期演進(jìn)(LTE)計(jì)劃連同任何修訂、更新、和/或修正(例如,高級(jí)LTE計(jì)劃、超移動(dòng)寬帶(UMB)計(jì)劃(也被稱(chēng)為“3GPP2”)等)。與IEEE 802.16兼容的寬帶無(wú)線(xiàn)接入(BWA)網(wǎng)絡(luò)通常被稱(chēng)為WiMAX網(wǎng)絡(luò),即代表微波接入的全球互操作性的首字母縮略詞,其為通過(guò)IEEE 802.16標(biāo)準(zhǔn)的一致性和互操作性測(cè)試的產(chǎn)品的證明標(biāo)志。通信芯片1006可以根據(jù)全球移動(dòng)通信(GSM)系統(tǒng)、通用分組無(wú)線(xiàn)服務(wù)(GPRS)、通用移動(dòng)電信系統(tǒng)(UMTS)、高速分組接入(HSPA)、演進(jìn)的HSPA(E-HSPA)、或LTE網(wǎng)絡(luò)來(lái)進(jìn)行操作。通信芯片1006可以根據(jù)增強(qiáng)數(shù)據(jù)的GSM演進(jìn)(EDGE)、GSM EDGE無(wú)線(xiàn)接入網(wǎng)絡(luò)(GERAN)、通用陸地?zé)o線(xiàn)接入網(wǎng)絡(luò)(UTRAN)、或演進(jìn)的UTRAN(E-UTRAN)來(lái)進(jìn)行操作。通信芯片1006可以根據(jù)碼分多址接入(CDMA)、時(shí)分多址接入(TDMA)、數(shù)字增強(qiáng)無(wú)繩電信(DECT)、演進(jìn)數(shù)據(jù)優(yōu)化(EV-DO)、其派生物、以及被指定為3G、4G、5G和更高代的任何其它無(wú)線(xiàn)協(xié)議來(lái)進(jìn)行操作。在其它實(shí)施例中,通信芯片1006可以根據(jù)其它無(wú)線(xiàn)協(xié)議來(lái)進(jìn)行操作。

計(jì)算設(shè)備1000可以包括多個(gè)通信芯片1006。例如,第一通信芯片1006可以專(zhuān)用于較短距離的無(wú)線(xiàn)通信,例如Wi-Fi和藍(lán)牙;并且第二通信芯片1006可以專(zhuān)用于較長(zhǎng)距離無(wú)線(xiàn)通信,例如GPS、EDGE、GPRS、CDMA、WiMAX、LTE、Ev-DO等。

計(jì)算設(shè)備1000的處理器1004可以被封裝在具有如本文中所述的波狀互連件(例如,圖1-2或圖7的波狀互連件104)的IC組件(例如,圖1-2的IC組件100或圖7的IC組件700)中。例如,母板1002可以與柔性襯底(例如,圖1-2的柔性襯底102或圖7的柔性襯底702)耦合或是柔性襯底的一部分,并且處理器1004或任何其它IC器件(例如,通信芯片1006、存儲(chǔ)器器件、羅盤(pán)等)可以是如本文中所述的一個(gè)或多個(gè)IC器件(例如,IC器件106a、106b)。可以根據(jù)本文中所述的實(shí)施例來(lái)實(shí)施其它適合的構(gòu)造。術(shù)語(yǔ)“處理器”可以指代處理例如來(lái)自寄存器和/或存儲(chǔ)器的電子數(shù)據(jù)以將該電子數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換成可以存儲(chǔ)在寄存器和/或存儲(chǔ)器中的其它電子數(shù)據(jù)的任何設(shè)備或設(shè)備的部分。

在各個(gè)實(shí)施方式中,計(jì)算設(shè)備1000可以是膝上型電腦、上網(wǎng)本電腦、筆記本電腦、超級(jí)本電腦、智能電話(huà)、平板電腦、個(gè)人數(shù)字助理(PDA)、超級(jí)移動(dòng)PC、移動(dòng)電話(huà)、桌上型計(jì)算機(jī)、服務(wù)器、打印機(jī)、掃描儀、監(jiān)視器、機(jī)頂盒、娛樂(lè)控制單元、數(shù)字照相機(jī)、便攜式音樂(lè)播放器、或數(shù)字視頻記錄器。在一些實(shí)施例中,計(jì)算設(shè)備1000可以是柔性移動(dòng)計(jì)算設(shè)備。在一些實(shí)施例中,計(jì)算設(shè)備的柔性IC組件可以由人穿戴(例如,并入在衣服或配飾的物品中)。在其它實(shí)施方式中,計(jì)算設(shè)備1000可以是處理數(shù)據(jù)的任何其它電子設(shè)備。

示例

根據(jù)各個(gè)實(shí)施例,本公開(kāi)內(nèi)容描述了一種裝置(例如,互連組件)?;ミB組件的示例1包括:柔性襯底,所述柔性襯底限定了平面;以及波狀互連件,所述波狀互連件設(shè)置在所述柔性襯底上并且被配置為沿著與所述平面共面的第一方向按照路線(xiàn)發(fā)送集成電路(IC)器件的電信號(hào),所述波狀互連件具有第二方向上的波狀輪廓,所述第二方向垂直于所述第一方向并且與所述平面共面。示例2可以包括示例1的互連組件,其中,所述波狀互連件具有第三方向上的直線(xiàn)輪廓,所述第三方向垂直于所述第一方向和所述第二方向。示例3可以包括示例1的互連組件,其中,所述柔性襯底和所述波狀互連件被配置為沿著所述第一方向伸展和/或沿著垂直于所述第一方向和所述第二方向的第三方向彎曲。示例4可以包括示例1的互連組件,其中,所述波狀互連件具有所述第二方向上的寬度;所述波狀輪廓具有半振幅;并且所述寬度與所述半振幅的比例——寬度/半振幅大于或等于1/2。示例5可以包括示例4的互連組件,其中,所述波狀互連件具有垂直于所述第一方向和所述第二方向的第三方向上的厚度;并且所述半振幅與所述厚度的比例——半振幅/厚度大于或等于10。示例6可以包括示例1-5中的任一項(xiàng)的互連組件,其中,所述波狀輪廓是曲線(xiàn)輪廓。示例7可以包括示例1-5中的任一項(xiàng)的互連組件,其中,所述波狀互連件是與所述第一方向上的所述波狀互連件平行的多個(gè)波狀互連件的其中之一。示例8可以包括示例1-5中的任一項(xiàng)的互連組件,其中,所述波狀互連件包括金屬;并且所述柔性襯底包括聚合物。

根據(jù)各個(gè)實(shí)施例,本公開(kāi)內(nèi)容描述了一種制造IC組件的方法。方法的示例9可以包括:提供柔性襯底,所述柔性襯底限定了平面;以及在所述柔性襯底上形成波狀互連件,所述波狀互連件被配置為沿著與所述平面共面的第一方向按照路線(xiàn)發(fā)送集成電路(IC)器件的電信號(hào),所述波狀互連件具有第二方向上的波狀輪廓,所述第二方向垂直于所述第一方向并且與所述平面共面。示例10可以包括示例9的方法,其中,形成所述波狀互連件包括:在所述柔性襯底的表面中形成波狀輪廓;以及在所述波狀輪廓上沉積金屬。示例11可以包括示例10的方法,其中,形成所述波狀輪廓包括使用印刷工藝、模制工藝或光刻工藝。示例12可以包括示例9的方法,還包括:在所述柔性襯底上沉積鈍化層以覆蓋所述波狀互連件。示例13可以包括示例12的方法,還包括:在沉積所述鈍化層之前將所述IC器件與所述波狀互連件電耦合,其中,沉積所述鈍化層包括在所述IC器件上沉積所述鈍化層。示例14可以包括示例9的方法,其中,形成所述波狀互連件包括:在所述柔性襯底的大體上平坦的表面上沉積金屬;以及使所述金屬和所述柔性襯底成形以產(chǎn)生所述波狀輪廓。示例15可以包括示例14的方法,其中,所述金屬沉積在所述柔性襯底的第一側(cè)上,所述柔性襯底的第一側(cè)被設(shè)置為與所述柔性襯底的第二側(cè)相對(duì),所述方法還包括:在所述柔性襯底上安裝所述IC器件;以及在所述柔性襯底的所述第一側(cè)和所述第二側(cè)上沉積柔性鈍化層以鎖定所述波狀輪廓。示例16可以包括示例9的方法,其中,所述柔性襯底是第一柔性襯底,所述方法還包括:將所述IC器件嵌入在第二柔性襯底中;將所述第一襯底與所述第二襯底耦合;以及在所述波狀互連件與所述IC器件之間形成電連接。示例17可以包括示例16的方法,其中,形成所述電連接包括形成穿過(guò)襯底的互連件。

根據(jù)各個(gè)實(shí)施例,本公開(kāi)內(nèi)容描述了一種可伸展或可彎曲的集成電路(IC)組件??缮煺够蚩蓮澢腎C組件的示例18包括:集成電路(IC)器件;柔性襯底,所述柔性襯底限定了平面;以及波狀互連件,所述波狀互連件設(shè)置在所述柔性襯底上并且與所述IC器件電耦合以沿著與所述平面共面的第一方向按照路線(xiàn)發(fā)送IC器件的電信號(hào),所述波狀互連件具有第二方向上的波狀輪廓,所述第二方向垂直于所述第一方向并且與所述平面共面。示例19可以包括示例18的IC組件,其中,所述波狀互連件具有第三方向上的直線(xiàn)輪廓,所述第三方向垂直于所述第一方向和所述第二方向。示例20可以包括示例18的IC組件,其中,所述IC器件是第一IC器件,所述IC組件還包括:第二IC器件,所述第二IC器件與所述波狀互連件電耦合,其中,所述波狀互連件被配置為在所述第一IC器件與所述第二IC器件之間按照路線(xiàn)發(fā)送電信號(hào)。示例21可以包括示例20的IC組件,其中,所述第一IC器件是管芯并且所述第二IC器件是傳感器。示例22可以包括示例18的IC組件,其中,所述IC器件與所述柔性襯底直接耦合,所述IC組件還包括:柔性鈍化層,所述柔性鈍化層設(shè)置在所述波狀互連件和所述IC器件上。示例23可以包括示例22的IC組件,其中,所述波狀互連件設(shè)置在所述柔性襯底的第一側(cè)上;所述柔性襯底的第二側(cè)具有與所述波狀互連件的所述波狀輪廓相對(duì)應(yīng)的波狀輪廓;并且所述第二側(cè)被設(shè)置為與所述第一側(cè)相對(duì)。示例24可以包括示例18的IC組件,其中,所述柔性襯底是第一柔性襯底;所述IC器件嵌入在與所述第一柔性襯底耦合的第二柔性襯底中;并且使用穿過(guò)襯底的互連件將所述IC器件與所述波狀互連件電耦合,所述穿過(guò)襯底的互連件延伸穿過(guò)所述第一柔性襯底和所述第二柔性襯底的至少一部分。示例25可以包括示例18-24中的任一項(xiàng)的IC組件,其中,所述IC組件能夠由人穿戴。

各個(gè)實(shí)施例可以包括以上所述的實(shí)施例的任何適合的組合,以上所述的實(shí)施例包括以結(jié)合形式(和)上文中(例如,“和”可以是“和/或”)所述的實(shí)施例的替代物(或)實(shí)施例。此外,一些實(shí)施例可以包括一個(gè)或多個(gè)制作的物品(例如,非暫態(tài)計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)),其具有存儲(chǔ)在其上的指令,在執(zhí)行指令時(shí)產(chǎn)生上述實(shí)施例中的任何實(shí)施例的動(dòng)作。此外,一些實(shí)施例可以包括具有用于實(shí)行以上所述的實(shí)施例的各種操作的任何適合的模塊的裝置或系統(tǒng)。

對(duì)所例示的實(shí)施方式的以上描述(包括在摘要中所述的內(nèi)容)并非旨在是詳盡的或者將本公開(kāi)內(nèi)容地實(shí)施例局限于所公開(kāi)的精確形式。如相關(guān)領(lǐng)域中的技術(shù)人員將認(rèn)識(shí)到的,雖然出于說(shuō)明性目的在本文中描述了具體的實(shí)施方式和示例,但在本公開(kāi)內(nèi)容的范圍內(nèi)的各種等效修改是可能的。

鑒于以上的具體實(shí)施方式,可以對(duì)本公開(kāi)內(nèi)容的實(shí)施例做出這些修改。在所附權(quán)利要求中所使用的術(shù)語(yǔ)不應(yīng)被解釋為將本公開(kāi)內(nèi)容的各個(gè)實(shí)施例局限于說(shuō)明書(shū)和權(quán)利要求書(shū)中所公開(kāi)的具體的實(shí)施方式。相反,范圍要完全由根據(jù)權(quán)利要求詮釋的建立的原則所解釋的所附權(quán)利要求來(lái)確定。

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