一種軟恢復續(xù)流的二極管的制作方法
【專利摘要】本實用新型提供了一種軟恢復續(xù)流的二極管，所述二極管的陽極和陰極之間的基區(qū)采用緩沖層結(jié)構(gòu)，所述的緩沖層結(jié)構(gòu)為：在基區(qū)的N區(qū)從上至下依次設(shè)置有N1區(qū)和N2區(qū)；在基區(qū)的P區(qū)中鑲嵌有至少4個P+區(qū)；所述P區(qū)和4個P+區(qū)結(jié)構(gòu)能控制空穴的注入效應(yīng)。本實用新型的二極管的反向恢復時間快，耐壓性好；在高頻應(yīng)用方面具有穩(wěn)定的開關(guān)特性。
【專利說明】一種軟恢復續(xù)流的二極管

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型涉及二極管制作【技術(shù)領(lǐng)域】，特別涉及一種軟恢復續(xù)流的二極管。

【背景技術(shù)】
[0002]大功率快速軟恢復二極管主要應(yīng)用在高頻電力電子電路中，它與主回路中的晶閘管或IGBT等新型電力半導體開關(guān)器件相并聯(lián)，開關(guān)器件反向時，流過負載中的無功電流，減小電容的充電時間，同時抑制因負載電流瞬時反向而感應(yīng)的過電壓尖峰。傳統(tǒng)的二極管的反向恢復時間不夠快，耐壓性不夠；這樣在硬開關(guān)過程中存在二極管反向恢復電流(Irm)增加了開關(guān)器件開通損耗率和過電壓尖峰，并且在快速di/dt開關(guān)時能夠產(chǎn)生電磁干擾。
實用新型內(nèi)容
[0003]本實用新型要解決的技術(shù)問題，在于提供一種軟恢復續(xù)流的二極管，縮短二極管的反向恢復時間，提高反向恢復軟度，同時使二極管具有較高的耐壓，從而達到控制自調(diào)節(jié)發(fā)射效率和縮短反向恢復時間的目的。
[0004]本實用新型是這樣實現(xiàn)的:一種軟恢復續(xù)流的二極管，所述二極管的陽極和陰極之間的基區(qū)采用緩沖層結(jié)構(gòu)，所述的緩沖層結(jié)構(gòu)為:在基區(qū)的N區(qū)從上至下依次設(shè)置有N1區(qū)和隊區(qū)；在基區(qū)的P區(qū)中鑲嵌有至少4個P +區(qū)；所述P區(qū)和4個P +區(qū)結(jié)構(gòu)能控制空穴的注入效應(yīng)。
[0005]進一步地，所述4個P+區(qū)均勻分布于P區(qū)。
[0006]本實用新型的優(yōu)點在于:本發(fā)明在基區(qū)的N區(qū)從上至下依次設(shè)置有NI區(qū)和N2區(qū)；在基區(qū)的P區(qū)中鑲嵌有至少4個P+區(qū)；快速軟恢復二極管的基區(qū)和陽極之間采用緩沖層結(jié)構(gòu)，使得在空間電荷區(qū)擴展后的剩余基區(qū)內(nèi)駐留更多的殘存電荷，并且駐留時間更長，提高了二極管的軟度。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0007]圖1是本實用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。

【具體實施方式】
[0008]請參閱圖1所示，一種軟恢復續(xù)流的二極管，所述二極管的陽極和陰極之間的基區(qū)采用緩沖層結(jié)構(gòu)，所述的緩沖層結(jié)構(gòu)為:在基區(qū)的N區(qū)從上至下依次設(shè)置有&區(qū)和化區(qū)；在基區(qū)的P區(qū)中鑲嵌有至少4個P+區(qū)；所述P區(qū)和4個P +區(qū)結(jié)構(gòu)能控制空穴的注入效應(yīng)；在基區(qū)的N區(qū)從上至下依次設(shè)置有N1區(qū)和\區(qū)，這樣N1區(qū)和N2區(qū)增加了二極管的耐性。
[0009]其中，所述4個P+區(qū)均勻分布于P區(qū)。從而達到控制自調(diào)節(jié)發(fā)射效率和縮短反向恢復時間的目的。
[0010]總之，本發(fā)明在基區(qū)的N區(qū)從上至下依次設(shè)置有NI區(qū)和N2區(qū)；在基區(qū)的P區(qū)中鑲嵌有至少4個P+區(qū)；快速軟恢復二極管的基區(qū)和陽極之間采用緩沖層結(jié)構(gòu)，使得在空間電荷區(qū)擴展后的剩余基區(qū)內(nèi)駐留更多的殘存電荷，并且駐留時間更長，提高了二極管的軟度。
[0011]以上所述僅為本實用新型的較佳實施例，凡依本實用新型申請專利范圍所做的均等變化與修飾，皆應(yīng)屬本實用新型的涵蓋范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種軟恢復續(xù)流的二極管，其特征在于:所述二極管的陽極和陰極之間的基區(qū)采用緩沖層結(jié)構(gòu)，所述的緩沖層結(jié)構(gòu)為:在基區(qū)的N區(qū)從上至下依次設(shè)置有N1區(qū)和1區(qū)；在基區(qū)的P區(qū)中鑲嵌有至少4個P+區(qū)；所述P區(qū)和4個P +區(qū)結(jié)構(gòu)能控制空穴的注入效應(yīng)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種軟恢復續(xù)流的二極管，其特征在于:所述4個P+區(qū)均勻分布于P區(qū)。
【文檔編號】H01L29/861GK204167327SQ201420656294
【公開日】2015年2月18日 申請日期:2014年11月5日 優(yōu)先權(quán)日:2014年11月5日
【發(fā)明者】黃福仁, 黃賽琴, 戴 峰 申請人:福建安特微電子有限公司