一種oled發(fā)光器件及顯示裝置制造方法
【專利摘要】本實用新型提供了一種OLED發(fā)光器件及顯示裝置，涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，改善了現(xiàn)有的載流子注入不平衡以及激子在界面處堆積使得有機發(fā)光二極管猝滅的問題。該OLED發(fā)光器件包括：襯底基板、設(shè)置在所述襯底基板上的陽極、陰極以及位于所述陽極和所述陰極之間的發(fā)光層，所述OLED發(fā)光器件還包括解離層，所述解離層用于使到達所述解離層的激子解離成空穴和電子；其中，在電子遷移率大于空穴遷移率的情況下，所述解離層設(shè)置在所述發(fā)光層和所述陽極之間；在空穴遷移率大于電子遷移率的情況下，所述解離層設(shè)置在所述發(fā)光層和所述陰極之間。用于OLED發(fā)光器件、包含該OLED發(fā)光器件的顯示裝置。
【專利說明】一種OLED發(fā)光器件及顯示裝置

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種OLED發(fā)光器件及顯示裝置。

【背景技術(shù)】
[0002]有機發(fā)光二極管(Organic Light Emitting D1de，簡稱0LED)是一種有機薄膜電致發(fā)光器件，其具有制備工藝簡單、成本低、易形成柔性結(jié)構(gòu)、視角寬等優(yōu)點；因此，利用有機發(fā)光二極管的顯示技術(shù)已成為一種重要的顯示技術(shù)。
[0003]如圖1所示，OLED發(fā)光器件包括:陽極1、陰極2、以及位于所述陽極I和所述陰極2之間的發(fā)光層3。其發(fā)光原理為:從陽極I注入的空穴(h)和從陰極2注入的電子(e)在發(fā)光層3的復(fù)合區(qū)域相結(jié)合形成激子，激子衰減福射出光子，而使該OLED發(fā)光器件發(fā)光。
[0004]然而，研宄人員發(fā)現(xiàn)，受限于發(fā)光層3材料的影響，空穴在發(fā)光層3中的迀移率和電子在發(fā)光層3中的迀移率是不相同的，在此基礎(chǔ)上，一方面，迀移率不同會造成注入到發(fā)光層3的空穴和電子的數(shù)目不同，而載流子(即電子和空穴)注入不平衡會嚴重影響器件的性能和壽命。
[0005]另一方面，迀移率不同會造成部分空穴和電子在發(fā)光層3與陰極2或發(fā)光層3與陽極I的界面處復(fù)合形成激子。例如，如圖2所示，在空穴的迀移率大于電子的迀移率的情況下，由于從陽極I注入的空穴在發(fā)光層3中傳輸?shù)南鄬^快，而使得部分空穴和電子在發(fā)光層3與陰極2界面處的復(fù)合區(qū)域31形成激子。如圖3所示，在電子的迀移率大于空穴的迀移率的情況下，由于從陰極2注入的電子在發(fā)光層3中傳輸?shù)南鄬^快，而使得部分空穴和電子在發(fā)光層3與陽極I界面處的復(fù)合區(qū)域31形成激子。而激子在界面處嚴重堆積會使得有機發(fā)光二極管猝滅，進一步影響器件的性能和壽命。
實用新型內(nèi)容
[0006]本實用新型的實施例提供一種OLED發(fā)光器件及顯示裝置，改善了現(xiàn)有的載流子注入不平衡以及激子在界面處堆積使得有機發(fā)光二極管猝滅的問題。
[0007]為達到上述目的，本實用新型的實施例采用如下技術(shù)方案:
[0008]一方面，提供了一種OLED發(fā)光器件，該OLED發(fā)光器件包括襯底基板、設(shè)置在所述襯底基板上的陽極、陰極以及位于所述陽極和所述陰極之間的發(fā)光層，所述OLED發(fā)光器件還包括解離層，所述解離層用于使到達所述解離層的激子解離成空穴和電子；其中，在電子迀移率大于空穴迀移率的情況下，所述解離層設(shè)置在所述發(fā)光層和所述陽極之間；在空穴迀移率大于電子迀移率的情況下，所述解離層設(shè)置在所述發(fā)光層和所述陰極之間。
[0009]另一方面，提供了一種顯示裝置，包括上述的OLED發(fā)光器件。
[0010]本實用新型實施例提供了一種OLED發(fā)光器件及顯示裝置，本實用新型實施例通過設(shè)置解離層，使得擴散到解離層的激子解離成空穴和電子，在電子迀移率大于空穴迀移率的情況下，解離層設(shè)置在發(fā)光層和陽極之間，陰極和陽極同時加載電壓，在外電場作用下，由解離層解離出的空穴重新回到發(fā)光層參與發(fā)光，而部分電子向陽極運動，從而使得注入到發(fā)光層的電子數(shù)目減少，進而改善載流子(包括空穴和電子)注入不平衡的問題；在空穴迀移率大于電子迀移率的情況下，解離層設(shè)置在發(fā)光層和陰極之間，陰極和陽極同時加載電壓，在外電場作用下，由解離層解離出的電子重新回到發(fā)光層參與發(fā)光，而部分空穴向陰極運動，從而使得注入到發(fā)光層的空穴數(shù)目減少，進而改善載流子注入不平衡的問題；且由于解離層將激子解離成空穴和電子，則在發(fā)光層和解離層界面處產(chǎn)生的激子就不會堆積，從而避免發(fā)生激子猝滅，進而改善了器件的性能和壽命。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0011]為了更清楚地說明本實用新型實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本實用新型的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0012]圖1為現(xiàn)有技術(shù)中提供的一種OLED發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖一；
[0013]圖2為現(xiàn)有技術(shù)中提供的一種OLED發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖二 ；
[0014]圖3為現(xiàn)有技術(shù)中提供的一種OLED發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖三；
[0015]圖4為本實用新型提供的一種OLED發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖一；
[0016]圖5為本實用新型提供的一種OLED發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖二 ；
[0017]圖6為本實用新型提供的一種OLED發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖三；
[0018]圖7為圖6解離層的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0019]圖8為圖4解離層的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0020]圖9為本實用新型提供的一種OLED發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖四；
[0021]圖10為本實用新型提供的一種OLED發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖五；
[0022]圖11為本實用新型提供的一種OLED發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖六。
[0023]附圖標(biāo)記:
[0024]20-襯底基板；1_陽極；2_陰極；3_發(fā)光層；31_復(fù)合區(qū)域；4_空穴傳輸層；5_電子傳輸層；6_空穴注入層；7_電子注入層；10-解離層；101-給體層；1la-給體；102-受體層；102a-受體。

【具體實施方式】
[0025]下面將結(jié)合本實用新型實施例中的附圖，對本實用新型實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本實用新型一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒緦嵱眯滦椭械膶嵤├绢I(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本實用新型保護的范圍。
[0026]本實用新型實施例提供了一種OLED發(fā)光器件，如圖4-圖6所示，該OLED發(fā)光器件包括襯底基板20、設(shè)置在襯底基板20上的陽極1、發(fā)光層3、陰極2，OLED發(fā)光器件還包括解離層10，解離層10用于使到達解離層10的激子解離成空穴(h)和電子(e)。
[0027]其中，在電子迀移率大于空穴迀移率的情況下，解離層10設(shè)置在發(fā)光層3和陽極I之間；在空穴迀移率大于電子迀移率的情況下，解離層10設(shè)置在發(fā)光層3和陰極2之間。
[0028]需要說明的是，第一，在空穴迀移率大于電子迀移率的情況下，發(fā)光層的材料可以為空穴傳輸型材料；在電子迀移率大于空穴迀移率的情況下，發(fā)光層的材料可以為電子傳輸型材料。發(fā)光層的材料具體可根據(jù)實際情況進行設(shè)定，在此不做限定。
[0029]第二，本實用新型實施例中并不限于在陽極和陰極之間僅包括發(fā)光層，為了增加電子和空穴的注入和/或傳輸效率，還可以在陽極和發(fā)光層之間，陰極和發(fā)光層之間設(shè)置其他有機層，具體在此不做限定。
[0030]第三，不對解離層的材料進行限定，只要其能使到達的激子解離成空穴和電子即可。
[0031]本實用新型實施例提供了一種OLED發(fā)光器件，如圖4-圖6所示，通過設(shè)置解離層10，使得擴散到解離層10的激子解離成空穴和電子，在此基礎(chǔ)上，在電子迀移率大于空穴迀移率的情況下，解離層10設(shè)置在發(fā)光層3和陽極I之間，一方面，在外電場作用下，由解離層10解離出的空穴重新回到發(fā)光層3參與發(fā)光，而部分電子向陽極I運動，從而使得注入到發(fā)光層3的電子數(shù)目減少，進而改善由于載流子注入不平衡而導(dǎo)致的對器件的性能和壽命的影響，另一方面，由于解離層10將激子解離成空穴和電子，則在界面處產(chǎn)生的激子就不會堆積，從而也就不會發(fā)生猝滅現(xiàn)象，進而改善了器件的性能和壽命。
[0032]同理，在空穴迀移率大于電子迀移率的情況下，解離層10設(shè)置在發(fā)光層3和陰極2之間，一方面，在外電場作用下，由解離層10解離出的電子重新回到發(fā)光層3參與發(fā)光，而部分空穴向陰極2運動，從而使得注入到發(fā)光層3的空穴數(shù)目減少，進而改善由于載流子注入不平衡而導(dǎo)致的對器件的性能和壽命的影響，另一方面，由于解離層10將激子解離成空穴和電子，則在界面處產(chǎn)生的激子就不會堆積，從而也就不會發(fā)生猝滅現(xiàn)象，進而改善了器件的性能和壽命。
[0033]優(yōu)選的，參考圖4、圖5以及圖8所示，解離層10可以包括至少一層，且每層均由給體材料和受體材料混合形成。其中，給體材料的LUMO(Lowest Unoccupied MolecularOrbital，最低未占軌道)值大于受體材料的LUMO值，這樣，在電場作用下，電子可以從LUMO值高的給體材料迀移到LUMO值低的受體材料。本實用新型實施例及附圖均以解離層為一層，且解離層由給體材料和受體材料混合形成為例進行詳細說明，當(dāng)然，解離層還可以是包括多層。
[0034]或者，參考圖6、圖7所示，解離層10可以包括至少兩層，且每層由給體材料或受體材料形成且相鄰兩層為不同材料。其中，給體材料的LUMO值大于受體材料的LUMO值，這樣，在電場作用下，電子可以從LUMO值高的給體材料迀移到LUMO值低的受體材料。
[0035]這里，每層均由給體材料或受體材料形成且相鄰兩層為不同材料即為:若解離層的第一層材料為給體材料，則與第一層相鄰的第二層材料則為受體材料，依次類推。圖6、圖7中分別以解離層10包括兩層為例，其中一層為由給體材料形成的給體層101，另一層為由受體材料形成的受體層102。當(dāng)然，解離層還可以包括三層或四層等，且當(dāng)解離層包括多層時，相鄰的兩層分別為由給體材料形成的給體層和由受體材料形成的受體層。本實用新型實施例及附圖僅以解離層包括兩層為例進行詳細說明。
[0036]下面具體說明解離層將激子解離成空穴和電子的原理:由于解離層包括給體材料和受體材料，而給體材料形成給體，受體材料形成受體，使得給體和受體具有不同的電子親和能與電離勢，當(dāng)兩種具有不同電子親和能與電離勢的材料相接觸時，在接觸界面處會產(chǎn)生電勢差，該電勢差可以形成局部電場，而由于給體的LUMO值高于受體的LUMO值，因此在該局部電場作用下，從發(fā)光層擴散到解離層的激子中的電子從給體的導(dǎo)帶降到受體的導(dǎo)帶上，從而破壞了原有激子中的電子空穴對，使得激子被解離成空穴和電子。
[0037]基于此，當(dāng)解離層包括至少兩層且每層由給體材料或受體材料形成且相鄰兩層為不同材料時，在給體層與受體層之間便可以形成給體和受體的結(jié)面(即給體與受體的界面)，從而使得發(fā)光層擴散到解離層的激子通過該結(jié)面時，解離成電子和空穴。
[0038]例如，參考圖6和圖7所示，解離層10包括給體層101和受體層102，給體層101由給體材料形成，受體層102由受體材料形成，這兩層之間的接觸面形成給體和受體的結(jié)面，當(dāng)發(fā)光層3擴散到解離層10的激子穿過受體層102到達并通過該結(jié)面時，激子被解離成電子和空穴。
[0039]在此情況下，基于圖6中解離層10的位置，解離后的電子通過受體層102重新回到發(fā)光層3參與發(fā)光，解離后的部分空穴則通過給體層101向陰極2運動。
[0040]當(dāng)解離層包括至少一層且每層均由給體材料和受體材料混合形成時，給體材料形成給體，受體材料形成受體，給體和受體在解離層中分散排布，則給體和受體的結(jié)面(即給體與受體的界面)面積大，發(fā)光層擴散到解離層的激子通過給體和受體的結(jié)面時，解離成電子和空穴的效率更高。且相對解離層包括至少兩層，當(dāng)解離層為包括至少一層時，激子無需跨越一層給體層或受體層而到達給體和受體的結(jié)面，加快了激子的解離速度。
[0041]例如，參考圖4所示，解離層10包括一層，當(dāng)發(fā)光層3擴散到解離層10的激子通過如圖8所示的給體1la和受體102a的結(jié)面時，激子被解離成電子和空穴。
[0042]在此情況下，基于圖4中解離層10的位置，解離后的電子通過受體102a重新回到發(fā)光層3參與發(fā)光，解離后的部分空穴則通過給體1la向陰極2運動。
[0043]需要說明的是，對于解離層的層數(shù)和總體厚度，可根據(jù)激子的擴散距離而定，以最大限度的將激子解離為準(zhǔn)，本實用新型實施例不作具體限定。
[0044]進一步優(yōu)選的，給體材料可以是P型有機空穴傳輸材料，其可以包括:P3HT(聚(3-己基噻吩))、MEHPPV(聚[2-甲氧基-5-(2-乙基己氧基)]對苯乙炔)、PCDTBT(聚[[9-(1-辛基壬基)-9H-咔唑-2，7- 二基]-2，5-噻吩二基_2，I, 3-苯并噻二唑-4，7- 二基-2，5-噻吩二基])、PTB7 (聚苯并二噻吩)、PCPDTBT (聚[2，I, 3-苯并噻二唑-4，7- 二基[4，4-雙(2-乙基己基)-4H-環(huán)戊并[2，l-b:3, 4_b’ ] 二噻吩-2，6- 二基]])、PBDTTT-CF (2- (4-聯(lián)苯基)-5-苯基惡二唑衍生物)等等。
[0045]受體材料可以是N型有機電子傳輸材料，其可以包括:PCBM([6，6]_苯基C61 丁酸甲酯)、PC71BM([6, 6]-苯基C71 丁酸甲酯)等等。
[0046]示例的，解離層的材料可以包括一種給體材料和一種受體材料，例如，解離層包括P3HT 和 PCBM，或包括 MEHPPV 和 PCBM，或包括 PCDTBT 和 PC71BM，或包括 PTB7 和 PC71BM，或包括 PDTSTPD 和 PC71BM，或包括 PBDTTT-CF 和 PC71BM。
[0047]在上述基礎(chǔ)上，由于陽極、陰極和發(fā)光層存在較大的能極差，為了提高空穴和/或電子的注入和傳輸效率，因此，本實用新型實施例中優(yōu)選OLED發(fā)光器件還包括:設(shè)置在發(fā)光層和陽極之間的第一有機層和/或設(shè)置在發(fā)光層和陰極之間的第二有機層。
[0048]其中，在電子迀移率大于空穴迀移率的情況下，解離層設(shè)置在發(fā)光層和第一有機層之間；在空穴迀移率大于電子迀移率的情況下，解離層設(shè)置在發(fā)光層和第二有機層之間。
[0049]這樣，利用材料不同的能級結(jié)構(gòu)，可以通過調(diào)節(jié)第一有機層和陽極，和/或第二有機層和陰極之間的能級差，從而有效的提高空穴和/或電子的注入和傳輸效率。
[0050]上述，OLED發(fā)光器件還包括:設(shè)置在發(fā)光層和陽極之間的第一有機層和/或設(shè)置在發(fā)光層和陰極之間的第二有機層，即可以是OLED發(fā)光器件僅包括設(shè)置在發(fā)光層和陽極之間的第一有機層，或者，OLED發(fā)光器件僅包括設(shè)置在發(fā)光層和陰極之間的第二有機層，OLED發(fā)光器件還可以是包括設(shè)置在發(fā)光層和陽極之間的第一有機層和設(shè)置在發(fā)光層和陰極之間的第二有機層。
[0051]進一步的，第一有機層至少包括空穴傳輸層和空穴注入層的其中之一，第二有機層至少包括電子傳輸層和電子注入層的其中之一。即第一有機層可以是僅包括空穴傳輸層和空穴注入層的其中之一，還可是同時包括空穴傳輸層和空穴注入層。第二有機層可以是僅包括電子傳輸層和電子注入層的其中之一，還可以是同時包括電子傳輸層和電子注入層O
[0052]下面，參照如圖9-圖11，以在空穴迀移率大于電子迀移率的情況下，OLED發(fā)光器件包括第一有機層和第二有機層，解離層設(shè)置在發(fā)光層和第二有機層之間的幾種情況為例，具體說明第一有機層和第二有機層的設(shè)置。
[0053]如圖9所不，第二有機層包括電子傳輸層5，第一有機層包括空穴傳輸層4，解離層10設(shè)置在發(fā)光層3和電子傳輸層5之間。或者，如圖10所示，第二有機層包括電子注入層7，第一有機層包括空穴注入層6，解離層10設(shè)置在發(fā)光層3和電子注入層7之間?；蛘?，如圖11所示，第二有機層包括電子傳輸層5和電子注入層7，其中，電子注入層7靠近陰極2，第一有機層包括空穴傳輸層4和空穴注入層6，解離層10設(shè)置在發(fā)光層3和電子傳輸層5之間。
[0054]需要說明的是，圖9-圖11僅列舉了在空穴迀移率大于電子迀移率的情況下，OLED發(fā)光器件包括第一有機層和第二有機層的部分組合方式，在滿足OLED發(fā)光器件的性能的前提下，任何根據(jù)本實用新型實施例提供的方式進行的組合均在本實用新型的保護范圍之內(nèi)。
[0055]在電子迀移率大于空穴迀移率的情況下，解離層設(shè)置在發(fā)光層和第一有機層之間，第一有機層和第二有機層的設(shè)置可以參考上述空穴迀移率大于電子迀移率的情況，在這里不作贅述。
[0056]為了進一步提高空穴和電子的注入和傳輸效率，從而延長器件的壽命，本實用新型實施例中，參考圖11所示，優(yōu)選第一有機層包括空穴傳輸層4、空穴注入層6，第二有機層包括電子傳輸層5、電子注入層7。
[0057]本實用新型實施例提供了一種顯示裝置，顯示裝置包括上述的OLED發(fā)光器件。顯示裝置可以為OLED顯示器等顯示器件以及包括該顯示器件的電視、數(shù)碼相機、手機、平板電腦等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或者部件。
[0058]進一步的，考慮到無源矩陣應(yīng)用于大尺寸顯示裝置時有其不足的一面，優(yōu)選的，本實用新型實施例提供的顯示裝置為有源矩陣型OLED顯示裝置，S卩，顯示裝置還包括設(shè)置在襯底基板和OLED發(fā)光器件的陽極或陰極電連接薄膜晶體管。
[0059]其中，薄膜晶體管包括柵極、柵絕緣層、半導(dǎo)體有源層、源極和漏極；且薄膜晶體管可以是頂柵型，也可以是底柵型。
[0060]當(dāng)然，顯示裝置還包括與柵極電連接的柵線、柵線引線等，與源極電連接的數(shù)據(jù)線、數(shù)據(jù)線引線等，本實用新型實施例僅列舉與本實用新型的發(fā)明點相關(guān)的薄膜或?qū)咏Y(jié)構(gòu)。
[0061]本實用新型實施例提供了一種OLED發(fā)光器件的制備方法，該方法包括:在襯底基板上形成陽極、發(fā)光層、陰極，方法還包括:形成解離層，解離層用于使到達解離層的激子解離成空穴和電子。其中，在電子迀移率大于空穴迀移率的情況下，在發(fā)光層和陽極之間形成解離層；在空穴迀移率大于電子迀移率的情況下，在發(fā)光層和陰極之間形成解離層。
[0062]本實用新型實施例提供了一種OLED發(fā)光器件的制備方法，通過形成解離層，使得擴散到解離層的激子解離成空穴和電子，在此基礎(chǔ)上，若解離層形成在發(fā)光層和陽極之間，一方面，在外電場作用下，由解離層解離出的空穴重新回到發(fā)光層參與發(fā)光，而部分電子向陽極運動，從而使得注入到發(fā)光層的電子數(shù)目減少，進而改善由于載流子注入不平衡而導(dǎo)致的對器件的性能和壽命的影響，另一方面，由于解離層將激子解離成空穴和電子，則在界面處產(chǎn)生的激子就不會堆積，從而也就不會發(fā)生猝滅現(xiàn)象，進而改善了器件的性能和壽命。
[0063]同理，若解離層形成在發(fā)光層和陰極之間，一方面，在外電場作用下，由解離層解離出的電子重新回到發(fā)光層參與發(fā)光，而部分空穴向陰極運動，從而使得注入到發(fā)光層的空穴數(shù)目減少，進而改善由于載流子注入不平衡而導(dǎo)致的對器件的性能和壽命的影響，另一方面，由于解離層將激子解離成空穴和電子，則在界面處產(chǎn)生的激子就不會堆積，從而也就不會發(fā)生猝滅現(xiàn)象，進而改善了器件的性能和壽命。
[0064]基于上述描述，當(dāng)解離層形成在發(fā)光層和陰極之間時，該OLED發(fā)光器件的制備方法可以具體包括如下步驟:
[0065]SOl、在襯底基板上形成陽極。
[0066]其中，陽極的材料可以為ITO(氧化銦錫)。
[0067]S02、將形成有陽極的襯底基板經(jīng)過清洗、等離子體預(yù)處理后，在陽極上依次形成發(fā)光層和解尚層。
[0068]具體的，發(fā)光層的形成方法可以是:將預(yù)處理后的形成有陽極的襯底基板放入蒸鍍設(shè)備中，通過蒸鍍的方式將發(fā)光層以物理氣象沉積的方式涂覆在陽極上。當(dāng)然，也可以采用全濕法，例如旋涂或者噴墨打印等方式，在陽極上形成發(fā)光層。
[0069]對于解離層，參考圖4所示，其可以包括至少一層，每層均由給體材料和受體材料混合形成；或者，參考圖6所示，其可以包括至少兩層，每層由給體材料或受體材料形成且相鄰兩層由不同材料形成；其中，給體材料的LUMO值大于受體材料的LUMO值。
[0070]基于此，參考圖4所示，在解離層10包括至少一層，每層均由給體材料和受體材料混合形成的情況下，其形成方法可以是:通過共摻雜的方式將解離層10涂覆在發(fā)光層3上。當(dāng)然，也可以采用全濕法，例如旋涂或者噴墨打印等方式，在發(fā)光層3上形成解離層10。
[0071]參考圖6所示，在解離層10包括至少兩層，每層由給體材料或受體材料形成且相鄰兩層由不同材料形成的情況下，其形成方法可以是:采用全濕法，例如旋涂或者噴墨打印等方式，在發(fā)光層3上依次形成由受體層102和給體層101，受體層102和給體層101構(gòu)成解離層10 ;其中，受體層102的材料為受體材料，給體層101的材料為給體材料。
[0072]這里，優(yōu)選的，給體材料可以是P型有機空穴傳輸材料，其可以包括:P3HT、MEHPPV、PCDTBT、PTB7、PCPDTBT、PBDTTT-CF等等；受體材料可以是N型有機電子傳輸材料，其可以包括:PCBM、PC71BM等等。
[0073]示例的，解離層的材料可以包括一種給體材料和一種受體材料，例如，解離層包括P3HT 和 PCBM，或包括 MEHPPV 和 PCBM，或包括 PCDTBT 和 PC71BM，或包括 PTB7 和 PC71BM，或包括 PDTSTPD 和 PC71BM，或包括 PBDTTT-CF 和 PC71BM。
[0074]S03、在解離層上蒸鍍形成陰極。
[0075]其中，陰極的材料可以為金屬材料，例如Al、Au、Ag、Mg-Ag的合金等。
[0076]經(jīng)上述步驟S01-S03可以形成如圖4-圖6所示的OLED發(fā)光器件。需要說明的是，本實用新型實施例中，根據(jù)具體的顯示裝置形成各層結(jié)構(gòu)的順序可以有所不同。例如發(fā)光層和解離層位于陰極和陽極之間，可以是先形成陰極再形成層發(fā)光層和解離層，再形成陽極；也可以是先形成陽極再形成發(fā)光層和解離層，再形成陰極。本實用新型實施例僅以上述步驟S01-S03為例進行詳細說明。
[0077]在發(fā)光層和陽極之間形成解離層的情況下，該OLED發(fā)光器件的制備方法中可以具體包括如下步驟:在襯底基板上依次形成陽極、解離層、發(fā)光層和陰極。該方法僅與上述制備方法的形成順序不同，其他均相同，這里不再贅述。
[0078]基于上述，優(yōu)選的，由于陽極、陰極和發(fā)光層存在較大的能極差，為了提高空穴和電子的注入和傳輸效率，可以在發(fā)光層和陽極之間形成第一有機層，在發(fā)光層和陰極之間形成第二有機層；其中，在電子迀移率大于空穴迀移率的情況下，解離層形成在發(fā)光層和第一有機層之間；在空穴迀移率大于電子迀移率的情況下，解離層形成在發(fā)光層和第二有機層之間。
[0079]其中，第一有機層和第二有機層的制備方法與上述發(fā)光層的制備方法相同，具體這里不再贅述。
[0080]進一步的，第一有機層至少包括空穴傳輸層和空穴注入層的其中之一，第二有機層至少包括電子傳輸層和電子注入層的其中之一。
[0081]示例的，參考圖9所示，第一有機層可以是僅包括空穴傳輸層4 ;或者，參考圖10所示，第一有機層也可以是僅包括空穴注入層6 ;或者，參考圖11所示，第一有機層還可以是同時包括空穴傳輸層4和空穴注入層6。
[0082]同理，參考圖9所示，第二有機層可以是僅包括電子傳輸層5 ;或者，參考圖10所示，第二有機層也可以是僅包括電子注入層7;或者，參考圖11所示，第一有機層還可以是同時包括電子傳輸層5和電子注入層7。
[0083]以上所述，僅為本實用新型的【具體實施方式】，但本實用新型的保護范圍并不局限于此，任何熟悉本【技術(shù)領(lǐng)域】的技術(shù)人員在本實用新型揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本實用新型的保護范圍之內(nèi)。因此，本實用新型的保護范圍應(yīng)以所述權(quán)利要求的保護范圍為準(zhǔn)。
【權(quán)利要求】
1.一種OLED發(fā)光器件，包括襯底基板、設(shè)置在所述襯底基板上的陽極、陰極以及位于所述陽極和所述陰極之間的發(fā)光層，其特征在于，所述OLED發(fā)光器件還包括解離層，所述解離層用于使到達所述解離層的激子解離成空穴和電子； 其中，在電子迀移率大于空穴迀移率的情況下，所述解離層設(shè)置在所述發(fā)光層和所述陽極之間； 在空穴迀移率大于電子迀移率的情況下，所述解離層設(shè)置在所述發(fā)光層和所述陰極之間。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的OLED發(fā)光器件，其特征在于， 所述解離層包括至少一層，且每層均由給體材料和受體材料混合形成；或者， 所述解離層包括至少兩層，且每層由給體材料或受體材料形成且相鄰兩層為不同材料； 其中，所述給體材料的LUMO值大于所述受體材料的LUMO值。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的OLED發(fā)光器件，其特征在于， 所述給體材料是P型有機空穴傳輸材料，包括:P3HT、MEHPPV, PCDTBT、PTB7、PCPDTBT、PBDTTT-CF ； 所述受體材料是N型有機電子傳輸材料，包括:PCBM、PC71BM。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的OLED發(fā)光器件，其特征在于，所述OLED發(fā)光器件還包括:設(shè)置在所述發(fā)光層和所述陽極之間的第一有機層和/或設(shè)置在所述發(fā)光層和所述陰極之間的第二有機層； 其中，在電子迀移率大于空穴迀移率的情況下，所述解離層設(shè)置在所述發(fā)光層和所述第一有機層之間； 在空穴迀移率大于電子迀移率的情況下，所述解離層設(shè)置在所述發(fā)光層和所述第二有機層之間。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的OLED發(fā)光器件，其特征在于，所述第一有機層至少包括空穴傳輸層和空穴注入層的其中之一，所述第二有機層至少包括電子傳輸層和電子注入層的其中之一。
6.一種顯示裝置，其特征在于，包括權(quán)利要求1至5任一項所述的OLED發(fā)光器件。
【文檔編號】H01L51/52GK204216094SQ201420596464
【公開日】2015年3月18日 申請日期:2014年10月15日 優(yōu)先權(quán)日:2014年10月15日
【發(fā)明者】李彥松 申請人:京東方科技集團股份有限公司