一種高度集成的電磁雙穩(wěn)態(tài)mems繼電器的制造方法【專(zhuān)利摘要】本實(shí)用新型公開(kāi)了一種高度集成的電磁雙穩(wěn)態(tài)MEMS繼電器。所述繼電器是在單一基片上集成了包括電磁驅(qū)動(dòng)、彈性支撐、信號(hào)切換等繼電器所有系統(tǒng)和永磁體的MEMS器件。所述的電磁驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)包括多匝螺旋狀平面線圈和封閉磁軛，所述彈性支撐系統(tǒng)包括磁軛平臺(tái)、彈性平臺(tái)、懸臂梁和支撐結(jié)構(gòu)，所述的信號(hào)切換系統(tǒng)包括靜觸點(diǎn)、動(dòng)觸點(diǎn)和外接信號(hào)線，靜觸點(diǎn)和動(dòng)觸點(diǎn)之間存在由支撐結(jié)構(gòu)支撐所形成的氣隙；所述的永磁體位于彈性平臺(tái)的上面。本實(shí)用新型通過(guò)MEMS技術(shù)在單個(gè)基片上集成了電磁雙穩(wěn)態(tài)繼電器的所有系統(tǒng)，提高了集成度，減小了繼電器的體積、降低了功耗、保證了繼電器工作的可靠性、提高了各項(xiàng)綜合性能，適合工業(yè)化批量制造?！緦?zhuān)利說(shuō)明】—種高度集成的電磁雙穩(wěn)態(tài)MEMS繼電器【
技術(shù)領(lǐng)域：
】[0001]本實(shí)用新型是涉及一種高度集成的電磁雙穩(wěn)態(tài)MEMS繼電器，屬于微電子機(jī)械【
技術(shù)領(lǐng)域：
】?！?br>背景技術(shù)：
】[0002]繼電器是通過(guò)小電流控制大電流運(yùn)作的一種“自動(dòng)開(kāi)關(guān)”，通過(guò)自動(dòng)接通/斷開(kāi)來(lái)轉(zhuǎn)換電路。在電路中，通過(guò)遠(yuǎn)程控制，可用繼電器實(shí)現(xiàn)安全保護(hù)、電路切換等功能，廣泛應(yīng)用于電源管理、儀器儀表、自動(dòng)控制和通訊連接等領(lǐng)域。[0003]在現(xiàn)今的繼電器市場(chǎng)，通信繼電器已占據(jù)了25%以上的份額。通信繼電器主要應(yīng)用于網(wǎng)絡(luò)、儀器儀表、自動(dòng)控制等能夠通過(guò)遠(yuǎn)程或者間接自動(dòng)進(jìn)行開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換的場(chǎng)合。隨著信息技術(shù)的發(fā)展，通信已經(jīng)從傳統(tǒng)的語(yǔ)音信號(hào)轉(zhuǎn)化為集語(yǔ)音、數(shù)據(jù)、音視頻以及圖像等復(fù)雜信號(hào)并擴(kuò)展至數(shù)據(jù)領(lǐng)域，便攜式通訊設(shè)備以及相應(yīng)的標(biāo)準(zhǔn)也已經(jīng)得到極大的發(fā)展和提高，因此，對(duì)通信領(lǐng)域的電子元器件一通信繼電器也提出了更高的要求。[0004]第一代、第二代通信繼電器起始于20世紀(jì)70?80年代，到90年代已實(shí)現(xiàn)第三代和第四代的量產(chǎn)。第四代通訊繼電器相對(duì)于第一代通訊繼電器體積已經(jīng)縮小了50%，功耗降低了80%。隨著通信技術(shù)的發(fā)展，需要增加數(shù)據(jù)傳輸、降低運(yùn)行成本，這都對(duì)通信繼電器體積、功耗和可靠性提出了更高的要求，而采用傳統(tǒng)精密機(jī)械加工的微型繼電器的工藝已經(jīng)達(dá)到了極限。微電子機(jī)械系統(tǒng)(MicroElectroMechanicalSystems,簡(jiǎn)稱(chēng)MEMS)技術(shù)的出現(xiàn)，突破了通信繼電器的發(fā)展瓶頸，為通信繼電器的進(jìn)一步發(fā)展提供了新的概念和途徑。MEMS技術(shù)與繼電器的融合，能夠保持傳統(tǒng)機(jī)電繼電器接觸電阻小、絕緣電阻高、隔離度高等優(yōu)勢(shì)，同時(shí)，采用微加工工藝可實(shí)現(xiàn)通訊繼電器的批量制造，實(shí)現(xiàn)所制通訊繼電器體積小、功耗低、功能多和可靠性高的特點(diǎn)，并可繼承固態(tài)繼電器集成制造的生產(chǎn)優(yōu)勢(shì)和機(jī)電繼電器電器綜合性能好的技術(shù)優(yōu)勢(shì)，代表了未來(lái)通信繼電器的發(fā)展方向。[0005]隨著MEMS繼電器器件尺寸的縮小，各種不同驅(qū)動(dòng)方式的繼電器其驅(qū)動(dòng)原理已經(jīng)產(chǎn)生了較大的變化。當(dāng)然，各種驅(qū)動(dòng)類(lèi)型和結(jié)構(gòu)也都有優(yōu)缺點(diǎn)，其性能也不盡相同，但隨著MEMS繼電器尺寸的減小，電磁驅(qū)動(dòng)繼電器的優(yōu)勢(shì)較靜電驅(qū)動(dòng)繼電器的優(yōu)勢(shì)更為明顯。靜電驅(qū)動(dòng)MEMS繼電器由于結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，非常易于加工制備，然而驅(qū)動(dòng)電壓過(guò)高，不易于和傳統(tǒng)集成電路工藝(IntegratedCircuit,簡(jiǎn)稱(chēng)IC)兼容,也容易造成兩電極之間的絕緣層擊穿，降低器件壽命。相對(duì)于靜電驅(qū)動(dòng)的MEMS繼電器，電熱驅(qū)動(dòng)型微繼電器能夠產(chǎn)生較大的能量密度，具有更大的輸出力，顯示出更為明顯的輸出位移，然而，電熱繼電器的散熱過(guò)程通常需要較長(zhǎng)的時(shí)間。相對(duì)于采用前述兩種方式驅(qū)動(dòng)的繼電器，電磁驅(qū)動(dòng)型繼電器具有行程大、絕緣性能好、響應(yīng)速度快、且有良好的力-位移非線性，能夠適應(yīng)各種不同的環(huán)境，綜合性能更加突出。[0006]GaryD.GrayJr.等在《傳感器與執(zhí)行器》雜志發(fā)表的“電磁驅(qū)動(dòng)雙穩(wěn)態(tài)驅(qū)動(dòng)器第一部超低開(kāi)關(guān)功耗和建?！?《SensorsandActuators》A,Volll9,2005,489?501“MagneticallybistableactuatorPart1.Ultra-lowswitchingenergyandmodeling)一文中，提出一種兩片式裝配而成的電磁MEMS繼電器，上片襯底制備平面線圈，下片襯底制備懸臂梁及支撐結(jié)構(gòu)，上下襯底通過(guò)信號(hào)柱進(jìn)行支撐和封裝，懸臂梁在永磁體所產(chǎn)生的磁場(chǎng)中處于第一個(gè)穩(wěn)定狀態(tài)，隨著線圈中通入脈沖電流，懸臂梁在外電磁場(chǎng)力的作用下切換向另一穩(wěn)態(tài)，并借助于永磁體實(shí)現(xiàn)第二個(gè)穩(wěn)態(tài)的保持，其基本工作原理是借助于在上襯底的線圈中通入脈沖電流來(lái)實(shí)現(xiàn)雙穩(wěn)態(tài)的切換，借助于永磁體實(shí)現(xiàn)保持。該繼電器輸出位移大，響應(yīng)速度快，功耗低。然而，在該設(shè)計(jì)中，基于兩襯底式的裝配難以實(shí)現(xiàn)電磁繼電器的高度集成、批量制造。[0007]B.Rogger等在第八屆微電子傳感器與執(zhí)行器會(huì)議(TRANSDUCERS，95the8thInternat1nalConferenceonSolid-StateSensorsandActuatorsandEurosensorsIX)上發(fā)表的“基于兩層LIGA工藝的集成電磁驅(qū)動(dòng)器”(FullybatchfabricatedmagneticmicroactuatorsusingtwolayerLIGAprocess)一文中，提出了米用X射線光刻技術(shù)(LIGA技術(shù))制備基于立體螺旋線圈結(jié)構(gòu)的電磁繼電器，它由聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)犧牲層技術(shù)結(jié)合二次LIGA技術(shù)實(shí)現(xiàn)鐵鎳磁芯及立體螺旋線圈組成。通入電流后，懸臂梁實(shí)現(xiàn)面內(nèi)往復(fù)運(yùn)動(dòng)，斷開(kāi)或者閉合觸點(diǎn)。然而，立體螺線管線圈的制備方法復(fù)雜，且LIGA技術(shù)成本較高，效率低，受外形尺寸的限制多，單片制造線圈容納的線圈匝數(shù)相對(duì)要少。
實(shí)用新型內(nèi)容[0008]針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)存在的上述問(wèn)題，本實(shí)用新型的目的是提供一種高度集成的電磁雙穩(wěn)態(tài)MEMS繼電器，使其滿足體積小、功耗低、集成度高、綜合性能好，且制備方便、生產(chǎn)成本低、易于工業(yè)化批量生產(chǎn)的要求。[0009]為達(dá)上述目的，本實(shí)用新型采用如下技術(shù)方案:[0010]一種高度集成的電磁雙穩(wěn)態(tài)MEMS繼電器，包括基片和集成在基片上的電磁驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)、彈性支撐系統(tǒng)和永磁體，其特征在于:基片上還集成了信號(hào)切換系統(tǒng)；所述的電磁驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)包括多匝螺旋狀平面線圈和封閉磁軛，封閉磁軛分布于平面線圈的中央、底部和邊緣；所述的彈性支撐系統(tǒng)包括磁軛平臺(tái)和疊置在磁軛平臺(tái)上面的彈性平臺(tái)以及與彈性平臺(tái)的四邊分別固定連接的四個(gè)懸臂梁，每個(gè)懸臂梁的另一端均與一個(gè)支撐結(jié)構(gòu)固定連接；所述的永磁體位于彈性支撐系統(tǒng)的彈性平臺(tái)的上表面；所述的信號(hào)切換系統(tǒng)包括靜觸點(diǎn)、動(dòng)觸點(diǎn)和兩個(gè)外接信號(hào)線，所述的靜觸點(diǎn)位于電磁驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的上表面，與一個(gè)外接信號(hào)線連接，所述的動(dòng)觸點(diǎn)位于彈性支撐系統(tǒng)的底部，與另一個(gè)外接信號(hào)線連接；在動(dòng)觸點(diǎn)與靜觸點(diǎn)之間存在由四個(gè)支撐結(jié)構(gòu)支撐所形成的氣隙。[0011]作為優(yōu)選方案，線圈之間設(shè)有絕緣層，所述絕緣層的厚度為10?24μπι。[0012]作為優(yōu)選方案，所述平面線圈的形狀為方形、矩形或圓形。[0013]作為優(yōu)選方案，所述平面線圈為單層線圈，線圈的厚度為22?26μm，寬度為12?15μm0[0014]作為優(yōu)選方案，所述的支撐結(jié)構(gòu)設(shè)在電磁驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)與彈性支撐系統(tǒng)之間。[0015]作為優(yōu)選方案，所述氣隙的間距為155?165μm。[0016]本實(shí)用新型提供的一種高度集成的電磁雙穩(wěn)態(tài)MEMS繼電器的工作原理如下:[0017]電磁雙穩(wěn)態(tài)MEMS繼電器等效的磁路所產(chǎn)生的磁感應(yīng)強(qiáng)度大部分都集中在氣隙之間，因此，氣隙間電磁力的大小決定了繼電器的工作狀態(tài)。當(dāng)氣隙間距逐漸變小時(shí)，磁力增大，從而吸引彈性懸臂梁使繼電器閉合。相反，當(dāng)氣隙間距變大時(shí)，磁力減小，懸臂梁在彈性回復(fù)力的作用下回復(fù)至初始狀態(tài)，繼電器斷開(kāi)。[0018]因此，當(dāng)需要將繼電器由斷開(kāi)態(tài)切換至閉合狀態(tài)時(shí)，需要在平面線圈中通入電流，增加氣隙中的磁感應(yīng)強(qiáng)度，使作用在彈性支撐結(jié)構(gòu)上的磁力增大，直到磁力克服彈性變形力，彈性平臺(tái)被吸引向下，直至靜觸點(diǎn)與動(dòng)觸點(diǎn)閉合，外接電路形成通路。由于永磁體設(shè)置在彈性支撐系統(tǒng)的上表面，因此，在平面線圈通電后，隨著氣隙間距的逐漸減小，所產(chǎn)生的磁場(chǎng)能夠增加氣隙中磁感應(yīng)強(qiáng)度，加強(qiáng)氣隙中的合磁力。當(dāng)繼電器閉合后，永磁體所產(chǎn)生的磁力能夠保持繼電器保持在閉合狀態(tài)，無(wú)需再給平面線圈通電，因此降低了靜態(tài)功耗。而當(dāng)需要將繼電器由閉合狀態(tài)切換至斷開(kāi)狀態(tài)時(shí)，則可通入反向電流，使平面線圈產(chǎn)生反向電磁力來(lái)削弱永磁體所產(chǎn)生的磁力，從而使作用在彈性平臺(tái)上總的合磁力減小。當(dāng)合磁力小于彈性回復(fù)力時(shí)，彈性平臺(tái)在自身回復(fù)力的作用下向遠(yuǎn)離電磁驅(qū)動(dòng)器方向運(yùn)動(dòng)，靜觸點(diǎn)和動(dòng)觸點(diǎn)分尚，斷開(kāi)外接電路。[0019]由于本實(shí)用新型提供的一種高度集成的電磁雙穩(wěn)態(tài)MEMS繼電器將電磁驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)、彈性支撐系統(tǒng)、信號(hào)切換系統(tǒng)和永磁體通過(guò)MEMS技術(shù)集成為一體，因此，繼電器的體積可以更小、工作可靠性更高，并可通過(guò)精確控制動(dòng)觸點(diǎn)和靜觸點(diǎn)之間的氣隙，實(shí)現(xiàn)驅(qū)動(dòng)位移和絕緣性能的精確控制，通過(guò)精確控制電磁力的大小來(lái)實(shí)現(xiàn)繼電器對(duì)電路的可靠切換。[0020]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型的有益效果在于:[0021]I)提高了電磁雙穩(wěn)態(tài)MEMS繼電器的集成度，減小了繼電器的體積、降低了繼電器的功耗、保證了繼電器工作的可靠性、提高了繼電器的各項(xiàng)綜合性能；[0022]2)實(shí)現(xiàn)了在單基片上繼電器各系統(tǒng)的整體集成制造，簡(jiǎn)化了生產(chǎn)工藝，縮短了工藝周期，降低了制造難度，為工業(yè)化批量制造提供了一種低成本、高效率的生產(chǎn)方法。[0023]3)由于采用了將永磁體設(shè)置在彈性支撐系統(tǒng)上表面的設(shè)計(jì)，因此，可以在無(wú)功耗的前提下，實(shí)現(xiàn)繼電器閉合工作狀態(tài)的保持?！緦?zhuān)利附圖】【附圖說(shuō)明】[0024]圖1是本實(shí)用新型提供的一種高度集成的電磁雙穩(wěn)態(tài)MEMS繼電器的立體結(jié)構(gòu)示意圖。[0025]圖2是本實(shí)用新型所提供的一種電磁驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的平面結(jié)構(gòu)示意圖。[0026]圖3是本實(shí)用新型提供的一種彈性支撐系統(tǒng)的平面結(jié)構(gòu)示意圖。[0027]圖4是本實(shí)用新型提供的一種信號(hào)切換系統(tǒng)的平面結(jié)構(gòu)示意圖。[0028]圖中:10、基片；20、電磁驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)；21、平面線圈；22、封閉磁輒；30、彈性支撐系統(tǒng)；31、磁軛平臺(tái)；32、彈性平臺(tái)；33、懸臂梁；34、支撐結(jié)構(gòu)；40、信號(hào)切換系統(tǒng)；41、靜觸點(diǎn)；42、動(dòng)觸點(diǎn)；43、外接信號(hào)線I;44、外接信號(hào)線II;50、永磁體?！揪唧w實(shí)施方式】[0029]下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型的技術(shù)方案做進(jìn)一步詳細(xì)、完整地說(shuō)明。[0030]實(shí)施例[0031]如圖1所示，本實(shí)用新型提供的一種高度集成的電磁雙穩(wěn)態(tài)MEMS繼電器，包括:基片10和集成在基片10上的電磁驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)20、彈性支撐系統(tǒng)30、彳目號(hào)切換系統(tǒng)40和永磁體50，永磁體50位于彈性支撐系統(tǒng)30的上面。[0032]如圖2所示，所述的電磁驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)20包括多匝螺旋狀平面線圈21和封閉磁軛22，封閉磁軛22分布于平面線圈21的中央、底部和邊緣；線圈之間設(shè)有絕緣層；平面線圈的形狀可以為方形、矩形或則圓形，本實(shí)施例中為方形；所述平面線圈21優(yōu)選為單層線圈，線圈的厚度優(yōu)選為22?26μm,寬度優(yōu)選為12?15μm。[0033]如圖3所示，所述的彈性支撐系統(tǒng)30包括磁軛平臺(tái)31和疊置在磁軛平臺(tái)31上面的彈性平臺(tái)32以及與彈性平臺(tái)32的四邊分別固定連接的四個(gè)懸臂梁33，每個(gè)懸臂梁33的另一端均與一個(gè)支撐結(jié)構(gòu)34固定連接。[0034]如圖4所示,所述的信號(hào)切換系統(tǒng)40包括靜觸點(diǎn)41、動(dòng)觸點(diǎn)42和兩個(gè)外接信號(hào)線，所述的靜觸點(diǎn)41位于電磁驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)20的上表面，與外接信號(hào)線II44(圖中，因信號(hào)線44被遮擋，僅用其接線樁表示)連接，所述的動(dòng)觸點(diǎn)42位于彈性支撐系統(tǒng)30的底部，與外接信號(hào)線I43連接，圖中所示的動(dòng)觸點(diǎn)42位置是動(dòng)觸點(diǎn)42與靜觸點(diǎn)41在接觸時(shí)的狀態(tài)結(jié)構(gòu)；在動(dòng)觸點(diǎn)42與靜觸點(diǎn)41之間存在由四個(gè)支撐結(jié)構(gòu)34支撐所形成的氣隙，氣隙的間距優(yōu)選為155?165μm。[0035]本實(shí)用新型提供的一種高度集成的電磁雙穩(wěn)態(tài)MEMS繼電器，其開(kāi)關(guān)功能是這樣實(shí)現(xiàn)的:[0036]首先，在電磁雙穩(wěn)態(tài)MEMS繼電器電磁驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)20的平面線圈21中通入電流，通過(guò)平面線圈21通電后產(chǎn)生的磁場(chǎng)來(lái)改變磁路中總磁通量的大小，增大或減小氣隙中的合磁力，借助于磁力和彈性支撐系統(tǒng)30的彈性變形力之間的變化，實(shí)現(xiàn)繼電器在閉合與斷開(kāi)狀態(tài)之間的切換，然后，借助于永磁體50實(shí)現(xiàn)穩(wěn)態(tài)的保持。[0037]當(dāng)需要將繼電器由斷開(kāi)狀態(tài)切換至閉合狀態(tài)時(shí)，在平面線圈21中通入電流，使氣隙中的總磁通量增加，作用在彈性平臺(tái)32的磁力增大以克服彈性變形力，從而將磁軛平臺(tái)31下拉到吸合位置，接通外接電路，隨后無(wú)需通電，借助于永磁體50的磁力使繼電器保持在閉合狀態(tài)。因?yàn)闊o(wú)需通電，因而沒(méi)有能耗。當(dāng)需要將繼電器由閉合狀態(tài)切換至斷開(kāi)狀態(tài)時(shí)，可以通入反向電流，使氣隙中的總磁通量減少，作用在中央彈性平臺(tái)32上的磁力減小，小于彈性回復(fù)力。彈性平臺(tái)32在彈性回復(fù)力的作用下遠(yuǎn)離電磁驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)20，靜觸點(diǎn)41和動(dòng)觸點(diǎn)42分離，斷開(kāi)外接電路，實(shí)現(xiàn)其開(kāi)關(guān)功能。[0038]效果試驗(yàn)[0039]利用測(cè)試裝置，對(duì)制備的上述高度集成電磁雙穩(wěn)態(tài)微MEMS繼電器動(dòng)態(tài)響應(yīng)特性及雙穩(wěn)態(tài)工作機(jī)制進(jìn)行測(cè)試實(shí)驗(yàn)。測(cè)試裝置由功率放大器、波形發(fā)生器、直流電源、和示波器構(gòu)成。[0040]將上述高度集成電磁雙穩(wěn)態(tài)微MEMS繼電器接入測(cè)試裝置，通入脈沖電流，示波器顯示該繼電器處于閉合狀態(tài)，外接電路接通；當(dāng)停止通入電流，外接電路能夠一直保持在接通狀態(tài)，說(shuō)明該繼電器能夠借助于永磁體50的磁力使繼電器保持在閉合狀態(tài)。當(dāng)繼電器通入大小相同但方向相反的驅(qū)動(dòng)電壓后，繼電器斷開(kāi)同時(shí)外接電路斷路，說(shuō)明本實(shí)用新型提供的高度集成的電磁雙穩(wěn)態(tài)MEMS繼電器具有良好的雙穩(wěn)態(tài)特性，工作性能可靠、穩(wěn)定。[0041]通過(guò)示波器觀察輸入、輸出電壓之間的時(shí)間差，可以測(cè)試出繼電器的響應(yīng)時(shí)間。測(cè)試結(jié)果表明，本實(shí)用新型提供的高度集成的電磁雙穩(wěn)態(tài)MEMS繼電器響應(yīng)時(shí)間為0.96毫秒，綜合性能良好，達(dá)到了本實(shí)用新型的目的。[0042]最后有必要在此說(shuō)明的是:[0043]上述實(shí)施例只用于對(duì)本實(shí)用新型的技術(shù)方案做進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明，僅用于幫助理解本實(shí)用新型的技術(shù)內(nèi)容，不能理解為對(duì)本實(shí)用新型保護(hù)范圍的限制。本領(lǐng)域的技術(shù)人員根據(jù)本實(shí)用新型的上述內(nèi)容做出的非本質(zhì)改進(jìn)和調(diào)整均屬于本實(shí)用新型所要求的保護(hù)范圍?！緳?quán)利要求】1.一種高度集成的電磁雙穩(wěn)態(tài)MEMS繼電器，包括基片和集成在基片上的電磁驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)、彈性支撐系統(tǒng)和永磁體，其特征在于:基片上還集成了信號(hào)切換系統(tǒng)；所述的電磁驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)包括多匝螺旋狀平面線圈和封閉磁軛，封閉磁軛分布于平面線圈的中央、底部和邊緣；所述的彈性支撐系統(tǒng)包括磁軛平臺(tái)和疊置在磁軛平臺(tái)上面的彈性平臺(tái)以及與彈性平臺(tái)的四邊分別固定連接的四個(gè)懸臂梁，每個(gè)懸臂梁的另一端均與一個(gè)支撐結(jié)構(gòu)固定連接；所述的永磁體位于彈性支撐系統(tǒng)的彈性平臺(tái)的上表面；所述的信號(hào)切換系統(tǒng)包括靜觸點(diǎn)、動(dòng)觸點(diǎn)和兩個(gè)外接信號(hào)線，所述的靜觸點(diǎn)位于電磁驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的上表面，與一個(gè)外接信號(hào)線連接，所述的動(dòng)觸點(diǎn)位于彈性支撐系統(tǒng)的底部，與另一個(gè)外接信號(hào)線連接；在動(dòng)觸點(diǎn)與靜觸點(diǎn)之間存在由四個(gè)支撐結(jié)構(gòu)支撐所形成的氣隙。2.如權(quán)利要求1所述的電磁雙穩(wěn)態(tài)MEMS繼電器，其特征在于:線圈之間設(shè)有絕緣層，所述絕緣層的厚度為10?24μm。3.如權(quán)利要求1所述的電磁雙穩(wěn)態(tài)MEMS繼電器，其特征在于:所述平面線圈的形狀為方形、矩形或圓形。4.如權(quán)利要求1或3所述的電磁雙穩(wěn)態(tài)MEMS繼電器，其特征在于:所述平面線圈為單層線圈，線圈的厚度為22?26μπι，寬度為12?15μπι。5.如權(quán)利要求1所述的電磁雙穩(wěn)態(tài)MEMS繼電器,其特征在于:所述的支撐結(jié)構(gòu)設(shè)在電磁驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)與彈性支撐系統(tǒng)之間。6.如權(quán)利要求1所述的電磁雙穩(wěn)態(tài)MEMS繼電器，其特征在于:所述氣隙的間距為155?165μm?！疚臋n編號(hào)】H01H59/00GK204130459SQ201420508611【公開(kāi)日】2015年1月28日申請(qǐng)日期:2014年9月4日優(yōu)先權(quán)日:2014年9月4日【發(fā)明者】苗曉丹申請(qǐng)人:上海工程技術(shù)大學(xué)