半導(dǎo)體器件晶圓級(jí)封裝結(jié)構(gòu)的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型公開一種晶圓級(jí)圖像傳感模塊的封裝結(jié)構(gòu)，包括圖像傳感芯片、透明蓋板，透明蓋板邊緣和圖像傳感芯片的上表面邊緣之間具有支撐圍堰從而在透明蓋板和圖像傳感芯片之間形成空腔，此支撐圍堰與圖像傳感芯片之間通過膠水層粘合，支撐圍堰由上下疊放的第一支撐圍堰層和第二支撐圍堰層組成，此第一支撐圍堰層與透明蓋板接觸，此第二支撐圍堰層與圖像傳感芯片接觸，所述第二支撐圍堰層內(nèi)側(cè)面若干個(gè)連續(xù)排列的缺口。本實(shí)用新型防止膠水?dāng)U散，同時(shí)與玻璃接錯(cuò)的圍堰部分，可以保證原來的寬度，在不減少支撐圍堰寬度保圖像傳感器件封裝結(jié)合力的前提下，流動(dòng)的部分聚集到缺口中，防止了膠水?dāng)U散，可靠性增加同時(shí)進(jìn)一步減少了器件體積。
【專利說明】半導(dǎo)體器件晶圓級(jí)封裝結(jié)構(gòu)

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本實(shí)用新型涉及一種半導(dǎo)體器件晶圓級(jí)封裝結(jié)構(gòu)，屬于半導(dǎo)體封裝【技術(shù)領(lǐng)域】。

【背景技術(shù)】
[0002] 圖像傳感器已被廣泛地應(yīng)用于諸如數(shù)字相機(jī)、相機(jī)電話等的數(shù)字裝置中。圖像傳 感器模塊可包括用于將圖像信息轉(zhuǎn)換為電信息的圖像傳感器。具體地講，圖像傳感器可包 括能夠?qū)⒐庾愚D(zhuǎn)換成電子以顯示和存儲(chǔ)圖像的半導(dǎo)體器件。圖像傳感器的示例包括電荷耦 合器件（CXD)、互補(bǔ)金屬氧化硅（CMOS)圖像傳感器（CIS)等。
[0003] 現(xiàn)有圖像傳感器中圍堰邊緣與感應(yīng)芯片感光區(qū)都需要保留一定的距離，防止在玻 璃滾膠、壓合的過程中，膠體溢到感應(yīng)芯片感光區(qū)，影響成像品質(zhì)。由于溢膠的限制，圍堰的 寬度純在比較大的局限性，直接影響到CIS產(chǎn)品的可靠性，容易出現(xiàn)分層的問題。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0004] 本實(shí)用新型目的是提供一種半導(dǎo)體器件晶圓級(jí)封裝結(jié)構(gòu)，該半導(dǎo)體器件晶圓級(jí)封 裝結(jié)構(gòu)防止膠水?dāng)U散，同時(shí)與玻璃接錯(cuò)的圍堰部分，可以保證原來的寬度，在不減少支撐圍 堰寬度保圖像傳感器件封裝結(jié)合力的前提下，流動(dòng)的部分聚集到缺口中，防止了膠水?dāng)U散， 可靠性增加同時(shí)進(jìn)一步減少了器件體積。
[0005] 為達(dá)到上述目的，本實(shí)用新型采用的技術(shù)方案是：一種半導(dǎo)體器件晶圓級(jí)封裝結(jié) 構(gòu)，包括圖像傳感芯片、透明蓋板，此圖像傳感芯片的上表面具有感光區(qū)，所述透明蓋板邊 緣和圖像傳感芯片的上表面邊緣之間具有支撐圍堰從而在透明蓋板和圖像傳感芯片之間 形成空腔，此支撐圍堰與圖像傳感芯片之間通過膠水層粘合，圖像傳感芯片下表面的四周 邊緣區(qū)域分布有若干個(gè)盲孔，所述圖像傳感芯片下表面和盲孔側(cè)表面具有鈍化層，此盲孔 底部具有圖像傳感芯片的引腳焊盤，所述鈍化層與圖像傳感芯片相背的表面具有金屬導(dǎo)電 圖形層，一防焊層位于金屬導(dǎo)電圖形層與鈍化層相背的表面，此防焊層上開有若干個(gè)通孔， 一焊球通過所述通孔與金屬導(dǎo)電圖形層電連接，所述支撐圍堰由上下疊放的第一支撐圍堰 層和第二支撐圍堰層組成，此第一支撐圍堰層與透明蓋板接觸，此第二支撐圍堰層與圖像 傳感芯片接觸，所述第二支撐圍堰層內(nèi)側(cè)面具有若干個(gè)連續(xù)排列的V形缺口，所述第二支 撐圍堰層四個(gè)拐角處均設(shè)有弧形缺口。
[0006] 上述技術(shù)方案中進(jìn)一步改進(jìn)的方案如下：
[0007] 1.上述方案中，所述支撐圍堰厚度為2(Γ50微米。
[0008] 2.上述方案中，所述支撐圍堰寬度為20(Γ300微米。
[0009] 由于上述技術(shù)方案運(yùn)用，本實(shí)用新型與現(xiàn)有技術(shù)相比具有下列優(yōu)點(diǎn)和效果：
[0010] 本實(shí)用新型半導(dǎo)體器件晶圓級(jí)封裝結(jié)構(gòu)，其透明蓋板邊緣和圖像傳感芯片的上表 面邊緣之間具有支撐圍堰從而在透明蓋板和圖像傳感芯片之間形成空腔，此支撐圍堰與圖 像傳感芯片之間通過膠水層粘合，支撐圍堰由上下疊放的第一支撐圍堰層和第二支撐圍堰 層組成，第二支撐圍堰層與圖像傳感芯片接觸，第二支撐圍堰層內(nèi)側(cè)面具有若干個(gè)連續(xù)排 列的V形缺口，第二支撐圍堰層四個(gè)拐角處均設(shè)有弧形缺口，與透明蓋板接觸的第一支撐 圍堰層采取光滑設(shè)計(jì)，膠水在鍵合的過程中，缺口部位可以有效的聚集溢出的膠水，防止膠 水?dāng)U散，同時(shí)與玻璃接錯(cuò)的圍堰部分，可以保證原來的寬度，在不減少支撐圍堰寬度保圖像 傳感器件封裝結(jié)合力的前提下，流動(dòng)的部分聚集到缺口中，防止了膠水?dāng)U散，可靠性增加同 時(shí)進(jìn)一步減少了器件體積。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0011] 附圖1為本實(shí)用新型半導(dǎo)體器件晶圓級(jí)封裝結(jié)構(gòu)結(jié)構(gòu)示意圖；
[0012] 附圖2為本實(shí)用新型半導(dǎo)體器件晶圓級(jí)封裝結(jié)構(gòu)中支撐圍堰結(jié)構(gòu)示意圖。
[0013] 以上附圖中：1、圖像傳感芯片；2、透明蓋板；3、感光區(qū)；4、支撐圍堰；41、第一支撐 圍堰層；42、第二支撐圍堰層；5、膠水層；6、盲孔；7、鈍化層；8、引腳焊盤；9、金屬導(dǎo)電圖形 層；10、防焊層；11、通孔；12、焊球；13、空腔；14、V形缺口；15、弧形缺口。

【具體實(shí)施方式】
[0014] 下面結(jié)合實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步描述：
[0015] 實(shí)施例：一種圖像傳感器件，包括圖像傳感芯片1、透明蓋板2,此圖像傳感芯片1 的上表面具有感光區(qū)3,所述透明蓋板2邊緣和圖像傳感芯片1的上表面邊緣之間具有支撐 圍堰4從而在透明蓋板2和圖像傳感芯片1之間形成空腔13,此支撐圍堰4與圖像傳感芯 片1之間通過膠水層5粘合，圖像傳感芯片1下表面的四周邊緣區(qū)域分布有若干個(gè)盲孔6， 所述圖像傳感芯片1下表面和盲孔6側(cè)表面具有鈍化層7,此盲孔6底部具有圖像傳感芯 片1的引腳焊盤8,所述鈍化層7與圖像傳感芯片1相背的表面具有金屬導(dǎo)電圖形層9, 一 防焊層10位于金屬導(dǎo)電圖形層9與鈍化層7相背的表面，此防焊層10上開有若干個(gè)通孔 11，一焊球12通過所述通孔11與金屬導(dǎo)電圖形層9電連接，所述支撐圍堰4由上下疊放的 第一支撐圍堰層41和第二支撐圍堰層42組成，此第一支撐圍堰層41與透明蓋板2接觸， 此第二支撐圍堰層42與圖像傳感芯片1接觸，所述第二支撐圍堰層42內(nèi)側(cè)面具有若干個(gè) 連續(xù)排列的V形缺口 14,所述第二支撐圍堰層42四個(gè)拐角處均設(shè)有弧形缺口 15。
[0016] 上述支撐圍堰4厚度為35微米或者45微米。
[0017] 上述支撐圍堰4寬度為240或者280微米。
[0018] 采用上述半導(dǎo)體器件晶圓級(jí)封裝結(jié)構(gòu)時(shí)，其防止膠水?dāng)U散，同時(shí)與玻璃接錯(cuò)的圍 堰部分，可以保證原來的寬度，在不減少支撐圍堰寬度保圖像傳感器件封裝結(jié)合力的前提 下，流動(dòng)的部分聚集到缺口中，防止了膠水?dāng)U散，可靠性增加同時(shí)進(jìn)一步減少了器件體積。
[0019] 上述實(shí)施例只為說明本實(shí)用新型的技術(shù)構(gòu)思及特點(diǎn)，其目的在于讓熟悉此項(xiàng)技術(shù) 的人士能夠了解本實(shí)用新型的內(nèi)容并據(jù)以實(shí)施，并不能以此限制本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。 凡根據(jù)本實(shí)用新型精神實(shí)質(zhì)所作的等效變化或修飾，都應(yīng)涵蓋在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之 內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1. 一種半導(dǎo)體器件晶圓級(jí)封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：包括圖像傳感芯片（1)、透明蓋板 (2)，此圖像傳感芯片（1)的上表面具有感光區(qū)（3)，所述透明蓋板（2)邊緣和圖像傳感芯 片（1)的上表面邊緣之間具有支撐圍堰（4)從而在透明蓋板（2)和圖像傳感芯片（1)之間 形成空腔（13)，此支撐圍堰（4)與圖像傳感芯片（1)之間通過膠水層（5)粘合，圖像傳感芯 片（1)下表面的四周邊緣區(qū)域分布有若干個(gè)盲孔（6)，所述圖像傳感芯片（1)下表面和盲孔 (6 )側(cè)表面具有鈍化層（7 )，此盲孔（6 )底部具有圖像傳感芯片（1)的引腳焊盤（8 )，所述鈍 化層（7)與圖像傳感芯片（1)相背的表面具有金屬導(dǎo)電圖形層（9)，一防焊層（10)位于金屬 導(dǎo)電圖形層（9)與鈍化層（7)相背的表面，此防焊層（10)上開有若干個(gè)通孔（11)，一焊球 (12)通過所述通孔（11)與金屬導(dǎo)電圖形層（9)電連接，所述支撐圍堰（4)由上下疊放的第 一支撐圍堰層（41)和第二支撐圍堰層（42)組成，此第一支撐圍堰層（41)與透明蓋板（2) 接觸，此第二支撐圍堰層（42)與圖像傳感芯片（1)接觸，所述第二支撐圍堰層（42)內(nèi)側(cè)面 具有若干個(gè)連續(xù)排列的V形缺口（14)，所述第二支撐圍堰層（42)四個(gè)拐角處均設(shè)有弧形缺 口（15)。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件晶圓級(jí)封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述支撐圍堰 (4)厚度為20?50微米。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件晶圓級(jí)封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述支撐圍堰 (4)寬度為200?300微米。
【文檔編號(hào)】H01L23/31GK203871312SQ201420256804
【公開日】2014年10月8日 申請(qǐng)日期:2014年5月20日 優(yōu)先權(quán)日:2014年5月20日
【發(fā)明者】賴芳奇, 張志良, 呂軍, 陳 勝 申請(qǐng)人:蘇州科陽光電科技有限公司