一種磁芯結(jié)構(gòu)以及具有該磁芯結(jié)構(gòu)的電抗器的制造方法
【專利摘要】本實(shí)用新型涉及電抗器及其磁芯結(jié)構(gòu)，更具體地說，涉及一種磁芯結(jié)構(gòu)以及具有該磁芯結(jié)構(gòu)的電抗器；該磁芯結(jié)構(gòu)，包括由金屬磁粉芯和非晶塊構(gòu)成的磁路；具體的，所述磁芯結(jié)構(gòu)包括至少兩根由金屬磁粉芯制成的中柱、以及由非晶塊制成的上軛和下軛，所述上軛位于所述中柱的上端，所述下軛位于所述中柱的下端，所述中柱、上軛和下軛構(gòu)成所述磁路；在該磁芯結(jié)構(gòu)中，由金屬磁粉芯和非晶塊組合構(gòu)成磁路，可以進(jìn)一步降低磁芯的損耗、減小磁芯的整體尺寸，并能夠降低成本。
【專利說明】一種磁芯結(jié)構(gòu)以及具有該磁芯結(jié)構(gòu)的電抗器

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本實(shí)用新型涉及電抗器及其磁芯結(jié)構(gòu)，更具體地說，涉及一種磁粉芯與非晶塊在 同一磁路的磁芯結(jié)構(gòu)，以及具有該磁芯結(jié)構(gòu)的電抗器。

【背景技術(shù)】
[0002] 電抗器，也稱之為電感器，在傳統(tǒng)的UPS等逆變器中，單相或三相電抗器的磁芯一 般由硅鋼或磁粉芯等單一材質(zhì)構(gòu)成。
[0003] 采用硅鋼制作的電抗器的磁芯，由于硅鋼的磁導(dǎo)率高，初始磁導(dǎo)率在5000以上， 采用較少的線圈匝數(shù)，在磁芯的中柱加分段氣隙等方式，即可做到所要求的電感值。但由于 氣隙集中在中柱的幾個(gè)位置上，導(dǎo)致磁芯的整體損耗較大，聲頻范圍的噪音大，需要降低工 作磁通密度才可以降低噪音。
[0004] 采用金屬磁粉芯制作的電抗器的磁芯，一般采用較小的磁粉芯長方體棒拼接成較 大的尺寸的磁芯。這種磁芯結(jié)構(gòu)使得氣隙均勻分布在整個(gè)磁路中，磁芯的整體損耗和噪音 都相對(duì)較小，但由于金屬磁粉芯的導(dǎo)磁率較低，有效磁導(dǎo)率為10?
[0005] 125,相同的線圈匝數(shù)，只能獲得較小的電感量，為了獲得足夠的電感量，需要增加 磁芯的結(jié)構(gòu)尺寸才可以達(dá)到要求的電感量。
[0006] 為了降低磁芯的損耗、降低噪音，減小磁芯的整體尺寸，中國實(shí)用新型專利CN 202487347U提供了一種磁芯結(jié)構(gòu)，其磁路由金屬磁粉芯和硅鋼構(gòu)成，但是該磁芯結(jié)構(gòu)的損 耗仍然較高、尺寸也仍然較大，而且成本較高。
[0007] 現(xiàn)有技術(shù)中還未見采用金屬磁粉芯和非晶塊構(gòu)成的磁路的磁芯結(jié)構(gòu)。 實(shí)用新型內(nèi)容
[0008] 為解決上述問題，本實(shí)用新型的目的在于提供一種磁芯結(jié)構(gòu)以及具有該磁芯結(jié)構(gòu) 的電抗器，在該磁芯結(jié)構(gòu)中，由金屬磁粉芯和非晶塊組合構(gòu)成磁路，可以進(jìn)一步降低磁芯的 損耗、減小磁芯的整體尺寸，并能夠降低成本。
[0009] 本實(shí)用新型解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是：一種磁芯結(jié)構(gòu)，包括由金屬磁 粉芯和非晶塊構(gòu)成的磁路。
[0010] 優(yōu)化的，所述磁芯結(jié)構(gòu)包括至少兩根由金屬磁粉芯制成的中柱、以及由非晶塊制 成的上軛和下軛，所述上軛位于所述中柱的上端，所述下軛位于所述中柱的下端，所述中 柱、上軛和下軛構(gòu)成所述磁路。
[0011] 優(yōu)化的，所述磁芯結(jié)構(gòu)包括兩根中柱。
[0012] 優(yōu)化的，所述上軛貼在所述中柱的上端的端面上，所述下軛貼在所述中柱的下端 的端面上。
[0013] 優(yōu)化的，所述上軛位于兩個(gè)所述中柱的上端之間，所述下軛位于兩個(gè)所述中柱的 下端之間。
[0014] 優(yōu)化的，所述中柱由金屬磁粉芯棒粘接而成。
[0015] 優(yōu)化的，所述上軛和下軛由非晶片層疊而成。
[0016] 本實(shí)用新型提供的一種電抗器，包括上述任何一種磁芯結(jié)構(gòu)，以及環(huán)繞所述磁路 的多匝線圈。
[0017] 使用本實(shí)用新型的磁芯結(jié)構(gòu)以及具有該磁芯結(jié)構(gòu)的電抗器，具有以下有益效果： 本實(shí)用新型的磁芯結(jié)構(gòu)通過將金屬磁粉芯和非晶塊共同建立在同一磁路上，可以在保持較 高的電感量、較低的噪音的基礎(chǔ)上，進(jìn)一步降低具有該磁芯的電抗器的損耗、減小電抗器的 整體尺寸、降低成本。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0018] 圖1為本實(shí)用新型實(shí)施例中提供的磁芯結(jié)構(gòu)的示意圖。
[0019] 1、上軛；2、下軛；3、中柱。

【具體實(shí)施方式】
[0020] 下面結(jié)合附圖和實(shí)施方式具體說明本實(shí)用新型。 實(shí)施例
[0021] 本實(shí)施例提供的磁芯結(jié)構(gòu)，包括由金屬磁粉芯和非晶塊構(gòu)成的磁路。
[0022] 其中，所述磁芯結(jié)構(gòu)包括兩根由金屬磁粉芯制成的中柱、以及由非晶塊制成的上 軛和下軛，所述上軛位于所述中柱的上端，所述下軛位于所述中柱的下端，所述中柱、上軛 和下軛構(gòu)成所述磁路。
[0023] 其中，所述上軛貼在所述中柱的上端的端面上，所述下軛貼在所述中柱的下端的 端面上。
[0024] 其中，所述中柱由金屬磁粉芯棒粘接而成，每個(gè)中柱均采用3個(gè)鐵硅磁粉芯棒粘 接而成，每個(gè)磁粉芯棒規(guī)格為0 60*30。
[0025] 其中，所述上軛和下軛由非晶片層疊而成，非晶片的材質(zhì)為鐵基非晶帶材。
[0026] 本實(shí)用新型提供的電抗器，包括上述任一種磁芯結(jié)構(gòu)，以及環(huán)繞所述磁路的26匝 線圈。
[0027] 對(duì)比例
[0028] 本對(duì)比例提供的磁芯結(jié)構(gòu)，包括由金屬磁粉芯和硅鋼構(gòu)成的磁路。
[0029] 其中，所述磁芯結(jié)構(gòu)包括兩根由金屬磁粉芯制成的中柱、以及由硅鋼制成的上軛 和下軛，所述上軛位于所述中柱的上端，所述下軛位于所述中柱的下端，所述中柱、上軛和 下軛構(gòu)成所述磁路。
[0030] 其中，所述上軛貼在所述中柱的上端的端面上，所述下軛貼在所述中柱的下端的 端面上。
[0031] 其中，所述中柱由金屬磁粉芯棒粘接而成，每個(gè)中柱均采用3個(gè)鐵硅磁粉芯棒粘 接而成，每個(gè)磁粉芯棒規(guī)格為0 60*30。
[0032] 其中，所述上軛和下軛由硅鋼片層疊而成。
[0033] 本實(shí)用新型提供的電抗器，包括上述任一種磁芯結(jié)構(gòu)，以及環(huán)繞所述磁路的26匝 線圈。
[0034] 為了驗(yàn)證本實(shí)用新型的性能，將實(shí)施例和對(duì)比例中的組合體，在相同條件下，線包 相同，測試環(huán)境相同，分別測試器電感量、損耗，并測量電抗器的體積，并將上述樣品和對(duì)比 樣的數(shù)據(jù)和結(jié)果記錄在表1中。
[0035] 表 1

【權(quán)利要求】
1. 一種磁芯結(jié)構(gòu)，其特征在于：包括由金屬磁粉芯和非晶塊構(gòu)成的磁路；所述磁芯結(jié) 構(gòu)包括至少兩根由金屬磁粉芯制成的中柱、以及由非晶塊制成的上軛和下軛，所述上軛位 于所述中柱的上端，所述下軛位于所述中柱的下端，所述中柱、上軛和下軛構(gòu)成所述磁路。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁芯結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述磁芯結(jié)構(gòu)包括兩根中柱。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的磁芯結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述上軛貼在所述中柱的上端 的端面上，所述下軛貼在所述中柱的下端的端面上。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的磁芯結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述上軛位于兩個(gè)所述中柱的 上端之間，所述下軛位于兩個(gè)所述中柱的下端之間。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁芯結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述中柱由金屬磁粉芯棒粘接而成。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁芯結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述上軛和下軛由非晶片層疊而成。
7. -種電抗器，其特征在于，包括如權(quán)利要求1至6任一項(xiàng)所述磁芯結(jié)構(gòu)，以及環(huán)繞所 述磁路的多匝線圈。
【文檔編號(hào)】H01F27/24GK204155715SQ201420175356
【公開日】2015年2月11日 申請(qǐng)日期:2014年4月11日 優(yōu)先權(quán)日:2014年4月11日
【發(fā)明者】曾平, 王建剛 申請(qǐng)人:青島云路新能源科技有限公司