一種用于半導體封裝的劃片的制作方法
【專利摘要】本實用新型公開一種用于半導體封裝的劃片，在晶圓的劃片街區(qū)內(nèi)貼附有薄膜，該薄膜寬度小于劃片街區(qū)，且與芯片邊緣的密封圈不重疊，同時，該劃片街區(qū)內(nèi)還設(shè)有至少一個通孔。該薄膜降低正面崩角和背面崩角的出現(xiàn)率，且防止晶圓切割時正面崩角和背面崩角進入芯片邊緣的密封圈。該薄膜可貫通整個劃片街區(qū)，也可與芯片的寬度相同。通孔的設(shè)置，可進一步方便切割晶圓。
【專利說明】—種用于半導體封裝的劃片
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型屬于半導體器件制造領(lǐng)域，具體涉及一種半導體封裝的劃片，尤其是S0T-23 (貼片式雙二極管)的劃片結(jié)構(gòu)。
【背景技術(shù)】
[0002]在一個晶圓上，通常有幾百個至數(shù)千個芯片連在一起。它們之間留有80 μ m至150 μ m的間隙，此間隙被稱之為劃片街區(qū)(Saw Street)。將每一個具有獨立電氣性能的芯片分離出來的過程叫做劃片或切割(Dicing Saw)ο目前，機械式金剛石切割是劃片工藝的主流技術(shù)。在這種切割方式下，金剛石刀片(Diamond Blade)以每分鐘3萬轉(zhuǎn)到4萬轉(zhuǎn)的高轉(zhuǎn)速切割晶圓的街區(qū)部分，同時，承載著晶圓的工作臺以一定的速度沿刀片與晶圓接觸點的切線方向呈直線運動，切割晶圓產(chǎn)生的娃屑被去離子水(DI water)沖走。
[0003]現(xiàn)有技術(shù)中，晶圓劃片工藝具有很多的質(zhì)量缺陷，例如崩角，因為硅材料的脆性，機械切割方式會對晶圓的正面和背面產(chǎn)生機械應(yīng)力，結(jié)果在芯片的邊緣產(chǎn)生正面崩角及背面崩角。正面崩角和背面崩角會降低芯片的機械強度，初始的芯片邊緣裂隙在后續(xù)的封裝工藝中或在產(chǎn)品的使用中會進一步擴散，從而可能引起芯片斷裂，導致電性實效。
實用新型內(nèi)容
[0004]因此，針對上述的問題，本實用新型提出一種用于半導體封裝的劃片，對現(xiàn)有的劃片街區(qū)的結(jié)構(gòu)進行改進，降低正面崩角或背面崩角的出現(xiàn)概率，從而解決現(xiàn)有技術(shù)之不足。
[0005]為了解決上述技術(shù)問題，本實用新型所采用的技術(shù)方案是，一種用于半導體封裝的劃片，在晶圓的劃片街區(qū)內(nèi)貼附有薄膜，該薄膜寬度小于劃片街區(qū)，且與芯片邊緣的密封圈不重疊，同時，該劃片街區(qū)內(nèi)還設(shè)有至少一個通孔。該薄膜降低正面崩角和背面崩角的出現(xiàn)率，且防止晶圓切割時正面崩角和背面崩角進入芯片邊緣的密封圈。該薄膜可貫通整個劃片街區(qū)，也可與芯片的寬度相同。通孔的設(shè)置，可進一步方便切割晶圓。
[0006]進一步的，所述薄膜是硅薄膜，所述通孔為硅通孔。使用硅薄膜，可起到保護層的作用；使用硅通孔，芯片的一側(cè)的電極可通過該硅通孔弓I至另一側(cè)。
[0007]更進一步的，所述薄膜包括疊放的硅薄膜和硅膠薄膜，硅膠薄膜位于硅薄膜的上層，從而減少切割晶圓時產(chǎn)生的硅屑。
[0008]更進一步的，所述通孔的直徑等于薄膜的寬度，且通孔設(shè)于薄膜上。這樣，更方便了晶圓的切割，降低了正面崩角或背面崩角的出現(xiàn)概率。
[0009]本實用新型通過上述結(jié)構(gòu)，對現(xiàn)有的劃片街區(qū)的結(jié)構(gòu)進行改進，通過硅薄膜的設(shè)置，金剛石刀片在進行晶圓劃片時，降低正面崩角或背面崩角的出現(xiàn)概率；通過硅膠薄膜的設(shè)置，減少切割晶圓時產(chǎn)生的硅屑；通過通孔的設(shè)置，方便了晶圓的切割，且該通孔為硅通孔時，芯片的一側(cè)的電極可通過該硅通孔引至另一側(cè)，大大提高了板子的利用率。
【專利附圖】

【附圖說明】[0010]圖1為本實用新型的實施例1的劃片示意圖；
[0011]圖2為本實用新型的實施例2的劃片示意圖；
[0012]圖3為本實用新型的實施例3的劃片示意圖；
[0013]圖4為S0T-23的管腳示意圖；
[0014]圖5為S0T-23的管腳原理圖；
[0015]圖6為現(xiàn)有技術(shù)中S0T-23的內(nèi)部結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實施方式】
[0016]現(xiàn)結(jié)合附圖和【具體實施方式】對本實用新型進一步說明。
[0017]實施例1
[0018]參見圖1，本實施例中，本實用新型的方案如下:一種用于半導體封裝的劃片，在晶圓I的劃片街區(qū)內(nèi)貼附有薄膜2，該薄膜2寬度小于劃片街區(qū)，且與芯片邊緣的密封圈不重疊，同時，該劃片街區(qū)內(nèi)還設(shè)有至少一個通孔3。
[0019]本實施例中，該薄膜2的設(shè)置與芯片的寬度相同，防止劃片街區(qū)交叉貼敷時出現(xiàn)層疊。另外，通孔3設(shè)置在相鄰兩個芯片之間的劃片街區(qū)的中間部位。
[0020]實施例2
[0021]參見圖2，本實施例中，薄膜2的設(shè)置是貫通整個劃片街區(qū)，兩個縱橫劃片街區(qū)的相交處，薄膜2也同樣相交，該制作方法簡單，節(jié)省工藝步驟。本實施例中，通孔3設(shè)置在相鄰兩個芯片之間的劃片街區(qū)的中間部位。
[0022]實施例3
[0023]參見圖3，本實施例中，薄膜2的設(shè)置是貫通整個劃片街區(qū)，兩個縱橫劃片街區(qū)的相交處，薄膜2也同樣相交。為了進一步方便切割，相鄰兩個芯片之間可設(shè)置有多個通孔，本實施例中，相鄰兩個芯片之間設(shè)置有3個通孔3。
[0024]上述實施例中，薄膜2降低正面崩角和背面崩角的出現(xiàn)率，且防止晶圓I切割時正面崩角和背面崩角進入芯片邊緣的密封圈。通孔3的設(shè)置，可進一步方便切割晶圓I。
[0025]另外，作為一個可行的方案，上述實施例中的薄膜2是硅薄膜，所述通孔3為硅通孔。使用硅薄膜，可起到保護層的作用；使用硅通孔，芯片的一側(cè)的電極可通過該硅通孔引至另一側(cè)。
[0026]另外，作為另外一個可行的方案，所述薄膜2包括疊放的硅薄膜和硅膠薄膜，硅膠薄膜位于硅薄膜的上層，從而減少切割晶圓時產(chǎn)生的硅屑。
[0027]同時，上述實施例中的通孔3的直徑等于薄膜2的寬度，且通孔3設(shè)于薄膜2上。這樣，更方便了晶圓I的切割，降低了正面崩角或背面崩角的出現(xiàn)概率。
[0028]本實用新型的結(jié)構(gòu)可應(yīng)用于二極管或者晶體管。作為一個應(yīng)用實例，對于貼片式雙二極管S0T-23，參照圖4和圖5，其包括一個陰極管腳11和兩個陽極管腳(標號分別為12和13)，該貼片式雙二極管S0T-23的內(nèi)部結(jié)構(gòu)圖如圖6所示，其粘片板14上設(shè)有第一芯片15和第二芯片16，在具體制作時，以現(xiàn)有的劃片技術(shù)，需要在粘片板上貼兩次來實現(xiàn)兩粒芯片的粘貼，芯片粘貼后，再進行其他封裝步驟，其生產(chǎn)效率低，容易造成粘片過程中的不良，給用戶帶來諸多不便。利用本實用新型的劃片結(jié)構(gòu)，同時再配合劃片工藝及貼片工藝，采用劃雙芯片以及粘雙芯片最終實現(xiàn)兩粒芯片一次性粘片。由此可見，采用本實用新型的上述結(jié)構(gòu)，與現(xiàn)有技術(shù)相比，具有如下好處:1、通過兩粒芯片一次性粘片，從而使粘片機的生產(chǎn)效率提高200%，同時減少了設(shè)備耗材的使用量，為企業(yè)實現(xiàn)了可觀的經(jīng)濟效益；2、通過兩粒芯片一次性粘片，有效的降低了粘片過程中的不良，提高了工藝安全值；3、通過兩粒芯片的劃片，使劃片長度減短，從而有效的減少了劃片的成本，并有效的提高了劃片的效率?？梢姡緦嵱眯滦偷慕Y(jié)構(gòu)具有很好的實用性。
[0029]盡管結(jié)合優(yōu)選實施方案具體展示和介紹了本實用新型，但所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)該明白，在不脫離所附權(quán)利要求書所限定的本實用新型的精神和范圍內(nèi)，在形式上和細節(jié)上可以對本實用新型做出各種變化，均為本實用新型的保護范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種用于半導體封裝的劃片，其特征在于:在晶圓的劃片街區(qū)內(nèi)貼附有薄膜，該薄膜寬度小于劃片街區(qū)，且與芯片邊緣的密封圈不重疊，同時，該劃片街區(qū)內(nèi)還設(shè)有至少一個通孔。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于半導體封裝的劃片，其特征在于:所述薄膜是硅薄膜，所述通孔為硅通孔。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于半導體封裝的劃片，其特征在于:所述薄膜包括疊放的硅薄膜和硅膠薄膜，硅膠薄膜位于硅薄膜的上層。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2或3所述的用于半導體封裝的劃片，其特征在于:所述通孔的直徑等于薄膜的寬度，且通孔設(shè)于薄膜上。
【文檔編號】H01L23/31GK203774284SQ201420150587
【公開日】2014年8月13日 申請日期:2014年3月31日 優(yōu)先權(quán)日:2014年3月31日
【發(fā)明者】陳林, 朱仕鎮(zhèn), 韓壯勇, 鄭天鳳, 朱文鋒, 任書克, 劉志華, 曹丙平, 王鵬飛, 周貝貝, 張團結(jié), 朱海濤, 呂小獎 申請人:深圳市三聯(lián)盛半導體有限公司