一種高頻線屏蔽材料結構的制作方法
【專利摘要】本實用新型公開了一種高頻線屏蔽材料結構，包括導電箔本體，所述導電箔本體的正端面包括一絕緣邊、導電面和雙面導電邊，導電面位于絕緣邊與雙面導電邊的中間，所述導電箔本體的背面包括一絕緣邊、絕緣面和雙面導電邊，所述絕緣面位于絕緣邊與雙面導電邊的中間；本實用新型采用一種一體式單面導電一邊單面絕緣另一邊雙面導電的新型屏蔽材料的結構來實現(xiàn)屏蔽生產(chǎn)時產(chǎn)生的無法克服的訊號屏蔽干擾，實現(xiàn)全屏蔽功能，生產(chǎn)加工方便。
【專利說明】一種高頻線屏蔽材料結構
【技術領域】
[0001]本實用新型涉及一種高頻線屏蔽材料結構。
【背景技術】
[0002]目前高頻線的屏蔽采用導電箔加絕緣透明帶5(圖1、圖2、圖3)和一體式單面導電雙邊絕緣鋁箔兩種材料(附圖4、圖5)。包帶方式采用繞包和直包兩種方式(圖6和圖7)。屏蔽是由屏蔽箔包覆(屏蔽箔相互重合而實現(xiàn))。
[0003]在直包或繞包時屏蔽箔相接合處，兩層導電箔被絕緣層分開(圖6和圖7)，從而形成了一個訊號漏洞。當有屏蔽訊號通過時(由于屏蔽箔上下兩層沒有導通一金屬箔和絕緣帶的一面)屏蔽箔上下兩層之間沒有導通。是屏蔽訊號傳遞到線材內(nèi)外部對相鄰的訊號對產(chǎn)生干擾。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本實用新型所要解決的技術問題是提供一種采用一種一體式單面導電一邊單面絕緣另一邊雙面導電的高頻線屏蔽材料結構。
[0005]本實用新型是通過以下技術方案來實現(xiàn)的:一種高頻線屏蔽材料結構，其特征在于:包括導電箔本體，所述導電箔本體的正端面包括一絕緣邊、導電面和雙面導電邊，導電面位于絕緣邊與雙面導電邊的中間，所述導電箔本體的的背面包括一絕緣邊、絕緣面和雙面導電邊，所述絕緣面位于絕緣邊與雙面導電邊的中間。
[0006]本實用新型的有益效果是:本實用新型采用一種一體式單面導電一邊單面絕緣另一邊雙面導電的新型屏蔽材料的結構來實現(xiàn)屏蔽生產(chǎn)時產(chǎn)生的無法克服的訊號屏蔽干擾，實現(xiàn)全屏蔽功能，生產(chǎn)加工方便。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0007]為了易于說明，本實用新型由下述的具體實施例及附圖作以詳細描述。
[0008]圖1為導電箔導電箔正面結構示意圖；
[0009]圖2為導電箔背面結構示意圖；
[0010]圖3為透明絕緣帶結構示意圖；
[0011]圖4為單面導電雙邊絕緣鋁箔的正面結構示意圖；
[0012]圖5為單面導電雙邊絕緣鋁箔的背面結構示意圖；
[0013]圖6為傳統(tǒng)直包的結構示意圖；
[0014]圖7為傳統(tǒng)繞包的結構示意圖；
[0015]圖8為本實用新型的導電箔的正面結構示意圖；
[0016]圖9為本實用新型導電箔的反面背部結構示意圖；
[0017]圖10為改進后的繞包的結構示意圖；
[0018]圖11為改進后的直包結構示意圖?！揪唧w實施方式】
[0019]實施例1
[0020]如圖8和圖9所示，一種一體式單面導電一邊單面絕緣另一邊雙面導電的新型屏蔽材料結構，包括導電箔本體，所述導電箔本體的正端面包括一絕緣邊1、導電面2和雙面導電邊3，導電面2位于絕緣邊I與雙面導電邊3的中間，所述導電箔本體的的背面包括一絕緣邊1、絕緣面4和雙面導電邊3,所述絕緣面4位于絕緣邊I與雙面導電邊3的中間。
[0021]實施例二
[0022]如圖10和圖11所示，繞包方式中，包括相鄰間的導電面，兩導電面之間設有雙面導電邊3 ；
[0023]直包方式中，包括上下面間的導電面，兩導電面間設有雙面導電邊。
[0024]本實用新型采用一種一體式單面導電一邊單面絕緣另一邊雙面導電的新型屏蔽材料的結構來實現(xiàn)屏蔽生產(chǎn)時產(chǎn)生的無法克服的訊號屏蔽干擾，實現(xiàn)全屏蔽功能，生產(chǎn)加工方便。
[0025]以上所述，僅為本實用新型的【具體實施方式】，但本實用新型的保護范圍并不局限于此，任何不經(jīng)過創(chuàng)造性勞動想到的變化或替換，都應涵蓋在本實用新型的保護范圍之內(nèi)。因此，本實用新型的保護范圍應該以權利要求書所限定的保護范圍為準。
【權利要求】
1.一種高頻線屏蔽材料結構，其特征在于:包括導電箔本體，所述導電箔本體的正端面包括一絕緣邊、導電面和雙面導電邊,導電面位于絕緣邊與雙面導電邊的中間,所述導電箔本體的的背面包括一絕緣邊、絕緣面和雙面導電邊，所述絕緣面位于絕緣邊與雙面導電邊的中間。
【文檔編號】H01B7/17GK203733502SQ201420125937
【公開日】2014年7月23日 申請日期:2014年3月19日 優(yōu)先權日:2014年3月19日
【發(fā)明者】王建彬 申請人:深圳市鵬毅實業(yè)有限公司