一種雙二極管串聯(lián)連接的器件的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型屬于半導(dǎo)體元器件制造領(lǐng)域，特別是一種雙二極管串聯(lián)連接的器件，包括二極管芯片、載芯板、引線框架、引腳和塑封，所述二極管芯片包括左芯片和右芯片，左芯片的陰極通過(guò)背面金屬和焊料與載芯板連接，左芯片的陽(yáng)極通過(guò)焊料和第一引線與第一引腳連接；右芯片的陰極通過(guò)背面金屬、焊料和第二引線與第三引腳連接，右芯片的陽(yáng)極通過(guò)焊料、銅柱與載芯板連接；所述的載芯板與第二引腳連接。本實(shí)用新型可以有效提高半導(dǎo)體器件集成度，提高客戶裝配效率，降低制造和使用成本。
【專利說(shuō)明】一種雙二極管串聯(lián)連接的器件
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型屬于半導(dǎo)體元器件制造領(lǐng)域，特別是一種雙二極管串聯(lián)連接的器件?！颈尘凹夹g(shù)】
[0002]目前，半導(dǎo)體二極管封裝的芯片結(jié)構(gòu)基本都是正面為陽(yáng)極，背面為陰極。在封裝時(shí)一般的做法是:通過(guò)焊料將芯片陰極粘結(jié)在引線框架的載芯板上，引線框架與第二引腳相連，芯片陽(yáng)極則通過(guò)內(nèi)引線分別與第一引腳、第三引腳相連。對(duì)于功率較大的二極管來(lái)說(shuō)，因?yàn)槭芊庋b體載芯板粘片區(qū)域的限制，目前只有兩種布片方式:其一是單二極管布片方式，使第二引腳為陰極，第一引腳或第三引腳為陽(yáng)極；其二是雙二極管共陰極布片方式，使第二引腳4為左芯片1、右芯片2的共同陰極，使第一引腳3與左芯片I的陽(yáng)極連接，第三引腳5與右芯片2的陽(yáng)極連接(參見(jiàn)附圖1和2)。但對(duì)于兩個(gè)二極管串聯(lián)的連接要求，尚無(wú)雙二極管整體封裝的半導(dǎo)體器件，目前應(yīng)用端只能通過(guò)使用兩個(gè)單二極管在外部再連線實(shí)現(xiàn)，這樣做會(huì)占用較多的整機(jī)空間，生產(chǎn)裝配效率低、綜合成本高。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0003]本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問(wèn)題在于，針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)存在的半導(dǎo)體二極管串聯(lián)占用整機(jī)空間較大，裝配效率低、成本高的問(wèn)題，提供一種實(shí)現(xiàn)雙二極管在單個(gè)封裝體內(nèi)串聯(lián)連接的器件。
[0004]本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問(wèn)題是通過(guò)如下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的:
[0005]一種雙二極管串聯(lián)連接的器件，包括二極管芯片、載芯板、引線框架、引腳和塑封，所述二極管芯片包括左芯片和右芯片，所述左芯片的陰極通過(guò)背面金屬和焊料與載芯板連接，所述左芯片的陽(yáng)極通過(guò)焊料和第一引線與第一引腳連接；所述的右芯片的陰極通過(guò)背面金屬、焊料和第二引線與第三引腳連接，所述右芯片的陽(yáng)極通過(guò)焊料、銅柱與載芯板連接；所述的載芯板與第二引腳連接。
[0006]具體地，第一引線和第二引線為第一銅橋和第二銅橋，所述銅橋的斷面形狀為矩形，所述矩形的長(zhǎng)度小于等于對(duì)應(yīng)引腳寬度，矩形的高度小于等于對(duì)應(yīng)引腳的厚度。
[0007]所述銅柱的表面形狀為矩形，所述矩形邊長(zhǎng)的長(zhǎng)度為所述芯片的對(duì)應(yīng)邊長(zhǎng)長(zhǎng)度的75%至85%，銅柱的厚度為450 μ m至550 μ m。
[0008]本實(shí)用新型可以有效提高半導(dǎo)體器件集成度，提高客戶裝配效率，降低制造和使用成本。
[0009]下面結(jié)合附圖和【具體實(shí)施方式】對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步詳細(xì)的說(shuō)明。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0010]圖1為共陰極雙二極管芯片的半導(dǎo)體器件電路示意圖；
[0011]圖2為共陰極雙二極管芯片的半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)示意圖；
[0012]圖3本實(shí)用新型串聯(lián)雙二極管芯片的半導(dǎo)體器件的電路示意圖；[0013]圖4本實(shí)用新型串聯(lián)雙二極管芯片的半導(dǎo)體器件的正面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0014]圖5本實(shí)用新型串聯(lián)雙二極管芯片的半導(dǎo)體器件的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0015]圖6本實(shí)用新型的半導(dǎo)體器件外形示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0016]圖3本實(shí)用新型串聯(lián)雙二極管芯片的半導(dǎo)體器件的電路示意圖，圖4本實(shí)用新型串聯(lián)雙二極管芯片的半導(dǎo)體器件的正面結(jié)構(gòu)示意圖，圖5本實(shí)用新型半導(dǎo)體器件的剖面結(jié)構(gòu)示意圖，圖6本實(shí)用新型的半導(dǎo)體器件外形示意圖。如圖3至圖6所示，包括二極管芯片、載芯板、引線框架、引腳和塑封，二極管芯片包括左芯片I和右芯片2，左芯片I的陰極通過(guò)背面金屬1.1和焊料6與載芯板7連接，左芯片I的陽(yáng)極通過(guò)焊料8和第一銅橋9與第一引腳3連接；右芯片2的陰極通過(guò)背面金屬2.1、焊料10和第二銅橋11與第三引腳5連接，右芯片2的陽(yáng)極通過(guò)焊料12、銅柱13和焊料14與載芯板7連接；載芯板7與第二引腳4連接。
[0017]上述的第一銅橋9和第二銅橋11的斷面形狀為矩形，銅橋矩形斷面的長(zhǎng)度小于等于對(duì)應(yīng)引腳寬度，銅橋矩形斷面的高度即銅橋的厚度小于等于對(duì)應(yīng)引腳的厚度，對(duì)應(yīng)T0-220或者T0-3P封裝元件，銅橋厚度取0.5mm至0.6mm。使用銅橋即銅片作為內(nèi)引線的優(yōu)點(diǎn)是:1、可有效避免常規(guī)焊線工藝中容易出現(xiàn)的虛焊、壓傷問(wèn)題，2、與芯片的接觸面積更大，接觸電阻更小，從而有利于提高導(dǎo)電和散熱能力。
[0018]上述的銅柱13的表面形狀為矩形，所述矩形邊長(zhǎng)的長(zhǎng)度為右芯片2的對(duì)應(yīng)邊長(zhǎng)長(zhǎng)度的75%至85%，使銅柱13的表面面積比右芯片2表面面積略小但不可過(guò)小，否則工藝控制難度較高，且散熱能力會(huì)減弱。所述銅柱的厚度為450 μ m至550 μ m, 一般取500 μ m,銅柱13的高度不能過(guò)高，過(guò)高會(huì)加大生產(chǎn)難度，甚至導(dǎo)致銅橋高出塑封表面。采用銅柱的優(yōu)點(diǎn)是因?yàn)殂~的導(dǎo)電能力好，可以使芯片與載芯板有較好的接觸。
[0019]本實(shí)用新型的半導(dǎo)體器件的制作過(guò)程是:首先按常規(guī)方法粘左芯片1，在載芯板7上點(diǎn)焊料6，將左芯片I陰極朝下粘結(jié)在焊料6上；然后粘結(jié)右芯片2，同樣在載芯板7上點(diǎn)焊料14，將銅柱13粘在焊料14上，然后在銅柱13的上方點(diǎn)焊料12，將右芯片2陽(yáng)極朝下粘在銅柱13上方。然后在左右兩個(gè)芯片上方即左芯片I的陽(yáng)極、右芯片2的陰極上分別點(diǎn)焊料9和焊料10，同時(shí)在第一引腳3和第三引腳4的焊線區(qū)分別點(diǎn)焊料，將第一銅橋9與左芯片I陽(yáng)極和第一引腳3焊接連接，將第二銅橋11與右芯片2陰極和第三引腳5焊接連接。最后通過(guò)注塑機(jī)將芯片和載芯板、引線框架包封起來(lái)，實(shí)現(xiàn)雙二極管的串聯(lián)連接。
[0020]本實(shí)用新型可以有效提高半導(dǎo)體器件集成度，提高客戶裝配效率，降低制造和使用成本。
【權(quán)利要求】
1.一種雙二極管串聯(lián)連接的器件，其特征是，包括二極管芯片、載芯板、引線框架、引腳和塑封，所述二極管芯片包括左芯片和右芯片，所述左芯片的陰極通過(guò)背面金屬和焊料與載芯板連接，所述左芯片的陽(yáng)極通過(guò)焊料和第一引線與第一引腳連接；所述的右芯片的陰極通過(guò)背面金屬、焊料和第二引線與第三引腳連接，所述右芯片的陽(yáng)極通過(guò)焊料、銅柱與載芯板連接；所述的載芯板與第二引腳連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙二極管串聯(lián)連接的器件，其特征是，所述的第一引線和第二引線為第一銅橋和第二銅橋，所述銅橋的斷面形狀為矩形，所述矩形的長(zhǎng)度小于等于對(duì)應(yīng)引腳寬度，所述矩形的高度小于等于對(duì)應(yīng)引腳的厚度。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙二極管串聯(lián)連接的器件，其特征是，所述銅柱的表面形狀為矩形，所述矩形邊長(zhǎng)的長(zhǎng)度為所述芯片的對(duì)應(yīng)邊長(zhǎng)長(zhǎng)度的75%至85%。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的雙二極管串聯(lián)連接的器件，其特征是，所述銅柱的厚度為.450 μ m 至 550 μ m。
【文檔編號(hào)】H01L23/495GK203721720SQ201420109032
【公開(kāi)日】2014年7月16日 申請(qǐng)日期:2014年3月11日 優(yōu)先權(quán)日:2014年3月11日
【發(fā)明者】楊林, 嚴(yán)向陽(yáng), 張國(guó)光, 徐慶文, 張國(guó)俊 申請(qǐng)人:佛山市藍(lán)箭電子股份有限公司