一種能夠回收再利用的襯底的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型提出了一種能夠回收再利用的襯底，包括：生長襯底和預(yù)置轉(zhuǎn)換層，所述預(yù)置轉(zhuǎn)換層能夠?qū)⑺錾L襯底轉(zhuǎn)換為透明襯底。本實(shí)用新型的生長襯底可以重復(fù)利用，節(jié)省成本；同時(shí)生長襯底的As不會帶入后續(xù)工藝流程，降低工業(yè)廢水的污染治理成本，使得其具有明顯的技術(shù)先進(jìn)性和良好的經(jīng)濟(jì)效益。
【專利說明】一種能夠回收再利用的襯底
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及LED領(lǐng)域，特別是指一種能夠回收再利用的襯底。
【背景技術(shù)】
[0002]現(xiàn)有發(fā)光器件的外延結(jié)構(gòu)的制備過程中，將生長襯底一次性使用，或者將其直接作為外延結(jié)構(gòu)的襯底形成產(chǎn)品，或者將其磨薄后隨外延結(jié)構(gòu)形成產(chǎn)品。生長襯底大都作為外延結(jié)構(gòu)產(chǎn)品的一部分。
[0003]目前常規(guī)使用的紅黃光外延結(jié)構(gòu)生長襯底是GaAs，使用這種生長襯底的外延結(jié)構(gòu)產(chǎn)品則會含砷。在使用這種生長襯底的外延結(jié)構(gòu)的制備過程中，如果應(yīng)用了生長襯底減薄工藝，則工業(yè)廢水中將含有GaAs顆粒，增加了工業(yè)廢水的污染，同時(shí)提高了企業(yè)排污和廢水處理的成本。
[0004]本實(shí)用新型中能夠回收再利用的襯底使得其具有明顯的技術(shù)先進(jìn)性和良好的經(jīng)濟(jì)效益。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0005]本實(shí)用新型提出一種能夠回收再利用的襯底，解決了現(xiàn)有技術(shù)中生長襯底無法重復(fù)使用使得成本增加、造成環(huán)境污染的問題。
[0006]本實(shí)用新型的技術(shù)方案是這樣實(shí)現(xiàn)的:一種能夠回收再利用的襯底，包括:生長襯底和預(yù)置轉(zhuǎn)換層，所述預(yù)置轉(zhuǎn)換層能夠?qū)⑺錾L襯底轉(zhuǎn)換為透明襯底。
[0007]進(jìn)一步地，生長襯底通過外延方式形成所述預(yù)置轉(zhuǎn)換層，所述預(yù)置轉(zhuǎn)換層通過外延方式形成功能層。
[0008]進(jìn)一步地，功能層通過粘附方式形成粘合層，所述粘合層附接支撐襯底；或者所述功能層通過第一鍵合介質(zhì)結(jié)合所述支撐襯底；所述支撐襯底具體為藍(lán)寶石襯底或石英襯
。
[0009]進(jìn)一步地，所述功能層通過第二鍵合介質(zhì)與所述透明襯底結(jié)合；所述第一鍵合介質(zhì)能夠被去光阻劑溶解，所述去光阻劑具體為丙酮。
[0010]進(jìn)一步地，第一鍵合介質(zhì)為光阻劑，所述光阻劑具體為有機(jī)膠；所述第二鍵合介質(zhì)具體為 Si02、ITO 或 Si3N4O
[0011]進(jìn)一步地，預(yù)置轉(zhuǎn)換層能夠被腐蝕液選擇性消除，所述腐蝕液具體為HF或Β0Ε。
[0012]進(jìn)一步地,生長襯底包括GaAs。
[0013]進(jìn)一步地,所述預(yù)置轉(zhuǎn)換層包括AlAs。
[0014]進(jìn)一步地，所述功能層包括外延層N區(qū)、有源區(qū)和外延層P區(qū)；所述透明襯底具體為藍(lán)寶石襯底或石英襯底。
[0015]本實(shí)用新型的有益效果為:
[0016]I)生長襯底可以重復(fù)利用，節(jié)省成本；
[0017]2)生長襯底的As不會帶入發(fā)光器件外延結(jié)構(gòu)的后續(xù)工藝流程，降低工業(yè)廢水的污染治理成本。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0018]為了更清楚地說明本實(shí)用新型實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本實(shí)用新型的一些實(shí)施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0019]圖1為現(xiàn)有技術(shù)生長襯底的結(jié)構(gòu)不意圖；
[0020]圖2為本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0021]圖3為具有支撐襯底的本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0022]圖4為具有透明襯底的本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0023]圖中:
[0024]1、生長襯底；2_1、腐蝕停止層；2_2、預(yù)置轉(zhuǎn)換層；3、外延層N區(qū)；4、有源區(qū)；5、夕卜延層P區(qū)；6、第一鍵合介質(zhì)；7、支撐襯底；8、透明襯底；9、第二鍵合介質(zhì)。
【具體實(shí)施方式】
[0025]下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例中的附圖，對本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒緦?shí)用新型中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。
[0026]實(shí)施例1
[0027]如圖2和圖4所示，本實(shí)用新型一種能夠回收再利用的襯底，包括:生長襯底I和預(yù)置轉(zhuǎn)換層2-2，預(yù)置轉(zhuǎn)換層2-2能夠?qū)⑸L襯底I轉(zhuǎn)換為透明襯底8。生長襯底I通過外延方式形成預(yù)置轉(zhuǎn)換層2-2，預(yù)置轉(zhuǎn)換層2-2通過外延方式形成功能層。
[0028]預(yù)置轉(zhuǎn)換層2-2能夠被腐蝕液選擇性消除，功能層通過第二鍵合介質(zhì)9與透明襯底8結(jié)合。腐蝕液具體為Β0Ε。第二鍵合介質(zhì)9具體為Si02、ITO或Si3N4。
[0029]其中，生長襯底I包括GaAs，預(yù)置轉(zhuǎn)換層2_2包括AlAs。功能層包括外延層N區(qū)3、有源區(qū)4和外延層P區(qū)5 ;透明襯底8具體為藍(lán)寶石襯底。
[0030]相對于圖1所示的現(xiàn)有腐蝕停止層2-1情況，本實(shí)用新型中預(yù)置轉(zhuǎn)換層2-2能夠被BOE選擇性地腐蝕消除預(yù)置轉(zhuǎn)換層2-2，消除徹底充分，使得生長襯底I能夠回收再利用，降低了其使用成本，進(jìn)而避免了生長襯底I中的As對環(huán)境的污染。
[0031]實(shí)施例2
[0032]如圖2?4所示，本實(shí)用新型一種能夠回收再利用的襯底，包括:生長襯底I和預(yù)置轉(zhuǎn)換層2-2，預(yù)置轉(zhuǎn)換層2-2能夠?qū)⑸L襯底I轉(zhuǎn)換為透明襯底8。生長襯底I通過外延方式形成預(yù)置轉(zhuǎn)換層2-2，預(yù)置轉(zhuǎn)換層2-2通過外延方式形成功能層。功能層通過粘附方式形成粘合層，粘合層附接支撐襯底7。支撐襯底7具體為藍(lán)寶石襯底。
[0033]預(yù)置轉(zhuǎn)換層2-2能夠被腐蝕液選擇性消除，功能層通過第二鍵合介質(zhì)9與透明襯底8結(jié)合。腐蝕液具體為HF。第二鍵合介質(zhì)9具體為Si02、ITO或Si3N4。
[0034]其中，生長襯底I包括GaAs，預(yù)置轉(zhuǎn)換層2_2包括AlAs。功能層包括外延層N區(qū)3、有源區(qū)4和外延層P區(qū)5 ;透明襯底8具體為石英襯底。
[0035]相對于圖1所示的現(xiàn)有腐蝕停止層2-1情況，本實(shí)用新型中預(yù)置轉(zhuǎn)換層2-2能夠被HF選擇性地腐蝕消除預(yù)置轉(zhuǎn)換層，消除徹底充分，使得生長襯底I能夠回收再利用，降低了其使用成本，進(jìn)而避免了生長襯底I中的As對環(huán)境的污染。實(shí)施例3
[0036]如圖2?4所示，本實(shí)用新型一種能夠回收再利用的襯底，包括:生長襯底I和預(yù)置轉(zhuǎn)換層2-2，預(yù)置轉(zhuǎn)換層2-2能夠?qū)⑸L襯底I轉(zhuǎn)換為透明襯底8。生長襯底I通過外延方式形成預(yù)置轉(zhuǎn)換層2-2，預(yù)置轉(zhuǎn)換層2-2通過外延方式形成功能層。功能層通過第一鍵合介質(zhì)6結(jié)合支撐襯底7，支撐襯底7具體為石英襯底。
[0037]預(yù)置轉(zhuǎn)換層2-2能夠被腐蝕液選擇性消除，功能層通過第二鍵合介質(zhì)9與透明襯底8結(jié)合。腐蝕液具體為HF。第一鍵合介質(zhì)6能夠被去光阻劑溶解，所述去光阻劑具體為丙酮。第一鍵合介質(zhì)6為光阻劑，光阻劑具體為有機(jī)膠；第二鍵合介質(zhì)9具體為Si02、ITO
或 Si3N4。
[0038]其中，生長襯底I包括GaAs，預(yù)置轉(zhuǎn)換層2_2包括AlAs0功能層包括外延層N區(qū)3、有源區(qū)4和外延層P區(qū)5 ;透明襯底8具體為石英襯底。
[0039]相對于圖1所示的現(xiàn)有腐蝕停止層2-1情況，本實(shí)用新型中預(yù)置轉(zhuǎn)換層2-2能夠被HF選擇性地腐蝕消除，消除徹底充分，使得生長襯底I能夠回收再利用，降低了其使用成本，進(jìn)而避免了生長襯底I中的As對環(huán)境的污染。
[0040]實(shí)施例4
[0041]如圖2?4所示，本實(shí)用新型一種能夠回收再利用的襯底，包括生長襯底I和預(yù)置轉(zhuǎn)換層2-2，預(yù)置轉(zhuǎn)換層2-2能夠?qū)⑸L襯底I轉(zhuǎn)換為透明襯底8。生長襯底I通過外延方式形成預(yù)置轉(zhuǎn)換層2-2，預(yù)置轉(zhuǎn)換層2-2通過外延方式形成功能層。功能層通過第一鍵合介質(zhì)6結(jié)合支撐襯底7，支撐襯底7具體為藍(lán)寶石襯底。
[0042]預(yù)置轉(zhuǎn)換層2-2能夠被腐蝕液選擇性消除，功能層通過第二鍵合介質(zhì)9與透明襯底8結(jié)合。腐蝕液具體為Β0Ε。第一鍵合介質(zhì)6能夠被去光阻劑溶解，所述去光阻劑具體為丙酮。第一鍵合介質(zhì)6為光阻劑，光阻劑具體為有機(jī)膠；第二鍵合介質(zhì)9具體為Si02、ITO
或 Si3N4。
[0043]其中，生長襯底I包括GaAs，預(yù)置轉(zhuǎn)換層2_2包括AlAs0功能層包括外延層N區(qū)
3、有源區(qū)4和外延層P區(qū)5 ;透明襯底8具體為藍(lán)寶石襯底。
[0044]相對于圖1所示的現(xiàn)有腐蝕停止層2-1情況，本實(shí)用新型中預(yù)置轉(zhuǎn)換層2-2能夠被BOE選擇性地腐蝕消除，消除徹底充分，使得生長襯底I能夠回收再利用，降低了其使用成本，進(jìn)而避免了生長襯底I中的As對環(huán)境的污染。
[0045]以上所述僅為本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例而已，并不用以限制本實(shí)用新型，凡在本實(shí)用新型的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種能夠回收再利用的襯底，其特征在于，包括: 生長襯底； 預(yù)置轉(zhuǎn)換層； 所述預(yù)置轉(zhuǎn)換層能夠?qū)⑺錾L襯底轉(zhuǎn)換為透明襯底。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種能夠回收再利用的襯底，其特征在于，所述生長襯底通過外延方式形成所述預(yù)置轉(zhuǎn)換層，所述預(yù)置轉(zhuǎn)換層通過外延方式形成功能層。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種能夠回收再利用的襯底，其特征在于，所述功能層通過粘附方式形成粘合層，所述粘合層附接支撐襯底；或者所述功能層通過第一鍵合介質(zhì)結(jié)合所述支撐襯底；所述支撐襯底具體為藍(lán)寶石襯底或石英襯底。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種能夠回收再利用的襯底，其特征在于，所述功能層通過第二鍵合介質(zhì)與所述透明襯底結(jié)合；所述第一鍵合介質(zhì)能夠被去光阻劑溶解，所述去光阻劑具體為丙酮。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種能夠回收再利用的襯底，其特征在于，所述第一鍵合介質(zhì)為光阻劑，所述光阻劑具體為有機(jī)膠；所述第二鍵合介質(zhì)具體為Si02、ITO或Si3N4。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種能夠回收再利用的襯底，其特征在于，所述預(yù)置轉(zhuǎn)換層能夠被腐蝕液選擇性消除；所述腐蝕液具體為HF或Β0Ε。
7.根據(jù)權(quán)利要求1?6任一項(xiàng)所述的一種能夠回收再利用的襯底，其特征在于，所述生長襯底包括GaAs。
8.根據(jù)權(quán)利要求1?6任一項(xiàng)所述的一種能夠回收再利用的襯底，其特征在于，所述預(yù)直轉(zhuǎn)換層包括AlAs。
9.根據(jù)權(quán)利要求2?6任一項(xiàng)所述的一種能夠回收再利用的襯底，其特征在于，所述功能層包括外延層N區(qū)、有源區(qū)和外延層P區(qū)；所述透明襯底具體為藍(lán)寶石襯底或石英襯底。
【文檔編號】H01L33/02GK203774362SQ201420065050
【公開日】2014年8月13日 申請日期:2014年2月13日 優(yōu)先權(quán)日:2014年2月13日
【發(fā)明者】廉鵬 申請人:馬鞍山太時(shí)芯光科技有限公司