GaN基UV探測(cè)傳感器的制造方法
【專(zhuān)利摘要】本實(shí)用新型涉及一種GaN基UV探測(cè)傳感器，包括襯底，其特征是：在所述襯底上表面依次設(shè)置U-GaN層、AlGaN層和N型GaN層，在N型GaN層上表面分別設(shè)置歐姆電極和肖特基電極。所述歐姆電極為T(mén)i/Al/Ti/Au金屬層。所述肖特基電極的材質(zhì)為金屬Pt。所述歐姆電極與肖特基電極之間存在一定距離。所述襯底為藍(lán)寶石襯底。本實(shí)用新型有效降低了傳感器的漏電流，提高了傳感器的響應(yīng)度；并且生產(chǎn)工藝簡(jiǎn)單、需求設(shè)備少、成本低。
【專(zhuān)利說(shuō)明】GaN基UV探測(cè)傳感器
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及一種GaN基UV探測(cè)傳感器，屬于半導(dǎo)體【技術(shù)領(lǐng)域】。
【背景技術(shù)】
[0002]UV傳感器可用于測(cè)量UV輻射，現(xiàn)有技術(shù)中的UV傳感器大多采用硅基，主要存下以下缺陷:(I)傳感器的漏電流較大；(2)傳感器的響應(yīng)度較差。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本實(shí)用新型的目的是克服現(xiàn)有技術(shù)中存在的不足，提供一種GaN基UV探測(cè)傳感器，提高了傳感器的響應(yīng)度。
[0004]按照本實(shí)用新型提供的技術(shù)方案，所述GaN基UV探測(cè)傳感器，包括襯底，其特征是:在所述襯底上表面依次設(shè)置U-GaN層、AlGaN層和N型GaN層，在N型GaN層上表面分別設(shè)置歐姆電極和肖特基電極。
[0005]所述歐姆電極為T(mén)i/Al/Ti/Au金屬層。
[0006]所述肖特基電極的材質(zhì)為金屬Pt。
[0007]所述歐姆電極與肖特基電極之間存在一定距離。
[0008]所述襯底為藍(lán)寶石襯底。
[0009]本實(shí)用新型有效降低了傳感器的漏電流，提高了傳感器的響應(yīng)度；并且生產(chǎn)工藝簡(jiǎn)單、需求設(shè)備少、成本低。
【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0010]圖1為本實(shí)用新型的剖面圖。
【具體實(shí)施方式】
[0011]下面結(jié)合具體附圖對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步說(shuō)明。
[0012]如圖1所示:所述GaN基UV探測(cè)傳感器包括襯底1、U-GaN層2、AlGaN層3、N型GaN層4、歐姆電極5、肖特基電極6等。
[0013]如圖1所示，本實(shí)用新型包括襯底1，襯底I為藍(lán)寶石襯底；在所述襯底I上表面依次設(shè)置U-GaN層2、AlGaN層3和N型GaN層4，在N型GaN層4上表面分別設(shè)置歐姆電極5和肖特基電極6 ;
[0014]所述歐姆電極5為T(mén)i/Al/Ti/Au金屬層；
[0015]所述肖特基電極6的材質(zhì)為金屬Pt，金屬Pt與N型GaN層4形成肖特基接觸；
[0016]所述歐姆電極5與肖特基電極6之間存在一定距離。
[0017]上述GaN基UV探測(cè)傳感器的制造方法，采用以下步驟:
[0018]步驟1:利用MOCVD設(shè)備在藍(lán)寶石襯底I上生長(zhǎng)U-GaN層2 ；
[0019]步驟2:在U-GaN層2上生長(zhǎng)AlGaN層3 ;[0020]步驟3:在AlGaN層3上生長(zhǎng)N-GaN層4 ;
[0021 ] 步驟4:利用光刻技術(shù)在N型GaN層4上制作歐姆電極5的圖形，再利用電子束蒸發(fā)設(shè)備，制作Ti/Al/Ti/Au金屬層；
[0022]步驟5:利用剝離方法將多余的金屬層去除，并利用去膠劑將光刻膠去除，僅保留歐姆電極5 ；
[0023]步驟6:利用RTA合金爐進(jìn)行高溫合金，使歐姆電極5與N型GaN層形成良好的歐姆接觸；
[0024]步驟7:利用光刻技術(shù)在N型GaN層4上制作肖特基電極6的圖形，再利用電子束蒸發(fā)設(shè)備，制作Pt金屬層；
[0025]步驟8:利用剝離方法將多余的金屬Pt去除，并利用去膠劑將光刻膠去除，僅保留肖特基電極6 ；
[0026]步驟9:利用減薄、研磨設(shè)備將晶圓減薄到10(T200um,再利用激光切割機(jī)將晶圓上的器件進(jìn)行分離。
[0027]本實(shí)用新型采用AlGaN層3中的Al組分，可以實(shí)現(xiàn)禁帶寬度在3.4^6.2eV區(qū)間連續(xù)可控，實(shí)現(xiàn)對(duì)20(T365nm UV光的探測(cè)，利用Pt金屬與N型GaN層形成良好的肖特基接觸，有效降低傳感器的漏電流，提高傳感器的響應(yīng)度；本實(shí)用新型通過(guò)歐姆電極5與肖特基電極6之間的一定間距，以及肖特基電極6的面積，可以更進(jìn)一步提高傳感器的響應(yīng)度；本實(shí)用新型的UV傳感器在18mW/cm —2的輻射強(qiáng)度下，最高可以產(chǎn)生200mV的電信號(hào)，配合普通讀取電路即可實(shí)現(xiàn)對(duì)UV光的探測(cè)，具有生產(chǎn)響應(yīng)度高、工藝簡(jiǎn)單、需求設(shè)備少、成本低等特點(diǎn)。
【權(quán)利要求】
1.一種GaN基UV探測(cè)傳感器，包括襯底(I)，其特征是:在所述襯底(I)上表面依次設(shè)置U-GaN層(2)、AlGaN層(3)和N型GaN層(4)，在N型GaN層(4)上表面分別設(shè)置歐姆電極(5)和肖特基電極(6)。
2.如權(quán)利要求1所述的GaN基UV探測(cè)傳感器，其特征是:所述歐姆電極(5)為T(mén)i/Al/Ti/Au金屬層。
3.如權(quán)利要求1所述的GaN基UV探測(cè)傳感器，其特征是:所述肖特基電極(6)的材質(zhì)為金屬Pt。
4.如權(quán)利要求1所述的GaN基UV探測(cè)傳感器，其特征是:所述歐姆電極(5)與肖特基電極(6)之間存在一定距離。
5.如權(quán)利要求1所述的GaN基UV探測(cè)傳感器，其特征是:所述襯底(I)為藍(lán)寶石襯底。
【文檔編號(hào)】H01L31/0304GK203800065SQ201420009212
【公開(kāi)日】2014年8月27日 申請(qǐng)日期:2014年1月7日 優(yōu)先權(quán)日:2014年1月7日
【發(fā)明者】黃慧詩(shī), 郭文平, 柯志杰, 鄧群雄, 閆曉密 申請(qǐng)人:江蘇新廣聯(lián)科技股份有限公司