Lte偶極天線的制作方法
【專利摘要】一種LTE偶極天線，包含：一基板，該基板上分布一導(dǎo)電帶線，以該導(dǎo)電帶線在該基板上形成一中央輻射區(qū)，該基板以該中央輻射區(qū)為中線在一正面區(qū)分為一第一區(qū)塊以及一第二區(qū)塊且在一背面區(qū)分為一第三區(qū)塊以及一第四區(qū)塊；一低頻輻射體，由該導(dǎo)電帶線分布在第一區(qū)塊、第二區(qū)塊以及第四區(qū)塊的幾何圖形所形成；一高頻輻射體，由該導(dǎo)電帶線分布在第三區(qū)塊的幾何圖形所形成；一饋入點(diǎn)，鄰近中央輻射區(qū)且設(shè)置于第一區(qū)塊的低頻輻射體的一端；一接地點(diǎn)，鄰近中央輻射區(qū)且設(shè)置于第二區(qū)塊的低頻輻射體的一端；一導(dǎo)線放置部，開(kāi)設(shè)于LTE偶極天線的一角落。
【專利說(shuō)明】LTE偶極天線
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型是關(guān)于一天線，特別是關(guān)于一種LTE通信協(xié)議的雙極天線。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著科技的演進(jìn),傳統(tǒng)天線會(huì)逐漸被LTE (Long Term Evolution)通信協(xié)議的天線所取代，而LTE(Long Term Evolution)也在2010年被國(guó)際電信聯(lián)盟正式定為4G。
[0003]任何電路產(chǎn)品在未來(lái)都勢(shì)必會(huì)面臨到一個(gè)問(wèn)題，在傳輸訊號(hào)越來(lái)越快的情況下，電磁兼容、電磁偶合而造成組件之間等效電容、等效電感互相干擾的問(wèn)題將會(huì)越來(lái)越嚴(yán)重、越來(lái)越不可忽視。而4G通信協(xié)議數(shù)據(jù)傳輸?shù)乃俣饶?G通信協(xié)議望塵莫及，天線內(nèi)部的被動(dòng)組件結(jié)構(gòu)必定需要有跟以往不同的改變才能克服以上問(wèn)題。又因?yàn)榭萍籍a(chǎn)品必須滿足使用者多方面的期待，例如體積要小、重量要輕巧、傳輸速率要快、減少高速電路之間交互偶合影響的功率消耗等等，新一代LTE天線的設(shè)計(jì)就顯得特別重要了。
[0004]而且，使用者最在乎天線的數(shù)值不外乎天線的功率、天線的訊號(hào)涵蓋區(qū)域、傳輸數(shù)據(jù)時(shí)的穩(wěn)定度以及傳輸訊號(hào)頻寬，通過(guò)本實(shí)用新型以上各項(xiàng)數(shù)值皆可以得到非常卓越的提升，尤其是本實(shí)用新型特殊的多區(qū)段可調(diào)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)能夠得到非常杰出的訊號(hào)頻段區(qū)間實(shí)為難得。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0005]針對(duì)新一代傳輸協(xié)議LTE高速無(wú)線訊號(hào)傳輸，本實(shí)用新型提出一種雙面LTE偶極天線，其中包含:一基板，該基板上分布一導(dǎo)電帶線，以該導(dǎo)電帶線在該基板上形成一中央輻射區(qū)，該基板以該中央輻射區(qū)為中線在一正面區(qū)分為一第一區(qū)塊以及一第二區(qū)塊且在一背面區(qū)分為一第三區(qū)塊以及一第四區(qū)塊；一低頻輻射體，該低頻輻射體由該導(dǎo)電帶線分布在該第一區(qū)塊、該第二區(qū)塊以及該第四區(qū)塊的幾何圖形所形成，其中該第一區(qū)塊有一第一彎折、一第二彎折以及一第三彎折，該第二區(qū)塊有一第四彎折、一第五彎折以及一第六彎折，該第四區(qū)塊有一第八彎折以及一第九彎折；一高頻輻射體，該高頻輻射體由該導(dǎo)電帶線分布在該第三區(qū)塊的幾何圖形所形成，其中該第三區(qū)塊有一第七彎折；一饋入點(diǎn)，該饋入點(diǎn)鄰近該中央輻射區(qū)且設(shè)置于該第一區(qū)塊的該低頻輻射體的一端；一接地點(diǎn)，該接地點(diǎn)鄰近該中央輻射區(qū)且設(shè)置于該第二區(qū)塊的該低頻輻射體的一端；以及一導(dǎo)線放置部，該導(dǎo)線放置部開(kāi)設(shè)于該LTE偶極天線的一角落。
[0006]較佳地，其中該基板為由FR-4規(guī)格的材質(zhì)所組成。FR-4為環(huán)氧玻纖布基板，是以環(huán)氧樹(shù)脂作粘合劑，以電子級(jí)玻璃纖維布作增強(qiáng)材料的一類基板。
[0007]較佳地，其中該第一區(qū)塊的該低頻輻射體更包含一第一低頻調(diào)節(jié)區(qū)以及一第一高頻調(diào)節(jié)區(qū)。
[0008]較佳地，其中該第二區(qū)塊的該低頻輻射體更包含一第二低頻調(diào)節(jié)區(qū)以及一第三低頻調(diào)節(jié)區(qū)。
[0009]較佳地，其中該第三區(qū)塊的該高頻輻射體更包含一第二高頻調(diào)節(jié)區(qū)以及一第三高頻調(diào)節(jié)區(qū)。
[0010]較佳地，其中該第四區(qū)塊的該低頻輻射體更包含一第四低頻調(diào)節(jié)區(qū)、一第五低頻調(diào)節(jié)區(qū)以及一第六低頻調(diào)節(jié)區(qū)。
[0011]較佳地，其中該低頻輻射體的頻寬區(qū)段為704MHZ?787MHZ。
[0012]較佳地，其中該高頻輻射體的頻寬區(qū)段為1710MHZ?2170MHZ。
[0013]上述僅為各步驟的簡(jiǎn)述，各具體實(shí)施例及實(shí)施步驟細(xì)節(jié)將進(jìn)一步揭露如后。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0014]圖1 (a)和圖1 (b)為顯示該LTE偶極天線的一實(shí)施例的示意圖；
[0015]圖2為顯示該LTE偶極天線的正面詳細(xì)區(qū)塊描述的示意圖；
[0016]圖3為顯示該LTE偶極天線的背面詳細(xì)區(qū)塊描述的示意圖；
[0017]圖4為顯不該LTE偶極天線的實(shí)際廣品圖標(biāo)的不意圖；
[0018]圖5為顯示該LTE偶極天線的電壓駐波比的示意圖。
[0019]其中，附圖標(biāo)記說(shuō)明如下:
[0020]100LTE偶極天線
[0021]I 基板
[0022]11 正面
[0023]12 背面
[0024]111 第一區(qū)塊
[0025]112 第二區(qū)塊
[0026]121第三區(qū)塊
[0027]122第四區(qū)塊
[0028]13 角落
[0029]2導(dǎo)電帶線
[0030]21低頻輻射體
[0031]22高頻輻射體
[0032]211第一低頻調(diào)節(jié)區(qū)
[0033]212第二低頻調(diào)節(jié)區(qū)
[0034]213第三低頻調(diào)節(jié)區(qū)
[0035]214第四低頻調(diào)節(jié)區(qū)
[0036]215第五低頻調(diào)節(jié)區(qū)
[0037]216第六低頻調(diào)節(jié)區(qū)
[0038]221第一高頻調(diào)節(jié)區(qū)
[0039]222第二高頻調(diào)節(jié)區(qū)
[0040]223第三高頻調(diào)節(jié)區(qū)
[0041]231 第一彎折
[0042]232 第二彎折
[0043]233第三彎折
[0044]234第四彎折[0045]235第五彎折
[0046]236第六彎折
[0047]237第七彎折
[0048]238第八彎折
[0049]239第九彎折
[0050]3中央輻射區(qū)
[0051]4饋入點(diǎn)
[0052]5接地點(diǎn)
[0053]6導(dǎo)線放置部
【具體實(shí)施方式】
[0054]LTE偶極天線的一實(shí)施例
[0055]該實(shí)施例請(qǐng)參考圖1 (a)、圖1 (b)、圖2以及圖3。圖1 (a)、圖1 (b)顯示了該LTE偶極天線100的一實(shí)施例。圖2為顯示在此實(shí)施例中該LTE偶極天線100的正面11詳細(xì)區(qū)塊描述的示意圖。圖3為顯示在此實(shí)施例中該LTE偶極天線100的背面12詳細(xì)區(qū)塊描述的示意圖。
[0056]請(qǐng)先參考圖1 (a)、圖1 (b)，在此實(shí)施例中，提出一種LTE偶極天線100，其中LTE偶極天線100具有一正面11以及一背面12，在圖1 (b)中的背面12為透視圖形，因此，正面11和背面12為相同視角。
[0057]上述LTE偶極天線100主要包含:一基板1，該基板I上分布滿導(dǎo)電帶線2而形成低頻福射體21以及聞?lì)l福射體22,導(dǎo)電帶線2在中央隔尚出一條中央福射區(qū)3,將LTE偶極天線100的正面11與背面12區(qū)分為四個(gè)區(qū)塊，正面11區(qū)分為一第一區(qū)塊111以及一第二區(qū)塊112，背面12區(qū)分為一第三區(qū)塊121以及一第四區(qū)塊122。中央輻射區(qū)3兩旁分別設(shè)置一饋入點(diǎn)4以及一接地點(diǎn)5，該饋入點(diǎn)4設(shè)置于第一區(qū)塊111的低頻輻射體21的一端，該接地點(diǎn)5設(shè)置于該第二區(qū)塊112的低頻輻射體21的一端。LTE偶極天線100為矩形結(jié)構(gòu)且有四個(gè)角，在基板I的一角落13開(kāi)設(shè)一導(dǎo)線放置部6。
[0058]此實(shí)施例中的基板I為由FR-4規(guī)格的材質(zhì)所組成，F(xiàn)R-4為環(huán)氧玻纖布基板，是以環(huán)氧樹(shù)脂作粘合劑，以電子級(jí)玻璃纖維布作增強(qiáng)材料的一類基板。
[0059]此實(shí)施例中的低頻輻射體21由該導(dǎo)電帶線2分布而成，主要負(fù)責(zé)低頻訊號(hào)的輻射工作。在LTE偶極天線100的正面11部分，低頻輻射體21位于第一區(qū)塊111以及第二區(qū)塊112，在LTE偶極天線100的背面12部分，低頻輻射體21位于第四區(qū)塊214。其中，低頻輻射體21為具有幾處彎折的幾何結(jié)構(gòu)。第一區(qū)塊111中的低頻輻射體21具有一第一彎折231、一第二彎折232以及一第三彎折233，第二區(qū)塊中的低頻輻射體21具有一第四彎折234、一第五彎折235以及一第六彎折236，第四區(qū)塊214中的低頻輻射體21具有一第八彎折238以及一第九彎折239。
[0060]此實(shí)施例中的高頻輻射體22由導(dǎo)電帶線2分布在第三區(qū)塊121的幾何圖形所形成，主要負(fù)責(zé)高頻訊號(hào)的輻射工作，其中該第三區(qū)塊121具有一第七彎折237。
[0061]此實(shí)施例中的中央輻射區(qū)3由導(dǎo)電帶線2分布形成，因?yàn)長(zhǎng)TE偶極天線100在運(yùn)作時(shí)中央輻射區(qū)3的磁通量變化最大，因此，中央輻射區(qū)3也會(huì)是LTE偶極天線100在運(yùn)作時(shí)發(fā)射功率最大的位置。在高速訊號(hào)傳遞時(shí)，因?yàn)橹醒胼椛鋮^(qū)3之間的間距很小，容易形成等效電容，因此，中央輻射區(qū)3也可以針對(duì)LTE偶極天線100的阻抗匹配進(jìn)行調(diào)整。
[0062]此實(shí)施例中的饋入點(diǎn)4鄰近中央輻射區(qū)3且設(shè)置于第一區(qū)塊111的低頻輻射體21的一端。饋入點(diǎn)4為天線訊號(hào)輸入點(diǎn)，一般是由電路板將訊號(hào)傳輸出來(lái)，經(jīng)由訊號(hào)線將訊號(hào)輸入此饋入點(diǎn)4后，LTE偶極天線100再將訊號(hào)輻射至空氣中。
[0063]此實(shí)施例中的接地點(diǎn)5鄰近中央輻射區(qū)3且設(shè)置于該第二區(qū)塊112的低頻輻射體21的一端，接地點(diǎn)5與饋入點(diǎn)4兩者形成一回路。
[0064]此實(shí)施例中的導(dǎo)線放置部6開(kāi)設(shè)于該LTE偶極天線的一角落13。電路板將訊號(hào)通過(guò)訊號(hào)線連接LTE偶極天線100時(shí)，導(dǎo)線放置部6可使得訊號(hào)線不會(huì)經(jīng)過(guò)太多次彎折而且能直接固定。又因?yàn)閷?dǎo)線內(nèi)帶有高速訊號(hào)會(huì)嚴(yán)重影響LTE偶極天線100的內(nèi)部組件的電磁效應(yīng)，所以另一方面的好處是如果可以將導(dǎo)線固定，整體天線內(nèi)部設(shè)計(jì)完成后，LTE偶極天線100在運(yùn)作時(shí)也比較不會(huì)產(chǎn)生頻偏現(xiàn)象。
[0065]請(qǐng)參考圖2，其中該第一區(qū)塊111包含一第一低頻調(diào)節(jié)區(qū)211以及一第一高頻調(diào)節(jié)區(qū)221，第一低頻調(diào)節(jié)區(qū)211改變長(zhǎng)短以及寬窄，將可以調(diào)整LTE偶極天線100的低頻頻段，第一高頻調(diào)節(jié)區(qū)221改變長(zhǎng)短以及寬窄，將可以調(diào)整LTE偶極天線100的高頻頻段以及阻抗匹配。
[0066]請(qǐng)參考圖2，其中該第二區(qū)塊112包含一第二低頻調(diào)節(jié)區(qū)212以及一第三低頻調(diào)節(jié)區(qū)213，第二低頻調(diào)節(jié)區(qū)212以及第三低頻調(diào)節(jié)區(qū)213改變長(zhǎng)短以及寬窄，將可以調(diào)整LTE偶極天線100的低頻頻段以及阻抗匹配。
[0067]請(qǐng)參考圖3，其中該第三區(qū)塊121包含一第二高頻調(diào)節(jié)區(qū)222以及一第三高頻調(diào)節(jié)區(qū)223，第二高頻調(diào)節(jié)區(qū)222以及第三高頻調(diào)節(jié)區(qū)223改變長(zhǎng)短以及寬窄，將可以調(diào)整LTE偶極天線100的低頻頻段以及阻抗匹配。
[0068]請(qǐng)參考圖3，其中該第四區(qū)塊122包含一第四低頻調(diào)節(jié)區(qū)214、一第五低頻調(diào)節(jié)區(qū)215以及一第六低頻調(diào)節(jié)區(qū)216，改變長(zhǎng)短以及寬窄，將可以調(diào)整LTE偶極天線100的低頻頻段以及阻抗匹配。
[0069]經(jīng)過(guò)上述各調(diào)節(jié)區(qū)的頻段調(diào)整，本實(shí)用新型取得一最佳頻段操作范圍，低頻輻射體21的頻寬區(qū)段為704MHZ?787MHZ，高頻輻射體22的頻寬區(qū)段為1710MHZ?2170MHZ。因?yàn)榭烧{(diào)整多個(gè)調(diào)節(jié)頻段，因此，本實(shí)用新型可以取得一較佳區(qū)段且頻寬較大，且因可調(diào)節(jié)的阻抗匹配選擇較多，可得到較佳的天線功率。
[0070]實(shí)際產(chǎn)品圖標(biāo)
[0071]該實(shí)施例請(qǐng)參考圖4，該圖顯示LTE偶極天線100的實(shí)際產(chǎn)品圖標(biāo)。
[0072]該圖為L(zhǎng)TE偶極天線100在組裝完外殼后的示意圖，與一般市面天線無(wú)異，但卻具有LTE的高速傳輸協(xié)議、優(yōu)秀的頻寬以及良好的傳輸功率。
[0073]天線數(shù)據(jù)資料
[0074]請(qǐng)參考圖5，可知:頻率704MHZ以及787MHZ時(shí)，電壓駐波比分別為2.1188以及
2.1108，可見(jiàn)，整體LTE偶極天線100的阻抗匹配良好，符合天線操作的阻抗匹配要求，尤其可以發(fā)現(xiàn)，在1710MHZ以及2170MHZ的電壓駐波比竟然可以達(dá)到1.8105以及1.1398，如此良好的電壓駐波比使天線在工作時(shí)訊號(hào)可在相當(dāng)?shù)蛽p耗的狀態(tài)下輻射出去。
[0075]綜觀整體，本實(shí)用新型所提供的LTE偶極天線確具產(chǎn)業(yè)上的利用價(jià)值，但以上敘述僅為本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例說(shuō)明，凡熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員當(dāng)可依據(jù)上述說(shuō)明而作其它種種改良，但這些改變?nèi)詫儆诒緦?shí)用新型的精神及以下所界定的專利范圍中。
【權(quán)利要求】
1.一種LTE偶極天線，其特征在于，包含: 一基板，該基板上分布一導(dǎo)電帶線，以該導(dǎo)電帶線在該基板上形成一中央輻射區(qū)，該基板以該中央輻射區(qū)為中線在一正面區(qū)分為一第一區(qū)塊以及一第二區(qū)塊且在一背面區(qū)分為一第三區(qū)塊以及一第四區(qū)塊； 一低頻輻射體，該低頻輻射體由該導(dǎo)電帶線分布在該第一區(qū)塊、該第二區(qū)塊以及該第四區(qū)塊的幾何圖形所形成，其中該第一區(qū)塊有一第一彎折、一第二彎折以及一第三彎折，該第二區(qū)塊有一第四彎折、一第五彎折以及一第六彎折，該第四區(qū)塊有一第八彎折以及一第九彎折； 一高頻輻射體，該高頻輻射體由該導(dǎo)電帶線分布在該第三區(qū)塊的幾何圖形所形成，其中該第三區(qū)塊有一第七彎折； 一饋入點(diǎn)，該饋入點(diǎn)鄰近該中央輻射區(qū)且設(shè)置于該第一區(qū)塊的該低頻輻射體的一端； 一接地點(diǎn)，該接地點(diǎn)鄰近該中央輻射區(qū)且設(shè)置于該第二區(qū)塊的該低頻輻射體的一端； 一導(dǎo)線放置部，該導(dǎo)線放置部開(kāi)設(shè)于該LTE偶極天線的一角落。
2.如權(quán)利要求1所述的LTE偶極天線，其特征在于，該基板為由FR-4規(guī)格的材質(zhì)所組成。
3.如權(quán)利要求1所述的LTE偶極天線，其特征在于，該第一區(qū)塊的該低頻輻射體更包含一第一低頻調(diào)節(jié)區(qū)以及一第一高頻調(diào)節(jié)區(qū)。
4.如權(quán)利要求1所述的LTE偶極天線，其特征在于，該第二區(qū)塊的該低頻輻射體更包含一第二低頻調(diào)節(jié)區(qū)以及一第三低頻調(diào)節(jié)區(qū)。
5.如權(quán)利要求1所述的LTE偶極天線，其特征在于，該第三區(qū)塊的該高頻輻射體更包含一第二高頻調(diào)節(jié)區(qū)以及一第三高頻調(diào)節(jié)區(qū)。
6.如權(quán)利要求1所述的LTE偶極天線，其特征在于，該第四區(qū)塊的該低頻輻射體更包含一第四低頻調(diào)節(jié)區(qū)、一第五低頻調(diào)節(jié)區(qū)以及一第六低頻調(diào)節(jié)區(qū)。
7.如權(quán)利要求1所述的LTE偶極天線，其特征在于，該低頻輻射體的頻寬區(qū)段為704MHZ ?787MHZ。
8.如權(quán)利要求1所述的LTE偶極天線，其特征在于，該高頻輻射體的頻寬區(qū)段為17IOMHZ ?2170MHZ。
【文檔編號(hào)】H01Q1/38GK203674389SQ201420007291
【公開(kāi)日】2014年6月25日 申請(qǐng)日期:2014年1月7日 優(yōu)先權(quán)日:2014年1月7日
【發(fā)明者】胡宇棟 申請(qǐng)人:胡宇棟