電致發(fā)光器件及其制備方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種電致發(fā)光器件，包括：基底；設(shè)置于所述基底的一側(cè)的第一電極、第二電極；夾設(shè)在所述第一電極、第二電極之間的電致發(fā)光層；所述電致發(fā)光層包括第一表面和第二表面，所述第一表面與所述第二電極相接觸，所述第二表面與所述第一電極相接觸，所述第一表面具有第一凹凸圖案，所述第二表面具有與所述第一凹凸圖案相匹配的第二凹凸圖案，所述第一凹凸圖案的凹凸高度大于所述電致發(fā)光層的厚度。本發(fā)明公開了一種上述電致發(fā)光器件的制備方法。在本發(fā)明中，所述第一凹凸圖案的凹凸高度大于所述電致發(fā)光層的厚度，使得所述電致發(fā)光層呈彎曲層狀，大大地增加了所述電致發(fā)光層的表面積，從而增加提高發(fā)光亮度，并有效地降低成本。
【專利說明】電致發(fā)光器件及其制備方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及發(fā)光二極管【技術(shù)領(lǐng)域】，特別是涉及一種電致發(fā)光器件及其制備方法。

【背景技術(shù)】
[0002]電致發(fā)光(Electro luminescence,簡(jiǎn)稱EL)是物質(zhì)在一定的電場(chǎng)作用下被相應(yīng)的電能所激發(fā)而產(chǎn)生的發(fā)光現(xiàn)象。電致發(fā)光EL是一種直接將電能轉(zhuǎn)化為光能的現(xiàn)象。電致發(fā)光作為一種平面光源引起了人們的極大愛好。人們企圖實(shí)現(xiàn)照明光源從點(diǎn)光源、線光源到面光源的革命。自從無機(jī)發(fā)光板硫化鋅和磷砷化鎵化合物發(fā)明以來，電致發(fā)光已被廣泛應(yīng)用在很多領(lǐng)域取得了令人矚目的成就。目前，電致發(fā)光器件主要包括:有機(jī)電致發(fā)光器件(0LED)、高分子電致發(fā)光器件(PLED)和無機(jī)電致發(fā)光器件。其中，有機(jī)電致發(fā)光器件由于具有自主發(fā)光、低電壓直流驅(qū)動(dòng)、全固化、視角寬、顏色豐富、易與集成電路匹配等優(yōu)點(diǎn)，在平板顯示和照明領(lǐng)域具有十分廣泛的應(yīng)用前景。
[0003]如圖1所示，現(xiàn)有的電致發(fā)光器件1通常包括依次層疊的基底11、第一電極12、電致發(fā)光層13以及第二電極14。其發(fā)光機(jī)理是由第一電極12和第二電極14產(chǎn)生的空穴和電子在電致發(fā)光層13中復(fù)合成激子，激子的能量轉(zhuǎn)移到發(fā)光分子，使發(fā)光分子中的電子被激發(fā)到激發(fā)態(tài)，而激發(fā)態(tài)是一個(gè)不穩(wěn)定的狀態(tài)，去激過程產(chǎn)生可見光。0LED的電致發(fā)光層13通常包括電子注入層、電子傳輸層、一個(gè)或多個(gè)發(fā)光層、空穴傳輸層和空穴注入層。一般情況下，第一電極12是陽極，第二電極14是陰極。然而，電致發(fā)光層13在單位面積的表面積有限，使得現(xiàn)有的電致發(fā)光器件1的發(fā)光效率低。
[0004]目前，基于有機(jī)電致發(fā)光器件的產(chǎn)品已經(jīng)問世，但由于有機(jī)電致發(fā)光器件的發(fā)光效率不高，制造成本較高，阻礙了的有機(jī)電致發(fā)光器件的商品化進(jìn)程。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明的目的在于，提供一種電致發(fā)光器件及其制備方法，以提高電致發(fā)光器件的發(fā)光效率。
[0006]為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供一種電致發(fā)光器件，包括:
[0007]基底；
[0008]設(shè)置于所述基底的一側(cè)的第一電極、第二電極；以及
[0009]夾設(shè)在所述第一電極、第二電極之間的電致發(fā)光層；
[0010]其特征在于，所述電致發(fā)光層包括第一表面和第二表面，所述第一表面與所述第二電極相接觸，所述第二表面與所述第一電極相接觸，所述電致發(fā)光層的第一表面具有第一凹凸圖案，所述電致發(fā)光層的第二表面具有與所述第一凹凸圖案相匹配的第二凹凸圖案，所述第一凹凸圖案的凹凸高度大于所述電致發(fā)光層的厚度。
[0011]可選的，在所述電致發(fā)光器件中，所述第一凹凸圖案包括至少一種凹陷的球冠，所述第二凹凸圖案包括至少一種凸起的球冠；或所述第一凹凸圖案包括至少一種凸起的球冠，所述第二凹凸圖案包括至少一種凹陷的球冠。
[0012]可選的，在所述電致發(fā)光器件中，所述第一凹凸圖案包括多種高度不同的球冠或多種底面直徑不同的球冠。
[0013]可選的，在所述電致發(fā)光器件中，所述第一電極的厚度為10nm?50nm，所述第二電極的厚度為50nm?200nm，所述電致發(fā)光層的厚度為lOOnm?1 μ m，所述第一凹凸圖案的凹凸高度為2μηι?2000 μπι,所述第一凹凸圖案的凹凸寬度為10 μ m?10000 μ m。
[0014]可選的，在所述電致發(fā)光器件中，所述基底的材料和第一電極的材料均為透明材料，所述第二電極的材料為反射材料；或，所述第二電極和第一電極的材料均為透明材料，所述基底的材料為反射材料；或，所述第二電極的材料為透明材料，所述第一電極的材料為反射材料。
[0015]根據(jù)本發(fā)明的另一面，還提供一種電致發(fā)光器件的制備方法，包括:
[0016]在基底的一側(cè)的表面制備第一凹凸圖案；
[0017]在所述基底的一側(cè)制備第一電極，所述第一電極面向所述基底一側(cè)的表面具有與所述第一凹凸圖案相匹配的第二凹凸圖案，所述第一電極背離所述基底一側(cè)的表面具有所述第一凹凸圖案；
[0018]在所述第一電極背離所述基底的一側(cè)制備電致發(fā)光層，所述電致發(fā)光層面向所述第一電極一側(cè)的表面具有所述第二凹凸圖案，所述電致發(fā)光層背離所述第一電極一側(cè)的表面具有所述第一凹凸圖案；以及
[0019]在所述電致發(fā)光層背離所述第一電極的一側(cè)制備第二電極，所述第二電極面向所述電致發(fā)光層一側(cè)的表面具有所述第二凹凸圖案，所述第二電極背離所述電致發(fā)光層一側(cè)的表面具有所述第一凹凸圖案；
[0020]其中，所述第一凹凸圖案的凹凸高度大于所述電致發(fā)光層的厚度。
[0021]可選的，在所述電致發(fā)光器件的制備方法中，所述電致發(fā)光層為有機(jī)發(fā)光層，采用蒸鍍工藝制備所述電致發(fā)光層。
[0022]可選的，在所述電致發(fā)光器件的制備方法中，所述第一電極的材料為反射材料，采用濺射工藝制備所述第一電極；或，所述第一電極為透明材料，采用蒸鍍工藝制備所述第一電極。
[0023]可選的，在所述電致發(fā)光器件的制備方法中，所述第二電極的材料為反射材料，采用濺射工藝制備所述第二電極；或，所述第二電極為透明材料，采用蒸鍍工藝制備所述第二電極。
[0024]可選的，在所述電致發(fā)光器件的制備方法中，通過壓印或機(jī)械加工的方式在所述基底的一側(cè)的表面制備所述第一凹凸圖案。
[0025]在本發(fā)明提供一種電致發(fā)光器件及其制備方法中，所述電致發(fā)光層包括第一表面和第二表面，所述第一表面與所述第二電極相接觸，所述第二表面與所述第一電極相接觸，所述電致發(fā)光層的第一表面具有第一凹凸圖案，所述電致發(fā)光層的第二表面具有與所述第一凹凸圖案相匹配的第二凹凸圖案，與現(xiàn)有技術(shù)相比，所述第一凹凸圖案的凹凸高度大于所述電致發(fā)光層的厚度，使得所述電致發(fā)光層呈彎曲層狀，大大地增加了所述電致發(fā)光層的表面積，可以在單位面積的所述基底上產(chǎn)生更多的激子，從而提高了電致發(fā)光器件的發(fā)光效率，提高了單位面積的發(fā)光亮度，可以使用較小面積的電致發(fā)光器件得到需要的廣德亮度，可以有效地降低成本。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0026]圖1為現(xiàn)有技術(shù)中電致發(fā)光器件的示意圖；
[0027]圖2為本發(fā)明第一實(shí)施例的電致發(fā)光器件的示意圖；
[0028]圖3為本發(fā)明第一實(shí)施例的電致發(fā)光器件發(fā)出會(huì)聚光的示意圖；
[0029]圖4為本發(fā)明第一實(shí)施例的電致發(fā)光器件的制備方法的流程圖；
[0030]圖5-圖8為本發(fā)明第一實(shí)施例的電致發(fā)光器件的制備方法中器件結(jié)構(gòu)的示意圖；
[0031]圖9為本發(fā)明第二實(shí)施例的電致發(fā)光器件的示意圖；
[0032]圖10為本發(fā)明第二實(shí)施例的電致發(fā)光器件發(fā)出發(fā)散光的示意圖；
[0033]圖11為本發(fā)明第三實(shí)施例的電致發(fā)光器件發(fā)出發(fā)散光的示意圖；
[0034]圖12為本發(fā)明第四實(shí)施例的電致發(fā)光器件發(fā)出發(fā)散光的示意圖；
[0035]圖13為本發(fā)明第五實(shí)施例的電致發(fā)光器件的示意圖。
具體實(shí)施例
[0036]下面將結(jié)合示意圖對(duì)本發(fā)明的電致發(fā)光器件進(jìn)行更詳細(xì)的描述，其中表示了本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，應(yīng)該理解本領(lǐng)域技術(shù)人員可以修改在此描述的本發(fā)明，而仍然實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的有利效果。因此，下列描述應(yīng)當(dāng)被理解為對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員的廣泛知道，而并不作為對(duì)本發(fā)明的限制。
[0037]在下列段落中參照附圖以舉例方式更具體地描述本發(fā)明。根據(jù)下面說明，本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)和特征將更清楚。需說明的是，附圖均采用非常簡(jiǎn)化的形式且均使用非精準(zhǔn)的比例，僅用以方便、明晰地輔助說明本發(fā)明實(shí)施例的目的。
[0038]本發(fā)明的核心思想在于，本發(fā)明提供一種電致發(fā)光器件，包括:基底；設(shè)置于所述基底的一側(cè)的第一電極、第二電極；以及夾設(shè)在所述第一電極、第二電極之間的電致發(fā)光層；其特征在于，所述電致發(fā)光層包括第一表面和第二表面，所述第一表面與所述第二電極相接觸，所述第二表面與所述第一電極相接觸，所述電致發(fā)光層的第一表面具有第一凹凸圖案，所述電致發(fā)光層的第二表面具有與所述第一凹凸圖案相匹配的第二凹凸圖案，所述第一凹凸圖案的凹凸高度大于所述電致發(fā)光層的厚度。所述電致發(fā)光層呈彎曲層狀，大大地增加了所述電致發(fā)光層的表面積，可以在單位面積的所述基底上產(chǎn)生更多的激子，從而增加光的能量，在單位面積的所述基底上實(shí)現(xiàn)更高的發(fā)光亮度，提高了單位面積的發(fā)光亮度，可以使用較小面積的電致發(fā)光器件得到需要的廣德亮度，可以有效地降低成本。
[0039]根據(jù)上述核心思想，本發(fā)明還提供一種電致發(fā)光器件的制備方法，包括:
[0040]步驟S11，在基底的一側(cè)的表面制備第一凹凸圖案；
[0041]步驟S12，在所述基底的一側(cè)制備第一電極，所述第一電極面向所述基底一側(cè)的表面具有與所述第一凹凸圖案相匹配的第二凹凸圖案，所述第一電極背離所述基底一側(cè)的表面具有所述第一凹凸圖案；
[0042]步驟S13，在所述第一電極背離所述基底的一側(cè)制備電致發(fā)光層，所述電致發(fā)光層面向所述第一電極一側(cè)的表面具有所述第二凹凸圖案，所述電致發(fā)光層背離所述第一電極一側(cè)的表面具有所述第一凹凸圖案；以及
[0043]步驟S14，在所述電致發(fā)光層背離所述第一電極的一側(cè)制備第二電極，所述第二電極面向所述電致發(fā)光層一側(cè)的表面具有所述第二凹凸圖案，所述第二電極背離所述電致發(fā)光層一側(cè)的表面具有所述第一凹凸圖案。
[0044]以下列舉所述電致發(fā)光器件及其制備方法的幾個(gè)實(shí)施例，以清楚說明本發(fā)明的內(nèi)容，應(yīng)當(dāng)明確的是，本發(fā)明的內(nèi)容并不限制于以下實(shí)施例，其他通過本領(lǐng)域普通技術(shù)人員的常規(guī)技術(shù)手段的改進(jìn)亦在本發(fā)明的思想范圍之內(nèi)。
[0045]第一實(shí)施例
[0046]請(qǐng)參閱圖2-圖3具體說明本發(fā)明的第一實(shí)施例，其中，圖2為本發(fā)明第一實(shí)施例的電致發(fā)光器件的示意圖；圖3為本發(fā)明第一實(shí)施例的電致發(fā)光器件發(fā)出會(huì)聚光的示意圖。在本實(shí)施例中，所述第一凹凸圖案包括一種凸起的球冠111。
[0047]如圖2所示，所述電致發(fā)光器件2包括依次層疊的基底110、第一電極120、電致發(fā)光層130以及第二電極140。所述第一電極120和第二電極140通電后產(chǎn)生的空穴和電子在所述電致發(fā)光層130中復(fù)合成激子，激子的能量轉(zhuǎn)移到發(fā)光分子，使發(fā)光分子中的電子被激發(fā)到激發(fā)態(tài)，而激發(fā)態(tài)是一個(gè)不穩(wěn)定的狀態(tài)，去激過程產(chǎn)生可見光。通常的，所述電致發(fā)光層130通常包括電子注入層、電子傳輸層、一個(gè)或多個(gè)發(fā)光層、空穴傳輸層和空穴注入層，此為本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以理解的，在此不作贅述。一般情況下，第一電極120是陽極，第二電極140是陰極。
[0048]在本實(shí)施例中，所述基底110的材料為透明材料，例如藍(lán)寶石、二氧化硅等透明絕緣材料中的一種或幾種的組合。
[0049]所述第一電極120和第二電極140設(shè)置于所述基底110的一側(cè)。在本實(shí)施例中，所述第一電極120的材料均為透明材料，例如氧化鋅、氧化銦錫等透明導(dǎo)電材料，所述第二電極140的材料為反射材料，例如金屬等可以反射光的導(dǎo)電材料。較佳的，所述第一電極120的厚度為10nm?50nm,例如20nm、30nm、40nm等等，所述第二電極140的厚度為50nm?200nm,例如lOOnm、150nm等等。所述第一電極120和第二電極140的厚度并不限于上述公開的范圍，但是所述第一電極120和第二電極140的厚度一般在納米級(jí)，不超過1 μπι。
[0050]所述電致發(fā)光層130夾設(shè)在所述第一電極120、第二電極140之間，在本實(shí)施例中，所述電致發(fā)光層130為有機(jī)發(fā)光層，所述電致發(fā)光器件2為有機(jī)電致發(fā)光器件。所述電致發(fā)光層130包括第一表面和第二表面，所述第一表面與所述第二電極140相接觸，所述第二表面與所述第一電極120相接觸，所述電致發(fā)光層130的第一表面具有第一凹凸圖案，所述電致發(fā)光層130的第二表面具有與所述第一凹凸圖案相匹配的第二凹凸圖案，即所述第一凹凸圖案和所述第二凹凸圖案相同，使得所述電致發(fā)光層130與所述第一電極120、第二電極140能夠無縫吻合。
[0051]較佳的，如圖2所示，所述基底110面向所述第一電極120 —側(cè)的表面、所述第一電極120面向所述電致發(fā)光層130 —側(cè)的表面、所述第二電極140背離所述電致發(fā)光層130一側(cè)的表面均具有所述第一凹凸圖案,所述第一電極120面向所述基底110 —側(cè)的表面、所述第二電極140面向所述電致發(fā)光層130 —側(cè)的表面均具有所述第二凹凸圖案。
[0052]其中，所述第一凹凸圖案的凹凸高度Η1 (所述第一凹凸圖案的凸起最高點(diǎn)到所述第一凹凸圖案的凹陷最低點(diǎn)之間的距離)大于所述電致發(fā)光層130的厚度Τ1，使得所述電致發(fā)光層130呈彎曲層狀，可以大大地增加所述電致發(fā)光層130的表面積，從而提高單位面積的所述基底110上所述電致發(fā)光層130的發(fā)光強(qiáng)度。所述第一凹凸圖案的凹凸寬度al遠(yuǎn)遠(yuǎn)地大于可見光的波長。
[0053]在本實(shí)施例中，所述第一凹凸圖案包括一種凸起的球冠111，則所述第二凹凸圖案包括一種凹陷的球冠112。所述第一凹凸圖案包括若干排列的凸起的球冠111。所述第一凹凸圖案的凹凸高度H1為所述球冠111的高度，所述第一凹凸圖案的凹凸寬度al為所述球冠111的底面直徑。
[0054]較佳的，所述電致發(fā)光層130的厚度為lOOnm?1 μ m,例如200nm、500nm、800nm等等。所述第一凹凸圖案的凹凸高度H1為2 μ m?2000 μ m,例如10 μ m、50 μ m、1000 μ m等等。所述第一凹凸圖案的凹凸寬度al為ΙΟμ--?ΙΟΟΟΟμ--，例如100 μ m、500 μ m、1000 μ m、5000μπι等等。例如，在本實(shí)施例中，所述第一凹凸圖案的凹凸高度HI為5μπι，所述第一凹凸圖案的凹凸寬度al為20 μ m，則一個(gè)球冠111的表面積為:
[0055]S1 = 31 (al2/4+Hl2)
[0056]= μπι2
[0057]= 125 3? μ m2
[0058]而直徑為20 μ m的圓的平面面積為:
[0059]S2 = 31 X 202/4 μ m2
[0060]= 100 3? μ m2
[0061]SI比S2高出25%，則說明，采用本實(shí)施例中的所述電致發(fā)光層130比現(xiàn)有技術(shù)中的電致發(fā)光層的表面積高出大致25%，有利于提高所述電致發(fā)光層130的發(fā)光率。
[0062]如圖3所示，在本實(shí)施例中，所述電致發(fā)光器件2為背光式電致發(fā)光器件，所述基底110和第一電極120為透明的，所述第二電極140具有反光性。當(dāng)所述電致發(fā)光層130電致發(fā)光時(shí)，光線(如圖3中的虛線箭頭)被所述第二電極140反射后，從所述基底110背離所述第一電極120的一側(cè)發(fā)出。由于所述第二電極140面向所述電致發(fā)光層130的一側(cè)具有所述第二凹凸圖案(若干排列的凹陷的球冠112)，反射的光線呈會(huì)聚狀，從而可以得到特定的光分布。當(dāng)然，不同的所述第二凹凸圖案可以得到不同的光分布，具體可以根據(jù)需要進(jìn)行設(shè)置。
[0063]以下結(jié)合圖4-圖9，具體說明本實(shí)施例中的電致發(fā)光器件的制備方法，其中，圖4為本發(fā)明第一實(shí)施例的電致發(fā)光器件的制備方法的流程圖；圖5-圖8為本發(fā)明第一實(shí)施例的電致發(fā)光器件的制備方法中器件結(jié)構(gòu)的示意圖。
[0064]首先，如圖5所示，進(jìn)行步驟S11，在所述基底110的一側(cè)的表面制備第一凹凸圖案。較佳的，可以通過壓印或機(jī)械加工的方式在所述基底110的一側(cè)的表面制備所述第一凹凸圖案，以在所述基底110的一側(cè)形成所述球冠111。當(dāng)然，形成所述第一凹凸圖案的方法并不限于壓印或機(jī)械加工的方式，還可以通過刻蝕等方法形成所述第一凹凸圖案。
[0065]然后，如圖6所示，進(jìn)行步驟S12，在所述基底110的一側(cè)制備第一電極120，由于所述第一電極120的厚度小于所述第一凹凸圖案的凹凸高度H1，所以，所述第一電極120對(duì)應(yīng)于所述基底110上凸起(即所述球冠111)的部分向上凸出，并使所述第一電極120背離所述基底110 —側(cè)的表面形成凸起，所述基底110上的所述球冠111轉(zhuǎn)移到所述第一電極120上，使得所述第一電極120呈彎曲層狀，在所述第一電極120面向所述基底110 —側(cè)的表面形成有與所述第一凹凸圖案相匹配的所述第二凹凸圖案，在所述第一電極120背離所述基底110 —側(cè)的表面形成有所述第一凹凸圖案。在本實(shí)施例中，所述第一電極120為透明材料，較佳的采用蒸鍍工藝制備所述第一電極120。
[0066]接著，如圖7所示，進(jìn)行步驟S13，在所述第一電極120背離所述基底110的一側(cè)制備所述電致發(fā)光層130，由于所述電致發(fā)光層130的厚度小于所述第一凹凸圖案的凹凸高度H1，所以，所述電致發(fā)光層130對(duì)應(yīng)于所述第一電極120上凸起的部分向上凸出，并使所述第一電極120背離所述基底110 —側(cè)的表面形成凸起，所述球冠111轉(zhuǎn)移到所述電致發(fā)光層130上，使得所述電致發(fā)光層130呈彎曲層狀，在所述電致發(fā)光層130面向所述第一電極120 —側(cè)的表面形成有所述第二凹凸圖案，在所述電致發(fā)光層130背離所述第一電極120一側(cè)的表面形成有所述第一凹凸圖案。在本實(shí)施例中，所述電致發(fā)光層130為有機(jī)發(fā)光層，較佳的采用蒸鍍工藝制備所述電致發(fā)光層130。
[0067]最后，如圖8所示，進(jìn)行步驟S14，在所述電致發(fā)光層130背離所述第一電極120的一側(cè)制備第二電極140，由于所述第二電極140的厚度小于所述第一凹凸圖案的凹凸高度H1，所以，所述球冠111轉(zhuǎn)移到所述第二電極140上，使得所述第二電極140呈彎曲層狀，所述第二電極140面向所述電致發(fā)光層130 —側(cè)的表面具有所述第二凹凸圖案，所述第二電極140背離所述電致發(fā)光層130 —側(cè)的表面具有所述第一凹凸圖案。在本實(shí)施例中，所述第二電極140的材料為反射材料，較佳的采用濺射工藝制備所述第二電極140。
[0068]在本實(shí)施例中，所述電致發(fā)光層130呈彎曲層狀，大大地增加了所述電致發(fā)光層130的表面積，可以在單位面積的所述基底110上產(chǎn)生更多的激子，從而增加光的能量，在單位面積的所述基底100上實(shí)現(xiàn)更高的發(fā)光亮度，有效地降低成本。
[0069]第二實(shí)施例
[0070]請(qǐng)參閱圖9，圖9為本發(fā)明第二實(shí)施例的電致發(fā)光器件的示意圖。在圖9中，參考標(biāo)號(hào)表不與圖2-圖3相同的表述與第一實(shí)施例相同的結(jié)構(gòu)。所述第二實(shí)施例的電致發(fā)光器件3與所述第一實(shí)施例的電致發(fā)光器件2基本相同，其區(qū)別在于:所述第一凹凸圖案包括至少一種凹陷的球冠211，所述第二凹凸圖案包括至少一種凸起的球冠212。
[0071 ] 在本實(shí)施例中，所述第一凹凸圖案包括一種凹陷的球冠211，則所述第二凹凸圖案包括一種凸起的球冠212。所述第一凹凸圖案包括若干排列的凹陷的球冠211。所述第一凹凸圖案的凹凸高度H2為所述球冠211的高度，所述第一凹凸圖案的凹凸寬度a2為所述球冠211的底面直徑。
[0072]其中，所述第一凹凸圖案的凹凸高度H2大于所述電致發(fā)光層130的厚度T1，使得所述電致發(fā)光層130呈彎曲層狀，可以大大地增加所述電致發(fā)光層130的表面積，從而提高單位面積的所述基底110上所述電致發(fā)光層130的發(fā)光強(qiáng)度。所述第一凹凸圖案的凹凸寬度a2遠(yuǎn)遠(yuǎn)地大于可見光的波長。米用本實(shí)施例中的所述電致發(fā)光層130的表面積亦大于比現(xiàn)有技術(shù)中的電致發(fā)光層的表面積，亦有利于提高所述電致發(fā)光層130的發(fā)光率。
[0073]如圖10所示，在本實(shí)施例中，所述電致發(fā)光器件3為背光式電致發(fā)光器件，所述基底110和第一電極120為透明的，所述第二電極140具有反光性。當(dāng)所述電致發(fā)光層130電致發(fā)光時(shí)，光線(如圖10中的虛線箭頭)被所述第二電極140反射后，從所述基底110背離所述第一電極120的一側(cè)發(fā)出。由于所述第二電極140面向所述電致發(fā)光層130的一側(cè)具有所述第二凹凸圖案(若干排列的凸起的球冠212)，反射的光線呈發(fā)散狀，從而可以得到特定的光分布。當(dāng)然，不同的所述第二凹凸圖案可以得到不同的光分布，具體可以根據(jù)需要進(jìn)行設(shè)置。
[0074]第三實(shí)施例
[0075]請(qǐng)參閱圖11，圖11為本發(fā)明第三實(shí)施例的電致發(fā)光器件的示意圖。在圖11中，參考標(biāo)號(hào)表不與圖2-圖3相同的表述與第一實(shí)施例相同的結(jié)構(gòu)。所述第三實(shí)施例的電致發(fā)光器件4與所述第一實(shí)施例的電致發(fā)光器件2基本相同，其區(qū)別在于:所述第二電極140的材料為透明材料，所述第一電極120的材料為反射材料，所述基底110的材料不做限制，可以為透明材料，也可以為反射材料等等。在本實(shí)施例中，所述電致發(fā)光器件4為前光式電致發(fā)光器件，當(dāng)所述電致發(fā)光層130電致發(fā)光時(shí)，光線(如圖11中的虛線箭頭)被所述第一電極120反射后，從所述第二電極140背離所述電致發(fā)光層130的一側(cè)發(fā)出。由于所述第一電極120面向所述電致發(fā)光層130的一側(cè)具有所述第一凹凸圖案(若干排列的凸起的球冠)，反射的光線呈發(fā)散狀，從而可以得到發(fā)散的光分布。
[0076]在本實(shí)施例中，由于所述第一電極120的材料為反射材料，所以在所述步驟S12中，較佳的采用濺射工藝制備所述第一電極120 ;所述第二電極140為透明材料，所以在所述步驟S14中，較佳的采用蒸鍍工藝制備所述第二電極140。
[0077]第四實(shí)施例
[0078]請(qǐng)參閱圖12，圖12為本發(fā)明第四實(shí)施例的電致發(fā)光器件的示意圖。在圖12中，參考標(biāo)號(hào)表不與圖2-圖3相同的表述與第一實(shí)施例相同的結(jié)構(gòu)。所述第四實(shí)施例的電致發(fā)光器件5與所述第一實(shí)施例的電致發(fā)光器件2基本相同，其區(qū)別在于:所述基底110的材料為反射材料，所述第一電極120和所述第二電極140的材料為透明材料。在本實(shí)施例中，所述電致發(fā)光器件4為前光式電致發(fā)光器件，當(dāng)所述電致發(fā)光層130電致發(fā)光時(shí)，光線(如圖12中的虛線箭頭)被所述基底110反射后，從所述第二電極140背離所述電致發(fā)光層130的一側(cè)發(fā)出。由于所述基底110面向所述第一電極120的一側(cè)具有所述第一凹凸圖案(若干排列的凸起的球冠)，反射的光線呈發(fā)散狀，從而可以得到發(fā)散的光分布。
[0079]第五實(shí)施例
[0080]請(qǐng)參閱圖13，圖13為本發(fā)明第五實(shí)施例的電致發(fā)光器件的示意圖。在圖13中，參考標(biāo)號(hào)表不與圖2-圖3相同的表述與第一實(shí)施例相同的結(jié)構(gòu)。所述第五實(shí)施例的電致發(fā)光器件6與所述第一實(shí)施例的電致發(fā)光器件2基本相同，其區(qū)別在于:所述第一凹凸圖案包括多種不同的球冠，所述球冠的高度不同，或所述球冠的底面直徑不同，或所述球冠的高度以及底面直徑均不同。
[0081]在圖13中，以所述第一凹凸圖案包括兩種高度不同的球冠為例進(jìn)行說明。所述電致發(fā)光層130背離所述基底110 —側(cè)的表面具有第一凹凸圖案，所述電致發(fā)光層130面向所述基底110—側(cè)的表面具有與所述第一凹凸圖案相匹配的第二凹凸圖案。在本實(shí)施例中，所述第一凹凸圖案包括兩種凸起的球冠:第一高度凸起球冠311以及第二高度凸起球冠321，則所述第二凹凸圖案包括兩種凹陷的球冠:第一高度凹陷球冠312以及第二高度凹陷球冠322。
[0082]所述第一高度凸起球冠311以及第二高度凸起球冠321可以在所述電致發(fā)光層130背離所述基底110—側(cè)的表面間隔排列，所述第一高度凸起球冠311以及第二高度凸起球冠321還可以在所述電致發(fā)光層130背離所述基底110 —側(cè)的表面隨機(jī)排列。所述第一凹凸圖案具有兩種凹凸高度:所述第一高度凸起球冠311的高度H4、所述第二高度凸起球冠321的高度H3，兩種凹凸高度均大于所述電致發(fā)光層130的厚度。
[0083]所述第一凹凸圖案具有兩種凹凸寬度:所述第一高度凸起球冠311的底面直徑a4、所述第二高度凸起球冠321的底面直徑a3，在本實(shí)施例中，所述第一高度凸起球冠311的底面直徑a4和所述第二高度凸起球冠321的底面直徑a3相等，且均大于可見光的波長。
[0084]在本實(shí)施例中，其中，所述第一凹凸圖案的凹凸高度(包括所述第一高度凸起球冠311的高度H4、所述第二高度凸起球冠321的高度H3)大于所述電致發(fā)光層130的厚度，使得所述電致發(fā)光層130呈彎曲層狀，亦可以大大地增加所述電致發(fā)光層130的表面積，從而提高單位面積的所述基底110上所述電致發(fā)光層130的發(fā)光強(qiáng)度。
[0085]當(dāng)然，所述多種不同的球冠并不限于所述球冠的高度不同，還可以所述球冠的底面直徑不同，或所述球冠的高度以及底面直徑均不同，根據(jù)本發(fā)明的上述描述，所述球冠的底面直徑不同，或所述球冠的高度以及底面直徑均不同的結(jié)構(gòu)為本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員可以理解，在此不作贅述。
[0086]本發(fā)明的較佳實(shí)施例如上所述，但是，本發(fā)明的電致發(fā)光器件并不限于上述公開的內(nèi)容，例如:
[0087]在本發(fā)明的其它實(shí)施例中，所述電致發(fā)光層還可以為無機(jī)發(fā)光層，所述電致發(fā)光器件為無機(jī)電致發(fā)光器件，亦可以通過增加所述電致發(fā)光層的表面積增加所述電致發(fā)光層的發(fā)光效率，亦在本發(fā)明的思想范圍之內(nèi)；
[0088]在本發(fā)明中，所述第一凹凸圖案并不限于包括若干凸起或凹陷的球冠，所述第一凹凸圖案還可以包括若干凸起或凹陷的圓柱結(jié)構(gòu)、梯形結(jié)構(gòu)或錐型結(jié)構(gòu)等等，亦可以增加所述電致發(fā)光層的表面積，亦在本發(fā)明的思想范圍之內(nèi)，根據(jù)本發(fā)明的上述描述，此為本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以理解的，在此不作贅述。
[0089]顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對(duì)本發(fā)明進(jìn)行各種改動(dòng)和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動(dòng)和變型在內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種電致發(fā)光器件，包括: 基底； 設(shè)置于所述基底的一側(cè)的第一電極、第二電極；以及 夾設(shè)在所述第一電極、第二電極之間的電致發(fā)光層； 其特征在于，所述電致發(fā)光層包括第一表面和第二表面，所述第一表面與所述第二電極相接觸，所述第二表面與所述第一電極相接觸，所述電致發(fā)光層的第一表面具有第一凹凸圖案，所述電致發(fā)光層的第二表面具有與所述第一凹凸圖案相匹配的第二凹凸圖案，所述第一凹凸圖案的凹凸高度大于所述電致發(fā)光層的厚度。
2.如權(quán)利要求1所述電致發(fā)光器件，其特征在于，所述第一凹凸圖案包括至少一種凹陷的球冠，所述第二凹凸圖案包括至少一種凸起的球冠；或所述第一凹凸圖案包括至少一種凸起的球冠，所述第二凹凸圖案包括至少一種凹陷的球冠。
3.如權(quán)利要求2所述電致發(fā)光器件，其特征在于，所述第一凹凸圖案包括多種高度不同的球冠或多種底面直徑不同的球冠。
4.如權(quán)利要求1所述電致發(fā)光器件，其特征在于，所述第一電極的厚度為1nm?50nm,所述第二電極的厚度為50nm?200nm,所述電致發(fā)光層的厚度為10nm?I μ m,所述第一凹凸圖案的凹凸高度為2μπι?2000μπι，所述第一凹凸圖案的凹凸寬度為1ym?10000 μ m。
5.如權(quán)利要求1所述電致發(fā)光器件，其特征在于，所述基底的材料和第一電極的材料均為透明材料，所述第二電極的材料為反射材料；或，所述第二電極和第一電極的材料均為透明材料，所述基底的材料為反射材料；或，所述第二電極的材料為透明材料，所述第一電極的材料為反射材料。
6.—種電致發(fā)光器件的制備方法,其特征在于,包括: 在基底的一側(cè)的表面制備第一凹凸圖案； 在所述基底的一側(cè)制備第一電極，所述第一電極面向所述基底一側(cè)的表面具有與所述第一凹凸圖案相匹配的第二凹凸圖案，所述第一電極背離所述基底一側(cè)的表面具有所述第一凹凸圖案； 在所述第一電極背離所述基底的一側(cè)制備電致發(fā)光層，所述電致發(fā)光層面向所述第一電極一側(cè)的表面具有所述第二凹凸圖案，所述電致發(fā)光層背離所述第一電極一側(cè)的表面具有所述第一凹凸圖案；以及 在所述電致發(fā)光層背離所述第一電極的一側(cè)制備第二電極，所述第二電極面向所述電致發(fā)光層一側(cè)的表面具有所述第二凹凸圖案，所述第二電極背離所述電致發(fā)光層一側(cè)的表面具有所述第一凹凸圖案； 其中，所述第一凹凸圖案的凹凸高度大于所述電致發(fā)光層的厚度。
7.如權(quán)利要求6所述電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述電致發(fā)光層為有機(jī)發(fā)光層，采用蒸鍍工藝制備所述電致發(fā)光層。
8.如權(quán)利要求6所述電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述第一電極的材料為反射材料，采用濺射工藝制備所述第一電極；或，所述第一電極為透明材料，采用蒸鍍工藝制備所述第一電極。
9.如權(quán)利要求6所述電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述第二電極的材料為反射材料，采用濺射工藝制備所述第二電極；或，所述第二電極為透明材料，采用蒸鍍工藝制備所述第二電極。
10.如權(quán)利要求6所述電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，通過壓印或機(jī)械加工的方式在所述基底的一側(cè)的表面制備所述第一凹凸圖案。
【文檔編號(hào)】H01L51/50GK104466006SQ201410722612
【公開日】2015年3月25日 申請(qǐng)日期:2014年12月2日 優(yōu)先權(quán)日:2014年12月2日
【發(fā)明者】陸海峰 申請(qǐng)人:昆山國顯光電有限公司