一種柔性面板、其制備方法及柔性顯示器件的制作方法
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明公開(kāi)了一種柔性面板、其制備方法及柔性顯示器件，由于緩沖層具有絕緣性和高導(dǎo)熱性，因此，該緩沖層不僅可以起到絕緣的作用，并且在通過(guò)對(duì)該緩沖層上的非晶硅薄膜進(jìn)行激光晶化處理形成多晶硅薄膜時(shí)，即使激光能量不能完全被非晶硅薄膜吸收，殘余的激光能量也可以通過(guò)具有高導(dǎo)熱性的緩沖層迅速擴(kuò)散掉，從而避免了殘余激光能量對(duì)柔性基板的損傷，保證了柔性面板的性能。
【專(zhuān)利說(shuō)明】一種柔性面板、其制備方法及柔性顯示器件

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體【技術(shù)領(lǐng)域】，尤指一種柔性面板、其制備方法及柔性顯示器件。

【背景技術(shù)】
[0002]柔性顯示技術(shù)是近幾年來(lái)顯示【技術(shù)領(lǐng)域】的研究熱點(diǎn)，因其具有更薄、更抗震動(dòng)、更輕便的優(yōu)點(diǎn)，將被廣泛地應(yīng)用于民用領(lǐng)域和軍事領(lǐng)域。柔性顯示可定義為用很薄的柔性襯底制作顯示面板的基板，它能彎曲到曲率半徑只有幾厘米或更小而不會(huì)損害顯示面板的顯示功能。
[0003]目前，有源層技術(shù)是顯示面板的核心技術(shù)，低溫多晶娃(Low TemperaturePoly-Silicon, LTPS)薄膜晶體管(Thin Film Transistor, TFT)由于具有很高的電子遷移率(最高能達(dá)到>100cm2/Vs)和穩(wěn)定性、尺寸小、寄生電容較低、開(kāi)口率較高等優(yōu)點(diǎn)被廣泛應(yīng)用于顯示面板中。而低溫多晶硅薄膜晶體管的制備關(guān)鍵是制備性能優(yōu)良的多晶硅(Poly-Si)薄膜，準(zhǔn)分子激光晶化法(ELA)由于在晶化時(shí)間、晶粒尺寸、晶化溫度等方面非常適合于低溫多晶硅薄膜晶體管的制備，因此是目前晶化方法中的主流技術(shù)，并且，由于晶化時(shí)激光照射到基板的能量絕大部分被非晶硅(A-Si)所吸收，對(duì)柔性基板無(wú)任何損傷，因此也特別適用于柔性基板上的LTPS晶化工藝。
[0004]現(xiàn)有的柔性面板如圖1所示，包括依次設(shè)置的柔性基板OI，絕緣層02和多晶硅薄膜03。制備時(shí)一般是在一硬質(zhì)承載基板上依次形成柔性基板，絕緣層和非晶硅薄膜，然后再采用準(zhǔn)分子激光晶化法對(duì)非晶硅薄膜進(jìn)行激光晶化處理，使非晶硅薄膜變?yōu)槎嗑Ч璞∧?。但是在制備的過(guò)程中，在形成柔性基板01或者非晶硅薄膜時(shí)會(huì)不可避免的引入粉塵等顆粒04，這些顆粒04會(huì)導(dǎo)致其附近的膜層變薄，從而導(dǎo)致在對(duì)非晶硅薄膜進(jìn)行激光晶化處理時(shí)，激光能量不能全部被非晶硅薄膜吸收，從而損傷柔性基板。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]有鑒于此，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種柔性面板、其制備方法及柔性顯示器件，用以防止在形成多晶硅薄膜時(shí)，由于激光能量就不能完全被非晶硅薄膜吸收，而導(dǎo)致激光能量損傷柔性基板。
[0006]因此，本發(fā)明實(shí)施例的一種柔性面板，包括柔性基板、以及依次位于所述柔性基板上的緩沖層和多晶硅薄膜；其中，所述多晶硅薄膜由形成在所述緩沖層上的非晶硅薄膜經(jīng)過(guò)激光晶化處理后形成；
[0007]所述緩沖層具有絕緣性和高導(dǎo)熱性。
[0008]較佳地，為了便于實(shí)施，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述柔性面板中，所述緩沖層包括依次位于所述柔性基板上的導(dǎo)熱層和絕緣層；其中，
[0009]所述導(dǎo)熱層的導(dǎo)熱系數(shù)大于或等于1000瓦每米每開(kāi)。
[0010]較佳地，為了匹配柔性基板與絕緣層之間的應(yīng)力，以避免柔性基板的破裂，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述柔性面板中，所述導(dǎo)熱層的材料為石墨烯或碳納米管。
[0011]較佳地，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述柔性面板中，所述絕緣層的厚度為250nm-400nmo
[0012]或者，較佳地，為了簡(jiǎn)化制作工藝，緩沖層由既具有絕緣性又具有高導(dǎo)熱性的一種膜層形成，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述柔性面板中，所述緩沖層的材料為摻雜有高導(dǎo)熱納米顆粒的高分子絕緣材料；其中，
[0013]所述高導(dǎo)熱納米顆粒的導(dǎo)熱系數(shù)大于或等于1000瓦每米每開(kāi)；
[0014]所述高分子絕緣材料的電阻率大于或等于19歐厘米。
[0015]較佳地，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述柔性面板中，所述高導(dǎo)熱納米顆粒的材料為金屬、金屬氧化物或金屬氮化物。
[0016]較佳地，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述柔性面板中，所述高分子絕緣材料為無(wú)機(jī)高分子化合物或有機(jī)高分子化合物。
[0017]較佳地，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述柔性面板中，所述無(wú)機(jī)高分子化合物為鹵化物、硫化物、氧化物或硅烷的高分子化合物。
[0018]較佳地，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述柔性面板中，所述有機(jī)高分子化合物為有機(jī)烯類(lèi)、有機(jī)炔類(lèi)、有機(jī)樹(shù)脂類(lèi)、有機(jī)醚類(lèi)、有機(jī)酸酯類(lèi)或聚苯胺。
[0019]相應(yīng)地，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種柔性面板的制備方法，包括:
[0020]在硬質(zhì)承載基板上形成柔性基板；
[0021]在所述柔性基板上形成緩沖層，其中，所述緩沖層具有絕緣性和高導(dǎo)熱性；
[0022]在所述緩沖層上形成非晶硅薄膜；
[0023]對(duì)所述非晶硅薄膜進(jìn)行激光晶化處理，使所述非晶硅薄膜變?yōu)槎嗑Ч璞∧ぁ?br> [0024]較佳地，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述制備方法中，在所述柔性基板上形成緩沖層，具體包括:
[0025]在所述柔性基板上形成導(dǎo)熱層，所述導(dǎo)熱層的導(dǎo)熱系數(shù)大于或等于1000瓦每米每開(kāi)；
[0026]在所述導(dǎo)熱層上形成絕緣層。
[0027]較佳地，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述制備方法中，所述緩沖層的材料為摻雜有高導(dǎo)熱納米顆粒的高分子絕緣材料；其中，
[0028]所述高導(dǎo)熱納米顆粒的導(dǎo)熱系數(shù)大于或等于1000瓦每米每開(kāi)；
[0029]所述高分子絕緣材料的電阻率大于或等于19歐厘米。
[0030]較佳地，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述制備方法中，在所述緩沖層上形成非晶硅薄膜之后，在對(duì)所述非晶硅薄膜進(jìn)行激光晶化處理之前，還包括:
[0031]對(duì)所述非晶硅薄膜進(jìn)行熱退火處理，以去除非晶硅薄膜中的氫原子，防止非晶硅薄膜進(jìn)行結(jié)晶時(shí)，氫原子因受熱溢出，損壞結(jié)晶效果。
[0032]相應(yīng)地，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種柔性顯示器件，包括本發(fā)明實(shí)施例提供的上述柔性面板。
[0033]本發(fā)明實(shí)施例提供的上述柔性面板、其制備方法及柔性顯示器件，由于緩沖層具有絕緣性和高導(dǎo)熱性，因此，該緩沖層不僅可以起到絕緣的作用，并且在通過(guò)對(duì)該緩沖層上的非晶硅薄膜進(jìn)行激光晶化處理形成多晶硅薄膜時(shí)，即使激光能量不能完全被非晶硅薄膜吸收，殘余的激光能量也可以通過(guò)具有高導(dǎo)熱性的緩沖層迅速擴(kuò)散掉，從而避免了殘余激光能量對(duì)柔性基板的損傷，保證了柔性面板的性能。

【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0034]圖1為現(xiàn)有的柔性面板的結(jié)構(gòu)示意圖
[0035]圖2為本發(fā)明實(shí)施例提供的柔性面板的結(jié)構(gòu)示意圖之一；
[0036]圖3為本發(fā)明實(shí)施例提供的柔性面板的結(jié)構(gòu)示意圖之二 ；
[0037]圖4為本發(fā)明實(shí)施例提供的柔性面板的制備方法的流程示意圖；
[0038]圖5a至圖5f分別為圖3所示的柔性面板的制備方法執(zhí)行各步驟后的結(jié)構(gòu)示意圖。

【具體實(shí)施方式】
[0039]下面結(jié)合附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例提供的柔性面板、其制備方法及柔性顯示器件的【具體實(shí)施方式】進(jìn)行詳細(xì)地說(shuō)明。
[0040]附圖中各層薄膜厚度和區(qū)域大小形狀不反映柔性面板的真實(shí)比例，目的只是示意說(shuō)明本
【發(fā)明內(nèi)容】
。
[0041]本發(fā)明實(shí)施例提供的一種柔性面板，如圖2所示，包括柔性基板10、以及依次位于該柔性基板10上的緩沖層11和多晶硅薄膜12 ;其中，多晶硅薄膜12由形成在緩沖層11上的非晶硅薄膜經(jīng)過(guò)激光晶化處理后形成；
[0042]該緩沖層11具有絕緣性和高導(dǎo)熱性。
[0043]本發(fā)明實(shí)施例提供的上述柔性面板，由于緩沖層具有絕緣性和高導(dǎo)熱性，因此，該緩沖層不僅可以起到絕緣的作用，并且在通過(guò)對(duì)該緩沖層上的非晶硅薄膜進(jìn)行激光晶化處理形成多晶硅薄膜時(shí)，即使激光能量不能完全被非晶硅薄膜吸收，殘余的激光能量也可以通過(guò)具有高導(dǎo)熱性的緩沖層迅速擴(kuò)散掉，從而避免了殘余激光能量對(duì)柔性基板的損傷，保證了柔性面板的性能。
[0044]需要說(shuō)明的是，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述柔性面板中高導(dǎo)熱性是指導(dǎo)熱系數(shù)等于或大于1000瓦每米每開(kāi)(W/m.K)的性能。
[0045]具體地，在具體實(shí)施時(shí)，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述柔性面板中，如圖3所示，緩沖層11包括依次位于柔性基板10上的導(dǎo)熱層111和絕緣層112 ;其中，導(dǎo)熱層111的導(dǎo)熱系數(shù)大于或等于1000瓦每米每開(kāi)。這里導(dǎo)熱層的主要作用是可以將殘余的激光能量進(jìn)行快速擴(kuò)散，以避免對(duì)柔性基板的損傷；絕緣層的作用于現(xiàn)有技術(shù)中相同，在此不作詳述。
[0046]較佳地，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述柔性面板中，導(dǎo)熱層的材料優(yōu)選為石墨烯或碳納米管。這是因?yàn)槭┖吞技{米管均具有優(yōu)良的彎曲性能，因此采用石墨烯或碳納米管制作的導(dǎo)熱層可以很好的匹配柔性基板與絕緣層之間的應(yīng)力，從而避免應(yīng)力造成的柔性基板發(fā)生破裂的問(wèn)題。
[0047]較佳地，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述柔性面板中，絕緣層的材料可以為氧化硅(S1x)、氮化娃(SiNx)或氧化娃和氮化娃的復(fù)合材料等,在此不作限定。
[0048]較佳地，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述柔性面板中，絕緣層的厚度控制在250nm-400nm之間效果為佳,在此不作限定。
[0049]或者，較佳地，為了簡(jiǎn)化制作工藝，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述柔性面板中，緩沖層由既具有絕緣性又具有高導(dǎo)熱性的材料一次形成。具體地，緩沖層的材料為摻雜有高導(dǎo)熱納米顆粒的高分子絕緣材料；其中，
[0050]高導(dǎo)熱納米顆粒的導(dǎo)熱系數(shù)大于或等于1000瓦每米每開(kāi)；
[0051]高分子絕緣材料的電阻率大于或等于19歐厘米(Ω.cm)。
[0052]具體地，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述柔性面板中，高導(dǎo)熱納米顆粒的材料可以為金屬、金屬氧化物或金屬氮化物等。
[0053]進(jìn)一步地，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述柔性面板中，高導(dǎo)熱納米顆粒的材料為氮化鋁、氧化鋁、氧化鋅和氮化硼中之一或組合。
[0054]具體地，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述柔性面板中，高分子絕緣材料可以為無(wú)機(jī)高分子化合物或有機(jī)高分子化合物，在此不作限定。
[0055]進(jìn)一步地，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述柔性面板中，無(wú)機(jī)高分子化合物可以為鹵化物、硫化物、氧化物或硅烷等的高分子化合物。
[0056]進(jìn)一步地，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述柔性面板中，有機(jī)高分子化合物可以為有機(jī)烯類(lèi)、有機(jī)炔類(lèi)、有機(jī)樹(shù)脂類(lèi)、有機(jī)醚類(lèi)、有機(jī)酸酯類(lèi)或聚苯胺等。
[0057]具體地，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述柔性面板中，有機(jī)炔類(lèi)為聚乙炔。
[0058]具體地，在具體實(shí)施時(shí)，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述柔性面板中，柔性基板可以為塑料基板。具體地，塑料基板的材料可以為聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯(PolyethyleneTerephthalate, PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(Polyethylene Naphthalate, PEN)、聚碳酸酯(Polycarbonate, PC)、聚醚諷(Polyether Sulfone, PES)和聚酸亞胺(Polyimide, PI)等材料中一種或者多種組合。
[0059]基于同一發(fā)明構(gòu)思，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種柔性面板的制備方法，如圖4所示，可以包括以下步驟:
[0060]SlOl、在硬質(zhì)承載基板上形成柔性基板；
[0061]S102、在柔性基板上形成緩沖層，其中，緩沖層具有絕緣性和高導(dǎo)熱性；
[0062]S103、在緩沖層上形成非晶硅薄膜；
[0063]S104、對(duì)非晶硅薄膜進(jìn)行激光晶化處理，使非晶硅薄膜變?yōu)槎嗑Ч璞∧ぁ?br> [0064]本發(fā)明實(shí)施例提供的上述柔性面板的制備方法，由于在形成非晶硅薄膜之前，先在柔性基板上形成具有絕緣性和高導(dǎo)熱性的緩沖層，因此，在后續(xù)對(duì)非晶硅薄膜進(jìn)行激光晶化處理時(shí)，即使激光能量不能完全被非晶硅薄膜吸收，殘余的激光能量也可以通過(guò)具有高導(dǎo)熱性的緩沖層迅速擴(kuò)散掉，從而避免了殘余激光能量對(duì)柔性基板的損傷，保證了柔性面板的性能。
[0065]具體地，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述制備方法中，柔性基板可以為塑料基板。進(jìn)一步地，塑料基板的材料可以為聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯(Polyethylene Terephthalate,PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(Polyethylene Naphthalate,PEN)、聚碳酸酯(Polycarbonate,PC)、聚醚砜(Polyether Sulfone, PES)和聚酰亞胺(Polyimide, PI)等材料中一種或者多種組合。
[0066]進(jìn)一步地，上述柔性基板可以利用溶液狀的塑料溶劑進(jìn)行涂布，然后烘烤固化形成，或者利用粘結(jié)劑通過(guò)貼附的方式將塑料薄膜貼附在硬質(zhì)承載基板上形成。
[0067]較佳地，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述制備方法中，步驟S102在柔性基板上形成緩沖層，具體可以包括:
[0068]在柔性基板上形成導(dǎo)熱層，導(dǎo)熱層的導(dǎo)熱系數(shù)大于或等于1000瓦每米每開(kāi)；
[0069]在導(dǎo)熱層上形成絕緣層。
[0070]較佳地，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述制備方法中，導(dǎo)熱層的材料為石墨烯或碳納米管。
[0071]具體地，在具體實(shí)施時(shí)，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述制備方法中，當(dāng)導(dǎo)熱層的材料為石墨烯時(shí)，石墨烯可以通過(guò)氧化-還原法、碳化硅(SiC)外延生長(zhǎng)法、氣相沉積法或有機(jī)合成法等制備，在此不作限定。
[0072]具體地，在具體實(shí)施時(shí)，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述制備方法中，當(dāng)導(dǎo)熱層的材料為碳納米管時(shí)，碳納米管可以通過(guò)石墨電弧法、催化裂解法、激光蒸發(fā)法或化學(xué)氣相沉積法等制備，在此不作限定。
[0073]具體地，在具體實(shí)施時(shí)，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述制備方法中，絕緣層可以采用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法(PECVD)制備。具體地，絕緣層的材料可以為氧化硅(S1x)、氮化硅(SiNx)或氧化硅和氮化硅的復(fù)合物等。對(duì)應(yīng)的反應(yīng)氣體可以為甲烷(SiH4)、氨氣(NH3)和氮?dú)?N2)的混合氣體或二氯硅烷(SiH2C12)、氨氣(NH3)和氮?dú)?N2)的混合氣體，在此不作限定。
[0074]進(jìn)一步地，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述制備方法中，絕緣層的厚度控制在250nm-400nm之間效果為佳。
[0075]當(dāng)然，在具體實(shí)施時(shí)，為了簡(jiǎn)化制作工藝，緩沖層可以由既具有絕緣性又具有高導(dǎo)熱性的材料一次形成。因此，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述制備方法中，緩沖層的材料為摻雜有高導(dǎo)熱納米顆粒的高分子絕緣材料；其中，
[0076]高導(dǎo)熱納米顆粒的導(dǎo)熱系數(shù)大于或等于1000瓦每米每開(kāi)；
[0077]高分子絕緣材料的電阻率大于或等于19歐厘米。
[0078]具體地，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述制備方法中，高導(dǎo)熱納米顆粒的材料可以為金屬、金屬氧化物或金屬氮化物。進(jìn)一步地，高導(dǎo)熱納米顆粒的材料可以為氮化鋁、氧化鋁、氧化鋅和氮化硼中之一或組合。
[0079]具體地，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述制備方法中，高分子絕緣材料可以為無(wú)機(jī)高分子化合物或有機(jī)高分子化合物。進(jìn)一步地，無(wú)機(jī)高分子化合物可以為齒化物、硫化物、氧化物或硅烷的高分子化合物。有機(jī)高分子化合物可以為有機(jī)烯類(lèi)、有機(jī)炔類(lèi)、有機(jī)樹(shù)脂類(lèi)、有機(jī)醚類(lèi)、有機(jī)酸酯類(lèi)或聚苯胺。
[0080]具體地，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述制備方法中，步驟S103在緩沖層上形成非晶硅薄膜，具體可以采用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法沉積非晶硅薄膜，對(duì)應(yīng)的反應(yīng)氣體可以是甲烷(SiH4)和氮?dú)?N2)的混合氣體或者二氯硅烷(SiH2C12)和氫氣(H2)的混合氣體。在此不作限定。
[0081]具體地，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述制備方法中，非晶硅薄膜的厚度控制在30nm-50nm之間效果為佳,在此不作限定。
[0082]較佳地，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述制備方法中，在步驟S103在緩沖層上形成非晶硅薄膜之后，步驟S104在對(duì)非晶硅薄膜進(jìn)行激光晶化處理之前，還包括:
[0083]對(duì)非晶硅薄膜進(jìn)行熱退火處理，以去除非晶硅薄膜中的氫原子，防止非晶硅薄膜在后續(xù)工藝中進(jìn)行結(jié)晶時(shí)，氫原子因受熱溢出，損壞結(jié)晶效果。
[0084]進(jìn)一步地，在本發(fā)明實(shí)例提供的上述制備方法中，采用準(zhǔn)分子激光晶化法(ELA)對(duì)非晶硅薄膜進(jìn)行激光晶化處理，使非晶硅薄膜變?yōu)槎嗑Ч璞∧ぁ?br> [0085]具體地，采用準(zhǔn)分子激光晶化法(ELA)對(duì)非晶硅薄膜進(jìn)行激光晶化處理時(shí)，激光的波長(zhǎng)控制在308nm左右，頻率控制在200Hz-400Hz之間，激光能量密度控制230mJ/cm2-250mj/cm2之間，重疊率控制在92% -98%之間效果為佳。
[0086]下面以圖3所示的柔性面板為例，詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例提供的上述制備方法。在具體實(shí)施時(shí)，可以包括:
[0087](I)在硬質(zhì)承載基板I上形成柔性基板10，如圖5a所示；
[0088]具體地，柔性基板的材料選取塑料材料，具體可以為聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯(Polyethylene Terephthalate,PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(Polyethylene Naphthalate,PEN)、聚碳酸酯(Polycarbonate, PC)、聚醚諷(Polyether Sulfone, PES)和聚酸亞胺(Polyimide, PI)等材料中一種或者多種組合。進(jìn)一步地，在具體實(shí)施時(shí)，將溶液狀的塑料溶劑涂布于硬質(zhì)承載基板的表面，然后將其烘烤固化就可以形成柔性基板，或者利用粘結(jié)劑通過(guò)貼附的方式將塑料薄膜貼附在硬質(zhì)承載基板上形成柔性基板。
[0089](2)在柔性基板10上形成導(dǎo)熱層111，如圖5b所示；
[0090]具體地，導(dǎo)熱層的材料優(yōu)選為石墨烯或碳納米管。當(dāng)導(dǎo)熱層的材料為石墨烯時(shí)，石墨烯可以通過(guò)氧化-還原法、碳化硅(SiC)外延生長(zhǎng)法、氣相沉積法或有機(jī)合成法等制備。當(dāng)導(dǎo)熱層的材料為碳納米管時(shí)，碳納米管可以通過(guò)石墨電弧法、催化裂解法、激光蒸發(fā)法或化學(xué)氣相沉積法等制備。
[0091](3)在導(dǎo)熱層111上形成絕緣層112，如圖5c所示；
[0092]具體地，絕緣層的材料可以為氧化硅(S1x)、氮化硅(SiNx)或氧化硅和氮化硅的復(fù)合物等。在具體實(shí)施時(shí)，絕緣層可以采用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法(PECVD)制備，對(duì)應(yīng)的反應(yīng)氣體可以為甲烷(SiH4)、氨氣(NH3)和氮?dú)?N2)的混合氣體或二氯硅烷(SiH2C12)、氨氣(NH3)和氮?dú)?N2)的混合氣體，在此不作限定。
[0093]進(jìn)一步地,絕緣層的厚度可以控制在250nm-400nm之間。
[0094](4)在絕緣層112上形成非晶硅薄膜13 ;如圖5d所示；
[0095]具體可以采用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法沉積非晶硅薄膜，對(duì)應(yīng)的反應(yīng)氣體可以是甲烷(SiH4)和氮?dú)?N2)的混合氣體或者二氯硅烷(SiH2C12)和氫氣(H2)的混合氣體。
[0096]具體地，非晶硅薄膜的厚度控制在30nm_50nm之間。
[0097](5)對(duì)非晶硅薄膜13進(jìn)行熱退火處理，以去除非晶硅薄膜13中的氫原子，防止非晶硅薄膜13在后續(xù)工藝中進(jìn)行結(jié)晶時(shí)，氫原子因受熱溢出，損壞結(jié)晶效果。
[0098](6)如圖5e所示，對(duì)非晶硅薄膜13進(jìn)行激光晶化處理，使非晶硅薄膜13變?yōu)槎嗑薇∧?2,如圖5f所示；
[0099]具體地，在具體實(shí)施時(shí)，采用準(zhǔn)分子激光晶化法(ELA)對(duì)非晶硅薄膜進(jìn)行激光晶化處理，激光的波長(zhǎng)控制在308nm左右，頻率控制在200Hz-400Hz之間，激光能量密度控制230mJ/cm2-250mJ/cm2之間，重疊率控制在92% -98%之間。
[0100]具體地，經(jīng)過(guò)上述步驟(I)至(6)之后，就可以得到如圖3所示的柔性面板。上述制備方法由于在形成非晶硅薄膜之前，先在柔性基板上形成導(dǎo)熱層和絕緣層，因此，在后續(xù)對(duì)非晶硅薄膜進(jìn)行激光晶化處理時(shí)，即使激光能量不能完全被非晶硅薄膜吸收，殘余的激光能量也可以通過(guò)導(dǎo)熱層迅速擴(kuò)散掉，從而避免了殘余激光能量對(duì)柔性基板的損傷，保證了柔性面板的性能。
[0101]基于同一發(fā)明構(gòu)思，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種柔性顯示器件，包括本發(fā)明實(shí)施例提供的上述柔性面板。具體地，該柔性顯示器件的實(shí)施例可以參見(jiàn)上述柔性面板的實(shí)施例，重復(fù)之處不再贅述。
[0102]本發(fā)明實(shí)施例提供的一種柔性面板、其制備方法及柔性顯示器件，由于緩沖層具有絕緣性和高導(dǎo)熱性，因此，該緩沖層不僅可以起到絕緣的作用，并且在通過(guò)對(duì)該緩沖層上的非晶硅薄膜進(jìn)行激光晶化處理形成多晶硅薄膜時(shí)，即使激光能量不能完全被非晶硅薄膜吸收，殘余的激光能量也可以通過(guò)具有高導(dǎo)熱性的緩沖層迅速擴(kuò)散掉，從而避免了殘余激光能量對(duì)柔性基板的損傷，保證了柔性面板的性能。
[0103]顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對(duì)本發(fā)明進(jìn)行各種改動(dòng)和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動(dòng)和變型在內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種柔性面板，包括柔性基板、以及依次位于所述柔性基板上的緩沖層和多晶硅薄膜；其中，所述多晶硅薄膜由形成在所述緩沖層上的非晶硅薄膜經(jīng)過(guò)激光晶化處理后形成，其特征在于: 所述緩沖層具有絕緣性和高導(dǎo)熱性。
2.如權(quán)利要求1所述的柔性面板，其特征在于，所述緩沖層包括依次位于所述柔性基板上的導(dǎo)熱層和絕緣層；其中， 所述導(dǎo)熱層的導(dǎo)熱系數(shù)大于或等于1000瓦每米每開(kāi)。
3.如權(quán)利要求2所述的柔性面板，其特征在于，所述導(dǎo)熱層的材料為石墨烯或碳納米管。
4.如權(quán)利要求2所述的柔性面板，其特征在于，所述絕緣層的厚度為250nm-400nm。
5.如權(quán)利要求1所述的柔性面板，其特征在于，所述緩沖層的材料為摻雜有高導(dǎo)熱納米顆粒的高分子絕緣材料；其中， 所述高導(dǎo)熱納米顆粒的導(dǎo)熱系數(shù)大于或等于1000瓦每米每開(kāi)； 所述高分子絕緣材料的電阻率大于或等于19歐厘米。
6.如權(quán)利要求5所述的柔性面板，其特征在于，所述高導(dǎo)熱納米顆粒的材料為金屬、金屬氧化物或金屬氮化物。
7.如權(quán)利要求5所述的柔性面板，其特征在于，所述高分子絕緣材料為無(wú)機(jī)高分子化合物或有機(jī)高分子化合物。
8.如權(quán)利要求7所述的柔性面板，其特征在于，所述無(wú)機(jī)高分子化合物為鹵化物、硫化物、氧化物或硅烷的高分子化合物。
9.如權(quán)利要求7所述的柔性面板，其特征在于，所述有機(jī)高分子化合物為有機(jī)烯類(lèi)、有機(jī)炔類(lèi)、有機(jī)樹(shù)脂類(lèi)、有機(jī)醚類(lèi)、有機(jī)酸酯類(lèi)或聚苯胺。
10.一種柔性面板的制備方法，其特征在于，包括: 在硬質(zhì)承載基板上形成柔性基板； 在所述柔性基板上形成緩沖層，其中，所述緩沖層具有絕緣性和高導(dǎo)熱性； 在所述緩沖層上形成非晶硅薄膜； 對(duì)所述非晶硅薄膜進(jìn)行激光晶化處理，使所述非晶硅薄膜變?yōu)槎嗑Ч璞∧ぁ?br> 11.如權(quán)利要求10所述的制備方法，其特征在于，在所述柔性基板上形成緩沖層，具體包括: 在所述柔性基板上形成導(dǎo)熱層，所述導(dǎo)熱層的導(dǎo)熱系數(shù)大于或等于1000瓦每米每開(kāi)； 在所述導(dǎo)熱層上形成絕緣層。
12.如權(quán)利要求10所述的制備方法，其特征在于，所述緩沖層的材料為摻雜有高導(dǎo)熱納米顆粒的高分子絕緣材料；其中， 所述高導(dǎo)熱納米顆粒的導(dǎo)熱系數(shù)大于或等于1000瓦每米每開(kāi)； 所述高分子絕緣材料的電阻率大于或等于19歐厘米。
13.如權(quán)利要求10-12任一項(xiàng)所述的制備方法，其特征在于，在所述緩沖層上形成非晶硅薄膜之后，在對(duì)所述非晶硅薄膜進(jìn)行激光晶化處理之前，還包括: 對(duì)所述非晶硅薄膜進(jìn)行熱退火處理。
14.一種柔性顯示器件，其特征在于，包括如權(quán)利要求1-9任一項(xiàng)所述柔性面板。
【文檔編號(hào)】H01L21/02GK104465667SQ201410718651
【公開(kāi)日】2015年3月25日 申請(qǐng)日期:2014年12月1日 優(yōu)先權(quán)日:2014年12月1日
【發(fā)明者】高濤, 毛雪, 楊靜, 陳立強(qiáng) 申請(qǐng)人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司