一種應(yīng)用于晶硅太陽能電池的光刻工藝的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種應(yīng)用于晶硅太陽能電池的光刻工藝，包括對硅片的正面進行預(yù)處理，對硅片的正面通過旋轉(zhuǎn)方式涂布光刻膠，對硅片進行軟烘焙處理，使用曝光機對硅片進行對準和曝光，將硅片進行后烘焙處理，在硅片的表面噴灑顯影液，通過紅外線燈對硅片進行硬烘焙處理，顯影檢驗，通入CF4氣體對硅片表面進行刻蝕，去除光刻膠，檢驗，完成光刻。本發(fā)明在硅片表面形成完整一致性的抗反射絨面，延長太陽光在電池表面的傳播路徑，增加電池對太陽光的吸收率，提高電池轉(zhuǎn)換效率。
【專利說明】
—種應(yīng)用于晶硅太陽能電池的光刻工藝

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及太陽能電池【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種應(yīng)用于晶硅太陽能電池的光刻工藝。

【背景技術(shù)】
[0002]太陽能電池是一種有效地吸收太陽輻射能，利用光生伏打效應(yīng)把光能轉(zhuǎn)換成電能的器件，當太陽光照在半導(dǎo)體P-N結(jié)(P-N Junct1n)上，形成新的空穴-電子對(V_Epair)，在P-N結(jié)電場的作用下，空穴由N區(qū)流向P區(qū)，電子由P區(qū)流向N區(qū)，接通電路后就形成電流。由于是利用各種勢壘的光生伏特效應(yīng)將太陽光能轉(zhuǎn)換成電能的固體半導(dǎo)體器件，故又稱太陽能電池或光伏電池，是太陽能電池陣電源系統(tǒng)的重要組件。太陽能電池主要有晶硅(Si)電池，三五族半導(dǎo)體電池(GaAs, Cds/Cu2S, Cds/CdTe, Cds/InP, CdTe/Cu2Te)，無機電池，有機電池等，其中晶硅太陽能電池居市場主流主導(dǎo)地位。晶硅太陽能電池的基本材料為純度達99.9999%、電阻率在ΙΟΩ-cm以上的P型單晶硅，包括正面絨面、正面p_n結(jié)、正面減反射膜、正背面電極等部分。在組件封裝為正面受光照面加透光蓋片(如高透玻璃及EVA)保護，防止電池受外層空間范愛倫帶內(nèi)高能電子和質(zhì)子的輻射損傷。
[0003]傳統(tǒng)太陽能電池在硅片表面上，通常都是采用濕法制絨技術(shù)，由于使用濕法制絨表面織構(gòu)化技術(shù)，對于絨面結(jié)構(gòu)控制較差，因此無法得到較完整一致性的絨面結(jié)構(gòu)。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題在于，提供一種應(yīng)用于晶硅太陽能電池的光刻工藝，可在硅片表面形成完整一致性的抗反射絨面。
[0005]為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供了一種應(yīng)用于晶硅太陽能電池的光刻工藝，包括:
A.對硅片的正面進行預(yù)處理，所述預(yù)處理依次包括:對硅片表面進行高壓氮氣噴掃，將硅片放入HF溶液中浸泡,用去離子水清洗,將硅片放入HCL溶液中浸泡,用去離子水清洗，烘干；
B.對硅片的正面涂布光刻膠；
C.對硅片進行軟烘焙處理；
D.使用曝光機對硅片進行對準和曝光，曝光機的功率為200-1000W，曝光時間為1-50
秒；
E.將硅片進行后烘焙處理，烘焙溫度為80-150°C，烘焙時間為10-100秒；
F.在硅片的表面噴灑顯影液；
G.通過紅外線燈對硅片進行硬烘焙處理，照射時間為5-20分鐘；
H.顯影檢驗；
1.通入CF4氣體對硅片表面進行刻蝕，氣體流量為20-100sccm，反應(yīng)壓力為2_10Pa，反應(yīng)時間為2-20分鐘； J.去除光刻膠；
K.檢驗，完成光刻，硅片的正面形成光刻絨面；
L.在硅片的正面形成N型發(fā)射極、鈍化減反射膜和正電極；
M.在硅片的背面形成背電場和背電極；
N.高溫燒結(jié)，形成太陽能電池。
[0006]作為上述方案的改進，步驟A中，所述預(yù)處理依次包括:
對硅片表面進行高壓氮氣噴掃；
將硅片放入HF溶液中浸泡，反應(yīng)溫度25-30°C，反應(yīng)時間30-60秒；
用去離子水清洗；
將硅片放入HCL溶液中浸泡，反應(yīng)溫度25-30°C，反應(yīng)時間30-60秒；
用去離子水清洗；
通過噴入熱氮氣加壓的霧狀六甲基二硅胺將硅片烘干，反應(yīng)溫度120-150°C。
[0007]作為上述方案的改進，步驟B中，對硅片的正面通過旋轉(zhuǎn)方式涂布光刻膠，工作轉(zhuǎn)速為1000-5000rpm，涂布時間為5_60秒，光刻膠為化學放大光刻正膠。
[0008]作為上述方案的改進，步驟D中，曝光機的功率為500-600W，曝光時間為6_10秒。
[0009]作為上述方案的改進，所述曝光機的光罩的寬度和高度之比為0.3-0.8:
2.5-3.5。
[0010]作為上述方案的改進，所述曝光機的光罩沿著水平方向的截面為圓形，直徑為
0.3-0.8 μ m。
[0011]作為上述方案的改進，步驟E中，后烘焙處理是通過將硅片置于加熱平板上來實現(xiàn)，烘焙溫度為100-110°C，烘焙時間為30-60秒。
[0012]作為上述方案的改進，步驟F中，在硅片的表面通過連續(xù)噴霧或旋轉(zhuǎn)噴灑顯影液，工作轉(zhuǎn)速為300-500rpm。
[0013]作為上述方案的改進，步驟G中，紅外線燈距離硅片的距離為5-6公分，照射時間為8-10分鐘。
[0014]作為上述方案的改進，步驟I中，CF4氣體的氣體流量為40-60sccm，反應(yīng)壓力為4-6Pa，反應(yīng)時間為6-8分鐘。
[0015]實施本發(fā)明，具有如下有益效果:
本發(fā)明提供一種應(yīng)用于晶硅太陽能電池的光刻工藝，光刻蝕工藝是一種多步驟的圖形轉(zhuǎn)移過程，首先是在掩膜版上形成所需要的圖形，之后通過光刻工藝將所需圖形轉(zhuǎn)移到硅片表面。圖形轉(zhuǎn)移須通過兩個步驟，首先，圖形被轉(zhuǎn)移到光刻膠層，光刻膠經(jīng)過曝光后自身性質(zhì)和結(jié)構(gòu)發(fā)生變化(由原來的可溶性物質(zhì)變?yōu)榉强扇苄晕镔|(zhì)，或者相反)，再通過顯影液把可溶解的部份去除，最終得到與設(shè)計圖形完全一致的圖案。因此，所述光刻工藝應(yīng)用于晶硅太陽能電池時，具有以下優(yōu)點:
(1)在預(yù)處理過程中，使用HF可以消除硅片表面的有機污染，使用HCL可以消除硅片表面的金屬雜質(zhì)；
(2)利用光刻蝕工藝即可去除硅片表面的機械損傷層，取代傳統(tǒng)濕式酸法刻蝕；
(3)在硅片表面形成完整一致性的抗反射絨面，延長太陽光在電池表面的傳播路徑，增加電池對太陽光的吸收率，減少反射，增加PN結(jié)面積，提高短路電流(Isc)，使得短路電流密度提升、串聯(lián)電阻大幅降低，最終提高電池轉(zhuǎn)換效率(Eff)+0.55%(絕對值)；
(4)光刻工藝適合工業(yè)化大規(guī)模生產(chǎn)。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0016]圖1是本發(fā)明光刻工藝的流程圖；
圖2是本發(fā)明光刻工藝的光罩設(shè)計圖；
圖3是圖2的A部的局部放大示意圖；
圖4是圖2所示光罩的俯視圖；
圖5是圖2所示光罩的主視圖；
圖6是圖2所示光罩的左視圖；
圖7是本發(fā)明晶硅太陽能電池的結(jié)構(gòu)示意圖。

【具體實施方式】
[0017]為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點更加清楚，下面將結(jié)合附圖對本發(fā)明作進一步地詳細描述。
[0018]參見圖1，本發(fā)明提供了一種應(yīng)用于晶硅太陽能電池的光刻工藝，包括:
S101、對硅片的正面進行預(yù)處理。
[0019]所述硅片優(yōu)選為P型硅，所述預(yù)處理依次包括:(I)對硅片表面進行高壓氮氣噴掃；(2)將硅片放入HF溶液中浸泡，反應(yīng)溫度優(yōu)選為25-30°C，反應(yīng)時間優(yōu)選為30-60秒；
(3)用去離子水清洗；(4)將硅片放入HCL溶液中浸泡，反應(yīng)溫度優(yōu)選為25-30°C，反應(yīng)時間優(yōu)選為30-60秒；(5)用去離子水清洗；(6)烘干:該烘干步驟可以通過噴入熱氮氣加壓的霧狀六甲基二硅胺進行，反應(yīng)溫度優(yōu)選為120-150°C。
[0020]預(yù)處理帶來的優(yōu)點為:(1)去除表面臟污與吸附物，提高表面潔凈度；(2) HF可以消除硅片表面的有機污染；(3) HCL可以消除硅片表面的金屬雜質(zhì)；(4)增加光刻膠表面附著能力。
[0021]S102、對硅片的正面通過旋轉(zhuǎn)方式涂布光刻膠。
[0022]其中，光刻膠為化學放大光刻正膠，工作轉(zhuǎn)速優(yōu)選為1000-5000rpm，涂布時間優(yōu)選為5-60秒。更佳的，工作轉(zhuǎn)速為2000-3000rpm，涂布時間為15-25秒。
[0023]需要說明的是，化學放大光刻膠(CAR, Chemical Amplified Resist),是一種適用于深紫外線(DUV)波長的光刻膠。
[0024]S103、對硅片進行軟烘焙處理。
[0025]具體的，軟烘焙處理是將硅片放在移動帶式紅外烘箱，反應(yīng)溫度50-100°C，烘焙時間為10-15秒。
[0026]S104、使用曝光機對硅片進行對準和曝光。
[0027]曝光機的功率優(yōu)選為200-1000W，曝光時間優(yōu)選為1_50秒。更佳的，曝光機的功率為500-600W，曝光時間為6-10秒。
[0028]曝光機的光罩如圖2至圖6所示，光罩大致呈碗狀結(jié)構(gòu)，光罩沿著水平方向的截面為圓形,直徑優(yōu)選為0.3-1 μ m。光罩沿著豎直方向的截面大致為U型，高度優(yōu)選為
2.5-3.5 μ m0
[0029]進一步，光罩的寬度和高度之比為0.3-0.8:2.5-3.5，可增加光子內(nèi)部折射，增強短波響應(yīng)，使得電池表面吸收更多光電子，提升轉(zhuǎn)換效率。更佳的，光罩的寬度和高度之比為 0.5:3。
[0030]S105、將硅片進行后烘焙處理。
[0031]優(yōu)選的，后烘焙處理是通過將硅片置于加熱平板上來實現(xiàn)，烘焙溫度為80-150°C，烘焙時間為10-100秒。更佳的，烘焙溫度為100-110°C，烘焙時間為30-60秒。
[0032]S106、在硅片的表面噴灑顯影液。
[0033]具體的，在硅片的表面通過連續(xù)噴霧或自動旋轉(zhuǎn)技術(shù)噴灑顯影液，工作轉(zhuǎn)速為300-500rpmo顯影液可以選用TMAH顯影液,但不限于此。
[0034]需要說明的是，TMAH是四甲基氫氧化銨。
[0035]S107、通過紅外線燈對硅片進行硬烘焙處理。
[0036]優(yōu)選的，紅外線燈距離硅片的距離為3-10公分，照射時間為5-20分鐘。更佳的，紅外線燈距離硅片的距離為5-6公分，照射時間為8-10分鐘。
[0037]S108、顯影檢驗。
[0038]該顯影檢驗可以通過顯影目測來實現(xiàn)，目的是區(qū)分那些有很低可能性通過最終掩膜檢驗的晶圓，但不限于此。
[0039]S109、通入CF4氣體對硅片表面進行刻蝕。
[0040]優(yōu)選的，CF4氣體的氣體流量為20-100sccm，反應(yīng)壓力為2_10Pa，反應(yīng)時間為2_20分鐘；更佳的，CF4氣體的氣體流量為40-60sccm，反應(yīng)壓力為4_6Pa，反應(yīng)時間為6_8分鐘。
[0041]S110、去除光刻膠。
[0042]SI 11、檢驗,完成光刻,娃片的正面形成光刻絨面。
[0043]SI 12、在硅片的正面形成N型發(fā)射極、鈍化減反射膜和正電極。
[0044]其中，N型發(fā)射極優(yōu)選通過三氯氧磷擴散形成，鈍化減反射膜優(yōu)選為氮化硅層，正電極優(yōu)選為銀電極。
[0045]S113、在硅片的背面形成背電場和背電極。
[0046]背電場優(yōu)選為鋁電場，背電極優(yōu)選為銀電極。
[0047]S114、高溫燒結(jié)，形成太陽能電池。
[0048]太陽能電池的成品如圖7所示，由下至上依次包括背電極1、背電場2、P型硅3、光刻絨面4、N型發(fā)射極5、鈍化減反射膜6和正電極7。光刻絨面設(shè)于P型硅3的正面上，并與N型發(fā)射極5相連接。
[0049]采用光刻工藝制成的晶硅太陽能電池，具有以下優(yōu)點:(I)在預(yù)處理過程中，使用HF可以消除硅片表面的有機污染，使用HCL可以消除硅片表面的金屬雜質(zhì)；(2)去除硅片表面的機械損傷層；(3)在硅片表面形成完整一致性的抗反射絨面，延長太陽光在電池表面的傳播路徑，增加電池對太陽光的吸收率，減少反射，增加PN結(jié)面積，提高短路電流(Isc)，使得短路電流密度提升、串聯(lián)電阻大幅降低，最終提高電池轉(zhuǎn)換效率(Eff)+0.55%(絕對值)。
[0050]下面以具體實施例進一步闡述本發(fā)明實施例1
A.對硅片的正面進行預(yù)處理，依次包括:(a)對硅片表面進行高壓氮氣噴掃；(b)將硅片放入HF溶液中浸泡，反應(yīng)溫度為25°C，反應(yīng)時間為30秒；(c)用去離子水清洗；(d)將硅片放入HCL溶液中浸泡，反應(yīng)溫度為25°C，反應(yīng)時間為30秒；(e)用去離子水清洗；(f)通過噴入熱氮氣加壓的霧狀六甲基二硅胺進行烘干，反應(yīng)溫度為120°C ；
B.對硅片的正面通過旋轉(zhuǎn)方式涂布光刻膠，工作轉(zhuǎn)速為lOOOrpm，涂布時間為5秒；
C.對硅片進行軟烘焙處理；
D.使用曝光機對硅片進行對準和曝光，曝光機的功率為200W，曝光時間為5秒；
E.將硅片置于加熱平板上進行后烘焙處理，烘焙溫度為80°C，烘焙時間為10秒；
F.在硅片的表面噴灑顯影液；
G.通過紅外線燈對硅片進行硬烘焙處理，紅外線燈距離硅片的距離為3公分，照射時間為5分鐘；
H.顯影檢驗；
1.通入CF4氣體對硅片表面進行刻蝕，氣體流量為20sccm，反應(yīng)壓力為2Pa，反應(yīng)時間為2分鐘；
J.去除光刻膠；
K.檢驗，完成光刻，硅片的正面形成光刻絨面；
L.在硅片的正面形成N型發(fā)射極、鈍化減反射膜和正電極；
M.在硅片的背面形成背電場和背電極；
N.高溫燒結(jié)，形成太陽能電池。
[0051]實施例2
A.對硅片的正面進行預(yù)處理，依次包括:(a)對硅片表面進行高壓氮氣噴掃；(b)將硅片放入HF溶液中浸泡，反應(yīng)溫度為26°C,反應(yīng)時間為40秒；(c)用去離子水清洗；(d)將硅片放入HCL溶液中浸泡,反應(yīng)溫度為26°C,反應(yīng)時間為40秒；(e)用去離子水清洗；(f)通過噴入熱氮氣加壓的霧狀六甲基二硅胺進行烘干，反應(yīng)溫度為130°C ；
B.對硅片的正面通過旋轉(zhuǎn)方式涂布光刻膠，工作轉(zhuǎn)速為2000rpm，涂布時間為20秒；
C.對硅片進行軟烘焙處理；
D.使用曝光機對硅片進行對準和曝光，曝光機的功率為500W，曝光時間為6秒；
E.將硅片置于加熱平板上進行后烘焙處理，烘焙溫度為10(TC，烘焙時間為30秒；
F.在硅片的表面噴灑顯影液；
G.通過紅外線燈對硅片進行硬烘焙處理，紅外線燈距離硅片的距離為5公分，照射時間為10分鐘；
H.顯影檢驗；
1.通入CF4氣體對硅片表面進行刻蝕，氣體流量為40sccm，反應(yīng)壓力為4Pa，反應(yīng)時間為7分鐘；
J.去除光刻膠；
K.檢驗，完成光刻，硅片的正面形成光刻絨面；
L.在硅片的正面形成N型發(fā)射極、鈍化減反射膜和正電極；
M.在硅片的背面形成背電場和背電極；
N.高溫燒結(jié)，形成太陽能電池。
[0052]實施例3 A.對硅片的正面進行預(yù)處理，依次包括:(a)對硅片表面進行高壓氮氣噴掃；(b)將硅片放入HF溶液中浸泡，反應(yīng)溫度為28°C，反應(yīng)時間為50秒；(c)用去離子水清洗；(d)將硅片放入HCL溶液中浸泡，反應(yīng)溫度為28°C，反應(yīng)時間為50秒；(e)用去離子水清洗；(f)通過噴入熱氮氣加壓的霧狀六甲基二硅胺進行烘干，反應(yīng)溫度為140°C ；
B.對硅片的正面通過旋轉(zhuǎn)方式涂布光刻膠，工作轉(zhuǎn)速為3000rpm，涂布時間為30秒；
C.對硅片進行軟烘焙處理；
D.使用曝光機對硅片進行對準和曝光，曝光機的功率為600W，曝光時間為15秒；
E.將硅片置于加熱平板上進行后烘焙處理，烘焙溫度為110°C，烘焙時間為50秒；
F.在硅片的表面噴灑顯影液；
G.通過紅外線燈對硅片進行硬烘焙處理，紅外線燈距離硅片的距離為6公分，照射時間為10分鐘；
H.顯影檢驗；
1.通入CF4氣體對硅片表面進行刻蝕，氣體流量為60sccm，反應(yīng)壓力為6Pa，反應(yīng)時間為8分鐘；
J.去除光刻膠；
K.檢驗，完成光刻，硅片的正面形成光刻絨面；
L.在硅片的正面形成N型發(fā)射極、鈍化減反射膜和正電極；
M.在硅片的背面形成背電場和背電極；
N.高溫燒結(jié)，形成太陽能電池。
[0053]實施例4
A.對硅片的正面進行預(yù)處理，依次包括:(a)對硅片表面進行高壓氮氣噴掃；(b)將硅片放入HF溶液中浸泡，反應(yīng)溫度為30°C，反應(yīng)時間為60秒；(c)用去離子水清洗；(d)將硅片放入HCL溶液中浸泡，反應(yīng)溫度為30°C，反應(yīng)時間為60秒；(e)用去離子水清洗；(f )通過噴入熱氮氣加壓的霧狀六甲基二硅胺進行烘干，反應(yīng)溫度為150°C ；
B.對硅片的正面通過旋轉(zhuǎn)方式涂布光刻膠，工作轉(zhuǎn)速為4000rpm，涂布時間為60秒；
C.對硅片進行軟烘焙處理；
D.使用曝光機對硅片進行對準和曝光，曝光機的功率為800W，曝光時間為30秒；
E.將硅片置于加熱平板上進行后烘焙處理，烘焙溫度為120°C，烘焙時間為60秒；
F.在硅片的表面噴灑顯影液；
G.通過紅外線燈對硅片進行硬烘焙處理，紅外線燈距離硅片的距離為8公分，照射時間為15分鐘；
H.顯影檢驗；
1.通入CF4氣體對硅片表面進行刻蝕，氣體流量為80sccm，反應(yīng)壓力為8Pa，反應(yīng)時間為20分鐘；
J.去除光刻膠；
K.檢驗，完成光刻，硅片的正面形成光刻絨面；
L.在硅片的正面形成N型發(fā)射極、鈍化減反射膜和正電極；
M.在硅片的背面形成背電場和背電極；
N.高溫燒結(jié)，形成太陽能電池。
[0054]以上所述是本發(fā)明的優(yōu)選實施方式，應(yīng)當指出，對于本【技術(shù)領(lǐng)域】的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明原理的前提下，還可以做出若干改進和潤飾，這些改進和潤飾也視為本發(fā)明的保護范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種應(yīng)用于晶硅太陽能電池的光刻工藝，其特征在于，包括: A、對硅片的正面進行預(yù)處理，所述預(yù)處理依次包括:對硅片表面進行高壓氮氣噴掃，將硅片放入HF溶液中浸泡，用去離子水清洗，將硅片放入HCL溶液中浸泡,用去離子水清洗，烘干； B、對硅片的正面涂布光刻膠； C、對硅片進行軟烘焙處理； D、使用曝光機對硅片進行對準和曝光，曝光機的功率為200-1000W，曝光時間為1-50秒； E、將硅片進行后烘焙處理，烘焙溫度為80-150°C，烘焙時間為10-100秒； F、在硅片的表面噴灑顯影液； G、通過紅外線燈對硅片進行硬烘焙處理，照射時間為5-20分鐘； H、顯影檢驗； 1、通入CF4氣體對硅片表面進行刻蝕，氣體流量為20-100sccm，反應(yīng)壓力為2_10Pa，反應(yīng)時間為2-20分鐘； J、去除光刻膠； K、檢驗，完成光刻，硅片的正面形成光刻絨面； L、在硅片的正面形成N型發(fā)射極、鈍化減反射膜和正電極； M、在硅片的背面形成背電場和背電極； N、高溫燒結(jié)，形成太陽能電池。
2.如權(quán)利要求1所述的應(yīng)用于晶硅太陽能電池的光刻工藝，其特征在于，步驟A中，所述預(yù)處理依次包括: 對硅片表面進行高壓氮氣噴掃； 將硅片放入HF溶液中浸泡，反應(yīng)溫度25-30°C，反應(yīng)時間30-60秒； 用去離子水清洗； 將硅片放入HCL溶液中浸泡，反應(yīng)溫度25-30°C，反應(yīng)時間30-60秒； 用去離子水清洗； 通過噴入熱氮氣加壓的霧狀六甲基二硅胺將硅片烘干，反應(yīng)溫度120-150°C。
3.如權(quán)利要求1所述的應(yīng)用于晶硅太陽能電池的光刻工藝，其特征在于，步驟B中，對硅片的正面通過旋轉(zhuǎn)方式涂布光刻膠，工作轉(zhuǎn)速為1000-5000rpm，涂布時間為5_60秒，光刻膠為化學放大光刻正膠。
4.如權(quán)利要求1所述的應(yīng)用于晶硅太陽能電池的光刻工藝，其特征在于，步驟D中，曝光機的功率為500-600W，曝光時間為6-10秒。
5.如權(quán)利要求4所述的應(yīng)用于晶硅太陽能電池的光刻工藝，其特征在于，所述曝光機的光罩的寬度和高度之比為0.3-0.8:2.5-3.5。
6.如權(quán)利要求5所述的應(yīng)用于晶硅太陽能電池的光刻工藝，其特征在于，所述曝光機的光罩沿著水平方向的截面為圓形，直徑為0.3-0.8 μ m。
7.如權(quán)利要求1所述的應(yīng)用于晶硅太陽能電池的光刻工藝，其特征在于，步驟E中，后烘焙處理是通過將硅片置于加熱平板上來實現(xiàn)，烘焙溫度為10-1KTC，烘焙時間為30-60秒。
8.如權(quán)利要求1所述的應(yīng)用于晶硅太陽能電池的光刻工藝，其特征在于，步驟F中，在硅片的表面通過連續(xù)噴霧或旋轉(zhuǎn)噴灑顯影液，工作轉(zhuǎn)速為300-500rpm。
9.如權(quán)利要求1所述的應(yīng)用于晶硅太陽能電池的光刻工藝，其特征在于，步驟G中，紅外線燈距離硅片的距離為5-6公分，照射時間為8-10分鐘。
10.如權(quán)利要求1所述的應(yīng)用于晶硅太陽能電池的光刻工藝，其特征在于，步驟I中，CF4氣體的氣 體流量為40-60sccm，反應(yīng)壓力為4_6Pa，反應(yīng)時間為6_8分鐘。
【文檔編號】H01L31/18GK104505429SQ201410671298
【公開日】2015年4月8日 申請日期:2014年11月21日 優(yōu)先權(quán)日:2014年11月21日
【發(fā)明者】秦崇德, 方結(jié)彬, 石強, 黃玉平, 何達能 申請人:廣東愛康太陽能科技有限公司