一種襯底與基板分離工藝、柔性顯示器件及其制備工藝的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種襯底與基板分離工藝，包括以下步驟：(1)在基板上制備柔性薄膜襯底，所述柔性薄膜襯底位于基板之上，并包覆基體的側(cè)面；(2)在柔性薄膜襯底上制備電子元件；(3)沿著電子元件外圍，從柔性薄膜襯底表面垂直向下切割，再將柔性薄膜襯底解離，獲得成品柔性顯示器件。本發(fā)明還公開了包含上述襯底與基板分離工藝的柔性顯示器件的制備工藝及制備得到的柔性顯示器件。本發(fā)明的能保證柔性襯底在后續(xù)器件制備過程中穩(wěn)定附著在硬質(zhì)基板上，并且襯底與基板分離簡單、成本低、快速且對器件性能無損傷。
【專利說明】一種襯底與基板分離工藝、柔性顯示器件及其制備工藝

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及柔性顯示器件的制備技術(shù)，特別涉及一種襯底與基板分離工藝、柔性顯示器件及其制備工藝。

【背景技術(shù)】
[0002]柔性顯示器件制備時(shí)首先在硬質(zhì)基板上形成柔性薄膜襯底，然后再在柔性薄膜襯底上制作電子器件，最后將柔性薄膜襯底與基板解離得到去除基板的成品器件。但是，現(xiàn)有技術(shù)中的這種方法存在一些缺陷:柔性襯底與基板在后續(xù)電子器件的制備過程中需要承受離子轟擊、化學(xué)腐蝕、紫外照射、高溫處理等嚴(yán)苛的實(shí)驗(yàn)條件，導(dǎo)致襯底與基板間的黏附性大幅提高，進(jìn)而在將柔性薄膜襯底從硬質(zhì)基板上解離的時(shí)候極易損傷柔性襯底薄膜及其上的電子器件；相反，如果柔性薄膜襯底和硬質(zhì)基板的黏附作用過弱，在制作器件的過程中就會出現(xiàn)柔性薄膜襯底意外脫離的問題。
[0003]為了克服上述解離困難，通常在硬質(zhì)基板與柔性薄膜襯底之間插入特定的犧牲層，利用犧牲層降低或者提高二者之間的黏附作用。盡管如此，黏附作用強(qiáng)弱的平衡依然比較難掌控，找到一種適用于各種實(shí)驗(yàn)、生產(chǎn)環(huán)境的分離工藝則更加困難。
[0004]因此，針對現(xiàn)有技術(shù)不足，提供一種全新的襯底與基板分離工藝，能夠讓二者方便、低成本、快速解離，且不影響器件性能甚為必要。同時(shí)提供一種能夠方便、低成本、快速實(shí)現(xiàn)柔性顯示器件襯底與基板分離的工藝、及采用此工藝制備的柔性顯示器件以克服現(xiàn)有技術(shù)不足甚為必要。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]為了克服現(xiàn)有技術(shù)的上述缺點(diǎn)與不足，本發(fā)明的目的之一在于提供一種襯底與基板分離的工藝，能夠簡單、低成本、快速地實(shí)現(xiàn)襯底與基板分離。
[0006]本發(fā)明的目的之二在于提供一種柔性顯示器件的制備工藝。
[0007]本發(fā)明的目的之三在于提供上述柔性顯示器件的制備工藝制備得到的柔性顯示器件。
[0008]本發(fā)明的目的通過以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn):
[0009]一種襯底與基板分離工藝，包括以下步驟:
[0010](I)在基板上制備柔性薄膜襯底；所述柔性薄膜襯底位于基板之上，并包覆基體的側(cè)面；
[0011](2)在柔性薄膜襯底上制備電子元件；
[0012](3)沿著電子元件外圍，從柔性薄膜襯底表面垂直向下切割，再將柔性薄膜襯底解離，獲得柔性顯示器件。
[0013]步驟(I)所述柔性薄膜襯底與基板之間還設(shè)有犧牲層。
[0014]步驟(I)所述柔性薄膜還包覆基體的下底面。
[0015]所述犧牲層為碳單質(zhì)薄膜、氮化物薄膜中的一種以上。
[0016]所述碳單質(zhì)為非晶碳、碳納米管、石墨烯、富勒烯或類金剛石。
[0017]所述氮化物為氮化硅、氮化鋁、氮化鎵或氮化銦。
[0018]一種柔性顯示器件的制備工藝，包括上述的襯底與基板分離工藝。
[0019]一種柔性顯示器件，由上述的柔性顯示器件的制備工藝制備而成。
[0020]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有以下優(yōu)點(diǎn)和有益效果:
[0021]本發(fā)明通過增加柔性薄膜襯底和基板的接觸面積，從而直接增加了二者的黏附作用；另外，柔性襯底采用溶液法加工，因此在其成膜前具有良好的可塑性，利用這一特點(diǎn)可人為地形成柔性襯底部分包覆基板結(jié)構(gòu)或柔性襯底完全包覆基板結(jié)構(gòu)，這兩種結(jié)構(gòu)保證了柔性襯底在后續(xù)器件制備工藝過程中與基板附著的穩(wěn)定性。因此即使采用黏附作用較小的柔性薄膜襯底也可以保證在制作器件的過程中柔性薄膜穩(wěn)固地依附在基板上。這種分離工藝簡單，只需使用現(xiàn)有的旋涂、刮涂、浸泡等技術(shù)即可實(shí)現(xiàn)，無需增加額外的功能層、工藝模具或者工藝設(shè)備。解離時(shí)，直接切除不需要的柔性薄膜區(qū)域即可輕松分離襯底和基板，不會對器件性能造成影響。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0022]圖1為本發(fā)明的實(shí)施例1的柔性薄膜襯底解離前的示意圖。
[0023]圖2為本發(fā)明的實(shí)施例1的柔性薄膜襯底解離時(shí)的示意圖。
[0024]圖3為本發(fā)明的實(shí)施例2的柔性薄膜襯底解離前的示意圖。
[0025]圖4為本發(fā)明的實(shí)施例2的柔性薄膜襯底解離時(shí)的示意圖。
[0026]圖5為本發(fā)明的實(shí)施例3的柔性薄膜襯底解離前的示意圖。
[0027]圖6為本發(fā)明的實(shí)施例3的柔性薄膜襯底解離時(shí)的示意圖。
[0028]圖7為本發(fā)明的實(shí)施例4的柔性薄膜襯底解離前的示意圖。
[0029]圖8為本發(fā)明的實(shí)施例4的柔性薄膜襯底解離時(shí)的示意圖。

【具體實(shí)施方式】
[0030]下面結(jié)合實(shí)施例，對本發(fā)明作進(jìn)一步地詳細(xì)說明，但本發(fā)明的實(shí)施方式不限于此。
[0031]實(shí)施例1
[0032]本實(shí)施例的用于柔性顯示器件制備的襯底與基板分離工藝，包括以下步驟:
[0033](I)在基板上制備柔性薄膜襯底，所述柔性薄膜襯底位于基板之上，并包覆基板的側(cè)面，即包覆了基板的上表面及側(cè)面，為部分包覆；
[0034]基板為硬質(zhì)材料，厚度為1-2000微米，可以為玻璃、金屬、塑料和纖維材質(zhì)，也可以為基于上述材料并具有緩沖層的基板。
[0035]柔性薄膜襯底200的材料可以為聚酰亞胺(Polyimide，PI)、聚對苯二甲酸乙二醇酯(Polyethylene terephthalate,PET)、聚萘二甲酸乙二酯(Polyethylene naphthalate,PEN)、聚碳酸酯(Polycarbonate, PC)、聚醚砜(Polyethersulfone, PES)、聚丙烯酸酯(Polyacrylate,PAR),聚醚酰亞胺(Polyetherimide)、聚酰胺(Polyamide,PA)或者聚醚醚酮(polyetheretherketone, PEEK)等。
[0036]柔性襯底可以采用涂膜工藝(coating)形成于基板上，包括刮涂、旋涂、噴涂、浸涂、絲網(wǎng)印刷以及這些方法的組合。
[0037]為了形成如圖1所示的柔性薄膜襯底200覆蓋基板100邊緣外側(cè)形成部分包裹體的結(jié)構(gòu)，在涂膜過程中，應(yīng)適當(dāng)?shù)淖尡∧で绑w溶液從基板邊緣溢出。在達(dá)到包覆效果后，再對薄膜前體溶液進(jìn)行固化處理。柔性薄膜襯底的具體的成膜工藝為本領(lǐng)域公知常識，在此不再贅述。由于基板側(cè)面粗糙度遠(yuǎn)大于上下表面，因此這種結(jié)構(gòu)能夠增加柔性薄膜襯底和基板的接觸面積，增加附著力，減少脫離的幾率。在器件制備完畢后，可以通過切割的方式進(jìn)行解離。
[0038](2)在柔性薄膜襯底上制備電子元件；
[0039]在柔性薄膜襯底200上所制作的電子元件300包括:絕緣層、電阻、電容、電感、導(dǎo)線、晶體管、二極管及其組合。電子元件的具體形式及位置、連接關(guān)系可以根據(jù)具體器件要求靈活選擇和設(shè)置，在此不一一列舉。
[0040](3)如圖2所示，沿著電子元件300外圍，從柔性薄膜襯底200表面垂直向下切割，形成切割線800 ;再將柔性薄膜襯底從基板上解離獲得成品柔性顯示器件。
[0041]切割方式具體可以選擇切割機(jī)切割、激光切割、離子刻蝕、等離子轟擊。
[0042]分離方式具體可以選擇滾筒或者機(jī)械手將柔性薄膜襯底從基板上解離。
[0043]本發(fā)明的工藝，具有襯底與基板分離簡單、成本低、快速且不影響器件性能的特點(diǎn)。
[0044]實(shí)施例2
[0045]本實(shí)施例的一種用于柔性顯示器件制備的襯底與基板分離工藝，其它特征與實(shí)施例I相同，不同之處在于以下特征:
[0046]本實(shí)施例的步驟(I)在基板上制備柔性薄膜襯底時(shí)，所述柔性薄膜襯底位于基體之上，并包覆基板的側(cè)面及下底面，即包覆基板的上下底面及側(cè)面，即完全包覆；所制備的結(jié)構(gòu)如圖3所示。
[0047]這種結(jié)構(gòu)能夠在不改變?nèi)嵝员∧ひr底的物理和化學(xué)的性質(zhì)下，最大限度提高柔性薄膜襯底對基板的附著力，減少脫離的幾率。
[0048]在器件制備完畢后，可以通過切割的方式進(jìn)行解離。
[0049]本實(shí)施例的步驟(3)具體如下:如圖4所示，沿著電子元件300外圍，從柔性薄膜襯底200表面垂直向下切割，形成切割線800 ;然后將柔性薄膜襯底200從基板100上撕開得到分離后的成品柔性顯示器件。
[0050]本實(shí)施例用于柔性顯示器件制備的襯底與基板分離工藝，具有襯底與基板分離簡單、成本低、快速且不影響器件性能的特點(diǎn)。
[0051]實(shí)施例3
[0052]本實(shí)施例的用于柔性顯示器件制備的襯底與基板分離工藝，包括以下步驟:
[0053](I)在基板上制備犧牲層，再在犧牲層之上制備柔性薄膜襯底；柔性薄膜襯底包覆了犧牲層的上表面及側(cè)面，基板的側(cè)面，為部分包覆的結(jié)構(gòu)；
[0054]犧牲層可為碳單質(zhì)材料薄膜、氮化物材料薄膜中的一種以上，可為單層結(jié)構(gòu)或多層結(jié)構(gòu)；
[0055]碳單質(zhì)材料為非晶碳、碳納米管、石墨烯、富勒烯或類金剛石；
[0056]氮化物材料為氮化硅、氮化鋁、氮化鎵或氮化銦。
[0057]犧牲層可通過化學(xué)氣相沉積法、物理氣相沉積法或者溶液加工法中的任意一種方法制備而成。
[0058](2)在柔性薄膜襯底上制備電子元件，此時(shí)得到的結(jié)構(gòu)如圖5所示，包括基板100、犧牲層400、柔性薄膜襯底200和電子元件300，其中柔性薄膜襯底200部分包覆基體；
[0059](3)將柔性薄膜襯底從犧牲層上解離獲得成品柔性顯示器件。本步驟具體包括，如圖6所示:
[0060](3.1)沿著電子元件300的外圍，在具有柔性薄膜襯底200、犧牲層400和基板100三層結(jié)構(gòu)依次疊置的位置，從柔性薄膜襯底200表面垂直向下切割，形成切割線800 ；
[0061](3.2)將柔性薄膜襯底200從犧牲層400上解離得到分離了基板100的成品柔性顯示器件。
[0062]本實(shí)施例引入了犧牲層，犧牲層可以減弱柔性薄膜襯底和基板的黏附作用。因此本實(shí)施例相比于實(shí)施例1和2更適用于柔性薄膜襯底黏附性較高的情況。犧牲層的引入，使得柔性薄膜襯底非常容易從基板上解離，同時(shí)，部分包覆體的結(jié)構(gòu)保證在器件制作過程中柔性薄膜襯底不會意外脫離。在解離的過程中，只需切除不需要的柔性薄膜即可。
[0063]本實(shí)施例用于柔性顯示器件制備的襯底與基板分離工藝，具有襯底與基板分離簡單、成本低、快速且不影響器件性能的特點(diǎn)。
[0064]實(shí)施例4
[0065]本實(shí)施例的用于柔性顯示器件制備的襯底與基板分離工藝，其它特征與實(shí)施例3相同，不同之處在于以下特征:
[0066]本實(shí)施例在本實(shí)施例的步驟(I)在基板上制備柔性薄膜襯底時(shí)，柔性薄膜襯底還包覆了基體的下底面，即包覆了了犧牲層的上表面及側(cè)面、基板的側(cè)面及下底面，為完全包覆結(jié)構(gòu)。
[0067]柔性薄膜襯底解離前的結(jié)構(gòu)如圖7所示，包括基板100、犧牲層400、柔性薄膜襯底200和電子元件300，其中柔性薄膜襯底200完全包覆基體。
[0068]解離時(shí)，如圖8所示，將柔性薄膜襯底200從犧牲層400上撕開得到分離后的成品柔性顯示器件。
[0069]本實(shí)施例用于柔性顯示器件制備的襯底與基板分離工藝，具有襯底與基板分離簡單、成本低、快速且不影響器件性能的特點(diǎn)。
[0070]實(shí)施例5
[0071]本實(shí)施例制備一種柔性TFT驅(qū)動背板ia，以驗(yàn)證本發(fā)明的效果，制備過程如下:
[0072](I)首先，選擇玻璃基板作為硬質(zhì)的基板，先對玻璃基板進(jìn)行清洗。
[0073](2)在玻璃基板上制備聚酰亞胺薄膜襯底。具體的，在玻璃基板上涂覆聚酰氨酸溶液，采用旋涂的方式，讓部分溶液從玻璃基板邊緣溢出，直到玻璃基板100側(cè)面都被溶液覆蓋為止。旋涂完畢之后，將硬質(zhì)基板送入N2氣氛的烘箱內(nèi)對聚酰胺酸初體膜進(jìn)行固化成膜，形成如圖1的部分包覆結(jié)構(gòu)。
[0074](3)然后在聚酰亞胺薄膜襯底制備TFT驅(qū)動電路。
[0075](4)沿著TFT驅(qū)動電路的外圍，用切割機(jī)在聚酰亞胺薄膜襯底和玻璃基板重疊的位置，從聚酰亞胺薄膜襯底表面垂直向下進(jìn)行切割，避免切割至玻璃基板，可參見圖2。
[0076](5)最后將聚酰亞胺薄膜襯底直接從基板上撕下。
[0077]為了對比效果，制備另一柔性TFT驅(qū)動背板ib，ib與ia唯一的不同在于不形成部分包覆的結(jié)構(gòu)，聚酰亞胺薄膜只旋涂在基板上表面。在制作驅(qū)動電路的過程中，可以看見聚酰亞胺薄膜邊緣有明顯的翹起、鼓泡等現(xiàn)象，嚴(yán)重干擾了器件的正常制作。
[0078]可見，本發(fā)明具有襯底與基板分離簡單、成本低、快速且不影響器件性能的特點(diǎn)。
[0079]實(shí)施例6
[0080]本實(shí)施例制備一種柔性TFT驅(qū)動背板iia以驗(yàn)證本發(fā)明的效果，制備過程如下:
[0081](I)首先，選擇玻璃基板作為硬質(zhì)的基板，先對玻璃基板進(jìn)行清洗。
[0082](2)在玻璃基板上制備聚酰亞胺薄膜襯底。具體的，在玻璃基板上涂覆聚酰氨酸溶液，采用浸涂的方式，讓玻璃基板完全浸泡于聚酰亞胺溶液中，浸泡10分鐘后取出，將玻璃基板送入N2氣氛的烘箱內(nèi)對聚酰胺酸初體膜進(jìn)行固化成膜，形成如圖3的完全包覆體結(jié)構(gòu)。
[0083](3)然后在聚酰亞胺薄膜襯底上制備TFT驅(qū)動電路。
[0084](4)沿著TFT驅(qū)動電路的外圍，用切割機(jī)在聚酰亞胺薄膜襯底200、玻璃基板、聚酰亞胺薄膜襯底三層重疊的位置，從聚酰亞胺薄膜襯底表面垂直向下進(jìn)行切割，進(jìn)行切割，避免切割至玻璃基板，如圖4所示。
[0085](5)最后將聚酰亞胺薄膜直接從基板上撕下。
[0086]為了對比效果，制備另一柔性TFT驅(qū)動背板iib，iib與iia唯一的不同在于不形成完全包覆的結(jié)構(gòu)，聚酰亞胺薄膜只旋涂在基板上表面。在制作驅(qū)動電路的過程中，可以看見聚酰亞胺薄膜邊緣有明顯的翹起、鼓泡等現(xiàn)象，嚴(yán)重干擾了器件的正常制作。
[0087]可見，本發(fā)明具有襯底與基板分離簡單、成本低、快速且不影響器件性能的特點(diǎn)。
[0088]實(shí)施例7
[0089]本實(shí)施例制備一種柔性AMOLED面板iiia，含TFT驅(qū)動背板以及OLED發(fā)光器件，具體包括以下步驟:
[0090](I)利用溶液加工法，制備石墨烯薄膜犧牲層具體的，首先制備石墨烯氧化物作為一種膠體溶液，涂覆在金屬基板表面，利用金屬基板的還原能力使其原位地轉(zhuǎn)變?yōu)槭?，對溶劑進(jìn)展蒸發(fā)中，石墨烯發(fā)生自組裝形成石墨烯薄膜。
[0091](2)制備聚萘二甲酸乙二酯襯底，使得該聚萘二甲酸乙二酯襯底完全包覆犧牲層，并且覆蓋基板邊緣外側(cè)形成部分包覆體。具體的，采用旋涂的方式，讓溶液完全覆蓋犧牲層，并且讓部分溶液從玻璃基板邊緣溢出，直到玻璃基板側(cè)面都被溶液覆蓋為止。旋涂完畢之后，送入N2氣氛的烘箱內(nèi)進(jìn)行固化成膜。得到如圖5所示的部分包覆結(jié)構(gòu)。
[0092](3)在聚萘二甲酸乙二酯襯底上制備TFT驅(qū)動電路和OLED器件。
[0093](4)在聚萘二甲酸乙二酯襯底上切割出目標(biāo)面板的輪廓，將襯底從犧牲層上撕下。
[0094]為了對比效果,設(shè)置對比實(shí)施例1iib, iiib與iiia唯一的不同在于不形成部分包覆結(jié)構(gòu)，僅在犧牲層一面制備聚萘二甲酸乙二酯襯底。在制作元器件時(shí)，可以看見聚萘二甲酸乙二酯薄膜邊緣有明顯的翹起、鼓泡等現(xiàn)象，嚴(yán)重干擾了器件的正常制作。
[0095]可見，本發(fā)明具有襯底與基板分離簡單、成本低、快速且不影響器件性能的特點(diǎn)。
[0096]實(shí)施例8
[0097]本實(shí)施例制備一種柔性AMOLED面板iiia，含TFT驅(qū)動背板以及OLED發(fā)光器件，具體制備過程如下:
[0098]首先選擇金屬基板作為硬質(zhì)基板，在制備犧牲層之前，先對基板進(jìn)行清洗。
[0099](I)利用溶液加工法，制備石墨烯薄膜犧牲層，具體的，首先制備石墨烯氧化物作為一種膠體溶液，涂覆在金屬基板、表面，利用金屬基板、的還原能力使其原位地轉(zhuǎn)變?yōu)槭?，對溶劑進(jìn)展蒸發(fā)中，石墨烯發(fā)生自組裝形成石墨烯薄膜。
[0100](2)制備聚萘二甲酸乙二酯襯底，使得該聚萘二甲酸乙二酯襯底包覆犧牲層上表面及側(cè)面、基體側(cè)面及下底面，形成完全包覆。具體的，將基板和犧牲層一起浸泡在聚萘二甲酸乙二酯溶液中，10分鐘后取出，送入N2氣氛的烘箱內(nèi)進(jìn)行固化成膜。得到的聚萘二甲酸乙二酯襯底覆蓋住了整個(gè)基板和犧牲層，如圖7所示。
[0101](3)在聚萘二甲酸乙二酯襯底上制備TFT驅(qū)動電路和OLED器件。
[0102](4)在聚萘二甲酸乙二酯襯底上切割出目標(biāo)面板的輪廓，將襯底從犧牲層上撕下。
[0103]為了對比效果，設(shè)置對比實(shí)施例1vb，ivb與iva唯一的不同在于不形成完全包覆結(jié)構(gòu)，僅在犧牲層400 —面制備聚萘二甲酸乙二酯襯底。在制作元器件時(shí)，可以看見聚萘二甲酸乙二酯薄膜邊緣有明顯的翹起、鼓泡等現(xiàn)象，嚴(yán)重干擾了器件的正常制作。
[0104]可見，本發(fā)明具有襯底與基板分離簡單、成本低、快速且不影響器件性能的特點(diǎn)。
[0105]實(shí)施例9
[0106]本實(shí)施例的柔性顯示器件，采用實(shí)施例1?4相同的襯底與基板分離工藝，和實(shí)施例5?8相同的制備工藝。在得到分離基板了的柔性襯底及其上的電子元件后，可對器件進(jìn)行封裝、組裝、裝配，最終形成完整的顯示器件。此部分內(nèi)容皆為業(yè)界常規(guī)技術(shù)手段，故在此不再贅述。
[0107]上述實(shí)施例為本發(fā)明較佳的實(shí)施方式，但本發(fā)明的實(shí)施方式并不受所述實(shí)施例的限制，其他的任何未背離本發(fā)明的精神實(shí)質(zhì)與原理下所作的改變、修飾、替代、組合、簡化，均應(yīng)為等效的置換方式，都包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種襯底與基板分離工藝，其特征在于，包括以下步驟: (1)在基板上制備柔性薄膜襯底；所述柔性薄膜襯底位于基板之上，并包覆基體的側(cè)面； (2)在柔性薄膜襯底上制備電子元件； (3)沿著電子元件外圍，從柔性薄膜襯底表面垂直向下切割，再將柔性薄膜襯底解離，獲得柔性顯示器件。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的襯底與基板分離工藝，其特征在于，步驟(1)所述柔性薄膜襯底與基板之間還設(shè)有犧牲層。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的襯底與基板分離工藝，其特征在于，步驟(1)所述柔性薄膜還包覆基體的下底面。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的襯底與基板分離工藝，其特征在于，所述犧牲層為碳單質(zhì)薄膜、氮化物薄膜中的一種以上。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的襯底與基板分離工藝，其特征在于，所述碳單質(zhì)為非晶碳、碳納米管、石墨烯、富勒烯或類金剛石。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的襯底與基板分離工藝，其特征在于，所述氮化物為氮化硅、氮化鋁、氮化鎵或氮化銦。
7.—種柔性顯示器件的制備工藝，其特征在于，包括權(quán)利要求1?6任一項(xiàng)所述的襯底與基板分離工藝。
8.—種柔性顯示器件，其特征在于，由權(quán)利要求7所述的柔性顯示器件的制備工藝制備而成。
【文檔編號】H01L21/77GK104362077SQ201410609084
【公開日】2015年2月18日 申請日期:2014年10月31日 優(yōu)先權(quán)日:2014年10月31日
【發(fā)明者】王磊, 許志平, 鄒建華, 徐苗, 陶洪, 彭俊彪 申請人:華南理工大學(xué)