一種太陽(yáng)能電池用減反射鍍層晶體硅片及制備方法
【專利摘要】本發(fā)明公開(kāi)了一種太陽(yáng)能電池用減反射鍍層晶體硅片，包括有晶體硅基片，其特征在于：在所述的晶體硅基片的一側(cè)面復(fù)合有減反射鍍層。本發(fā)明目的是克服了現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種復(fù)合有減反射膜層，反射率低，太能利用率高的太陽(yáng)能電池用減反射鍍層晶體硅片。本發(fā)明還提供一種太陽(yáng)能電池用減反射鍍層晶體硅片的制備方法。
【專利說(shuō)明】—種太陽(yáng)能電池用減反射鍍層晶體硅片及制備方法
【【技術(shù)領(lǐng)域】】
[0001]本發(fā)明涉及一種太陽(yáng)能電池構(gòu)件，更具體地說(shuō)是一種太陽(yáng)能電池用晶體硅片。本發(fā)明還涉及一種太陽(yáng)能電池用減反射鍍層晶體硅片的制備方法。
【【背景技術(shù)】】
[0002]晶體硅電池通過(guò)其絨面結(jié)構(gòu)來(lái)減少硅片表面的反射，從而提高電池對(duì)太陽(yáng)能的吸收。為了更有效地提高晶體硅電池的轉(zhuǎn)換效率，需要對(duì)晶體硅片結(jié)構(gòu)作出進(jìn)一步改進(jìn)。
【
【發(fā)明內(nèi)容】
】
[0003]本發(fā)明目的是克服了現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種復(fù)合有減反射膜層，反射率低，太能利用率高的的太陽(yáng)能電池用減反射鍍層晶體硅片。本發(fā)明還提供一種太陽(yáng)能電池用減反射鍍層晶體硅片的制備方法。
[0004]本發(fā)明是通過(guò)以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的:
[0005]一種太陽(yáng)能電池用減反射鍍層晶體硅片，包括有晶體硅基片1，其特征在于:在所述的晶體硅基片I的一側(cè)面復(fù)合有減反射鍍層2。
[0006]如上所述的太陽(yáng)能電池用減反射鍍層晶體硅片，其特征在于所述的減反射鍍層2為摻Ta的ZrO2膜層。
[0007]如上所述的太陽(yáng)能電池用減反射鍍層晶體硅片，其特征在于所述減反射鍍層2的厚度為70?lOOnm。
[0008]一種制上述的太陽(yáng)能電池用減反射鍍層晶體硅片的方法，其特征在于包括如下步驟:
[0009](I)清洗晶體硅基片1，將晶體硅基片I放在超聲波中清洗；
[0010](2)制備摻Ta的ZrO2靶材；
[0011](3)直流濺射摻Ta的ZrO2膜層，將清洗后的晶體硅基片I用無(wú)塵工具放置在托盤上，送入磁控濺射鍍膜機(jī)上直流濺射摻Ta的ZrO2靶材直流濺射摻Ta的ZrO2膜層。
[0012]如上所述的制備太陽(yáng)能電池用減反射鍍層晶體硅片的方法，其特征在于所述步驟
(3)中直流濺射時(shí)用氬氣作為濺射氣體，濺射功率8?10KW，沉積速度35nm/min，沉積膜層厚度70?lOOnm，膜層中Ta =Zr < 20%，制備時(shí)將晶體硅基片I加熱到300度。
[0013]如上所述的制備太陽(yáng)能電池用減反射鍍層晶體硅片的方法，其特征在于所述步驟
(2)包括步驟:
[0014](2a)將Ta和ZrO2原料粉碎成顆粒后，按質(zhì)量比Ta =ZrO2 = 10%?30%:70%?90%混勻；
[0015](2b)將混勻后的粉末，用噴涂法在不銹鋼圓筒襯底上制備摻Ta的ZrO2靶材。
[0016]如上所述的制備太陽(yáng)能電池用減反射鍍層晶體硅片的方法，其特征在于所述步驟(2a)中Ta和ZrO2原料粉碎成顆粒后顆粒直徑小于50微米。
[0017]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明有如下優(yōu)點(diǎn):
[0018]本發(fā)明通過(guò)在晶體硅基片表面增加一層減反射膜層，通過(guò)減反射膜層更進(jìn)一步降低硅片反射率。減反射膜層可將晶體硅片表面的反射率降低到5%以下。
【【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】】
[0019]圖1是本發(fā)明結(jié)構(gòu)示意圖。
【【具體實(shí)施方式】】
[0020]一種太陽(yáng)能電池用減反射鍍層晶體硅片，包括有晶體硅基片1，在所述的晶體硅基片I的一側(cè)面復(fù)合有減反射鍍層2。
[0021]所述的減反射鍍層2為摻Ta的ZrO2膜層。Ta即金屬鉭，ZrO2即二氧化鋯，金屬鉭與二氧化鋯結(jié)合鍍膜可以有效降低晶體硅片表面的反射率，提高太陽(yáng)光的吸收率。
[0022]所述減反射鍍層2的厚度為70?lOOnm。
[0023]一種制備上述的太陽(yáng)能電池用減反射鍍層晶體硅片的方法，包括如下步驟:
[0024](I)清洗晶體硅基片1，將晶體硅基片I放在超聲波中清洗；
[0025](2)制備摻Ta的ZrO2靶材；
[0026](3)直流濺射摻Ta的ZrO2膜層，將清洗后的晶體硅基片I用無(wú)塵工具放置在托盤上，送入磁控濺射鍍膜機(jī)上直流濺射摻Ta的ZrO2靶材直流濺射摻Ta的ZrO2膜層。
[0027]所述步驟(3)中直流濺射時(shí)用氬氣作為濺射氣體，濺射功率8?10KW，沉積速度35nm/min，沉積膜層厚度70?lOOnm，膜層中Ta =Zr < 20%，折射率恒定在2.05，制備時(shí)將晶體硅基片I加熱到300度。
[0028]所述步驟(2)包括步驟:
[0029](2a)將Ta和ZrO2原料粉碎成顆粒后，按質(zhì)量比Ta =ZrO2 = 10%?30%:70%?90%混勻；
[0030](2b)將混勻后的粉末，用噴涂法在不銹鋼圓筒襯底上制備摻Ta的ZrO2靶材。
[0031]所述步驟(2a)中Ta和ZrO2原料粉碎成顆粒后優(yōu)選顆粒直徑小于50微米。
[0032]本發(fā)明的復(fù)合有摻Ta的ZrO2膜層的晶體硅電池裝到電池構(gòu)件上，通過(guò)串聯(lián)、并聯(lián)的方式即可形成電池組件。
【權(quán)利要求】
1.一種太陽(yáng)能電池用減反射鍍層晶體硅片，包括有晶體硅基片(I)，其特征在于:在所述的晶體硅基片(I)的一側(cè)面復(fù)合有減反射鍍層(2)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽(yáng)能電池用減反射鍍層晶體硅片，其特征在于所述的減反射鍍層⑵為摻Ta的ZrO2膜層。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的太陽(yáng)能電池用減反射鍍層晶體硅片，其特征在于所述減反射鍍層⑵的厚度為70?lOOnm。
4.一種制備權(quán)利要求1-3任意一項(xiàng)所述的太陽(yáng)能電池用減反射鍍層晶體硅片的方法，其特征在于包括如下步驟: (1)清洗晶體硅基片(I)，將晶體硅基片(I)放在超聲波中清洗； (2)制備摻Ta的ZrO2革巴材； (3)直流濺射摻Ta的ZrO2膜層，將清洗后的晶體硅基片(I)用無(wú)塵工具放置在托盤上，送入磁控濺射鍍膜機(jī)上直流濺射摻Ta的ZrO2靶材直流濺射摻Ta的ZrO2膜層。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的制備太陽(yáng)能電池用減反射鍍層晶體硅片的方法，其特征在于所述步驟(3)中直流濺射時(shí)用氬氣作為濺射氣體，濺射功率8?10KW，沉積速度35nm/min，沉積膜層厚度70?lOOnm，膜層中Ta =Zr < 20%，制備時(shí)將晶體硅基片(I)加熱到300度。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的制備太陽(yáng)能電池用減反射鍍層晶體硅片的方法，其特征在于所述步驟(2)包括步驟: (2a)將Ta和ZrO2原料粉碎成顆粒后，按質(zhì)量比Ta =ZrO2 = 10%?30%:70%?90%混勻； (2b)將混勻后的粉末，用噴涂法在不銹鋼圓筒襯底上制備摻Ta的ZrO2靶材。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制備太陽(yáng)能電池用減反射鍍層晶體硅片的方法，其特征在于所述步驟(2a)中Ta和ZrO2原料粉碎成顆粒后顆粒直徑小于50微米。
【文檔編號(hào)】H01L31/18GK104269446SQ201410564018
【公開(kāi)日】2015年1月7日 申請(qǐng)日期:2014年10月18日 優(yōu)先權(quán)日:2014年10月18日
【發(fā)明者】秦文鋒, 王玲, 楊永華 申請(qǐng)人:中山市創(chuàng)科科研技術(shù)服務(wù)有限公司