一種coa基板及其制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種COA基板及其制作方法，所述方法包括：提供一襯底基板；在所述襯底基板上形成第一金屬層，對所述第一金屬層進(jìn)行圖形化處理形成柵極；在所述柵極及未被所述柵極覆蓋的襯底基板上形成柵絕緣層；在所述柵絕緣層上形成色阻層；在所述色阻層上形成有源層；在所述有源層上以及未被所述有源層覆蓋的色阻層上形成第二金屬層，對所述第二金屬層進(jìn)行圖形化處理形成漏極和源極；在所述第二金屬層上形成鈍化層；在所述鈍化層上形成連接所述第二金屬層的過孔；以及在所述鈍化層上形成透明導(dǎo)電層。本發(fā)明的COA基板及其制作方法，通過在第二金屬層之前制作色阻層，較現(xiàn)有技術(shù)節(jié)省了一層鈍化層，從而降低生產(chǎn)成本。
【專利說明】—種00八基板及其制作方法
【【技術(shù)領(lǐng)域】】
[0001]本發(fā)明涉及液晶顯示器【技術(shù)領(lǐng)域】，特別是涉及一種⑶八基板及其制作方法。
【【背景技術(shù)】】
[0002]00^(00101-011紅！'￡17)基板是在陣列基板上制作彩色濾色膜，由于解決了液晶顯示器對位要求高的問題，同時(shí)提高了開口率，成為液晶顯示領(lǐng)域主要的研究方向之一?，F(xiàn)有的⑶八基板是在基板上依次形成薄膜場效應(yīng)晶體管，色阻層，像素電極，由于需要在薄膜場效應(yīng)晶體管的漏極與彩色層之間需要設(shè)置一層鈍化層，從而使得⑶八基板的制程變得復(fù)雜，同時(shí)增加生產(chǎn)成本。同時(shí)現(xiàn)有的⑶八基板由于掃描線和數(shù)據(jù)線的距離比較小，還存在數(shù)據(jù)線和掃描線在交叉區(qū)域容易產(chǎn)生電容耦合效應(yīng)的問題，因此必須壓縮交叉區(qū)域的線寬以避免電容耦合效應(yīng)的產(chǎn)生。
[0003]因此，有必要提供一種⑶八基板及其制作方法，以解決現(xiàn)有技術(shù)所存在的問題?！?br/>【發(fā)明內(nèi)容】
】
[0004]本發(fā)明的目的在于提供一種⑶八基板及其制作方法，以解決現(xiàn)有技術(shù)需要多制作一層鈍化層，增加生產(chǎn)成本的技術(shù)問題。
[0005]為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明構(gòu)造了一種⑶八基板的制作方法，包括以下步驟:
[0006]提供一襯底基板；
[0007]在所述襯底基板上形成第一金屬層，對所述第一金屬層進(jìn)行圖形化處理形成柵極；
[0008]在所述柵極及未被所述柵極覆蓋的襯底基板上形成柵絕緣層；
[0009]在所述柵絕緣層上形成色阻層；
[0010]在所述色阻層上形成有源層；
[0011]在所述有源層上以及未被所述有源層覆蓋的色阻層上形成第二金屬層，對所述第二金屬層進(jìn)行圖形化處理形成漏極和源極；
[0012]在所述第二金屬層上形成鈍化層；
[0013]在所述鈍化層上形成連接所述第二金屬層的過孔；以及
[0014]在所述鈍化層上形成透明導(dǎo)電層。
[0015]在本發(fā)明的⑶八基板的制作方法中，所述在所述柵絕緣層上形成色阻層的步驟包括:
[0016]在整個(gè)所述柵絕緣層上形成所述色阻層；
[0017]將與所述柵極相對位置處的色阻層刻蝕掉，以使所述柵極相對位置處的柵絕緣層暴露。
[0018]在本發(fā)明的⑶八基板的制作方法中，所述在所述色阻層上形成有源層步驟包括:
[0019]在所述暴露的柵絕緣層上形成所述有源層。
[0020]在本發(fā)明的⑶八基板的制作方法中，所述制作方法還包括步驟:
[0021]使用掩模板對所述第二金屬層進(jìn)行圖形化處理，以在所述第二金屬層上形成第一公共電極。
[0022]在本發(fā)明的COA基板的制作方法中，所述方法還包括步驟:
[0023]所述掩模板具有第一圖案，所述透明導(dǎo)電層上具有多個(gè)疇，其中所述第一圖案與設(shè)定區(qū)域的形狀一致，所述設(shè)定區(qū)域?yàn)樗鐾该鲗?dǎo)電層上的疇與疇交界處的暗紋形成的區(qū)域，所述設(shè)定區(qū)域在所述第二金屬層上的投影對應(yīng)所述第一公共電極的區(qū)域。
[0024]在本發(fā)明的COA基板的制作方法中，所述方法還包括步驟:
[0025]對所述第一金屬層進(jìn)行圖形化處理，以形成第二公共電極。
[0026]在本發(fā)明的COA基板的制作方法中，所述第一公共電極和所述第二公共電極連接同一公共線。
[0027]在本發(fā)明的COA基板的制作方法中，所述透明導(dǎo)電層包括像素電極，所述像素電極與所述第一公共電極之間形成存儲(chǔ)電容。
[0028]本發(fā)明的另一個(gè)目的在于提供一種COA基板，其包括:
[0029]襯底基板；
[0030]第一金屬層，位于所述襯底基板上，包括薄膜場效應(yīng)晶體管的柵極區(qū)；
[0031]柵極絕緣層，部分位于所述第一金屬層上，用于隔離所述第一金屬層和色阻層；
[0032]所述色阻層，位于所述柵絕緣層上，用于形成色阻；
[0033]有源層，部分位于所述色阻層上，用于形成溝道；
[0034]第二金屬層，位于所述有源層上，包括薄膜場效應(yīng)晶體管的漏極區(qū)和源極區(qū)；
[0035]鈍化層，位于所述第二金屬層上，所述鈍化層上形成有連接所述第二金屬層的過孔；以及
[0036]透明導(dǎo)電層，位于所述鈍化層上。
[0037]在本發(fā)明的COA基板中，所述柵絕緣層包括第一區(qū)域，所述色阻層位于所述柵絕緣層的第一區(qū)域以外的區(qū)域的上方，所述有源層位于所述第一區(qū)域的上方；其中所述第一區(qū)域?yàn)樗鰱沤^緣層上與所述柵極相對位置處的區(qū)域。
[0038]本發(fā)明的COA基板及其制作方法，通過在第二金屬層之前制作色阻層，較現(xiàn)有技術(shù)節(jié)省了一層鈍化層，從而降低生產(chǎn)成本。
【【專利附圖】

【附圖說明】】
[0039]圖1為現(xiàn)有技術(shù)的COA基板的結(jié)構(gòu)不意圖；
[0040]圖2為本發(fā)明的COA基板的制作方法流程圖；
[0041]圖3為本發(fā)明的COA基板的結(jié)構(gòu)示意圖。
【【具體實(shí)施方式】】
[0042]以下各實(shí)施例的說明是參考附加的圖式，用以例示本發(fā)明可用以實(shí)施的特定實(shí)施例。本發(fā)明所提到的方向用語，例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「內(nèi)」、「外」、「側(cè)面」等，僅是參考附加圖式的方向。因此，使用的方向用語是用以說明及理解本發(fā)明，而非用以限制本發(fā)明。在圖中，結(jié)構(gòu)相似的單元是以相同標(biāo)號表示。
[0043]請參照圖1，圖1為現(xiàn)有技術(shù)的COA基板的結(jié)構(gòu)不意圖。現(xiàn)有技術(shù)的COA基板,如圖1所示，包括襯底基板11、第一金屬層12、柵極絕緣層13、有源層14、第二金屬層15、第一鈍化層16 ；色阻層17、第二鈍化層18、透明導(dǎo)電層20。
[0044]所述第一金屬層12位于所述襯底基板11上，包括薄膜場效應(yīng)晶體管的柵極區(qū)，對所述第一金屬層12進(jìn)行圖形化處理形成柵極；所述柵極部分以外的第一金屬層在制程過程中被刻蝕掉。所述柵極絕緣層13，部分位于所述第一金屬層12上，用于隔離所述第一金屬層12和所述薄膜場效應(yīng)晶體管的漏極和源極；
[0045]所述有源層14，部分位于所述柵極絕緣層13上，用于形成所述薄膜場效應(yīng)晶體管的漏極和源極之間的溝道；
[0046]所述第二金屬層15，位于所述有源層14上，包括薄膜場效應(yīng)晶體管的漏極區(qū)和源極區(qū)；對所述第二金屬層15進(jìn)行圖形化處理形成漏極和源極；所述漏極和源極部分以外的第二金屬層在制程過程中被刻蝕掉。
[0047]第一鈍化層16，位于所述第二金屬層15上，用于將所述漏極和所述源極分別與所述色組層17隔離；以及所述色阻層17，位于所述第一鈍化層16上，用于形成色阻；第二鈍化層18，位于所述色阻層17上，用隔離所述色阻層17和所述透明導(dǎo)電層20 ；所述透明導(dǎo)電層20，位于所述第二鈍化層18上，其包括像素電極，所述像素電極與所述漏極之間經(jīng)過孔19連接。
[0048]請參照圖2，圖2為本發(fā)明的⑶八基板的制作方法流程圖。
[0049]本發(fā)明的⑶八基板的制作方法，如圖2所示，包括以下步驟:
[0050]3201、提供一襯底基板；
[0051]3202、在所述襯底基板上形成第一金屬層，對所述第一金屬層進(jìn)行圖形化處理形成柵極；
[0052]所述步驟3202具體是通過帶有圖形的掩模板，對所述第一金屬層經(jīng)過曝光顯影、刻蝕后形成柵極，柵極部分以外的第一金屬層在制程過程中被刻蝕掉。該金屬層的材料可為鉻、鑰、鋁或銅等。優(yōu)選地，對所述第一金屬層進(jìn)行圖形化處理以形成第二公共電極。
[0053]3203、在所述柵極及未被所述柵極覆蓋的襯底基板上形成柵絕緣層；
[0054]3204、在所述柵絕緣層上形成色阻層；
[0055]所述色阻層用于形成色阻，優(yōu)選地3204步驟具體包括:
[0056]32041、在整個(gè)所述柵絕緣層上形成所述色阻層；
[0057]32042、將與所述柵極相對位置處的色阻層刻蝕掉，以使所述柵極相對位置處的柵絕緣層暴露。
[0058]3205、在所述色阻層上形成有源層；
[0059]所述有源層用于形成漏極和源極之間的溝道，所述有源層的材料譬如為非晶硅材料。所述有源層是在所述暴露的柵絕緣層上形成的。
[0060]3206、在所述有源層上以及未被所述有源層覆蓋的色阻層上形成第二金屬層，對所述第二金屬層進(jìn)行圖形化處理形成漏極和源極；
[0061]所述步驟3206具體是通過帶有圖形的掩模板，對所述第二金屬層經(jīng)過曝光顯影、刻蝕后形成漏極和源極，漏極和源極部分以外的第二金屬層在制程過程中被刻蝕掉。使用掩模板可對所述第二金屬層進(jìn)行圖形化處理，以在所述第二金屬層上形成第一公共電極。由于第一公共電極形成在所述第二金屬層上，相比于公共電極形成在第一金屬層上，由于在像素電極和第二金屬層之間少了一層色阻層，使得兩者的距離降低，從而增大了存儲(chǔ)電容。
[0062]優(yōu)選地，所述第一公共電極和所述第二公共電極連接同一公共線。避免了在所述第二金屬層上設(shè)置連接線比較困難的問題。
[0063]優(yōu)選地，所述掩模板具有第一圖案，所述透明導(dǎo)電層上具有多個(gè)疇，不同疇的透明導(dǎo)電層上的透明電極延伸方向不同，從而使得不同疇上的液晶分子的預(yù)傾斜角度不同，進(jìn)而降低了液晶顯示器的串?dāng)_現(xiàn)象。其中所述第一圖案與設(shè)定區(qū)域的形狀一致，所述設(shè)定區(qū)域?yàn)樗鐾该鲗?dǎo)電層上的疇與疇交界處的暗紋形成的區(qū)域，譬如疇與疇交界處的暗紋成十字架結(jié)構(gòu)的形狀。所述設(shè)定區(qū)域在所述第二金屬層上的投影對應(yīng)所述第一公共電極的區(qū)域。從而使得第一公共線的設(shè)置不會(huì)影響開口率。
[0064]同時(shí)，所述第一金屬層上形成有掃描線，所述第二金屬層上形成有數(shù)據(jù)線，由于本發(fā)明的技術(shù)方案是在制作第二金屬層之前制作色阻層，從而使得第一金屬層和第二金屬層之間的電容降低，從而避免了所述數(shù)據(jù)線和所述掃描線交叉區(qū)域產(chǎn)生電容耦合效應(yīng)。
[0065]本發(fā)明利用所述第二金屬層阻隔所述色阻層和透明導(dǎo)電層，區(qū)別于現(xiàn)有技術(shù)利用第二鈍化層阻隔所述色阻層，從而省去了一道鈍化層的制程工序。
[0066]S207、在所述第二金屬層上形成鈍化層；
[0067]所述鈍化層用于防止所述第二金屬層被氧化。
[0068]S208、在所述鈍化層上形成連接所述第二金屬層的過孔；以及
[0069]S209、在所述鈍化層上形成透明導(dǎo)電層。
[0070]可以利用濺射鍍膜法，在設(shè)置有過孔的所述鈍化層上形成所述透明導(dǎo)電層。所述透明導(dǎo)電層包括像素電極。優(yōu)選地，所述像素電極與所述第一公共電極之間可形成存儲(chǔ)電容。
[0071]本發(fā)明的COA基板的制作方法，通過在第二金屬層之前制作色阻層，較現(xiàn)有技術(shù)節(jié)省了一層鈍化層，從而降低生產(chǎn)成本。
[0072]請參照圖3，圖3為本發(fā)明的COA基板的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0073]如圖3所示，本發(fā)明還提供一種COA基板，包括:襯底基板21、第一金屬層22、柵極絕緣層23、色阻層24、有源層25、第二金屬層26、鈍化層27、透明導(dǎo)電層28 ；
[0074]所述第一金屬層22，位于所述襯底基板21上，包括薄膜場效應(yīng)晶體管的柵極區(qū)；由于所述柵極區(qū)部分以外的第一金屬層在制程過程中被刻蝕掉，圖3僅給出制程完后的示意圖。
[0075]所述柵極絕緣層23，部分位于所述第一金屬層22上，其余部分位于所述襯底基板21上，用于隔離所述第一金屬層22和所述色阻層24 ;所述色阻層24，位于所述柵絕緣層23上，用于形成色阻；
[0076]所述有源層25，部分位于所述色阻層24上，用于形成溝道；
[0077]所述第二金屬層26，位于所述有源層25上，包括薄膜場效應(yīng)晶體管的漏極區(qū)和源極區(qū)；
[0078]所述鈍化層27，位于所述第二金屬層26上，所述鈍化層27上形成有連接所述第二金屬層26的過孔29 ；以及
[0079]所述透明導(dǎo)電層28，位于所述鈍化層27上。
[0080]優(yōu)選地，所述柵絕緣層23的包括第一區(qū)域30(如圖中虛線所示)，所述第一區(qū)域30為所述柵絕緣層上與所述柵極相對位置處的區(qū)域，所述色阻層24位于所述柵絕緣層23的第一區(qū)域30以外的區(qū)域的上方，所述有源層25位于所述第一區(qū)域30的上方。
[0081]優(yōu)選地，所述第二金屬層26還包括第一公共電極。
[0082]優(yōu)選地，第一公共電極是通過使用掩模板對所述第二金屬層進(jìn)行圖形化處理得到的。
[0083]優(yōu)選地，所述掩模板具有第一圖案，所述透明導(dǎo)電層上具有多個(gè)疇，不同疇的透明導(dǎo)電層上的透明電極延伸方向不同，從而使得不同疇上的液晶分子的預(yù)傾斜角度不同，進(jìn)而降低了液晶顯示器的串?dāng)_現(xiàn)象。其中所述第一圖案與設(shè)定區(qū)域的形狀一致，所述設(shè)定區(qū)域?yàn)樗鐾该鲗?dǎo)電層上的疇與疇交界處的暗紋形成的區(qū)域，所述設(shè)定區(qū)域在所述第二金屬層上的投影對應(yīng)所述第一公共電極的區(qū)域。
[0084]優(yōu)選地，所述第一金屬層還包括第二公共電極。
[0085]優(yōu)選地，所述第一公共電極和所述第二公共電極連接同一公共線。
[0086]優(yōu)選地，所述透明導(dǎo)電層包括像素電極，所述像素電極與所述第一公共電極之間形成存儲(chǔ)電容。
[0087]對比圖1，不難發(fā)現(xiàn)，本發(fā)明的⑶八基板，通過在第二金屬層之前制作色阻層，較現(xiàn)有技術(shù)節(jié)省了一層鈍化層，從而降低生產(chǎn)成本。本發(fā)明的⑶八基板的制作方法請參照上文。
[0088]綜上所述，雖然本發(fā)明已以優(yōu)選實(shí)施例揭露如上，但上述優(yōu)選實(shí)施例并非用以限制本發(fā)明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，均可作各種更動(dòng)與潤飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍以權(quán)利要求界定的范圍為準(zhǔn)。
【權(quán)利要求】
1.一種COA基板的制作方法，其特征在于，包括: 提供一襯底基板； 在所述襯底基板上形成第一金屬層，對所述第一金屬層進(jìn)行圖形化處理形成柵極； 在所述柵極及未被所述柵極覆蓋的襯底基板上形成柵絕緣層； 在所述柵絕緣層上形成色阻層； 在所述色阻層上形成有源層； 在所述有源層上以及未被所述有源層覆蓋的色阻層上形成第二金屬層，對所述第二金屬層進(jìn)行圖形化處理形成漏極和源極； 在所述第二金屬層上形成鈍化層； 在所述鈍化層上形成連接所述第二金屬層的過孔；以及 在所述鈍化層上形成透明導(dǎo)電層。
2.根據(jù)權(quán)1所述的C0A基板的制作方法，其特征在于，所述在所述柵絕緣層上形成色阻層的步驟包括: 在整個(gè)所述柵絕緣層上形成所述色阻層； 將與所述柵極相對位置處的色阻層刻蝕掉，以使所述柵極相對位置處的柵絕緣層暴露。
3.根據(jù)權(quán)2所述的C0A基板的制作方法，其特征在于，所述在所述色阻層上形成有源層步驟包括: 在所述暴露的柵絕緣層上形成所述有源層。
4.根據(jù)權(quán)1所述的C0A基板的制作方法，其特征在于，所述制作方法還包括步驟: 使用掩模板對所述第二金屬層進(jìn)行圖形化處理，以在所述第二金屬層上形成第一公共電極。
5.根據(jù)權(quán)4所述的C0A基板的制作方法，其特征在于，所述方法還包括步驟: 所述掩模板具有第一圖案，所述透明導(dǎo)電層上具有多個(gè)疇，其中所述第一圖案與設(shè)定區(qū)域的形狀一致，所述設(shè)定區(qū)域?yàn)樗鐾该鲗?dǎo)電層上的疇與疇交界處的暗紋形成的區(qū)域，所述設(shè)定區(qū)域在所述第二金屬層上的投影對應(yīng)所述第一公共電極的區(qū)域。
6.根據(jù)權(quán)4所述的C0A基板的制作方法，其特征在于，所述方法還包括步驟: 對所述第一金屬層進(jìn)行圖形化處理，以形成第二公共電極。
7.根據(jù)權(quán)6所述的C0A基板的制作方法，其特征在于，所述第一公共電極和所述第二公共電極連接同一公共線。
8.根據(jù)權(quán)4所述的C0A基板的制作方法，其特征在于，所述透明導(dǎo)電層包括像素電極，所述像素電極與所述第一公共電極之間形成存儲(chǔ)電容。
9.一種C0A基板，其特征在于，包括: 襯底基板； 第一金屬層，位于所述襯底基板上，包括薄膜場效應(yīng)晶體管的柵極區(qū)； 柵極絕緣層，部分位于所述第一金屬層上，用于隔離所述第一金屬層和色阻層； 所述色阻層，位于所述柵絕緣層上，用于形成色阻； 有源層，部分位于所述色阻層上，用于形成溝道； 第二金屬層，位于所述有源層上，包括薄膜場效應(yīng)晶體管的漏極區(qū)和源極區(qū)； 鈍化層，位于所述第二金屬層上，所述鈍化層上形成有連接所述第二金屬層的過孔；以及 透明導(dǎo)電層，位于所述鈍化層上。
10.根據(jù)權(quán)9所述的COA基板，其特征在于，所述柵絕緣層包括第一區(qū)域，所述色阻層位于所述柵絕緣層的第一區(qū)域以外的區(qū)域的上方，所述有源層位于所述第一區(qū)域的上方；其中所述第一區(qū)域?yàn)樗鰱沤^緣層上與所述柵極相對位置處的區(qū)域。
【文檔編號】H01L21/77GK104319277SQ201410542924
【公開日】2015年1月28日 申請日期:2014年10月15日 優(yōu)先權(quán)日:2014年10月15日
【發(fā)明者】熊源 申請人:深圳市華星光電技術(shù)有限公司