Tft背板結(jié)構(gòu)及其制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種TFT背板結(jié)構(gòu)及其制作方法。該TFT背板結(jié)構(gòu)具有開關(guān)TFT(T1)與驅(qū)動TFT(T2)，所述開關(guān)TFT(T1)由第一源\漏極(61)、第一柵極(21)及夾在二者之間的第一蝕刻阻擋層(51)、第一氧化物半導(dǎo)體層(41)與第一柵極絕緣層(31)構(gòu)成，所述驅(qū)動TFT(T2)由第二源\漏極(62)、第二柵極(22)及夾在二者之間的第二氧化物半導(dǎo)體層(42)、第一蝕刻阻擋層(51)與第二柵極絕緣層(32)構(gòu)成，所述開關(guān)TFT(T1)與所述驅(qū)動TFT(T2)的電特性不同，開關(guān)TFT具有較小的亞閾值擺幅能夠快速充放電，驅(qū)動TFT具有相對較大的亞閾值擺幅能夠更精確的控制電流和灰階。
【專利說明】TFT背板結(jié)構(gòu)及其制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種TFT背板結(jié)構(gòu)及其制作方法。
【背景技術(shù)】
[0002]平面顯示器件具有機(jī)身薄、省電、無輻射等眾多優(yōu)點(diǎn)，得到了廣泛的應(yīng)用?，F(xiàn)有的平面顯示器件主要包括液晶顯示器件(Liquid Crystal Display, IXD)及有機(jī)電致發(fā)光顯不器件(Organic Light Emitting Display, OLED)。
[0003]OLED由于同時具備自發(fā)光，不需背光源、對比度高、厚度薄、視角廣、反應(yīng)速度快、可用于柔性顯示、使用溫度范圍廣、構(gòu)造及制程較簡單等優(yōu)異特性，被認(rèn)為是下一代平面顯示技術(shù)的主流。
[0004]薄膜晶體管(Thin Film Transistor, TFT)是平面顯示裝置的重要組成部分。由于TFT可形成在玻璃基板或塑料基板上，所以它們通常作為開關(guān)裝置和驅(qū)動裝置用在諸如LCD、0LED、電泳顯示裝置(EPD)上。
[0005]氧化物半導(dǎo)體TFT技術(shù)是當(dāng)前的熱門技術(shù)。由于氧化物半導(dǎo)體具有較高的電子遷移率，而且相比低溫多晶硅(LTPS)，氧化物半導(dǎo)體制程簡單，與非晶硅制程相容性較高，在OLED大尺寸面板的生產(chǎn)中得到了廣泛的應(yīng)用，具有良好的應(yīng)用發(fā)展前景。
[0006]現(xiàn)有的氧化物半導(dǎo)體TFT背板結(jié)構(gòu)中，應(yīng)用較多且發(fā)展較為成熟的有包括蝕刻阻擋層的結(jié)構(gòu)、背溝道蝕刻結(jié)構(gòu)、共平面型結(jié)構(gòu)等，這些結(jié)構(gòu)各有優(yōu)缺點(diǎn)，如包括蝕刻阻擋層的結(jié)構(gòu)由于具有蝕刻阻擋層來保護(hù)氧化物半導(dǎo)體層，穩(wěn)定性較好，但是制作蝕刻阻擋層需要多一道光罩，且耦合電容較大，不利于良率的提升與成本的下降；背溝道蝕刻結(jié)構(gòu)與共平面型結(jié)構(gòu)在制作過程中可以少一道光罩，節(jié)約成本，且相應(yīng)的耦合電容也較小，更具有競爭力和發(fā)展前景，但是目前該兩種結(jié)構(gòu)的穩(wěn)定性還有待提升。
[0007]進(jìn)一步的，現(xiàn)有的氧化物半導(dǎo)體TFT背板一般都包括一開關(guān)TFT、及一驅(qū)動TFT。在傳統(tǒng)制程中，通常開關(guān)TFT與驅(qū)動TFT采用同樣的制程同時形成，沒有因?yàn)楣δ艿牟煌龀霾町惢奶幚?，因此開關(guān)TFT與驅(qū)動TFT具有同樣的結(jié)構(gòu)和同樣的電特性，如同樣的導(dǎo)通電流(1n)、閾值電壓(Vth)、亞閾值擺幅(S.S)等，但在實(shí)際使用過程中對開關(guān)TFT和驅(qū)動TFT的電特性要求是不一樣的，一般來說，希望開關(guān)TFT能有較小的S.S來達(dá)到快速充放電的目的，而希望驅(qū)動TFT的S.S稍大，可以更精確的控制電流及灰階。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0008]本發(fā)明的目的在于提供一種TFT背板結(jié)構(gòu)，能夠差異化開關(guān)TFT與驅(qū)動TFT，使開關(guān)TFT與驅(qū)動TFT具有不同的電特性，以提高TFT背板的性能。
[0009]本發(fā)明的目的還在于提供一種TFT背板結(jié)構(gòu)的制作方法，通過該方法能夠制作出具有不同電特性的開關(guān)TFT與驅(qū)動TFT，提高TFT背板的性能。
[0010]為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明首先提供一種TFT背板結(jié)構(gòu)，包括一基板、位于該基板上的相互間隔的第一柵極與第二柵極、位于所述基板與第一柵極上的第一柵極絕緣層、位于所述基板與第二柵極上的第二柵極絕緣層、于所述第一柵極正上方位于所述第一柵極絕緣層上的第一氧化物半導(dǎo)體層、位于所述第一氧化物半導(dǎo)體層與第二柵極絕緣層上的第一蝕刻阻擋層、于所述第二柵極正上方位于所述第一蝕刻阻擋層上的第二氧化物半導(dǎo)體層、位于所述第一柵極絕緣層與第一蝕刻阻擋層上的第一源\漏極、位于所述第一蝕刻阻擋層與第二氧化物半導(dǎo)體層上的第二源\漏極、位于所述第一、第二源\漏極上的保護(hù)層、及位于所述保護(hù)層上的像素電極；所述第一源\漏極搭接第一氧化物半導(dǎo)體層與第二柵極，所述第二源\漏極搭接第二氧化物半導(dǎo)體層，所述像素電極搭接所述第二源\漏極；所述第一源\漏極、第一柵極及夾在二者之間的第一蝕刻阻擋層、第一氧化物半導(dǎo)體層與第一柵極絕緣層構(gòu)成開關(guān)TFT，所述第二源\漏極、第二柵極及夾在二者之間的第二氧化物半導(dǎo)體層、第一蝕刻阻擋層與第二柵極絕緣層構(gòu)成驅(qū)動TFT，所述開關(guān)TFT與所述驅(qū)動TFT的電特性不同。
[0011]該TFT背板結(jié)構(gòu)還包括位于所述第二氧化物半導(dǎo)體層上的第二蝕刻阻擋層，所述第二源\漏極、第二柵極及夾在二者之間的第二蝕刻阻擋層、第二氧化物半導(dǎo)體層、第一蝕刻阻擋層與第二柵極絕緣層構(gòu)成驅(qū)動TFT。
[0012]所述第一、第二氧化物半導(dǎo)體層均為IGZO半導(dǎo)體層。
[0013]所述像素電極為ITO像素電極。
[0014]本發(fā)明還提供一種TFT背板結(jié)構(gòu)的制作方法，包括如下步驟:
[0015]步驟1、提供一基板，并在該基板上沉積第一金屬膜，圖案化該第一金屬膜，形成相互間隔的第一柵極與第二柵極；
[0016]步驟2、在所述基板、第一柵極、與第二柵極上沉積柵極絕緣膜，圖案化該柵極絕緣膜，形成第一柵極絕緣層與第二柵極絕緣層；
[0017]步驟3、在完成步驟2的基板上沉積氧化物半導(dǎo)體膜，圖案化該氧化物半導(dǎo)體膜，形成于所述第一柵極正上方位于所述第一柵極絕緣層上的第一氧化物半導(dǎo)體層；
[0018]步驟4、在完成步驟3的基板上沉積蝕刻阻擋膜，圖案化該蝕刻阻擋膜，形成位于所述第一氧化物半導(dǎo)體層與第二柵極絕緣層上的第一蝕刻阻擋層；
[0019]步驟5、在完成步驟4的基板上沉積氧化物半導(dǎo)體膜，圖案化該氧化物半導(dǎo)體膜，形成于所述第二柵極正上方位于所述第一蝕刻阻擋層上的第二氧化物半導(dǎo)體層；
[0020]步驟6、在完成步驟5的基板上沉積第二金屬膜，圖案化該第二金屬膜，形成第一源\漏極與第二源\漏極；
[0021]所述第一源\漏極搭接第一氧化物半導(dǎo)體層與第二柵極，所述第二源\漏極搭接第二氧化物半導(dǎo)體層；
[0022]步驟7、在所述第一、第二源\漏極上形成保護(hù)層；
[0023]步驟8、在所述保護(hù)層上形成像素電極；
[0024]所述像素電極搭接所述第二源\漏極。
[0025]所述的TFT背板結(jié)構(gòu)的制作方法的步驟5還包括在第二氧化物半導(dǎo)體層上沉積并圖案化蝕刻阻擋膜，形成位于所述第二氧化物半導(dǎo)體層上的第二蝕刻阻擋層。
[0026]所述第一、第二氧化物半導(dǎo)體層均為IGZO半導(dǎo)體層。
[0027]所述像素電極為ITO像素電極。
[0028]本發(fā)明的有益效果:本發(fā)明的一種TFT背板結(jié)構(gòu)，將第一柵極絕緣層設(shè)置為開關(guān)TFT的源\漏極與柵極之間的絕緣層，而將第一蝕刻阻擋層與第二柵極絕緣層設(shè)置為驅(qū)動TFT的源\漏極與柵極之間的絕緣層，使得開關(guān)TFT與驅(qū)動TFT具有不同的電特性，從而使開關(guān)TFT具有較小的亞閾值擺幅來以快速充放電，驅(qū)動TFT具有相對較大的亞閾值擺幅以更精確的控制電流和灰階，提高TFT背板的性能。本發(fā)明的一種TFT背板結(jié)構(gòu)的制作方法，通過在第二柵極絕緣層上制作第一蝕刻阻擋層，能夠使開關(guān)TFT與驅(qū)動TFT的電特性不同，提高TFT背板的性能。
[0029]為了能更進(jìn)一步了解本發(fā)明的特征以及技術(shù)內(nèi)容，請參閱以下有關(guān)本發(fā)明的詳細(xì)說明與附圖，然而附圖僅提供參考與說明用，并非用來對本發(fā)明加以限制。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0030]下面結(jié)合附圖，通過對本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】詳細(xì)描述，將使本發(fā)明的技術(shù)方案及其它有益效果顯而易見。
[0031]附圖中，
[0032]圖1為本發(fā)明TFT背板結(jié)構(gòu)第一實(shí)施例的剖面示意圖；
[0033]圖2為本發(fā)明TFT背板結(jié)構(gòu)第二實(shí)施例的剖面示意圖；
[0034]圖3為本發(fā)明TFT背板結(jié)構(gòu)的制作方法的流程圖；
[0035]圖4為本發(fā)明TFT背板結(jié)構(gòu)的制作方法的步驟I的示意圖；
[0036]圖5為本發(fā)明TFT背板結(jié)構(gòu)的制作方法的步驟2的示意圖；
[0037]圖6為本發(fā)明TFT背板結(jié)構(gòu)的制作方法的步驟3的示意圖；
[0038]圖7為本發(fā)明TFT背板結(jié)構(gòu)的制作方法的步驟4的示意圖；
[0039]圖8為本發(fā)明TFT背板結(jié)構(gòu)的制作方法的步驟5的一種實(shí)施方式的示意圖；
[0040]圖9為本發(fā)明TFT背板結(jié)構(gòu)的制作方法的步驟5的另一種實(shí)施方式的示意圖；
[0041]圖10為本發(fā)明TFT背板結(jié)構(gòu)的制作方法的步驟6的示意圖；
[0042]圖11為本發(fā)明TFT背板結(jié)構(gòu)的制作方法的步驟7的示意圖；
[0043]圖12為本發(fā)明TFT背板結(jié)構(gòu)的制作方法的步驟8的示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0044]為更進(jìn)一步闡述本發(fā)明所采取的技術(shù)手段及其效果，以下結(jié)合本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例及其附圖進(jìn)行詳細(xì)描述。
[0045]請參閱圖1，為本發(fā)明TFT背板結(jié)構(gòu)的第一實(shí)施例，該TFT背板結(jié)構(gòu)包括一基板1、位于該基板I上的相互間隔的第一柵極21與第二柵極22、位于所述基板I與第一柵極21上的第一柵極絕緣層31、位于所述基板I與第二柵極22上的第二柵極絕緣層32、于所述第一柵極21正上方位于所述第一柵極絕緣層31上的第一氧化物半導(dǎo)體層41、位于所述第一氧化物半導(dǎo)體層41與第二柵極絕緣層32上的第一蝕刻阻擋層51、于所述第二柵極22正上方位于所述第一蝕刻阻擋層51上的第二氧化物半導(dǎo)體層42、位于所述第一柵極絕緣層31與第一蝕刻阻擋層51上的第一源\漏極61、位于所述第一蝕刻阻擋層51與第二氧化物半導(dǎo)體層42上的第二源\漏極62、位于所述第一、第二源\漏極61、62上的保護(hù)層7、及位于所述保護(hù)層7上的像素電極8。
[0046]所述第一柵極21與第二柵極22均由同一第一金屬膜經(jīng)圖案化形成。所述第一柵極絕緣層31與第二柵極絕緣層32由同一柵極絕緣膜經(jīng)圖案化形成。所述第一氧化物半導(dǎo)體層41由一氧化物半導(dǎo)體膜經(jīng)圖案化形成，所述第二氧化物半導(dǎo)體層41由另一氧化物半導(dǎo)體膜經(jīng)圖案化形成。所述第一蝕刻阻擋層51由一蝕刻阻擋膜經(jīng)圖案化形成。所述第一源\漏極61與第二源\漏極62均由同一第二金屬膜經(jīng)圖案化形成。
[0047]所述第一源\漏極61搭接第一氧化物半導(dǎo)體層41與第二柵極22 ;所述第二源\漏極62搭接第二氧化物半導(dǎo)體層42 ;所述像素電極8搭接所述第二源\漏極62。
[0048]所述第一源\漏極61、第一柵極21及夾在二者之間的第一蝕刻阻擋層51、第一氧化物半導(dǎo)體層41與第一柵極絕緣層31構(gòu)成開關(guān)TFT Tl ;所述第二源\漏極62、第二柵極22及夾在二者之間的第二氧化物半導(dǎo)體層42、第一蝕刻阻擋層51與第二柵極絕緣層32構(gòu)成驅(qū)動TFT T2。
[0049]所述第一柵極絕緣層31作為所述開關(guān)TFT Tl的第一源\漏極61與第一柵極21的絕緣層，而所述第一蝕刻阻擋層51與第二柵極絕緣層32作為所述驅(qū)動TFT T2的第二源\漏極62與第二柵極22的絕緣層，導(dǎo)致開關(guān)TFT Tl與驅(qū)動TFTT2存在結(jié)構(gòu)上的差異，使得開關(guān)TFT Tl與驅(qū)動TFT T2的電特性不同:開關(guān)TFT具有較小的亞閾值擺幅S.S，能夠快速充放電；驅(qū)動TFT則具有相對較大的亞閾值擺幅S.S，能夠更精確的控制電流和灰階，因此該TFT背板結(jié)構(gòu)更貼合實(shí)際使用的需要，提高了 TFT背板的性能。
[0050]進(jìn)一步的，所述第一、第二氧化物半導(dǎo)體層41、42均為銦鎵鋅氧化物(IGZO)半導(dǎo)體層；所述像素電極8為氧化銦錫(ITO)像素電極。
[0051]請參閱圖2，為本發(fā)明TFT背板結(jié)構(gòu)的第二實(shí)施例，其與第一實(shí)施例的區(qū)別在于，還包括位于所述第二氧化物半導(dǎo)體層42上的第二蝕刻阻擋層52，該第二蝕刻阻擋層52由另一蝕刻阻擋膜經(jīng)圖案化形成。相應(yīng)的，所述驅(qū)動TFT T2由第二源\漏極62、第二柵極22及夾在二者之間的第二蝕刻阻擋層52、第二氧化物半導(dǎo)體層42、第一蝕刻阻擋層51與第二柵極絕緣層32構(gòu)成。其它與第一實(shí)施例相同，此處不再贅述。
[0052]相比于第二實(shí)施例，第一實(shí)施例中省去了第二蝕刻阻擋層52，能夠節(jié)約一道光罩，提高制程效率。
[0053]請參閱圖3，本發(fā)明還提供一種TFT背板結(jié)構(gòu)的制作方法，包括如下步驟:
[0054]步驟1、如圖4所示，提供一基板1，并在該基板I上沉積第一金屬膜，圖案化該第一金屬膜，形成相互間隔的第一柵極21與第二柵極22。
[0055]步驟2、如圖5所示，在所述基板1、第一柵極21、與第二柵極22上沉積柵極絕緣膜，圖案化該柵極絕緣膜，形成第一柵極絕緣層31與第二柵極絕緣層32。
[0056]該步驟2形成的第一柵極絕緣層31與第二柵極絕緣層32具有同樣的材料與厚度。
[0057]步驟3、如圖6所示，在完成步驟2的基板I上沉積氧化物半導(dǎo)體膜，圖案化該氧化物半導(dǎo)體膜，形成于所述第一柵極21正上方位于所述第一柵極絕緣層31上的第一氧化物半導(dǎo)體層41。
[0058]具體的，所述第一氧化物半導(dǎo)體層41為IGZO半導(dǎo)體層。
[0059]步驟4、如圖7所示，在完成步驟3的基板I上沉積蝕刻阻擋膜，圖案化該蝕刻阻擋膜，形成位于所述第一氧化物半導(dǎo)體層41與第二柵極絕緣層32上的第一蝕刻阻擋層51。
[0060]該步驟4與傳統(tǒng)的制程不同，不僅在所述第一氧化物半導(dǎo)體層41上制作第一蝕刻阻擋層51，還在第二柵極絕緣層32上制作第一蝕刻阻擋層51，并使該第一蝕刻阻擋層51完全覆蓋第二柵極絕緣層32。
[0061]步驟5、圖8所示為該步驟5的一種實(shí)施方式，在完成步驟4的基板上沉積氧化物半導(dǎo)體膜，圖案化該氧化物半導(dǎo)體膜，形成于所述第二柵極22正上方位于所述第一蝕刻阻擋層51上的第二氧化物半導(dǎo)體層42。
[0062]具體的，所述第二氧化物半導(dǎo)體層42為IGZO半導(dǎo)體層。
[0063]圖9所示為該步驟5的另一種實(shí)施方式，除了形成第二氧化物半導(dǎo)體層42外，還包括在第二氧化物半導(dǎo)體層42上沉積并圖案化蝕刻阻擋膜，形成位于所述第二氧化物半導(dǎo)體層42上的第二蝕刻阻擋層52。
[0064]圖8所示的實(shí)施方式相比于圖9所示的實(shí)施方式，能夠節(jié)約一道光罩，提高制程效率。
[0065]步驟6、如圖10所示，在完成步驟5的基板I上沉積第二金屬膜，圖案化該第二金屬膜，形成第一源\漏極61與第二源\漏極62。
[0066]所述第一源\漏極61搭接第一氧化物半導(dǎo)體層41與第二柵極22，所述第二源\漏極62搭接第二氧化物半導(dǎo)體層42。
[0067]該步驟6完成后，所述第一源\漏極61、第一柵極21及夾在二者之間的第一蝕刻阻擋層51、第一氧化物半導(dǎo)體層41與第一柵極絕緣層31構(gòu)成開關(guān)TFT Tl ;所述第二源\漏極62、第二柵極22及夾在二者之間的第二氧化物半導(dǎo)體層42、第一蝕刻阻擋層51與第二柵極絕緣層32構(gòu)成驅(qū)動TFT T2，或所述第二源\漏極62、第二柵極22及夾在二者之間的第二蝕刻阻擋層52、第二氧化物半導(dǎo)體層42、第一蝕刻阻擋層51與第二柵極絕緣層32構(gòu)成驅(qū)動TFT T2。
[0068]步驟7、如圖11所示，在所述第一、第二源\漏極61、62上形成保護(hù)層7。
[0069]步驟8、如圖12所示，在所述保護(hù)層7上形成像素電極8。
[0070]所述像素電極8搭接所述第二源\漏極62。
[0071]具體的，所述像素電極8為ITO像素電極。
[0072]由于該方法在第二柵極絕緣層32上制作了第一蝕刻阻擋層51，導(dǎo)致了開關(guān)TFTTl與驅(qū)動TFT T2在結(jié)構(gòu)上存在差異:開關(guān)TFT Tl的第一源\漏極61與第一柵極21之間的絕緣層僅有第一柵極絕緣層31，而驅(qū)動TFT T2的第二源\漏極62與第二柵極22之間的絕緣層則不僅有第二柵極絕緣層32，還有第一蝕刻阻擋層51，從而使得開關(guān)TFT Tl與驅(qū)動TFT T2的電特性不同:開關(guān)TFT具有較小的亞閾值擺幅S.S，能夠快速充放電；驅(qū)動TFT則具有相對較大的亞閾值擺幅S.S，能夠更精確的控制電流和灰階。
[0073]綜上所述，本發(fā)明的一種TFT背板結(jié)構(gòu)，將第一柵極絕緣層設(shè)置為開關(guān)TFT的源\漏極與柵極之間的絕緣層，而將第一蝕刻阻擋層與第二柵極絕緣層設(shè)置為驅(qū)動TFT的源\漏極與柵極之間的絕緣層，使得開關(guān)TFT與驅(qū)動TFT具有不同的電特性，從而使開關(guān)TFT具有較小的亞閾值擺幅來以快速充放電，驅(qū)動TFT具有相對較大的亞閾值擺幅以更精確的控制電流和灰階，提高TFT背板的性能。本發(fā)明的一種TFT背板結(jié)構(gòu)的制作方法，通過在第二柵極絕緣層上制作第一蝕刻阻擋層，能夠使開關(guān)TFT與驅(qū)動TFT的電特性不同，提高TFT背板的性能。
[0074]以上所述，對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，可以根據(jù)本發(fā)明的技術(shù)方案和技術(shù)構(gòu)思作出其他各種相應(yīng)的改變和變形，而所有這些改變和變形都應(yīng)屬于本發(fā)明權(quán)利要求的保護(hù)范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種TFT背板結(jié)構(gòu),其特征在于,包括一基板(I)、位于該基板(I)上的相互間隔的第一柵極(21)與第二柵極(22)、位于所述基板(I)與第一柵極(21)上的第一柵極絕緣層(31)、位于所述基板(I)與第二柵極(22)上的第二柵極絕緣層(32)、于所述第一柵極(21)正上方位于所述第一柵極絕緣層(31)上的第一氧化物半導(dǎo)體層(41)、位于所述第一氧化物半導(dǎo)體層(41)與第二柵極絕緣層(32)上的第一蝕刻阻擋層(51)、于所述第二柵極(22)正上方位于所述第一蝕刻阻擋層(51)上的第二氧化物半導(dǎo)體層(42)、位于所述第一柵極絕緣層(31)與第一蝕刻阻擋層(51)上的第一源\漏極(61)、位于所述第一蝕刻阻擋層(51)與第二氧化物半導(dǎo)體層(42)上的第二源\漏極(62)、位于所述第一、第二源\漏極(61、62)上的保護(hù)層(7)、及位于所述保護(hù)層(7)上的像素電極(8);所述第一源\漏極(61)搭接第一氧化物半導(dǎo)體層(41)與第二柵極(22)，所述第二源\漏極￠2)搭接第二氧化物半導(dǎo)體層(42)，所述像素電極(8)搭接所述第二源\漏極￠2);所述第一源\漏極(61)、第一柵極(21)及夾在二者之間的第一蝕刻阻擋層(51)、第一氧化物半導(dǎo)體層(41)與第一柵極絕緣層(31)構(gòu)成開關(guān)TFT (Tl)，所述第二源\漏極(62)、第二柵極(22)及夾在二者之間的第二氧化物半導(dǎo)體層(42)、第一蝕刻阻擋層(51)與第二柵極絕緣層(32)構(gòu)成驅(qū)動TFT (T2)，所述開關(guān)TFT (Tl)與所述驅(qū)動TFT (T2)的電特性不同。
2.如權(quán)利要求1所述的TFT背板結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括位于所述第二氧化物半導(dǎo)體層(42)上的第二蝕刻阻擋層(52)，所述第二源\漏極(62)、第二柵極(22)及夾在二者之間的第二蝕刻阻擋層(52)、第二氧化物半導(dǎo)體層(42)、第一蝕刻阻擋層(51)與第二柵極絕緣層(32)構(gòu)成驅(qū)動TFT (T2)。
3.如權(quán)利要求1所述的TFT背板結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一、第二氧化物半導(dǎo)體層(41,42)均為IGZO半導(dǎo)體層。
4.如權(quán)利要求1所述的TFT背板結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述像素電極(8)為ITO像素電極。
5.—種TFT背板結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，包括如下步驟: 步驟1、提供一基板(I)，并在該基板(I)上沉積第一金屬膜，圖案化該第一金屬膜，形成相互間隔的第一柵極(21)與第二柵極(22)； 步驟2、在所述基板(I)、第一柵極(21)、與第二柵極(22)上沉積柵極絕緣膜，圖案化該柵極絕緣膜，形成第一柵極絕緣層(31)與第二柵極絕緣層(32)； 步驟3、在完成步驟2的基板(I)上沉積氧化物半導(dǎo)體膜，圖案化該氧化物半導(dǎo)體膜，形成于所述第一柵極(21)正上方位于所述第一柵極絕緣層(31)上的第一氧化物半導(dǎo)體層(41)； 步驟4、在完成步驟3的基板(I)上沉積蝕刻阻擋膜，圖案化該蝕刻阻擋膜，形成位于所述第一氧化物半導(dǎo)體層(41)與第二柵極絕緣層(32)上的第一蝕刻阻擋層(51)； 步驟5、在完成步驟4的基板(I)上沉積氧化物半導(dǎo)體膜，圖案化該氧化物半導(dǎo)體膜，形成于所述第二柵極(22)正上方位于所述第一蝕刻阻擋層(51)上的第二氧化物半導(dǎo)體層(42)； 步驟6、在完成步驟5的基板(I)上沉積第二金屬膜，圖案化該第二金屬膜，形成第一源\漏極￠1)與第二源\漏極(62)； 所述第一源\漏極￠1)搭接第一氧化物半導(dǎo)體層(41)與第二柵極(22)，所述第二源\漏極￠2)搭接第二氧化物半導(dǎo)體層(42)； 步驟7、在所述第一、第二源\漏極(61、62)上形成保護(hù)層(7)； 步驟8、在所述保護(hù)層(7)上形成像素電極(8)； 所述像素電極(8)搭接所述第二源\漏極(62)。
6.如權(quán)利要求5所述的TFT背板結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，所述步驟5還包括在第二氧化物半導(dǎo)體層(42)上沉積并圖案化蝕刻阻擋膜，形成位于所述第二氧化物半導(dǎo)體層(42)上的第二蝕刻阻擋層(52)。
7.如權(quán)利要求5所述的TFT背板結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，所述第一、第二氧化物半導(dǎo)體層(41、42)均為IGZO半導(dǎo)體層。
8.如權(quán)利要求5所述的TFT背板結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，所述像素電極(8)為ITO像素電極。
【文檔編號】H01L27/12GK104183608SQ201410445155
【公開日】2014年12月3日 申請日期:2014年9月2日 優(yōu)先權(quán)日:2014年9月2日
【發(fā)明者】呂曉文, 曾志遠(yuǎn), 蘇智昱, 張合靜 申請人:深圳市華星光電技術(shù)有限公司