一種像素單元及其制作方法、顯示面板、顯示裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明公開(kāi)了一種像素單元及其制作方法、顯示面板、顯示裝置。所述像素單元包括：第一電極、像素界定層、發(fā)光層和第二電極，其中，所述第二電極包括第一部分和第二部分；所述像素界定層限定出像素區(qū)域，所述發(fā)光層和所述第二電極的第一部分依次設(shè)置在所述像素區(qū)域內(nèi)，且所述第二電極的第一部分與所述像素界定層的上表面基本位于同一平面；所述第二電極的第二部分位于所述第一部分上方，且與其他像素單元的第二電極連接。本發(fā)明的方案避免了由于像素區(qū)域中存在高度差而引起的斷裂、脫落或出現(xiàn)氣泡等現(xiàn)象，進(jìn)而避免造成顯示器的實(shí)效的影響。
【專利說(shuō)明】
一種像素單元及其制作方法、顯示面板、顯示裝置

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種像素單元及其制作方法、顯示面板、顯示
>J-U ρ?α裝直。

【背景技術(shù)】
[0002]OLED (Organic Light-Emitting D1de,有機(jī)電致發(fā)光二極管)器件由于其具有的全固態(tài)結(jié)構(gòu)、高亮度、全視角、響應(yīng)速度快、工作溫度范圍寬、可實(shí)現(xiàn)柔性顯示等一系列優(yōu)點(diǎn)，目前已經(jīng)成為極具競(jìng)爭(zhēng)力和發(fā)展前景的下一代顯示技術(shù)。
[0003]傳統(tǒng)的OLED顯示器制備工藝，如圖1所示，首先是在柔性基底101上制備TFTarray陣列102，并利用像素界定層(TOL) 103將ITO像素電極隔開(kāi)，以限定出一像素區(qū)域，之后在所述像素區(qū)域內(nèi)沉積發(fā)光層材料104和陰極材料105，再進(jìn)行后續(xù)工藝后完成OLED顯示器的制備。通常發(fā)光層材料包括空穴注入層(HIL)、空穴傳輸層(HTL)、有機(jī)層、電子傳輸層(ETL)、電子注入層EIL，傳統(tǒng)工藝中，空穴注入層(HIL)、空穴傳輸層(HTL)、電子傳輸層(ETL)、電子注入層EIL等主要通過(guò)開(kāi)口掩膜板(open mask)進(jìn)行沉積,而R、G、B有機(jī)層材料則通過(guò)高精度金屬掩膜板(FMM mask)沉積，陰極材料一般采用開(kāi)口掩膜板(openmask)沉積。后續(xù)再進(jìn)行柔性TFE (薄膜封裝)、Dam&Fill或者adhesive+barrier film(膠+阻水阻氧膜)的封裝。
[0004]像素界定層通常采用膠材，厚度在微米級(jí)別，而沉積的發(fā)光層材料和陰極材料的厚度在幾百個(gè)納米之間，這樣，像素界定層和發(fā)光層材料及其上方的陰極材料之間就存在高度差，對(duì)于柔性O(shè)LED顯示器來(lái)說(shuō)，由于像素界定層和陰極存在這種斷差，導(dǎo)致OLED顯示器在彎曲的過(guò)程中，在應(yīng)力集中區(qū)易出現(xiàn)陰極斷裂或從像素界定層上脫落的現(xiàn)象。其次，對(duì)于barrier film、Dam&Fill和TFE等柔性封裝方式,在像素界定層和陰極的斷差處極易出現(xiàn)氣泡，影響封裝效果。這些問(wèn)題都大大影響了顯示器的顯示效果，甚至造成顯示器的失效。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明針對(duì)像素界定層和頂電極之間的高度差而引起的頂電極斷裂等問(wèn)題，而提出了一種像素單元及其制作方法、顯示面板、顯示裝置。
[0006]根據(jù)本發(fā)明一方面，其提出了一種像素單元，包括:第一電極、像素界定層、發(fā)光層和第二電極，其中，所述第二電極包括第一部分和第二部分；所述像素界定層限定出像素區(qū)域，所述發(fā)光層和所述第二電極的第一部分依次設(shè)置在所述像素區(qū)域內(nèi)，且所述第二電極的第一部分與所述像素界定層的上表面基本位于同一平面；所述第二電極的第二部分位于所述第一部分上方，且與其他像素單元的第二電極連接。
[0007]其中，所述第二電極的第一部分上表面與所述像素界定層的上表面基本位于同一平面是指所述第二電極的第一部分與所述像素界定層的高度差介于(-200nm，200nm)范圍之內(nèi)。
[0008]其中，所述第二電極的第二部分還形成在所述像素界定層之上。
[0009]其中，所述第二電極的第二部分形成在部分或全部的所述像素界定層之上。
[0010]其中，所述第一電極為陽(yáng)極，所述第二電極為陰極。
[0011]根據(jù)本發(fā)明第二方面，其提供了一種顯示面板，其包括如上所述的像素單元。
[0012]根據(jù)本發(fā)明第三方面，其提供了一種顯示裝置，其包括如上所述的顯示面板。
[0013]根據(jù)本發(fā)明第四方面，其提供了一種像素單元的制作方法，包括:
[0014]形成第一電極；
[0015]形成像素界定層，對(duì)其圖形化，使得所述像素界定層限定出像素區(qū)域；
[0016]在所述像素區(qū)域內(nèi)形成發(fā)光層；
[0017]在發(fā)光層上形成第二電極的第一部分，使得所述第二電極的第一部分上表面與所述像素界定層的上表面基本位于同一平面；
[0018]在第二電極的第一部分上形成第二電極的第二部分，所述第二電極的第二部分與其他像素單元的第二電極連接。
[0019]其中，所述第二電極的第一部分上表面與所述像素界定層的上表面基本位于同一平面是指所述第二電極的第一部分與所述像素界定層的高度差介于(-200nm，200nm)范圍之內(nèi)。
[0020]其中，所述第二電極的第一部分通過(guò)方塊式高精度金屬掩膜板制成。
[0021]其中，所述第二電極的第二部分采用狹縫式高精度金屬掩膜板制成。
[0022]其中，所述第二電極的第二部分采用開(kāi)口式掩膜板制成。
[0023]本發(fā)明提出的上述方案中，第二電極即頂電極通過(guò)兩次沉積而形成，第一次沉積形成的第一部分電極填充發(fā)光層與像素界定層之間的高度差，即使得填充后像素界定層和第二電極第一部分之間沒(méi)有高度差，第二次沉積形成的第二電極的第二部分與其他像素單元的第二電極連接在一起構(gòu)成共電極。通過(guò)這種方式，構(gòu)成的共電極基本上以平面的方式覆蓋在基板上，避免了由于像素區(qū)域中存在高度差而引起的斷裂、脫落或出現(xiàn)氣泡等現(xiàn)象，進(jìn)而避免造成顯示器的失效的影響。

【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0024]圖1是利用傳統(tǒng)工藝制成的OLED顯示器的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0025]圖2是本發(fā)明中像素單元的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0026]圖3是本發(fā)明中利用開(kāi)口掩膜板制成的多個(gè)像素單元的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0027]圖4是本發(fā)明中像素單元的制作方法流程圖；
[0028]圖5(A)?圖5(E)是本發(fā)明中像素單元的制作工藝流程圖。

【具體實(shí)施方式】
[0029]為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，以下結(jié)合具體實(shí)施例，并參照附圖，對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步的詳細(xì)說(shuō)明。
[0030]圖2示出了本發(fā)明實(shí)施例中提出的一種像素單元結(jié)構(gòu)示意圖。如圖2所示，其包括:第一電極201、像素界定層202、發(fā)光層203和第二電極204，其中，所述第二電極層204包括第一部分2041和第二部分2042 ;所述像素界定層202限定一像素區(qū)域，所述發(fā)光層203和所述第二電極204的第一部分2041依次形成于所述像素區(qū)域，且所述第二電極204的第一部分2041與所述像素界定層的上表面基本位于同一平面；所述第二電極204的第二部分2042位于第一部分2041上方，且與其他像素單元的第二電極連接。
[0031]從圖2可以看出，由于所述第二電極204第一部分2041的上表面與所述像素界定層的上表面基本上位于同一平面，因此，作為共電極的第二電極204的第一部分2041與像素界定層202之間最好不存在高度差，使得第二電極204的第二部分2042基本是平整的，因此顯示面板在彎曲的過(guò)程中，不容易出現(xiàn)斷裂，也不會(huì)出現(xiàn)氣泡等影響封裝效果的問(wèn)題。本領(lǐng)域技術(shù)人員都知道，由于工藝限制，所述第二電極204第一部分2041與所述像素界定層可能會(huì)具有一定的高度差，但是只要將這種高度差控制在一定范圍之內(nèi)，例如介于(-200nm, 200nm)之間，由于這個(gè)偏差很小，因此對(duì)第二電極204第二部分2042平整性的影響幾乎可以忽略。所以在實(shí)際制作過(guò)程中，所述第二電極204第一部分2041與所述像素界定層的高度差只要在允許的誤差范圍之內(nèi)，即所述第二電極204第一部分2041的上表面與所述像素界定層的上表面基本上位于同一平面就可以實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的目的。
[0032]可選地，所述第一電極201位于像素界定層202和發(fā)光層203的下方，且與其他像素單元的第一電極201連接成共電極的形式，如圖2所示；在其他實(shí)施例中，所述第一電極201還可僅位于發(fā)光層203的下方，不同像素單元之間的第一電極201之間具有一定間隙。
[0033]可選地，所述第一電極201可以為陽(yáng)極或陰極，優(yōu)選為陽(yáng)極；若第一電極201為陽(yáng)極，第一電極201的材料可包括高功函的透明導(dǎo)電材料或者半透明導(dǎo)電材料，例如:ΙΤ0、Ag, N1, Al或者石墨烯；若第一電極201為陰極，優(yōu)選地，第一電極201的材料可包括低功函的金屬或者金屬的組合物，例如:Α1、Mg、Ca、Ba、Na、L1、K和Ag中之一或者其任意組合物。
[0034]可選地，第一電極201的形狀可包括:平行四邊形或者橢圓形，其中，平行四邊形可包括:長(zhǎng)方形、正方形或者菱形。在實(shí)際應(yīng)用中，第一電極201還可以根據(jù)生產(chǎn)需要采用其它任意形狀，例如:任意結(jié)構(gòu)的四邊形。
[0035]需要注意的是，第一電極201的形成位置、材料以及形狀等不限于上述實(shí)施例中記載的范圍，只要是能夠?qū)崿F(xiàn)像素單元陽(yáng)極或陰極功能的，在本發(fā)明中均適用。
[0036]可選地，所述像素界定層202可采用無(wú)機(jī)材料，如S12, SiNx等制成，也可以采用有機(jī)材料如光刻膠等制成。
[0037]可選地，所述像素界定層202形成在第一電極上201，其為環(huán)狀結(jié)構(gòu)，限定一像素區(qū)域，所述發(fā)光層203和第二電極204的第一部分2041均形成在所述像素區(qū)域內(nèi)，使得所述像素界定層202圍繞設(shè)置在它們周圍。所述基板200可以為玻璃基板或制作有TFT陣列電路的陣列基板。
[0038]可選地，所述發(fā)光層203包括:空穴注入層、空穴傳輸層、有機(jī)層、空穴阻擋層、電子阻擋層、電子傳輸層以及電子注入層，或者包括有機(jī)層和/或其他層中的一層或者其任意組合。
[0039]所述第二電極204形成于發(fā)光層203之上。
[0040]可選地，所述第二電極204可以為陰極或者陽(yáng)極，優(yōu)選為陰極。若第二電極204為陰極，其材料可包括低功函的金屬或者金屬的組合物，例如:Α1、Mg、Ca、Ba、Na、L1、K和Ag中之一或者其任意組合物；若第二電極204為陽(yáng)極，其材料可包括高功函的透明導(dǎo)電材料或者半透明導(dǎo)電材料，例如:ITO、Ag、N1、Al或者石墨烯。
[0041]可選地，所述第二電極的第一部分2041用于填充像素界定層202與發(fā)光層203之間的高度差，第一部分2041的上表面與所述像素界定層202的上表面基本位于同一平面。也就是說(shuō)，所述發(fā)光層203和第二電極204第一部分2041的厚度總和接近于所述像素界定層202?？蛇x地，所述第二電極204的第二部分2042除了形成在第二電極204的第一部分2041上方之外，還形成在所述像素界定層202上方，由于像素界定層202和第二電極204的第一部分2041的上表面基本在同一平面上，因此第二電極204的第二部分2042可以平整的設(shè)置在第二電極204的第一部分2041和所述像素界定層202的上表面，形成于其他像素單元連接的共電極部分，見(jiàn)圖3所示。
[0042]可選地，所述第二電極204的第二部分2042形成在部分像素界定層202或全部的像素界定層202表面。這主要是由第二電極204的第二部分2041的制作工藝來(lái)決定。當(dāng)采用狹縫式高精度金屬掩膜板(FMM slit Mask)工藝制作所述第二電極204的第二部分2042時(shí)，由于其與前后相鄰的像素單元的第二電極連接，而與左右相鄰的像素單元之間具有間隙，因此所述第二電極204的第二部分2042僅覆蓋像素界定層202的一部分。而當(dāng)采用開(kāi)口式掩膜板工藝制作所述第二電極204的第二部分2042時(shí)，由于其與周圍的其他像素單元的第二電極均連接在一起，因此所述第二電極204的第二部分2042覆蓋像素界定層的整個(gè)上表面。圖3示出了利用開(kāi)口掩膜板工藝制作的多個(gè)像素單元的結(jié)構(gòu)示意圖。從圖可以看出，多個(gè)像素單元的第二電極204的第二部分2042基本上平整地連成一片，不存在傳統(tǒng)技術(shù)中斷層的現(xiàn)象。
[0043]本發(fā)明中所述第一電極201優(yōu)選為陽(yáng)極，而第二電極204優(yōu)選為陰極。這是因?yàn)楫?dāng)?shù)诙姌O204為陰極時(shí)，其材料采用低功函的金屬或者金屬的組合物，例如:A1、Mg、Ca、Ba、Na、L1、K和Ag中之一或者其任意組合物。而上述材料適合利用方塊式高精度金屬掩膜板蒸鍍制作，因此在制作第二電極204的第一部分2041時(shí)，就可以優(yōu)選采用方塊式高精度金屬掩膜板蒸鍍而形成。
[0044]本發(fā)明中第二電極204的第一部分2041之所以適合利用方塊式高精度金屬掩膜板蒸鍍制作，是因?yàn)樗龅诙姌O204的第一部分2041需要形成在像素界定層202限定出的像素區(qū)域內(nèi)，用于填充像素界定層202與發(fā)光層203之間的高度差，采用方塊式高精度金屬掩膜板就能精確的將第二電極材料蒸鍍制作在所述像素區(qū)域內(nèi)，而無(wú)需其他工藝，能夠節(jié)省工藝流程。
[0045]可選地，所述像素單元為OLED單元。
[0046]本發(fā)明中的OLED單元均適用于底發(fā)射型和頂發(fā)射型的OLED器件，但尤其適用于底發(fā)射型的OLED器件。這是因?yàn)閭鹘y(tǒng)的頂發(fā)射器件第二電極(陰極)是半透明金屬，要求金屬厚度比較薄，第二電極的第一部分和第二部分結(jié)合起來(lái)厚度可能會(huì)影響頂發(fā)射器件的出光，故底發(fā)射OLED器件更為適用。
[0047]本發(fā)明還提供了一種顯示面板，其包括多個(gè)如上所述的像素單元?？蛇x地，所述顯示面板為OLED顯示面板。
[0048]本發(fā)明還提供了一種顯示裝置，其包括如上所述的顯示面板。可選地，所述顯示裝置為OLED顯示裝置。
[0049]圖4示出了本發(fā)明提供的一種像素單元的制作方法流程圖。圖5(A)?圖5(E)。如圖4、圖5(A)?圖5(E)所示，其包括:
[0050]步驟401:形成第一電極201 ；
[0051]可選地，所述第一電極201形成在玻璃基板200，或者制作有陣列電路的陣列基板200上，見(jiàn)圖5 (A);所述玻璃基板200還可以是柔性基板PET (聚對(duì)苯二甲酸乙二醇脂)、PI (聚酰亞胺)、PEN(聚萘二甲酸乙二醇脂)等。
[0052]可選地，所述第一電極201可以為陽(yáng)極或陰極，優(yōu)選為陽(yáng)極。若第一電極201為陽(yáng)極，第一電極201的材料可包括高功函的透明導(dǎo)電材料或者半透明導(dǎo)電材料，例如:ΙΤ0、Ag, N1, Al或者石墨烯；若第一電極201為陰極，優(yōu)選地，第一電極201的材料可包括低功函的金屬或者金屬的組合物，例如:Α1、Mg、Ca、Ba、Na、L1、K和Ag中之一或者其任意組合物。
[0053]步驟402:形成像素界定層202，對(duì)其圖形化，使得所述像素界定層限定像素區(qū)域；
[0054]對(duì)所述像素界定層圖形化是指將第一電極201上方的部分像素界定層材料去除，使得像素界定層202呈一環(huán)狀結(jié)構(gòu)，所述環(huán)狀結(jié)構(gòu)圍成的區(qū)域即為像素區(qū)域。
[0055]可選地,所述像素界定層202采用無(wú)機(jī)材料,如S12, SiNx等。所述步驟402進(jìn)一步包括:
[0056]在形成有第一電極201的基板上進(jìn)行化學(xué)氣相沉積無(wú)機(jī)材料層，其厚度為100-400nm，見(jiàn)圖5(B);其中，沉積無(wú)機(jī)材料的厚度高于所述第一電極201的厚度；
[0057]在無(wú)機(jī)材料層上面旋涂光刻膠，并進(jìn)行曝光顯影，曝光面積等于所要制作的像素區(qū)域的面積；
[0058]對(duì)所述無(wú)機(jī)材料層進(jìn)行干刻，去除曝光顯影無(wú)機(jī)材料層，去除其他光刻膠，形成像素界定層202，見(jiàn)圖5(C)。
[0059]可選地，所述像素界定層202采用有機(jī)材料如光刻膠制成。具體地，所述步驟402進(jìn)一步包括:
[0060]在形成有第一電極201的基板上進(jìn)行有機(jī)光刻膠材料的涂布，涂布方法包括狹縫式涂布(slit)、旋涂等，形成厚度為100-2000nm有機(jī)薄膜；其中，所述有機(jī)光刻膠材料的厚度高于所述第一電極201的高度；
[0061]對(duì)所述有機(jī)光刻膠材料進(jìn)行曝光顯影，曝光面積等于所要制作的像素區(qū)域的面積；其中，曝光時(shí)對(duì)所述第一電極202表面的光刻膠進(jìn)行過(guò)曝光，完全去除其上表面的光刻月父，形成像素界定層202。
[0062]步驟403:在像素區(qū)域內(nèi)形成發(fā)光層203，見(jiàn)圖5 (C)；
[0063]可選地，所述發(fā)光層203通過(guò)溶液工藝或者蒸鍍工藝形成。
[0064]可選地，所述發(fā)光層203的形成具體包括:
[0065]在像素區(qū)域內(nèi)分別噴墨打印空穴注入層、空穴傳輸層、有機(jī)層等，并蒸鍍電子傳輸層、電子注入層等，完成發(fā)光層203的制備。
[0066]步驟404:在發(fā)光層203上形成第二電極204的第一部分2041，使得所述第二電極204的第一部分2041上表面與所述像素界定層202的上表面基本位于同一平面，見(jiàn)圖5 0?);
[0067]可選地，所述第二電極204的第一部分2041上表面與所述像素界定層202的上表面基本位于同一平面是指所述第二電極204的第一部分2041與所述像素界定層202的高度差介于(_200nm，200nm)范圍之內(nèi)。
[0068]可選地，所述第二電極204可以為陽(yáng)極或陰極，優(yōu)選為陰極。這是因?yàn)楫?dāng)?shù)诙姌O204為陰極時(shí)，其材料可包括低功函的金屬或者金屬的組合物，例如:A1、Mg、Ca、Ba、Na、L1、K和Ag中之一或者其任意組合物。而上述材料適合利用方塊式高精度金屬掩膜板蒸鍍制作，因此在制作第二電極204的第一部分2041時(shí)，就可以優(yōu)選采用方塊式高精度金屬掩膜板蒸鍍而形成。當(dāng)然，本發(fā)明中也可以采用其它工藝將第二電極204制作成陽(yáng)極。
[0069]可選地，所述第二電極204的第一部分2041的厚度范圍為10nm-1um之間。
[0070]可選地，步驟404進(jìn)一步包括:
[0071]利用方塊式高精度金屬掩膜板(FMM slot array)在所述發(fā)光層203上沉積第二電極材料，使得第二電極材料填充所述像素界定層202與發(fā)光層203之間的高度差，即填充完之后的第二電極材料表面與所述像素界定層202上表面基本位于同一平面，形成第二電極204的第一部分2041 ；
[0072]本發(fā)明中第二電極204的第一部分2041之所以適合利用方塊式高精度金屬掩膜板蒸鍍制作，是因?yàn)樗龅诙姌O204的第一部分2041需要形成在像素界定層202限定出的像素區(qū)域內(nèi)，用于填充像素界定層202與發(fā)光層203之間的高度差，采用方塊式高精度金屬掩膜板就能精確的將第二電極材料蒸鍍制作在所述像素區(qū)域內(nèi)，而無(wú)需其他工藝，能夠節(jié)省工藝流程。
[0073]可選地，所述第二電極204可以為陰極或陽(yáng)極，優(yōu)選為陰極。若第二電極204為陰極，其材料可包括低功函的金屬或者金屬的組合物，例如:A1、Mg、Ca、Ba、Na、L1、K和Ag中之一或者其任意組合物；若第二電極204為陽(yáng)極，其材料可包括高功函的透明導(dǎo)電材料或者半透明導(dǎo)電材料，例如:ITO、Ag、N1、Al或者石墨烯。
[0074]步驟405:在第二電極204的第一部分2041上形成第二電極204的第二部分2042，所述第二電極204的第二部分2042與其他像素單元的第二電極連接。
[0075]可選地，步驟405具體可如下實(shí)現(xiàn):
[0076]利用開(kāi)口式掩膜板繼續(xù)沉積第二電極材料，形成第二電極204的第二電極部分2041，見(jiàn)圖 5(E)；
[0077]利用開(kāi)口式掩膜板所沉積的第二電極材料覆蓋整個(gè)基板表面，即所述第二電極204的第二部分2041與其他像素單元的第二電極的共同形成在所述開(kāi)口掩膜板的開(kāi)口區(qū)域，構(gòu)成共電極?？梢?jiàn)，這種方式制成的第二電極的第二部分覆蓋第二電極的第一部分以及像素界定層的整個(gè)上表面。
[0078]可選地，步驟405還可以如下實(shí)現(xiàn):
[0079]利用狹縫式高精度金屬掩膜板(FMM slit Mask)繼續(xù)沉積第二電極材料，形成第二電極204的第二電極部分2041 ；
[0080]利用狹縫式高精度金屬掩膜板所沉積的第二電極材料在整個(gè)基板表面形成長(zhǎng)條式的電極，即每一列像素單元的第二電極的第二部分共同構(gòu)成共電極，而不同列的像素單元之間的第二電極的第二部分之間具有一定的間距。可見(jiàn)，通過(guò)這種方式形成的第二電極的第二部分僅覆蓋第二電極的第一部分及部分像素界定層的上表面。
[0081]本發(fā)明提出的上述方案中，由于分兩次沉積電極材料，形成第二電極的第一部分和第二部分，第一次沉積形成的第二電極的第一部分需要填充發(fā)光層與像素界定層之間的高度差，即使得填充后像素界定層和第二電極第一部分之間沒(méi)有高度差，然后再進(jìn)一步沉積電極材料，形成第二電極的第二部分，所述第二電極的第二部分與其他像素單元的第二電極連接在一起構(gòu)成共電極。通過(guò)這種方式，構(gòu)成的共電極基本上以平面的方式覆蓋基板上，避免了由于高度差而引起的斷裂、脫落或出現(xiàn)氣泡等現(xiàn)象，進(jìn)而避免造成顯示器的實(shí)效的影響。
[0082]以上所述的具體實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和有益效果進(jìn)行了進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明，應(yīng)理解的是，以上所述僅為本發(fā)明的具體實(shí)施例而已，并不用于限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所做的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種像素單元，包括:第一電極、像素界定層、發(fā)光層和第二電極，其中，所述第二電極包括第一部分和第二部分；所述像素界定層限定出像素區(qū)域，所述發(fā)光層和所述第二電極的第一部分依次設(shè)置在所述像素區(qū)域內(nèi)，且所述第二電極的第一部分與所述像素界定層的上表面基本位于同一平面；所述第二電極的第二部分位于所述第一部分上方，且與其他像素單元的第二電極連接。
2.如權(quán)利要求1所述的像素單元，其中，所述第二電極的第一部分與所述像素界定層的上表面基本位于同一平面是指所述第二電極的第一部分與所述像素界定層的高度差介于(-200nm, 200nm)范圍之內(nèi)。
3.如權(quán)利要求1所述的像素單元，其中，所述第二電極的第二部分還形成在所述像素界定層之上。
4.如權(quán)利要求3所述的像素單元，其中，所述第二電極的第二部分形成在部分或全部的所述像素界定層之上。
5.如權(quán)利要求1所述的像素單元，其中，所述第一電極為陽(yáng)極，所述第二電極為陰極。
6.一種顯示面板，其包括如權(quán)利要求1-5任一項(xiàng)所述的像素單元。
7.—種顯示裝置，其包括如權(quán)利要求6所述的顯示面板。
8.一種像素單元的制作方法，其包括: 形成第一電極； 形成像素界定層，對(duì)其圖形化，使得所述像素界定層限定出像素區(qū)域； 在所述像素區(qū)域內(nèi)形成發(fā)光層； 在發(fā)光層上形成第二電極的第一部分，使得所述第二電極的第一部分上表面與所述像素界定層的上表面基本位于同一平面； 在第二電極的第一部分上形成第二電極的第二部分，所述第二電極的第二部分與其他像素單元的第二電極連接。
9.如權(quán)利要求8所述的制作方法，其中，所述第二電極的第一部分上表面與所述像素界定層的上表面基本位于同一平面是指所述第二電極的第一部分與所述像素界定層的高度差介于(_200nm，200nm)范圍之內(nèi)。
10.如權(quán)利要求8所述的制作方法，其中，所述第二電極的第一部分通過(guò)方塊式高精度金屬掩膜板制成。
11.如權(quán)利要求8-10任一項(xiàng)所述的制作方法，其中，所述第二電極的第二部分采用狹縫式高精度金屬掩膜板制成。
12.如權(quán)利要求8-10任一項(xiàng)所述的制作方法，其中，所述第二電極的第二部分采用開(kāi)口式掩膜板制成。
【文檔編號(hào)】H01L27/32GK104201289SQ201410386948
【公開(kāi)日】2014年12月10日 申請(qǐng)日期:2014年8月7日 優(yōu)先權(quán)日:2014年8月7日
【發(fā)明者】高靜, 杜小波, 孫韜 申請(qǐng)人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司