電路模塊以及電路模塊的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種難以變形的電路模塊。電路模塊具備基板、封裝體、溝槽和屏蔽。上述基板具有安裝面。上述封裝體對上述安裝部件進(jìn)行封裝，其具有與上述安裝面將上述安裝部件夾持于中間的主面，以及在上述安裝面上圍繞上述安裝部件的外周面。上述溝槽形成為從上述封裝體的上述主面向上述安裝面凹下的槽狀，并與上述外周面之間存在間隔。上述屏蔽被填充至上述溝槽內(nèi)，且覆蓋上述封裝體的上述主面以及上述外周面。
【專利說明】電路模塊以及電路模塊的制造方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ] 本發(fā)明涉及電路模塊以及電路模塊的制造方法。

【背景技術(shù)】
[0002]對安裝于電路基板上的安裝部件的周圍，通過由合成樹脂等構(gòu)成的封裝體來進(jìn)行封裝的電路模塊正在被使用。此處，在安裝部件是無線通信元件的情況等中，則采用導(dǎo)電體覆蓋封裝體的表面，將其作為對抗電磁波的屏蔽來使用。通過此屏蔽，可以防止安裝部件對電路模塊外的電磁干擾，或者防止電路模塊外對安裝部件的電磁干擾。
[0003]進(jìn)一步，在電路基板上安裝有多個(gè)安裝部件時(shí)，為了防止安裝部件之間的電磁干擾，也開發(fā)了配設(shè)有將安裝部件之間隔開的屏蔽的電路模塊。由于安裝部件被上述那樣的封裝體所覆蓋，因此能夠通過部分地去除封裝體而形成溝槽(槽)，并在該溝槽內(nèi)形成導(dǎo)電體，以作為安裝部件之間的屏蔽。
[0004]在專利文獻(xiàn)I中，公開了具有如下結(jié)構(gòu)的電路模塊:覆蓋電子部件的模具樹脂層被導(dǎo)電樹脂層覆蓋。在此電路模塊中，在模具樹脂層上形成了隔開電子部件的縫隙，并在縫隙內(nèi)填充了導(dǎo)電樹脂層。據(jù)此，導(dǎo)電樹脂層發(fā)揮作為電子部件之間的屏蔽的作用。
[0005]專利文獻(xiàn)1:日本特開2010-225620號公報(bào)
[0006]由于專利文獻(xiàn)I所記載的電路模塊，在模具樹脂層的整幅上形成縫隙，因此，伴隨以溫度為首的周圍環(huán)境的變化所導(dǎo)致的導(dǎo)電樹脂層的膨脹、收縮，容易產(chǎn)生以此縫隙為中心的翹曲。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]鑒于如上所述的情況，本發(fā)明的目的在于提供難以變形的電路模塊及其制造方法。
[0008]為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明的一個(gè)方式所涉及的電路模塊具備基板、封裝體、溝槽和屏蔽。
[0009]上述基板具有安裝面。
[0010]上述封裝體對上述安裝部件進(jìn)行封裝，具有與上述安裝面將上述安裝部件夾持于中間的主面，以及在所述安裝面上圍繞上述安裝部件的外周面。
[0011]上述溝槽，其形成為從上述封裝體的上述主面向上述安裝面凹下的槽狀，并與上述外周面之間存在間隔。
[0012]上述屏蔽，其被填充至上述溝槽內(nèi)，且覆蓋上述封裝體的上述主面以及上述外周面。
[0013]另外，本發(fā)明的一個(gè)方式所涉及的電路模塊的制造方法包含:將安裝部件安裝在基板的安裝面上。
[0014]在上述安裝面上設(shè)置封裝體，其中，上述封裝體對上述安裝部件進(jìn)行封裝，且具有與上述安裝面將上述安裝部件夾持于中間的主面。
[0015]在設(shè)置在上述安裝面上的上述封裝體上，通過沿著上述封裝體的輪廓切斷以形成在上述安裝面上圍繞上述安裝部件的外周面。
[0016]在設(shè)置在上述安裝面上的上述封裝體上，形成從上述主面向上述安裝面凹下的槽狀的溝槽，且上述溝槽與上述封裝體的上述輪廓之間存在間隔。
[0017]在上述封裝體上形成了上述外周面以及上述溝槽之后，在上述溝槽內(nèi)填充屏蔽，通過上述屏蔽覆蓋上述封裝體的上述主面以及上述外周面。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0018]圖1是本發(fā)明的實(shí)施方式所涉及的電路模塊的立體圖。
[0019]圖2是該電路模塊的平面圖。
[0020]圖3是沿圖2中的A-A線的該電路模塊的剖面圖。
[0021 ] 圖4是沿圖2中的B-B線的該電路模塊的剖面圖。
[0022]圖5是沿圖2中的C-C線的該電路模塊的剖面圖。
[0023]圖6是示出該電路模塊的制造方法的流程圖。
[0024]圖7是示出該電路模塊的制造過程的剖面圖。
[0025]圖8是示出該電路模塊的制造過程的平面圖。
[0026]圖9是示出該電路模塊的制造過程的平面圖。
[0027]圖10是示出該電路模塊的制造過程的平面圖。
[0028]圖11是變形例所涉及的電路模塊的剖面圖。
[0029]附圖標(biāo)記的說明
[0030]100:電路模塊；101:電路基板；102:安裝部件；103:封裝體；103a:端壁部；103b:主面；103c:外周面；104:屏蔽；104a:外部屏蔽部；104b:內(nèi)部屏蔽部；105:表層導(dǎo)體；106:溝槽；107:半切部。

【具體實(shí)施方式】
[0031]本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式所涉及的電路模塊具備基板、封裝體、溝槽和屏蔽。
[0032]上述基板具有安裝面。
[0033]上述封裝體對上述安裝部件進(jìn)行封裝，具有與上述安裝面將上述安裝部件夾持于中間的主面，以及在上述安裝面上圍繞上述安裝部件的外周面。
[0034]上述溝槽形成為從上述封裝體的上述主面向上述安裝面凹下的槽狀，并與上述外周面之間存在間隔。
[0035]上述屏蔽被填充至上述溝槽內(nèi)，且覆蓋上述封裝體的上述主面以及上述外周面。
[0036]根據(jù)此結(jié)構(gòu)，封裝體不被溝槽分割而形成連續(xù)狀態(tài)。因此，由于封裝體保持其形狀作為一個(gè)整體，因而能夠抑制由于形成溝槽而導(dǎo)致的強(qiáng)度的降低。因此，此電路模塊能夠防止由于封裝體或屏蔽的膨脹、收縮所伴隨的膨脹、收縮的變形。
[0037]上述電路模塊可以進(jìn)一步具備沿著上述溝槽設(shè)置在上述安裝面上的表層導(dǎo)體。
[0038]而且，上述溝槽可以從上述主面延伸到上述表層導(dǎo)體。
[0039]進(jìn)一步，上述屏蔽可以與上述表層導(dǎo)體連接。
[0040]根據(jù)此結(jié)構(gòu)，屏蔽的電位與表層導(dǎo)體的電位相等。換言之，在表層導(dǎo)體為接地電位時(shí)，屏蔽也為接地電位。
[0041]上述安裝部件可以包含多個(gè)安裝部件。
[0042]而且，上述溝槽可以隔開上述多個(gè)安裝部件。
[0043]根據(jù)此結(jié)構(gòu)，填充至溝槽的屏蔽被配置在多個(gè)安裝部件之間。因此，通過屏蔽可以隔絕多個(gè)安裝部件之間的電磁波。
[0044]上述溝槽可以具有在上述主面上的形狀為圓弧狀的多個(gè)端部。
[0045]根據(jù)此結(jié)構(gòu)，即使從屏蔽對封裝體附加應(yīng)力，封裝體也不易變形。
[0046]上述溝槽可以形成為具有多個(gè)端部，且該多個(gè)端部比其他部分淺。
[0047]根據(jù)此結(jié)構(gòu)，能夠防止加工溝槽時(shí)的激光對安裝面所附加的損壞。
[0048]另外，本發(fā)明一個(gè)實(shí)施方式所涉及的電路模塊的制造方法包含將安裝部件安裝在基板的安裝面上。
[0049]在上述安裝面上設(shè)置封裝體，其中，該封裝體對上述安裝部件進(jìn)行封裝，具有與上述安裝面將上述安裝部件夾持于中間的主面。
[0050]在設(shè)置在上述安裝面上的上述封裝體上，通過沿著上述封裝體的輪廓切斷以形成在上述安裝面上圍繞上述安裝部件的外周面。
[0051]在設(shè)置在上述安裝面上的上述封裝體上，形成從上述主面向上述安裝面凹下的槽狀的溝槽，且上述溝槽與上述封裝體的上述輪廓之間存在間隔。
[0052]在上述封裝體上形成了上述外周面以及上述溝槽之后，在上述溝槽內(nèi)填充屏蔽，通過上述屏蔽覆蓋上述封裝體的上述主面以及上述外周面。
[0053]根據(jù)此結(jié)構(gòu)，形成在封裝體上的溝槽和外周面之間存在間隔。因此，例如，在形成溝槽之后形成外周面時(shí)，能夠防止形成外周面時(shí)溝槽的角部分的缺失。
[0054]在上述安裝面上設(shè)置上述封裝體之前，可以在上述安裝面上沿著上述溝槽形成表層導(dǎo)體。
[0055]根據(jù)此結(jié)構(gòu)，例如，通過激光加工形成溝槽時(shí)，激光被表層導(dǎo)體隔離，因此溝槽的深度是一定的。
[0056]上述溝槽可以通過激光加工形成。
[0057]而且，將形成上述溝槽時(shí)的激光的輸出可以設(shè)定為在上述溝槽的端部處的比其他部分處的小。
[0058]根據(jù)此結(jié)構(gòu)，能夠防止在加工溝槽時(shí)附加到安裝面上的損壞。
[0059]下面，對關(guān)于本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式所涉及的電路模塊進(jìn)行說明。
[0060](電路模塊100的結(jié)構(gòu))
[0061]圖1是本實(shí)施方式所涉及的電路模塊100的立體圖，圖2是電路模塊100的平面圖。另外，圖3、圖4以及圖5是電路模塊100的剖面圖，圖3是沿圖2的A-A線的剖面圖，圖4是沿圖2的B-B線的剖面圖，圖5是沿圖2的C-C線的剖面圖。而且，在各個(gè)圖中，X方向、Y方向以及Z方向表不相互正交的方向。
[0062]如圖1至圖5所示，電路模塊100具備電路基板101、安裝部件102、封裝體103以及屏蔽104。電路模塊100的大小、形狀未特別限定，例如可以為邊長數(shù)十毫米、厚度幾毫米的長方體形狀。
[0063]電路基板101為安裝有安裝部件102等的基板。電路基板101,例如為將由環(huán)氧玻璃類材料、絕緣陶瓷材料等的絕緣材料構(gòu)成的層層疊而成的多層基板，在此層內(nèi)能夠形成層內(nèi)布線。以下將電路基板101的安裝有安裝部件102的一面(Z軸方向上的面)作為安裝面1lb0
[0064]在安裝面1lb上形成如圖2、圖4以及圖5所示的表層導(dǎo)體105。表層導(dǎo)體105，在安裝面1lb上于Y軸方向延伸，且在Y軸方向(延伸方向)的中央部向X軸方向偏移。表層導(dǎo)體105，例如由銅等導(dǎo)電材料形成。表層導(dǎo)體105未與在安裝面1lb上的各安裝部件102電連接，沿著多個(gè)安裝部件102之間的區(qū)域而形成。
[0065]表層導(dǎo)體105，例如，與形成在電路基板101內(nèi)的層內(nèi)布線連接，介由這個(gè)層內(nèi)布線與安裝部件102電連接。具體地，表層導(dǎo)體105可以與電路模塊100的接地端電連接。在這種情況下，表層導(dǎo)體105與電路模塊100的接地電位為同一電位。
[0066]安裝部件102為被安裝在電路基板101的安裝面1lb上的部件，例如，集成電路(1C)、電容器、電感、電阻、晶體振蕩器、雙工器、濾波器、功率放大器等。安裝部件102可以用焊錫H焊接的方式被安裝到安裝面1lb上。如圖2所示，電路基板101上安裝有多個(gè)安裝部件102。另外，安裝部件102的數(shù)量、配置未被特別限定。
[0067]封裝體103由封裝材料構(gòu)成，并覆蓋安裝面1lb上的安裝部件102。封裝材料，例如為添加了二氧化硅、氧化鋁的環(huán)氧樹脂等絕緣樹脂。
[0068]封裝體103具有與安裝面1lb相對的、為Z軸方向上的面的主面103b，以及由在X軸方向上相對的兩面以及在Y軸方向上相對的兩面構(gòu)成的外周面103C。在封裝體103上，形成從主面103b向安裝面1lb凹下的槽部的溝槽106。
[0069]溝槽106，通過從主面103b凹狀地除去封裝體103而形成。如圖2所示，溝槽106沿著表層導(dǎo)體105而形成。而且，如圖4所示，溝槽106從主面103b延伸到表層導(dǎo)體105。溝槽106存在于多個(gè)安裝部件102之間，將安裝部件102隔開。
[0070]如圖2以及圖5所示，溝槽106的兩端部停止在封裝體103的外周面103c之前。也就是說，溝槽106的各端部與封裝體103的外周面103c之間，作為封裝體103的一部分的端壁部103a被留下。因此，如圖2所示，通過溝槽106隔開的封裝體103的左右各個(gè)部分由兩個(gè)端壁部103a連接。端壁部103a的X軸方向的尺寸，例如，可以在100 μ?300 μ的范圍內(nèi)。
[0071]屏蔽104由為導(dǎo)電材料的屏蔽材料制成，發(fā)揮作為對抗電磁干擾的屏蔽的作用。屏蔽材料，例如可以為含有Ag、Cu等的導(dǎo)電粒子的環(huán)氧樹脂等導(dǎo)電樹脂，還可以是在封裝體103上用電鍍等方式形成的金屬膜。
[0072]如圖4所示，屏蔽104具有覆蓋封裝體103的主面103b以及外周面103c的外部屏蔽部104a，以及填充在溝槽106內(nèi)的內(nèi)部屏蔽部104b。內(nèi)部屏蔽部104b與如圖4所示的表層導(dǎo)體105接觸。
[0073]外部屏蔽部104a與內(nèi)部屏蔽部104b連接，介由內(nèi)部屏蔽部104b與表層導(dǎo)體105電連接。上述的表層導(dǎo)體105可以作為電路模塊100的接地，屏蔽104可以作為接地電位。
[0074]屏蔽104具有防止電路模塊100的電磁干擾的功能。具體地，外部屏蔽部104a對來自電路模塊100的外部對安裝部件102的電磁波、來自安裝部件102對電路模塊100的外部的電磁波進(jìn)行隔離。而且，內(nèi)部屏蔽部104b對安裝部件102相互之間的電磁波進(jìn)行隔離。
[0075]如上所述，在電路模塊100中，形成封裝體103的材料和形成屏蔽104的材料不同。因此，對于封裝體103和屏蔽104來說，例如由熱所導(dǎo)致的膨脹以及收縮程度是不同的。在這樣的情況下，為了抵消封裝體103和屏蔽104的膨脹以及收縮的差異，在電路模塊100中產(chǎn)生用于變形的應(yīng)力。
[0076]此處，與本實(shí)施方式所涉及的電路模塊100不同，假定電路模塊的溝槽貫通到封裝體的外周面。也就是說，這個(gè)電路模塊沒有本實(shí)施方式所涉及的端壁部103a，封裝體被溝槽分割成兩個(gè)。另外，此電路模塊的其他結(jié)構(gòu)與本實(shí)施方式所涉及的電路模塊100相同。
[0077]在電路模塊產(chǎn)生上述那樣的應(yīng)力時(shí)，存在產(chǎn)生翹曲的情況。在此電路模塊中，由于封裝體被溝槽分割成兩個(gè)，因此應(yīng)力集中在溝槽的附近，易于發(fā)生以溝槽為中心的翹曲。也就是說，此電路模塊在圖4所示的狀態(tài)下易于形成上凸的形狀或下凸的形狀。
[0078]具體而言，在屏蔽比封裝體膨脹得大的情況下，或，封裝體比屏蔽收縮得大情況下，電路模塊在圖4所示的狀態(tài)下易于形成上凸的形狀。另外，在屏蔽比封裝體收縮得大情況下，或，封裝體比屏蔽膨脹得大情況下，電路模塊在圖4所示的狀態(tài)下易于形成下凸的形狀。
[0079]另一方面，如圖2所示，在本實(shí)施方式所涉及的電路模塊100中，封裝體103未被溝槽106完全分割，封裝體103通過端壁部103a連接。因此，在電路模塊100中，即使產(chǎn)生上述那樣的應(yīng)力，由于封裝體103保持其形狀作為一體，因此難以發(fā)生以溝槽為中心的翹曲。
[0080]另外，在與封裝體103的主面103b平行的面上的溝槽106的兩端部的形狀是任意的，優(yōu)選為圖2所示的半圓形(圓弧狀)。換言之，端壁部103a在溝槽106的一側(cè)面的形狀優(yōu)選為半圓形。在此情況下，隨著屏蔽104的膨脹、收縮,來自屏蔽104施加給端壁部103a上的應(yīng)力易于通過端壁部103a的半圓形的面來分散。因此，端壁部103a難以根據(jù)來自屏蔽104施加到端壁部103a的應(yīng)力而發(fā)生變形。
[0081]如上所述，本實(shí)施方式所涉及的電路模塊100，由于封裝體103的端壁部103a的結(jié)構(gòu)而難以變形。
[0082](電路模塊100的制造方法)
[0083]圖6是表示本實(shí)施方式所涉及的電路模塊100的制造方法的流程圖。圖7?圖10表不電路模塊100的制造過程的不意圖，圖7是首I]面圖，圖8?圖10是平面圖。關(guān)于電路模塊100的制造方法，將參照圖6以及圖7進(jìn)行說明。
[0084]< 步驟 S-l>
[0085]如圖7(a)所示，將安裝部件102安裝在電路基板101的安裝面1lb上，并形成表層導(dǎo)體105。對于安裝部件102的安裝而言，可以采用焊接等各種安裝方法。表層導(dǎo)體105，例如可以通過在安裝面1lb上粘著銅箔或在安裝面1lb上施以鍍銅而形成。另外，表層導(dǎo)體105，例如可以通過在安裝面1lb上涂布液態(tài)的金屬糊，并對涂布的金屬糊進(jìn)行烘烤固化來形成。進(jìn)一步，可以通過涂布液態(tài)的導(dǎo)電樹脂膏，使涂布的導(dǎo)電樹脂膏硬化而形成。
[0086]圖8是步驟S-1的電路基板101的平面圖。在圖8中，封裝體103的輪廓ο以一點(diǎn)劃線來表示。換言之，通過后述的半切(S-4)在一點(diǎn)劃線的位置形成封裝體103的外周面103c。一點(diǎn)劃線的間隔對應(yīng)半切(S-4)所使用的切刀的厚度。表層導(dǎo)體105的兩端部未延伸到封裝體103的輪廓O。換言之，表層導(dǎo)體105和封裝體103的輪廓ο之間存在間隔。
[0087]另外，表層導(dǎo)體105可以延伸到封裝體103的輪廓ο處，此種情況下，能夠在表層導(dǎo)體105的端部使得表層導(dǎo)體105與屏蔽104導(dǎo)通。然而,如圖8所不，由于表層導(dǎo)體105和封裝體103的輪廓ο之間的間隔，因此能夠防止在封裝體103的外周面103c上產(chǎn)生表層導(dǎo)體105的毛刺。
[0088]詳細(xì)而言，表層導(dǎo)體105用銅等導(dǎo)電材料形成，這樣的導(dǎo)電材料通過切割等加工易于出現(xiàn)毛刺。然而，如圖8所示，若表層導(dǎo)體105和封裝體103的輪廓ο之間存在間隔，則半切(S-4)時(shí)的加工區(qū)域沒有表層導(dǎo)體105，因此在封裝體103的外周面103c處不會出現(xiàn)表層導(dǎo)體105的毛刺。
[0089]< 步驟 S_2>
[0090]如圖7(b)所示，在電路基板101的安裝面1lb上形成封裝體103。封裝體103，例如，可以通過用流體狀的封裝材料覆蓋安裝部件102之后，使封裝材料硬化而形成。與電路基板101的安裝面1lb相對的封裝體103的主面103b (Z軸方向上的面)可以在比各安裝部件102高的位置。
[0091]〈步驟S_3>
[0092]如圖7(c)所示，在封裝體103上形成溝槽106。溝槽106通過從封裝體103的主面103b側(cè)照射激光的激光加工而形成。而且，作為形成溝槽106的方法，可以采用除激光加工以外的方法，從精密加工性的角度來看，優(yōu)選激光加工。
[0093]可以適當(dāng)決定激光加工所使用的介質(zhì)，例如，可以采用固體激光器或氣體激光器。激光加工中的激光的強(qiáng)度可以在貫穿封裝體103、不損壞表層導(dǎo)體105的范圍內(nèi)適當(dāng)?shù)卮_定。
[0094]圖9是步驟S-3的封裝體103的平面圖。在激光加工中，使激光從表層導(dǎo)體105的一端部掃描到另一端部。據(jù)此，溝槽106沿著表層導(dǎo)體105被形成。溝槽106的兩端部，與表層導(dǎo)體105同樣地未延伸到封裝體103的輪廓ο。換言之，溝槽106和封裝體103的輪廓ο之間存在間隔。
[0095]若溝槽106延伸到封裝體103的輪廓ο，則進(jìn)行半切(S_4)時(shí)會對溝槽106形成橫切加工。在此情況下，會出現(xiàn)缺少溝槽106的角部分的情況。在缺少溝槽106的角部分時(shí)，會出現(xiàn)由于封裝體103對安裝部件102的封裝不完整，安裝部件102介由屏蔽104(參照圖3?圖5)發(fā)生短路的情況。
[0096]然而，在本實(shí)施方式中，溝槽106未延伸到封裝體103的輪廓ο，沒有必要對溝槽進(jìn)行橫切加工，因此不必?fù)?dān)心缺少溝槽106的角部分。據(jù)此，可以通過封裝體103提高安裝部件102的封裝的可靠性。
[0097]< 步驟 S_4>
[0098]如圖7(d)所示形成半切部107。半切部107，從加工容易性的角度來看通過切割來形成。另外，對于形成半切部107的方法，也可以采用除切割以外的方法，例如可以采用激光加工。
[0099]在形成半切部107時(shí)，形成了封裝體103的外周面103c。半切部107，例如，通過從封裝體103的主面103b伸入到大約電路基板101的厚度的三分之一處切入而形成。另夕卜，半切部107的Z軸方向的深度可以任意決定，為了使屏蔽104(參照圖3?圖5)的作用能夠良好地發(fā)揮，優(yōu)選該深度到達(dá)至電路基板101的安裝面1lb處。
[0100]圖10是步驟s-4的封裝體103的平面圖。如上所述，由于表層導(dǎo)體105不從半切部107露出，在半切部107上不會出現(xiàn)表層導(dǎo)體105的毛刺。而且，由于溝槽106不與半切部107交叉，因此溝槽106的角部分不會缺失。
[0101]〈步驟S_5>
[0102]如圖7(e)所示，形成屏蔽104。屏蔽104，例如通過將液體的導(dǎo)電樹脂從封裝體103上涂布以充分地貫穿溝槽106以及半切部107，使涂布的導(dǎo)電樹脂硬化而形成。
[0103]〈步驟S_6>
[0104]如圖7(f)所示，將各個(gè)電路模塊100切開。具體而言，切斷半切部107的中央部以保留其兩側(cè)的屏蔽104?？梢赃m當(dāng)決定切斷方法。
[0105]而且，可以改變圖6所示的步驟S-3和步驟S-4的順序。換言之，圖7 (d)所示的半切部107在圖7(c)所示的溝槽106之前形成也可以。
[0106]在此情況下，半切部107之后形成的溝槽106延伸到半切部107時(shí)，用于形成溝槽106的激光入射到半切部107處，使得半切部107的深度部分地變深。但是，在本實(shí)施方式中，由于溝槽106沒有延伸到半切部107，因此可以防止半切部107的形狀被損壞。
[0107](變形例)
[0108]本實(shí)施方式的變形例所涉及的電路模塊，在圖6所示的制造過程中的溝槽形成過程(步驟S-3)與本實(shí)施方式不同。在上述實(shí)施方式中，形成溝槽106時(shí)，照射一定輸出的激光。另一方面，在本變形例中，形成溝槽106時(shí)，將圖9所示溝槽106的兩端部(與端壁部103a鄰接的位置)處的激光輸出變小。換言之，將在激光的照射開始位置以及照射停止位置處的激光的輸出變小。
[0109]在激光的照射開始位置以及照射停止位置中，激光的能量容易集中。因此，若激光的輸出為一定時(shí)，照射開始位置以及照射停止位置處的電路基板101的層內(nèi)布線容易受到來自激光的損壞。在本變形例中，由于在激光的照射開始位置以及照射停止位置處的激光輸出變小，因此難以發(fā)生對電路基板101的層內(nèi)布線的損壞。
[0110]在本變形例中，由于形成溝槽106時(shí)激光的照射開始位置以及照射停止位置處的激光的輸出變小，因此在溝槽106的兩端部，溝槽106不會貫穿到表層導(dǎo)體105。因此，封裝體103的端壁部，與表層導(dǎo)體105鄰接的位置處的X軸方向(激光的掃描方向)的尺寸變大。
[0111]具體而言，端壁部的X軸方向的尺寸形成為:端壁部的Z軸方向下部比Z軸方向上部大ΙΟΟμπ--200μπ?。例如，若端壁部的Z軸方向上部的尺寸為100 μ時(shí)，Z軸方向下部的尺寸為200 μ m?300 μ m，若端壁部的Z軸方向上部的尺寸為300 μ時(shí)，Z軸方向下部的尺寸為400 μ m?500 μ m。
[0112]圖11為本實(shí)施方式的變形例所涉及的電路模塊的剖面圖。圖11示例地顯示了用本變形例的制造方法制造出來的電路模塊的端壁部的形狀。但是，電路模塊的端壁部的形狀根據(jù)激光的輸出等呈現(xiàn)各種各樣的變化是自不必言的。
[0113]圖11(a)所示的電路模塊10ml的端壁部103al具有階梯形狀。換言之，在電路模塊10ml中，在溝槽106的端部，由于溝槽106被形成到封裝體103的一定深度，因此，在溝槽106的底面保留一定高度的端壁部103al。其結(jié)果是，端壁部103al由溝槽106未形成的部分和溝槽106形成一定深度的部分構(gòu)成階梯形狀。
[0114]圖11 (b)所示的電路模塊100m2的端壁部103a2具有斜坡形狀。換言之，在電路模塊100m2中，在溝槽106的端部，由于溝槽106被形成為一定比例的深度，因此，在溝槽106的底面保留斜坡形狀的端壁部103a2。
[0115]圖11(c)所示的電路模塊100m3的端壁部103a3具有圓弧形狀。換言之，在電路模塊100m3中，在溝槽106的端部，溝槽106逐漸變深，并且，端壁部103a3的形狀形成圓弧形狀。據(jù)此，由屏蔽104的膨脹、收縮施加到端壁部103a3的應(yīng)力容易通過端壁部103a3的圓弧形狀的面被分散。因此，端壁部103a3難以根據(jù)來自屏蔽104的所施加的應(yīng)力而變形。
[0116]以上，說明了關(guān)于本發(fā)明的實(shí)施方式，但本發(fā)明并非限于上述實(shí)施方式，在不脫離本發(fā)明精神的范圍內(nèi)附加得到的各種變化均屬于本發(fā)明。
[0117]例如，本實(shí)施方式所涉及的電路模塊中設(shè)置了一個(gè)溝槽，但是電路模塊上設(shè)置多個(gè)溝槽也可以。另外，本實(shí)施方式所涉及的電路模塊上的溝槽被形成一個(gè)線狀，溝槽被形成為在中途分支的形狀也可以。
【權(quán)利要求】
1.一種電路模塊,具備: 具有安裝面的基板； 安裝在所述安裝面上的安裝部件； 封裝體，其對所述安裝部件進(jìn)行封裝，具有與所述安裝面將所述安裝部件夾持于中間的主面，以及在所述安裝面上圍繞所述安裝部件的外周面； 溝槽，其形成為從所述封裝體的所述主面向所述安裝面凹下的槽狀，并與所述外周面之間存在間隔； 屏蔽，其被填充至所述溝槽內(nèi)，且覆蓋所述封裝體的所述主面以及所述外周面。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路模塊，其特征在于，進(jìn)一步具備沿著所述溝槽、設(shè)置在所述安裝面上的表層導(dǎo)體，所述溝槽從所述主面延伸到所述表層導(dǎo)體，所述屏蔽與所述表層導(dǎo)體連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的電路模塊，其特征在于， 所述安裝部件包含多個(gè)安裝部件，所述溝槽隔開所述多個(gè)安裝部件。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的電路模塊，其特征在于， 所述溝槽具有在所述主面上形狀為圓弧狀的多個(gè)端部。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的電路模塊，其特征在于， 所述溝槽形成為具有多個(gè)端部，且該多個(gè)端部比其他部分淺。
6.—種電路模塊的制造方法，包括: 將安裝部件安裝在基板的安裝面上； 在所述安裝面上設(shè)置封裝體，其中，所述封裝體對所述安裝部件進(jìn)行封裝，且具有與所述安裝面將所述安裝部件夾持于中間的主面； 在設(shè)置在所述安裝面上的所述封裝體上，通過沿著所述封裝體的輪廓切斷以形成在所述安裝面上圍繞所述安裝部件的外周面； 在設(shè)置在所述安裝面上的所述封裝體上，形成從所述主面向所述安裝面凹下的槽狀的溝槽，且所述溝槽與所述封裝體的所述輪廓之間存在間隔； 在所述封裝體上形成了所述外周面以及所述溝槽之后，在所述溝槽內(nèi)填充屏蔽，通過所述屏蔽覆蓋所述封裝體的所述主面以及所述外周面。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的電路模塊的制造方法，其特征在于， 在所述安裝面上設(shè)置所述封裝體之前，在所述安裝面上沿著所述溝槽形成表層導(dǎo)體。
8.根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的電路模塊的制造方法，其特征在于， 通過激光加工形成所述溝槽。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的電路模塊的制造方法，其特征在于， 將形成所述溝槽時(shí)的激光的輸出設(shè)定為在所述溝槽的端部處的比其他部分處的小。
【文檔編號】H01L25/16GK104347541SQ201410386750
【公開日】2015年2月11日 申請日期:2014年8月7日 優(yōu)先權(quán)日:2013年8月9日
【發(fā)明者】島村雅哉, 北崎健三, 長井豐, 中村浩, 佐治哲夫, 麥谷英兒 申請人:太陽誘電株式會社