圖像拾取元件、其制造設(shè)備及制造方法以及成像設(shè)備的制作方法【專利摘要】本發(fā)明涉及一種圖像拾取元件、其制造設(shè)備及制造方法以及成像設(shè)備。所提供的圖像拾取元件包括：聚光透鏡，由包含微金屬粒子的樹脂制造；光電轉(zhuǎn)換元件，形成在硅基板中且每一個構(gòu)造為光電轉(zhuǎn)換入射光，該入射光從外面通過聚光透鏡中對應(yīng)的一個進(jìn)入；以及保護(hù)膜，由硅化合物制造，保護(hù)膜形成在聚光透鏡和硅基板之間?！緦＠f明】圖像拾取元件、其制造設(shè)備及制造方法以及成像設(shè)備【
技術(shù)領(lǐng)域：
】[0001]本公開涉及圖像拾取元件、成像設(shè)備、圖像拾取元件的制造設(shè)備、以及圖像拾取元件的制造方法。更明確地，本公開涉及能抑制捕獲圖像質(zhì)量變壞的圖像拾取元件、成像設(shè)備、圖像拾取元件的制造設(shè)備、用于圖像拾取元件的制造方法。【
背景技術(shù)：
】[0002]在相關(guān)技術(shù)中，為了提高固態(tài)圖像拾取元件的靈敏度和遮蔽(shading)特性，已經(jīng)開發(fā)了減小每個像素中提供的聚光透鏡(微型透鏡)和光敏二極管(PD)之間的距離的方法(即減小固態(tài)圖像拾取元件高度的方法)。為了抑制聚光效率上的變壞，這可能由這樣的高度減小引起，已經(jīng)在研究增加微型透鏡折射率的可能性。[0003]具體而言，已經(jīng)研究了利用高折射率的氮化硅(SiN)無機(jī)膜形成微型透鏡的可能性。然而，在此情況下，沒有構(gòu)造為使彩色濾光片表面平坦的平坦化膜，微型透鏡難以高精度形成(例如，參見日本專利申請公開N0.2008-277800)。另外，該平坦化膜需要具有約200nm至300nm的膜厚度來平坦化彩色濾光片的表面。因此，固態(tài)圖像拾取元件的高度減小已經(jīng)難以實現(xiàn)。[0004]考慮該情形，研究利用包含微金屬粒子的樹脂體系形成微型透鏡的可能性(例如，參見日本專利申請公開N0.2008-060464)。在采用包含微金屬粒子的樹脂體系的情況下，微型透鏡可通過旋涂形成，并且因此不易受彩色濾光片的表面上臺階的影響。因此，微型透鏡在沒有平坦化膜的情況下可以高精度形成。結(jié)果，可實現(xiàn)固態(tài)圖像拾取元件的高度減小?！?br/>發(fā)明內(nèi)容】[0005]然而，在利用包含微金屬粒子的樹脂形成的微型透鏡中，形成微型透鏡后的熱處理可導(dǎo)致高折射率樹脂中包含的離子(speciesof1ns)移入光敏二極管(PD)中。結(jié)果，可產(chǎn)生暗電流，并且可發(fā)生白斑惡化(whitespotdeter1rat1n)。換言之,通過固態(tài)圖像拾取元件捕獲的圖像的質(zhì)量可變壞。[0006]需要抑制所捕獲圖像的質(zhì)量變壞。[0007]根據(jù)本公開的實施例，提供一種圖像拾取元件，包括:聚光透鏡，由包含微金屬粒子的樹脂制造；光電轉(zhuǎn)換元件，形成在硅基板中且每一個構(gòu)造為光電轉(zhuǎn)換從外面通過該聚光透鏡中對應(yīng)的一個進(jìn)入的入射光；以及保護(hù)膜，由硅化合物制造，該保護(hù)膜形成在該聚光透鏡和該硅基板之間。[0008]保護(hù)膜可具有至少在聚光透鏡側(cè)上的非平面表面。[0009]硅化合物可包括二氧化硅(Si02)、氮氧化硅(S1N)和氮化硅(SiN)的任何一個。[0010]保護(hù)膜可具有20nm或更大的膜厚度。[0011]圖像拾取元件還可包括光學(xué)濾光片，該光學(xué)濾光片的每一個形成在聚光透鏡中對應(yīng)的一個和硅基板之間，并且每一個構(gòu)造為限制要通過其透射的入射光的波長帶。保護(hù)膜可形成在聚光透鏡和光學(xué)濾光片之間。[0012]光學(xué)濾光片可至少包括含有二氧六環(huán)顏料(d1xanepigment)的彩色濾光片。[0013]包含二氧六環(huán)顏料的彩色濾光片可包括藍(lán)色濾光片。[0014]圖像拾取元件還可包括形成在光學(xué)濾光片和硅基板之間的平坦化膜。保護(hù)膜可包括形成在光學(xué)濾光片和平坦化膜之間的另一個保護(hù)膜。[0015]保護(hù)膜可包括形成在平坦化膜和硅基板之間的再一個保護(hù)膜。[0016]圖像拾取元件還可包括遮光膜，其沿著平坦化膜和硅基板之間的像素邊緣部分形成且構(gòu)造為抑制入射光進(jìn)入相鄰像素。形成在平坦化膜和硅基板之間的再一個保護(hù)膜可形成在平坦化膜與遮光膜和硅基板的疊層之間。[0017]圖像拾取元件還可包括形成在光學(xué)濾光片和硅基板之間的平坦化膜。保護(hù)膜可包括形成在平坦化膜和硅基板之間的另一個保護(hù)膜。[0018]圖像拾取元件還可包括遮光膜，其沿著平坦化膜和硅基板之間的像素邊緣部分形成且構(gòu)造為抑制入射光進(jìn)入相鄰像素。形成在平坦化膜和硅基板之間的其它保護(hù)膜可形成在平坦化膜與遮光膜和硅基板的疊層之間。[0019]圖像拾取元件還可包括:光學(xué)濾光片，每一個形成在聚光透鏡中對應(yīng)的一個和硅基板之間，并且每一個構(gòu)造為限制要通過其透射的入射光的波長帶；以及平坦化膜，形成在聚光透鏡和硅基板之間。保護(hù)膜可形成為延伸在光學(xué)濾光片之一和聚光透鏡中對應(yīng)的一個之間、在光學(xué)濾光片之一和光學(xué)濾光片的另一個之間、以及在其它光學(xué)濾光片和平坦化膜之間。[0020]保護(hù)膜可包括形成在平坦化膜和硅基板之間的另一個保護(hù)膜。[0021]圖像拾取元件還可包括:光學(xué)濾光片，每一個形成在聚光透鏡中對應(yīng)的一個和硅基板之間，并且每一個構(gòu)造為限制要通過其透射的入射光的波長帶；以及平坦化膜，形成在聚光透鏡和硅基板之間。保護(hù)膜可形成在光學(xué)濾光片和平坦化膜之間。[0022]保護(hù)膜可包括形成在平坦化膜和硅基板之間的另一個保護(hù)膜。[0023]圖像拾取元件還可包括:光學(xué)濾光片，每一個形成在聚光透鏡中對應(yīng)的一個和硅基板之間，并且每一個構(gòu)造為限制要通過其透射的入射光的波長帶；以及平坦化膜，形成在聚光透鏡和硅基板之間。保護(hù)膜可形成在平坦化膜和硅基板之間。[0024]根據(jù)本公開的另一個實施例，提供一種成像設(shè)備，包括:圖像拾取元件和圖像處理單元，圖像拾取元件包括由包含微金屬粒子的樹脂制造的聚光透鏡，形成在硅基板中且每一個構(gòu)造為光電轉(zhuǎn)換從外面通過聚光透鏡中對應(yīng)一個進(jìn)入的入射光的光電轉(zhuǎn)換元件，以及由硅化合物制造的保護(hù)膜，保護(hù)膜形成在聚光透鏡和硅基板之間；圖像處理單元構(gòu)造為對通過圖像拾取元件捕獲的圖像數(shù)據(jù)項執(zhí)行圖像處理。[0025]根據(jù)本公開的再一個實施例，提供一種構(gòu)造為制造圖像拾取元件的制造設(shè)備，該制造設(shè)備包括:光電轉(zhuǎn)換元件形成單元，構(gòu)造為在硅基板中形成光電轉(zhuǎn)換元件，其構(gòu)造為光電轉(zhuǎn)換入射光；保護(hù)膜形成單元，構(gòu)造為在其中光電轉(zhuǎn)換元件由光電轉(zhuǎn)換元件形成單元形成的硅基板的入射側(cè)上形成由硅化合物制造的保護(hù)膜，該入射光進(jìn)入硅基板的入射側(cè)；以及聚光透鏡形成單元，構(gòu)造為在由保護(hù)膜形成單元形成的保護(hù)膜的與硅基板側(cè)相反的一側(cè)上形成聚光透鏡，其每一個由包含微金屬粒子的樹脂制造，該聚光透鏡構(gòu)造為聚集入射光。[0026]根據(jù)本公開的又一個實施例，提供一種用于構(gòu)造為制造圖像拾取元件的制造設(shè)備的制造方法，該制造方法包括:在娃基板中形成光電轉(zhuǎn)換元件，其構(gòu)造為光電轉(zhuǎn)換入射光；在其中形成光電轉(zhuǎn)換元件的硅基板的入射側(cè)上形成由硅化合物制造的保護(hù)膜，該入射光進(jìn)入硅基板的入射側(cè)；以及在保護(hù)膜的與硅基板側(cè)相反的一側(cè)上形成聚光透鏡，其每一個由包含微金屬粒子的樹脂制造，聚光透鏡構(gòu)造為聚集入射光。[0027]根據(jù)本公開實施例的圖像拾取元件包括:聚光透鏡，由包含微金屬粒子的樹脂制造；光電轉(zhuǎn)換元件，形成在硅基板中，并且其每一個構(gòu)造為光電轉(zhuǎn)換從外面通過聚光透鏡中對應(yīng)的一個進(jìn)入的入射光；以及保護(hù)膜，由硅化合物制造，保護(hù)膜形成在聚光透鏡和硅基板之間。[0028]根據(jù)本公開另一個實施例的成像設(shè)備包括:圖像拾取元件和圖像處理單元，圖像拾取元件包括由包含微金屬粒子的樹脂制造的聚光透鏡，形成在硅基板中且其每一個構(gòu)造為光電轉(zhuǎn)換從外面通過聚光透鏡中對應(yīng)的一個進(jìn)入的入射光的光電轉(zhuǎn)換元件，以及由硅化合物制造的保護(hù)膜，保護(hù)膜形成在聚光透鏡和硅基板之間；圖像處理單元構(gòu)造為對通過圖像拾取元件捕獲的圖像數(shù)據(jù)項執(zhí)行圖像處理。[0029]根據(jù)本公開再一個實施例的制造設(shè)備構(gòu)造為制造圖像拾取元件。在該制造設(shè)備中，構(gòu)造為光電轉(zhuǎn)換入射光的光電轉(zhuǎn)換元件形成在硅基板中，由硅化合物制造的保護(hù)膜形成在其中形成光電轉(zhuǎn)換元件的硅基板的入射側(cè)上，該入射光進(jìn)入硅基板的入射側(cè)，并且每一個由包含微金屬粒子的樹脂制造的聚光透鏡形成在保護(hù)膜的與硅基板側(cè)相反的一側(cè)上，該聚光透鏡構(gòu)造為聚集入射光。[0030]根據(jù)本公開的實施例，可成像照相物體，并且特別是，可抑制捕獲圖像質(zhì)量的變壞。[0031]根據(jù)下面如附圖所示本公開最佳實施例的詳細(xì)描述，本公開的這些和其它的目標(biāo)、特征和優(yōu)點將變得更加顯而易見?！緦＠綀D】【附圖說明】[0032]圖1是示出圖像拾取元件的一部分的構(gòu)造示例的截面圖；[0033]圖2示出了光譜如何變化的示例；[0034]圖3示出了光譜如何變化的其它示例；[0035]圖4示出了暗電流如何變化的示例；[0036]圖5是示出圖像拾取元件的主要構(gòu)造示例的截面圖；[0037]圖6是示出圖像拾取元件的其它主要構(gòu)造示例的截面圖；[0038]圖7是示出圖像拾取元件的另外其它主要構(gòu)造示例的截面圖；[0039]圖8是示出圖像拾取元件的再次其它主要構(gòu)造示例的截面圖；[0040]圖9是示出圖像拾取元件的又次其它主要構(gòu)造示例的截面圖；[0041]圖10是示出制造設(shè)備的主要構(gòu)造示例的框圖；[0042]圖11是示出制造工藝的流程示例的流程圖；[0043]圖12是示出制造工藝的另一個流程示例的流程圖；[0044]圖13是示出濾光片和保護(hù)膜形成工藝的流程示例的流程圖；以及[0045]圖14是示出成像設(shè)備的主要構(gòu)造示例的框圖。【具體實施方式】[0046]在下文，將參考附圖描述執(zhí)行本公開的實施例(在下文，簡稱為實施例)。應(yīng)注意，描述以下面的順序進(jìn)行。[0047]1.第一實施例(圖像拾取元件)[0048]2.第二實施例(制造設(shè)備)[0049]3.第三實施例(成像設(shè)備)[0050](1.第一實施例)[0051](圖像拾取元件的高度減小及其影響)[0052]在相關(guān)技術(shù)中，為了提高固態(tài)圖像拾取元件的靈敏度和遮蔽特性，已經(jīng)開發(fā)了減小提供在每個像素中的聚光透鏡(微型透鏡)和光敏二極管(PD)之間的距離的方法(即減小固態(tài)圖像拾取元件高度的方法)。這樣的高度減小可能導(dǎo)致聚光效率上的變壞。為了抑制這樣的聚光效率上的變壞，微型透鏡應(yīng)在曲率半徑上減小或在折射率上增加。[0053]微型透鏡難以形成為比半球形更圓。換言之，限制了微型透鏡的曲率半徑上的減小。此外，近年來，固態(tài)圖像拾取元件的像素進(jìn)一步小型化，并且因此微型透鏡已經(jīng)變得在曲率半徑上更加難以減小。通常，微型透鏡例如由聚苯乙烯樹脂和丙烯酸樹脂制造，并且這些樹脂的每一個具有約1.5至1.6的折射率η。因此，例如，當(dāng)固態(tài)圖像拾取元件具有約Iμm的像素單元尺寸時，每個像素的微型透鏡的曲率半徑可大于半球，這可能導(dǎo)致制造上的困難。[0054]考慮到該情形，已經(jīng)研究了增加微型透鏡折射率的可能性。具體而言，通過利用氮化硅(SiN)無機(jī)膜，可形成具有高折射率的微型透鏡(例如，η=1.6或更大)。[0055]同時，固態(tài)圖像拾取元件中所用的彩色濾光片(R、G和B)通常具有在其表面上的臺階。例如，當(dāng)由氮化硅(SiN)制造的微型透鏡形成在具有這樣臺階的彩色濾光片上時，微型透鏡的表面不規(guī)則性可由彩色濾光片的臺階的影響而形成，這可導(dǎo)致難以高精度形成微型透鏡。作為對策，為了抑制不規(guī)則性，例如，如日本專利申請公開N0.2008-277800所公開，已經(jīng)設(shè)計了形成平坦化膜，其構(gòu)造為平坦化彩色濾光片的表面。在形成這樣的平坦化膜且其上形成微型透鏡時，抑制了彩色濾光片臺階的影響。結(jié)果，微型透鏡可形成為具有較高的精度。[0056]然而，為了平坦化微型透鏡的表面，平坦化膜需要具有約200nm至300nm的膜厚度。因此，微型透鏡至光敏二極管(PD)的距離增加(固態(tài)圖像拾取元件的高度減小是困難的)，這導(dǎo)致抑制靈敏度和遮蔽特性變壞上的困難。換言之，當(dāng)微型透鏡由氮化硅(SiN)無機(jī)膜形成時，可使靈敏度和遮蔽特性變壞。[0057]此夕卜，作為增加微型透鏡折射率的方法，例如，如日本專利申請公開N0.2008-060464中所公開，已經(jīng)設(shè)計了一種利用包含微金屬粒子的樹脂體系形成微型透鏡的方法。在采用包含微金屬粒子的樹脂體系的情況下，微型透鏡可通過旋涂形成而不受彩色濾光片表面上的臺階影響。因此，可省略構(gòu)造為平坦化彩色濾光片表面的平坦化膜。結(jié)果，微型透鏡至光敏二極管(PD)的距離可減小(可實現(xiàn)固態(tài)圖像拾取元件的高度減小)，并且微型透鏡可以高精度形成。[0058]然而，在由包含微金屬粒子的樹脂形成的微型透鏡中，形成微型透鏡后的熱處理可導(dǎo)致包含在高折射率樹脂中的諸如氫(H)和氟(F)的離子移入光敏二極管(PD)中。結(jié)果，可產(chǎn)生暗電流，并且可能發(fā)生白斑惡化。此外，這種離子可還移入彩色濾光片中，這可導(dǎo)致彩色濾光片的光譜變化。結(jié)果，可使通過固態(tài)圖像拾取元件捕獲圖像的質(zhì)量變壞。[0059](圖像拾取元件)[0060]作為對策，在圖像拾取元件中，由硅化合物制造的保護(hù)膜形成在微型透鏡(聚光透鏡)和其中形成光敏二極管(光電轉(zhuǎn)換元件)的硅基板之間。[0061]圖1是示出應(yīng)用本技術(shù)的圖像拾取元件的各像素主要構(gòu)造示例的截面圖。圖1所示的圖像拾取元件100是背側(cè)照明型CMOS(互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體)圖像傳感器，其構(gòu)造為成像照相的物體且獲得作為電信號的捕獲圖像。圖像拾取元件100包括多個像素，其例如設(shè)置成陣列或在平面中。在像素的每一個中，入射光光電轉(zhuǎn)換成捕獲圖像的像素信號。圖1以截面圖示出了圖像拾取元件100的光接收部分的層疊結(jié)構(gòu)的示例。為了便于描述，圖1的層疊結(jié)構(gòu)示意性地示出。此外，在圖1中，為了便于描述，省略了構(gòu)造為傳輸由光電轉(zhuǎn)換獲得的電荷的組件(電路或線等)。[0062]來自照相物體的光從圖1的頂部到底部進(jìn)入圖像拾取元件100。圖1示出了兩個像素的構(gòu)造，但是圖像拾取元件100的像素數(shù)沒有特別限定。通常，提供三個或更多個像素，具體而言，幾十萬個像素、幾百萬個像素和幾千萬個像素。如此大量的像素的每一個基本上具有與圖1所示的像素構(gòu)造相同的構(gòu)造。[0063]如圖1所示，圖像拾取元件100包括硅基板101。硅基板101包括:光敏二極管(ro)102A，形成為圖1的左像素的光接收區(qū)域(構(gòu)造為光電轉(zhuǎn)換入射光的光電轉(zhuǎn)換元件)；以及光敏二極管(ro)102B，形成為圖1的右像素的光接收區(qū)域(光電轉(zhuǎn)換元件)。下面，除非有必要區(qū)分這些像素的光敏二極管，光敏二極管稱為光敏二極管102。換言之，形成在硅基板101中的光敏二極管102分別對應(yīng)于像素。[0064]此外，如圖1所示，遮光膜103A至103C形成在硅基板101的光入射表面(圖1中的上側(cè))上。遮光膜形成為沿著像素邊緣部分以分隔像素。換言之，圖1的截面圖中所示的遮光膜103A至103C彼此獨立地形成在像素之間。然而，實際上，根據(jù)像素的布置，用于所有像素的遮光膜(或者用于某些像素的遮光膜)例如可彼此一體地形成網(wǎng)狀圖案。下面，除非有必要進(jìn)行像素的遮光膜之間的區(qū)分，遮光膜103A至103C稱為遮光膜103。[0065]遮光膜103的每一個由具有良好遮光特性的材料制造，并且構(gòu)造為抑制入射光進(jìn)入相鄰像素。[0066]如圖1所示，遮光膜103形成在硅基板101的光入射表面上。這樣，不規(guī)則形成在光入射側(cè)的該表面上。作為對策，為了抑制不規(guī)則以平坦化該表面，平坦化膜104層疊在硅基板101和遮光膜103的光入射側(cè)(圖1中的上側(cè))的表面上。平坦化膜104由具有高透射比的材料制造。[0067]此外，光學(xué)濾光片形成在平坦化膜104的光入射側(cè)(圖1中的上側(cè))的表面上，每一個光學(xué)濾光片構(gòu)造為限制要通過其透射的入射光的波長帶。在圖1的示例中，藍(lán)色濾光片105A形成在圖1的左像素中，綠色濾光片105B形成在圖1的右像素中。應(yīng)注意，在圖1中，為了便于描述，在彩色濾光片105A和彩色濾光片105B上增加了文字(“藍(lán)色”和“綠色”)，該文字實際上沒有印刷在彩色濾光片上。[0068]彩色濾光片105A是構(gòu)造為透射稱為藍(lán)色波長帶中的光(藍(lán)光)的彩色濾光片。換言之，在光敏二極管102A中，光電轉(zhuǎn)換透射通過彩色濾光片105A的藍(lán)光。再換言之，圖I的左像素是構(gòu)造為檢測藍(lán)光的像素。[0069]彩色濾光片105B是構(gòu)造為透射稱為綠波長帶中的光(綠光)的彩色濾光片。換言之，在光敏二極管102B中，光電轉(zhuǎn)換透射通過彩色濾光片105B的綠光。再換言之，圖1的右像素是構(gòu)造為檢測綠光的像素。[0070]下面，除非有必要進(jìn)行像素的各彩色濾光片之間的區(qū)分，彩色濾光片105A和105B稱為彩色濾光片105。如圖1所示，分別在圖像拾取元件100的像素中形成的彩色濾光片105的每一個構(gòu)造為透射任何波長帶的光(換言之，任何顏色的光)，并且彩色濾光片105的顏色可任意選擇。例如，可形成黃色、白色和其它顏色的彩色濾光片105。此外，可以以任何其它組合任意選用彩色濾光片105的顏色。通常，紅(R)、綠(G)和藍(lán)(B)三色的彩色濾光片105用于很多情況，但是可采用四個或更多個顏色或者兩個或更少的顏色。[0071]因此，盡管圖1僅示出了藍(lán)像素和綠像素，但是根據(jù)彩色濾光片105的顏色組合可提供其它顏色的像素。例如，在采用紅(R)、綠(G)和藍(lán)⑶三色的彩色濾光片105的情況下，除了圖1所示的像素外，圖像拾取元件10包括設(shè)有紅色濾光片(未示出)的紅像素。自然，各顏色的像素的每一個不必包括對應(yīng)顏色的一個像素，并且各顏色的像素的每一個通常包括對應(yīng)顏色的多個像素。[0072]此外，取代彩色濾光片105，可形成構(gòu)造為透射或抑制可見光之外波長帶的光的光學(xué)濾光片。例如，可形成構(gòu)造為透射紫外光和紅外光的濾光片，或者相反可形成構(gòu)造為阻擋紫外光和紅外光的濾光片。[0073]在彩色濾光片105的光入射表面?zhèn)?圖1中的上側(cè))上，構(gòu)造為增加聚光效率且提高輸入光強(qiáng)度的聚光透鏡(也稱為微型透鏡)分別提供到像素。例如，聚光透鏡106A形成在圖1的左像素中，并且聚光透鏡106B形成在圖1的右像素中。下面，除非有必要進(jìn)行這些像素的透光透鏡之間的區(qū)分，聚光透鏡106A和106B稱為聚光透鏡106。[0074]換言之，來自照相物體的光由聚光透鏡106聚集且進(jìn)入像素中。該入射光透射通過彩色濾光片105和平坦化膜104等，并且由光敏二極管102光電轉(zhuǎn)換。[0075]如上所述，為了提高聚光效率，聚光透鏡106由包含微金屬粒子的樹脂制造。包含微金屬粒子的樹脂是折射率高于聚苯乙烯樹脂和丙烯酸樹脂的材料。具體而言，波長500nm處的折射率落入1.6至2.0的范圍。此外，希望包含微金屬粒子的樹脂的透射比在400nm至700nm的波長帶上盡可能高。例如，該透射比設(shè)定到90%或更大。[0076]包含微金屬粒子的樹脂例如通過將金屬化合物粒子加到共聚物樹脂且在共聚物樹脂中分散所加的粒子而獲得。共聚物樹脂的示例包括丙烯酸樹脂、聚苯乙烯樹脂和硅烷樹脂。金屬化合物的示例包括鈦(Ti)、鎂(Mg)、鋁(Al)和鋅(Zn)。[0077]實際上，彩色濾光片105形成為具有各自的顏色，并且因此不規(guī)則性(像素單元中的臺階)形成在彩色濾光片的光入射表面(圖1中的上側(cè))之間。這樣，光入射表面是非平坦的。然而，如上所述，包含微金屬粒子的樹脂可通過旋涂施加，并且因此不易受到彩色濾光片105的表面上的臺階影響。因此，即使沒有構(gòu)造為平坦化彩色濾光片105的光入射表面的平坦化膜，微型透鏡也可以高精度形成。結(jié)果，可實現(xiàn)圖像拾取元件100的高度減小。[0078]另外，如圖1所示，在圖像拾取元件100的聚光透鏡106和彩色濾光片105之間，形成保護(hù)膜110，其構(gòu)造為抑制離子從聚光透鏡106移動。[0079]保護(hù)膜110由硅化合物制造，例如，二氧化硅(Si02)、氮氧化硅(S1N)和氮化硅(SiN)。保護(hù)膜110的光入射側(cè)(圖1中的上側(cè))的表面不需要平坦化，并且因此只要保證約20nm或更大的膜厚度就沒有特別的問題。換言之，保護(hù)膜110的光入射側(cè)上的表面可為非平坦的。相反，為了平坦化彩色濾光片105的表面，如上所述，平坦化膜需要有至少約200nm至300nm的膜厚度。換言之，保護(hù)膜110可形成為比平坦化膜薄很多。[0080]保護(hù)膜110能抑制離子從聚光透鏡106移動。因此，可抑制這些各種離子在圖像質(zhì)量上的影響，例如彩色濾光片105的光譜變化以及暗電流和白斑的產(chǎn)生。結(jié)果，可抑制通過圖像拾取元件100所捕獲圖像質(zhì)量的變壞。[0081](光譜變化)[0082]接下來，更加詳細(xì)地描述離子在彩色濾光片105上的影響。圖2示出了在保護(hù)膜沒有形成的情況下離子在彩色濾光片105上影響的模擬結(jié)果示例。在該模擬中，構(gòu)造為如圖2A所示的元件用作其中沒有形成保護(hù)膜的圖像拾取元件的模型。如圖2A所示，該元件是硅基板121、藍(lán)色濾光片122和包含微金屬粒子的高折射率樹脂123的疊層。硅基板121是硅基板101(圖1)的模型，并且設(shè)有光敏二極管(未示出)以及硅基板101。彩色濾光片122是彩色濾光片105A(圖1)的模型。包含微金屬粒子的高折射率樹脂123是聚光透鏡106A的模型。[0083]該元件的彩色濾光片122的光譜特性的測量結(jié)果如圖2B的曲線圖所示。在圖2B的曲線圖中，橫坐標(biāo)軸表示波長，并且縱坐標(biāo)軸表示透射比。此外，曲線124示出了熱處理前的測量結(jié)果，并且曲線125示出了在制造圖像拾取元件的工藝步驟中作為要進(jìn)行的熱處理執(zhí)行230°C下加熱十分鐘(在形成微型透鏡后的熱處理)后的測量結(jié)果。如圖2B的曲線圖所示，在230°C下加熱十分鐘前的彩色濾光片122的光譜特性和加熱后的光譜特性之間觀察到差別。[0084]該光譜變化由加熱引起的包含微金屬粒子的高折射率樹脂123中的離子(例如H和F)移入彩色濾光片122中而導(dǎo)致。濾光片的光譜特性例如取決于其材料。換言之，根據(jù)要透射光的波長帶，各種材料用于濾光片。在此情況下，當(dāng)因此所用的材料易受到從包含微金屬粒子的高折射率樹脂123移動的各種離子影響時，彩色濾光片122的光譜變化易于發(fā)生。這樣材料的示例包括二氧六環(huán)顏料(PV23)。二氧六環(huán)顏料例如用于獲得藍(lán)色濾光片的光譜特性。[0085]當(dāng)光譜變化發(fā)生在彩色濾光片中時，由光敏二極管光電轉(zhuǎn)換的光的波長帶根據(jù)其變化。因此，捕獲圖像的質(zhì)量可受其影響(具體而言，圖像的質(zhì)量可變壞)。[0086]圖3示出了在形成保護(hù)膜的情況下如圖2所示模擬結(jié)果的示例。在這些模擬中，構(gòu)造為如圖3A所示的元件用作其中形成保護(hù)膜的圖像拾取元件的模型。如圖3A所示，該元件通過在圖2A的疊層中的藍(lán)色濾光片122和包含微金屬粒子的高折射率樹脂123之間附加形成保護(hù)膜126而獲得。作為保護(hù)膜110(圖1)模型的保護(hù)膜126由硅化合物以及保護(hù)膜110制造，并且具有約幾十納米(20nm或更大)的膜厚度。[0087]當(dāng)保護(hù)膜126由氮氧化硅(S1N)制造時，如圖3B的曲線圖所示，彩色濾光片122在230°C下加熱十分鐘前的光譜特性(曲線124)和其在加熱后的光譜特性(曲線125)之間基本上沒有觀察到變化。此外，還在保護(hù)膜126由氮化硅(SiN)制造時，如圖3C的曲線圖所示，彩色濾光片122在230°C下加熱十分鐘前的光譜特性(曲線124)和其在加熱后的光譜特性(曲線125)之間基本上沒有觀察到變化。[0088]如上所述，當(dāng)由硅化合物制造的保護(hù)膜形成在包含微金屬粒子的高折射率樹脂123和彩色濾光片122之間時，可抑制離子從包含微金屬粒子的高折射率樹脂123移入彩色濾光片122中。因此，可抑制彩色濾光片122的光譜變化。結(jié)果，可抑制捕獲圖像的質(zhì)量變壞。[0089](暗電流)[0090]接下來，更加詳細(xì)地描述離子在光敏二極管102上的影響。圖4示出了比較離子在光敏二極管102上的影響如何根據(jù)是否形成保護(hù)膜變化的示例的結(jié)果。圖4A的曲線圖示出了在構(gòu)造為如圖2A所示的元件(其中沒有形成保護(hù)膜126的圖像拾取元件)中產(chǎn)生暗電流的模擬結(jié)果的示例。在圖4A的曲線圖中，橫坐標(biāo)軸表示時間，并且縱坐標(biāo)軸表示暗電流量。[0091]在此情況下，如圖4A的曲線圖所示，與光譜變化的模擬情況一樣，在230°C下熱處理十分鐘前的狀態(tài)下基本上不產(chǎn)生暗電流。相反，在熱處理后產(chǎn)生暗電流。測量多次證明產(chǎn)生暗電流且變化。[0092]圖4B的曲線圖示出了在構(gòu)造為圖3A所示的元件(其中形成保護(hù)膜126的圖像拾取元件)中產(chǎn)生暗電流的模擬結(jié)果的示例。在圖4B的曲線圖中，橫坐標(biāo)軸表示時間，并且縱坐標(biāo)軸表示暗電流量。[0093]在此情況下，如圖4B的曲線圖所示，與光譜變化的模擬情況一樣，在230°C下熱處理十分鐘之前和之后的任一種狀態(tài)下基本上沒有產(chǎn)生暗電流。[0094]如上所述，當(dāng)由硅化合物制造的保護(hù)膜形成在包含微金屬粒子的高折射率樹脂123和光敏二極管(硅基板121)之間時，成功地抑制離子從包含微金屬粒子的高折射率樹脂123移入硅基板121中。結(jié)果，成功地抑制暗電流和白斑的產(chǎn)生。[0095]由上述模擬結(jié)果可見，在圖1的圖像拾取元件100中也可獲得相同的優(yōu)點。首先，聚光透鏡106利用包含微金屬粒子的樹脂形成。因此，如上所述，可實現(xiàn)圖像拾取元件100的高度減小，并且聚光透鏡106可以高精度形成，同時提高靈敏度和遮蔽特性。此外，聚光透鏡106的折射率也可得到提高。[0096]另外，如上所述，當(dāng)由硅化合物制造的保護(hù)膜110附加地形成在聚光透鏡106和彩色濾光片105(以及光敏二極管102)之間時，可抑制彩色濾光片105的光譜變化，并且可抑制光敏二極管102中暗電流和白斑的產(chǎn)生。[0097]結(jié)果，可抑制通過圖像拾取元件100捕獲的圖像的質(zhì)量變壞。[0098](保護(hù)膜)[0099]如上所述，由硅化合物制造的保護(hù)膜可根據(jù)需要形成在產(chǎn)生離子的層(例如，包含微金屬粒子的樹脂層)和離子不應(yīng)移入其中的層(例如，彩色濾光片層和其中形成光敏二極管的硅基板層)之間。換言之，由硅化合物制造的保護(hù)膜可形成在其中產(chǎn)生離子的層和離子不應(yīng)移入其中的層的任何一對之間。[0100]應(yīng)注意，由于保護(hù)膜形成在上側(cè)(更靠近其中產(chǎn)生離子的層的一側(cè))上的層之間，保護(hù)膜20能抑制離子移入更多的層中。例如，對于圖1的圖像拾取元件100，保護(hù)膜110能抑制聚光透鏡106中的離子移入彩色濾光片105和硅基板101的兩層中。應(yīng)注意，由于保護(hù)膜形成在下側(cè)(遠(yuǎn)離其中產(chǎn)生離子的層的一側(cè))上的層之間，保護(hù)膜能更可靠地抑制離子移入硅基板中。此外，保護(hù)膜能抑制在不易受到離子影響的層上的影響。[0101]更進(jìn)一步，保護(hù)膜可包括多個保護(hù)膜(可為多層的)。應(yīng)注意，隨著保護(hù)膜數(shù)的增力口，需要附加執(zhí)行更大量的工藝步驟，這可能導(dǎo)致成本增加。另外，保護(hù)膜的一些或全部可由相同的材料制造，或者可由彼此不同的材料制造。[0102]此外，保護(hù)膜的膜厚度沒有特別限定。隨著膜厚度的加大，可更加可靠地抑制離子移動。通常，在厚度約20nm或更大的情況下，可充分地抑制離子移動。[0103](保護(hù)膜位置的其它示例)[0104]盡管在參考圖1的描述中保護(hù)膜110形成在聚光透鏡106和彩色濾光片105之間，但是保護(hù)膜I1的位置不限于此。例如，保護(hù)膜110可形成在如下面圖5至9所示的位置。[0105]具體而言，如圖5所示，保護(hù)膜110可為雙層。在圖5A的示例中，作為第一層的保護(hù)膜110-1形成在與圖1的保護(hù)膜110相同的位置(在聚光透鏡106和彩色濾光片105之間)，并且作為第二層的保護(hù)膜110-2形成在彩色濾光片105和平坦化膜104之間。保護(hù)膜110-1和110-2的每一個是與保護(hù)膜110(圖1)類似的薄膜，例如由硅化合物制造。保護(hù)膜110-1和110-2可由相同的材料制造，或者可由彼此不同的材料制造。此外，保護(hù)膜110-1和110-2可具有相同的膜厚度，或者可具有彼此不同的膜厚度。在此情況下，保護(hù)膜110-1能抑制聚光透鏡106中的離子移入彩色濾光片105和硅基板101二者中。此外，保護(hù)膜110-2能抑制聚光透鏡106中的離子移入硅基板101中。[0106]此外，在圖5B的示例中，作為第一層的保護(hù)膜110-1形成在與圖5A的情況相同的位置，并且作為第二層的保護(hù)膜110-2形成在平坦化膜104與遮光膜103和硅基板101的疊層之間。在此情況下，保護(hù)膜110-2能抑制聚光透鏡106中的離子移入硅基板101中。[0107]另外，在此情況下，保護(hù)膜110-2還能夠保護(hù)遮光膜103。因此，在相對其形成上層的工藝步驟中所用的化學(xué)液體可選自較寬的選擇范圍(酸性化學(xué)液體、堿性(basic)化學(xué)液體以及類似物)。[0108]此外，在圖5C的示例中，作為第一層的保護(hù)膜110-1形成在與圖5A的情況相同的位置，并且作為第二層的保護(hù)膜110-2形成在硅基板101與平坦化膜104和遮光膜103的疊層之間。還是在此情況下，保護(hù)膜110-2能抑制聚光透鏡106中的離子移入硅基板101中。[0109]作為選擇，例如，如圖6所示，保護(hù)膜110可為三層。在圖6A的示例中，作為第一層的保護(hù)膜110-1形成在與圖5A的情況相同的位置，并且作為第二層的保護(hù)膜110-2形成在與圖5A的情況相同的位置。另外，作為第三層的保護(hù)膜110-3形成在與圖5B的保護(hù)膜110-2相同的位置(在平坦化膜104與遮光膜103和硅基板101的疊層之間)。[0110]保護(hù)膜110-1至110-3的每一個是與保護(hù)膜110(圖1)類似的薄膜，其例如由硅化合物制造。保護(hù)膜110-1至110-3可由相同的材料制造，或者可由彼此不同的材料制造。此外，保護(hù)膜110-1至110-3可具有相同的膜厚度，或者可具有彼此不同的膜厚度。[0111]在此情況下，保護(hù)膜110-3能抑制聚光透鏡106中的離子移入硅基板101中。保護(hù)膜110-3還能保護(hù)遮光膜103。[0112]此外，在圖6B的示例中，作為第一層的保護(hù)膜110-1和作為第二層的保護(hù)膜110-2形成在與圖6A的情況相同的位置，并且作為第三層的保護(hù)膜110-3形成在與圖5C的保護(hù)膜110-2相同的位置(在硅基板101與平坦化膜104和遮光膜103的疊層之間)。還是在此情況下，保護(hù)膜110-3能抑制聚光透鏡106中的離子移入硅基板101中。[0113]再作為選擇，例如，如圖7所示，保護(hù)膜110可構(gòu)造為僅保護(hù)彩色濾光片105當(dāng)中預(yù)定顏色的彩色濾光片(具體而言，在構(gòu)造為透射彼此不同波長帶的光的多個彩色濾光片當(dāng)中的僅構(gòu)造為透射預(yù)定波長帶的光的濾光片)。[0114]如上所述，根據(jù)要透射光的波長帶，各種材料用于濾光片。例如，易受從包含微金屬粒子的高折射率樹脂123移動的離子影響的材料，例如二氧六環(huán)顏料，可僅用于一些濾光片。在此情況下，與圖7A的示例一樣，僅由易受離子影響的材料制造的濾光片可用保護(hù)膜110保護(hù)。[0115]在圖7A的示例中，在藍(lán)色濾光片105A是由易受離子影響的材料(例如，二氧六環(huán)顏料)制造的濾光片的情況下，保護(hù)膜110形成為僅保護(hù)彩色濾光片105當(dāng)中的藍(lán)色濾光片105A。具體而言，保護(hù)膜110形成為延伸在聚光透鏡106A和藍(lán)色濾光片105A之間、在藍(lán)色濾光片105A和相鄰像素中不同顏色的彩色濾光片(例如，綠色濾光片105B)之間、以及在相鄰像素中不同顏色的彩色濾光片(例如，綠色濾光片105B)和平坦化膜104之間。[0116]在此情況下，保護(hù)膜110能抑制聚光透鏡106中的離子移入藍(lán)色濾光片105A和硅基板101二者中。[0117]還是在此情況下，保護(hù)膜110可為多層的。此外，在圖7B的示例中，作為第一層的保護(hù)膜110-1形成在與圖7A的保護(hù)膜110相同的位置，并且作為第二層的保護(hù)膜110-2形成在與圖5B的保護(hù)膜110-2相同的位置(在平坦化膜104與遮光膜103和硅基板101的疊層之間)。在此情況下，保護(hù)膜110-2能抑制聚光透鏡106中的離子移入硅基板101中。此外，在此情況下，保護(hù)膜110-2也能保護(hù)遮光膜103。[0118]此外，在圖7C的示例中，作為第一層的保護(hù)膜110-1形成在與圖7A的保護(hù)膜110相同的位置，并且作為第二層的保護(hù)膜110-2形成在與圖5C的保護(hù)膜110-2相同的位置(在硅基板101與平坦化膜104和遮光膜103的疊層之間)。在此情況下，保護(hù)膜110-2能抑制聚光透鏡106中的離子移入硅基板101中。[0119]作為再一個選擇，例如，在彩色濾光片105不易受離子影響的情況下(例如，在彩色濾光片105不包含二氧六環(huán)顏料的情況下)，如圖8所示，彩色濾光片105不需要必須用保護(hù)膜110保護(hù)。在圖8A的示例中，保護(hù)膜110形成為單層，該保護(hù)膜110形成在與圖5A的保護(hù)膜110-2相同的位置(在彩色濾光片105和平坦化膜104之間)。在此情況下，保護(hù)膜110能抑制聚光透鏡106中的離子移入硅基板101中。[0120]此外，在圖8B的示例中，保護(hù)膜110形成為單層，該保護(hù)膜110形成在與圖5B的保護(hù)膜110-2相同的位置(在平坦化膜104與遮光膜103和硅基板101的疊層之間)。在此情況下，保護(hù)膜110能抑制聚光透鏡106中的離子移入硅基板101中。另外，保護(hù)膜110還能保護(hù)遮光膜103。[0121]此外，在圖8C的示例中，保護(hù)膜110形成為單層，該保護(hù)膜110形成在與圖5C的保護(hù)膜110-2相同的位置(在硅基板101與平坦化膜104和遮光膜103的疊層之間)。在此情況下，保護(hù)膜110能抑制聚光透鏡106中的離子移入硅基板101中。[0122]還是在此情況下，如圖9所示，保護(hù)膜110可為多層。此外，在圖9A的示例中，作為第一層的保護(hù)膜110-1形成在與圖8A的保護(hù)膜110相同的位置(在彩色濾光片105和平坦化膜104之間)，并且作為第二層的保護(hù)膜110-2形成在與圖8B的保護(hù)膜110相同的位置(在平坦化膜104與遮光膜103和硅基板101的疊層之間)。在此情況下，保護(hù)膜110-1和110-2能抑制聚光透鏡106中的離子移入硅基板101中。此外，保護(hù)膜110-2還能保護(hù)遮光膜103。[0123]此外，在圖9B的示例中，作為第一層的保護(hù)膜110-1形成在與圖9A的情況相同的位置，并且作為第二層的保護(hù)膜110-2形成在與圖SC的保護(hù)膜110相同的位置(在硅基板101與平坦化膜104和遮光膜103的疊層之間)。在此情況下，保護(hù)膜110-1和110-2能抑制聚光透鏡106中的離子移入硅基板101中。[0124](2.第二實施例)[0125](制造設(shè)備)[0126]圖10是示出構(gòu)造為制造應(yīng)用本技術(shù)方案的圖像拾取元件100(圖像傳感器)的制造設(shè)備的主要構(gòu)造示例的框圖。圖10所示的制造設(shè)備200包括控制單元201和制造單元202。[0127]控制單元201包括CPU(中央處理單元)、R0M(只讀存儲器)和RAM(隨機(jī)存取存儲器)，并且構(gòu)造為控制制造單元202中的各單元以執(zhí)行控制圖像拾取元件100制造的過程。例如，控制單元201的CPU構(gòu)造為根據(jù)ROM中存儲的程序執(zhí)行各種工藝。此外，CPU還構(gòu)造為根據(jù)從存儲單元213加載到RAM的程序執(zhí)行各種工藝。RAM構(gòu)造為例如根據(jù)需要存儲在執(zhí)行各種工藝時CPU所用的數(shù)據(jù)。[0128]制造單元202構(gòu)造為由控制單元201控制，以在圖像拾取元件100的制造中執(zhí)行各工藝。制造單元202包括光敏二極管形成單元231、配線層形成單元232、遮光膜形成單元233、平坦化膜形成單元234、濾光片形成單元235、聚光透鏡形成單元236和保護(hù)膜形成單元237。[0129]光敏二極管形成單元231構(gòu)造為在硅基板101中形成光敏二極管102。配線層形成單元232構(gòu)造為在硅基板101的與光入射表面相反一側(cè)(即圖1中的下側(cè))的表面上形成配線層(未示出)。遮光膜形成單元233構(gòu)造為形成遮光膜103。平坦化膜形成單元234構(gòu)造為形成平坦化膜104。濾光片形成單元235構(gòu)造為形成彩色濾光片105。聚光透鏡形成單元236構(gòu)造為形成由包含微金屬粒子的樹脂制造的聚光透鏡106。保護(hù)膜形成單元237構(gòu)造為形成保護(hù)膜110。[0130]光敏二極管形成單元231至保護(hù)膜形成單元237由控制單元201控制，從而執(zhí)行制造圖像拾取元件100的工藝步驟。[0131]此外，制造設(shè)備200包括輸入單元211、輸出單元212、存儲單元213、通訊單元214和驅(qū)動器215。[0132]輸入單元211的示例包括鍵盤、鼠標(biāo)、觸摸屏、外部輸入終端。輸入單元211構(gòu)造為從外面接收使用者指令和信息項的輸入，并且提供指令和信息項到控制單元201。輸出單元212的示例包括諸如CRT(陰極射線管)顯示器和LCD(液晶顯示器)的顯示器、揚聲器和外部輸出終端。輸出單元212構(gòu)造為輸出從控制單元201提供的各種信息項作為圖像、聲音、模擬信號或數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)。[0133]存儲單元213包括任何類型的存儲介質(zhì)，例如，閃存、SSD(固態(tài)驅(qū)動器)和硬盤，并且構(gòu)造為存儲從控制單元201提供的信息項，并且響應(yīng)來自控制單元201的要求讀取和提供所存儲的信息項。[0134]通訊單元214的示例包括LAN(局域網(wǎng))或無線LAN的接口和調(diào)制解調(diào)器。通訊單元214構(gòu)造為通過包括互聯(lián)網(wǎng)的網(wǎng)絡(luò)與外部設(shè)備進(jìn)行通訊過程。具體而言，通過通訊單元214，從控制單元201提供的信息項輸送到通訊配對物，并且從通訊配對物接收的信息項提供到控制單元201。[0135]驅(qū)動器215構(gòu)造為根據(jù)需要連接到控制單元201。諸如磁盤、光盤、磁光盤和半導(dǎo)體存儲器的可移動介質(zhì)221根據(jù)需要安裝到驅(qū)動器215。計算機(jī)程序從可移動介質(zhì)221通過驅(qū)動器215的調(diào)制(intermediat1n)而加載,并且根據(jù)需要安裝到存儲單元213。[0136](制造工藝的流程I)[0137]參考圖11的流程圖，描述圖像拾取元件100的制造工藝流程，其由制造設(shè)備200執(zhí)行。應(yīng)注意，圖11的流程圖中所示的制造工藝的流程應(yīng)用于制造圖1的示例中的圖像拾取元件100的情況。[0138]具體而言，在此情況下，保護(hù)膜形成單元237從濾光片形成單元235獲得一元件，其中彩色濾光片105層疊在硅基板101、遮光膜103和平坦化膜104的疊層上，硅基板101中形成光敏二極管102且設(shè)有在硅基板下的配線層。然后，保護(hù)膜形成單元237在該元件的彩色濾光片105的光入射表面(圖1中的上側(cè))上形成且層疊保護(hù)膜110。接下來，保護(hù)膜形成單元237將設(shè)有保護(hù)膜110的元件供給到聚光透鏡形成單元236。[0139]在開始制造工藝后，在步驟S201中，控制單元201控制光敏二極管形成單元231以在硅基板101中與各像素對應(yīng)地形成光敏二極管102，硅基板101從外面供給。[0140]在步驟S202中，控制單元201控制配線層形成單元232以在其中形成光敏二極管102的硅基板101的與光入射表面相反一側(cè)(圖1中的下側(cè))的表面上形成且層疊配線層(未示出)，配線層包括多層配線，其由諸如銅和鋁的金屬制造。[0141]在步驟S203中，控制單元201控制遮光膜形成單元233以沿著硅基板101的光入射表面(圖1中的上側(cè))上的像素邊緣部分形成遮光膜103。[0142]在步驟S204中，控制單元201控制平坦化膜形成單元234以在硅基板101的光入射表面(圖1中的上側(cè))上從圖1中的上面遮光膜103開始形成且層疊平坦化膜104，遮光膜103也形成在光入射表面上。[0143]在步驟S205中，控制單元201控制濾光片形成單元235以在平坦化膜104的光入射表面(圖1中的上側(cè))上形成且層疊彩色濾光片105。[0144]在步驟S206中，控制單元201控制保護(hù)膜形成單元237以在彩色濾光片105的光入射表面(圖1中的上側(cè))上形成且層疊保護(hù)膜110。[0145]在步驟S207中，控制單元201控制聚光透鏡形成單元236以在保護(hù)膜110的光入射表面(圖1中的上側(cè))上形成聚光透鏡106。[0146]在步驟S207的工藝完成后，設(shè)有聚光透鏡106的元件作為圖像拾取元件100供給到制造設(shè)備200之外。然后，完成了制造工藝。[0147]通過由制造設(shè)備200如上所述執(zhí)行的制造工藝，可獲得應(yīng)用本技術(shù)的圖像拾取元件100(圖1)。具體而言，當(dāng)圖像拾取元件100如上所述制造時，可實現(xiàn)高度減小以及靈敏度和遮蔽特性二者的增強(qiáng)，并且微型透鏡(聚光透鏡106)的每一個可以高精度形成為具有高折射率。另外，彩色濾光片105的光譜變化的產(chǎn)生以及光敏二極管102中暗電流和白斑的產(chǎn)生可得到抑制。因此，圖像拾取元件100能抑制捕獲圖像的質(zhì)量變壞。[0148]應(yīng)注意，保護(hù)膜110可在與圖11的示例不同的時間僅通過執(zhí)行步驟S206的工藝形成在其它位置(在其它層之間)。此外，保護(hù)膜110可在預(yù)定的時間根據(jù)層數(shù)通過僅重復(fù)執(zhí)行步驟S206的工藝而成為多層。[0149]例如，為了制造圖5A的構(gòu)造示例的圖像拾取元件100，保護(hù)膜形成單元237從平坦化膜形成單元234獲得一元件，其中平坦化膜104層疊在硅基板101和遮光膜103的疊層上，硅基板101中形成光敏二極管102且設(shè)有在該硅基板下的配線層。然后，保護(hù)膜形成單元237在元件的平坦化膜104的光入射表面上形成且層疊保護(hù)膜110-2。接下來，保護(hù)膜形成單元237將設(shè)有保護(hù)膜110-2的元件供給到濾光片形成單元235。其后，保護(hù)膜形成單元237從濾光片形成單元235獲得其中彩色濾光片105層疊在硅基板101、遮光膜103、平坦化膜104和保護(hù)膜110-2的疊層上的元件，硅基板101中形成光敏二極管102且設(shè)有在該硅基板下的配線層。然后，保護(hù)膜形成單元237在元件的彩色濾光片105的光入射表面上形成且層疊保護(hù)膜110-1。接下來，保護(hù)膜形成單元237將設(shè)有保護(hù)膜110-1的元件供給到聚光透鏡形成單元236。[0150]換言之，參考圖11的流程圖，保護(hù)膜形成單元237不僅在步驟S204的工藝和步驟S205的工藝之間執(zhí)行步驟S206的工藝以形成保護(hù)膜110-2，而且在步驟S205的工藝和步驟S207的工藝之間執(zhí)行步驟S206的工藝以形成保護(hù)膜110-1。[0151]此外，例如，為了制造圖5B的構(gòu)造示例的圖像拾取元件100，保護(hù)膜形成單元237從遮光膜形成單元233獲得元件，其中遮光膜103層疊在其中形成光敏二極管102且設(shè)有在其下的配線層的硅基板101上。然后，保護(hù)膜形成單元237在元件的硅基板101的光入射表面上形成且層疊保護(hù)膜110-2，遮光膜103也形成在光入射表面上。接下來，保護(hù)膜形成單元237將設(shè)有保護(hù)膜110-2的元件供給平坦化膜形成單元234。其后，保護(hù)膜形成單元237從濾光片形成單元235獲得元件，其中彩色濾光片105層疊在硅基板101、遮光膜103、保護(hù)膜110-2和平坦化膜104的疊層上，硅基板101中形成光敏二極管102且設(shè)有在該硅基板下的配線層。然后，保護(hù)膜形成單元237在元件的彩色濾光片105的光入射表面上形成且層疊保護(hù)膜110-1。接下來，保護(hù)膜形成單元237將設(shè)有保護(hù)膜110-1的元件供給到聚光透鏡形成單元236。[0152]換言之，參考圖11的流程圖，保護(hù)膜形成單元237不僅在步驟S203的工藝和步驟S204的工藝之間執(zhí)行步驟S206的工藝以形成保護(hù)膜110-2，而且在步驟S205的工藝和步驟S207的工藝之間執(zhí)行步驟S206的工藝以形成保護(hù)膜110-1。[0153]再此外，例如，為了制造圖5C的構(gòu)造示例的圖像拾取元件100，保護(hù)膜形成單元237從配線層形成單元232獲得其中配線層形成在其中形成光敏二極管102的硅基板101下的元件。然后，保護(hù)膜形成單元237在元件的硅基板101的光入射表面上形成且層疊保護(hù)膜110-2。接下來，保護(hù)膜形成單元237將設(shè)有保護(hù)膜110-2的元件供給到遮光膜形成單元233。其后，保護(hù)膜形成單元237從濾光片形成單元235獲得元件，其中彩色濾光片105層疊在硅基板101、保護(hù)膜110-2、遮光膜103和平坦化膜104的疊層上，硅基板101中形成光敏二極管102且設(shè)有在該硅基板下的配線層。然后，保護(hù)膜形成單元237在元件的彩色濾光片105的光入射表面上形成且層疊保護(hù)膜110-1。接下來，保護(hù)膜形成單元237將設(shè)有保護(hù)膜110-1的元件供給到聚光透鏡形成單元236。[0154]換言之，參考圖11的流程圖，保護(hù)膜形成單元237不僅在步驟S202的工藝和步驟S203的工藝之間執(zhí)行步驟S206的工藝以形成保護(hù)膜110-2，而且在步驟S205的工藝和步驟S207的工藝之間執(zhí)行步驟S206的工藝以形成保護(hù)膜110-1。[0155]再此外，例如，為了制造圖6A的構(gòu)造示例的圖像拾取元件100，保護(hù)膜形成單元237從遮光膜形成單元233獲得元件，其中遮光膜103層疊在其中形成光敏二極管102且設(shè)有在其下的配線層的硅基板101上。然后，保護(hù)膜形成單元237在元件的硅基板101的光入射表面上形成且層疊保護(hù)膜110-3，遮光膜103也形成在光入射表面上。接下來，保護(hù)膜形成單元237將設(shè)有保護(hù)膜110-3的元件供給到平坦化膜形成單元234。其后，保護(hù)膜形成單元237從平坦化膜形成單元234獲得元件，其中平坦化膜104層疊在硅基板101、遮光膜103和保護(hù)膜110-3的疊層上，硅基板101中形成光敏二極管102且設(shè)有在該硅基板下的配線層。然后，保護(hù)膜形成單元237在元件的平坦化膜104的光入射表面上形成且層疊保護(hù)膜110-2。接下來，保護(hù)膜形成單元237將設(shè)有保護(hù)膜110-2的元件供給到濾光片形成單元235。其后，保護(hù)膜形成單元237從濾光片形成單元235獲得元件，其中彩色濾光片105層疊在硅基板101、遮光膜103、保護(hù)膜110-3、平坦化膜104和保護(hù)膜110-2的疊層上，硅基板101中形成光敏二極管102且設(shè)有在該硅基板下的配線層。然后，保護(hù)膜形成單元237在元件的彩色濾光片105的光入射表面上形成且層疊保護(hù)膜110-1。接下來，保護(hù)膜形成單元237將設(shè)有保護(hù)膜110-1的元件供給到聚光透鏡形成單元236。[0156]換言之，參考圖11的流程圖，保護(hù)膜形成單元237不僅在步驟S203的工藝和步驟S204的工藝之間執(zhí)行步驟S206的工藝以形成保護(hù)膜110-3，而且在步驟S204的工藝和步驟S205的工藝之間執(zhí)行步驟S206的工藝以形成保護(hù)膜110-2，并且在步驟S205的工藝和步驟S207的工藝之間執(zhí)行步驟S206的工藝以形成保護(hù)膜110-1。[0157]再此外，例如，為了制造圖6B的構(gòu)造示例的圖像拾取元件100，保護(hù)膜形成單元237從配線層形成單元232獲得元件，其中配線層形成在其中形成光敏二極管102的硅基板101之下。然后，保護(hù)膜形成單元237在元件的硅基板101的光入射表面上形成且層疊保護(hù)膜110-3。接下來，保護(hù)膜形成單元237將設(shè)有保護(hù)膜110-3的元件供給到遮光膜形成單元233。其后，保護(hù)膜形成單元237從平坦化膜形成單元234獲得元件，其中平坦化膜104層疊在硅基板101、保護(hù)膜110-3和遮光膜103的疊層上，硅基板101中形成光敏二極管102且設(shè)有在該硅基板下的配線層。然后，保護(hù)膜形成單元237在元件的平坦化膜104的光入射表面上形成且層疊保護(hù)膜110-2。接下來，保護(hù)膜形成單元237將設(shè)有保護(hù)膜110-2的元件供給到濾光片形成單元235。其后，保護(hù)膜形成單元237從濾光片形成單元235獲得元件，其中彩色濾光片105層疊在硅基板101、保護(hù)膜110-3、遮光膜103、平坦化膜104和保護(hù)膜110-2的疊層上，硅基板101中形成光敏二極管102且設(shè)有在該硅基板下的配線層。然后，保護(hù)膜形成單元237在元件的彩色濾光片105的光入射表面上形成且層疊保護(hù)膜110-1。接下來，保護(hù)膜形成單元237將設(shè)有保護(hù)膜110-1的元件供給到聚光透鏡形成單元236。[0158]換言之，參考圖11的流程圖，保護(hù)膜形成單元237不僅在步驟S202的工藝和步驟S203的工藝之間執(zhí)行步驟S206的工藝以形成保護(hù)膜110-3，而且在步驟S204的工藝和步驟S205的工藝之間執(zhí)行步驟S206的工藝以形成保護(hù)膜110-2，并且在步驟S205的工藝和步驟S207的工藝之間執(zhí)行步驟S206的工藝以形成保護(hù)膜110-1。[0159]再此外，例如，為了制造圖8A的構(gòu)造示例的圖像拾取元件100，保護(hù)膜形成單元237從平坦化膜形成單元234獲得元件，其中平坦化膜104形成在硅基板101和遮光膜103的疊層上，硅基板101中形成光敏二極管102且設(shè)有在該硅基板下的配線層。然后，保護(hù)膜形成單元237在元件的平坦化膜104的光入射表面上形成且層疊保護(hù)膜110。接下來，保護(hù)膜形成單元237將設(shè)有保護(hù)膜110的元件供給到濾光片形成單元235。[0160]換言之，參考圖11的流程圖，保護(hù)膜形成單元237在步驟S204的工藝和步驟S205的工藝之間執(zhí)行步驟S206的工藝以形成保護(hù)膜110。[0161]再此外，例如，為了制造圖SB的構(gòu)造示例的圖像拾取元件100，保護(hù)膜形成單元237從遮光膜形成單元233獲得元件，其中遮光膜103層疊在其中形成光敏二極管102且設(shè)有在其下的配線層的硅基板101上。然后，保護(hù)膜形成單元237在元件的硅基板101的光入射表面上形成且層疊保護(hù)膜110，遮光膜103也形成在光入射表面上。接下來，保護(hù)膜形成單元237將設(shè)有保護(hù)膜110的元件供給到平坦化膜形成單元234。[0162]換言之，參考圖11的流程圖，保護(hù)膜形成單元237在步驟S203的工藝和步驟S204的工藝之間執(zhí)行步驟S206的工藝以形成保護(hù)膜110。[0163]再此外，例如，為了制造圖SC的構(gòu)造示例的圖像拾取元件100，保護(hù)膜形成單元237從配線層形成單元232獲得元件，其中配線層形成在其中形成光敏二極管102的硅基板101之下。然后，保護(hù)膜形成單元237在元件的硅基板101的光入射表面上形成且層疊保護(hù)膜110。接下來，保護(hù)膜形成單元237將設(shè)有保護(hù)膜110的元件供給到遮光膜形成單元233。[0164]換言之，參考圖11的流程圖，保護(hù)膜形成單元237在步驟S202的工藝和步驟S203的工藝之間執(zhí)行步驟S206的工藝以形成保護(hù)膜110。[0165]再此外，例如，為了制造圖9A的構(gòu)造示例的圖像拾取元件100，保護(hù)膜形成單元237從遮光膜形成單元233獲得元件，其中遮光膜103層疊在其中形成光敏二極管102且設(shè)有在其下的配線層的硅基板101上。然后，保護(hù)膜形成單元237在元件的硅基板101的光入射表面上形成且層疊保護(hù)膜110-2，遮光膜103也形成在光入射表面上。接下來，保護(hù)膜形成單元237將設(shè)有保護(hù)膜110-2的元件供給到平坦化膜形成單元234。其后，保護(hù)膜形成單元237從平坦化膜形成單元234獲得元件，其中平坦化膜104層疊在硅基板101、遮光膜103和保護(hù)膜110-2的疊層上，硅基板101中形成光敏二極管102且設(shè)有在該硅基板下的配線層。然后，保護(hù)膜形成單元237在元件的平坦化膜104的光入射表面上形成且層疊保護(hù)膜110-1。接下來，保護(hù)膜形成單元237將設(shè)有保護(hù)膜110-1的元件供給到濾光片形成單元235。[0166]換言之，參考圖11的流程圖，保護(hù)膜形成單元237不僅在步驟S203的工藝和步驟S204的工藝之間執(zhí)行步驟S206的工藝以形成保護(hù)膜110-2，而且在步驟S204的工藝和步驟S205的工藝之間執(zhí)行步驟S206的工藝以形成保護(hù)膜110-1。[0167]再此外，例如，為了制造圖9B的構(gòu)造示例的圖像拾取元件100，保護(hù)膜形成單元237從配線層形成單元232獲得元件，其中配線層形成在其中形成光敏二極管102的硅基板101之下。然后，保護(hù)膜形成單元237在元件的硅基板101的光入射表面上形成且層疊保護(hù)膜110-2。接下來，保護(hù)膜形成單元237將設(shè)有保護(hù)膜110-2的元件供給到遮光膜形成單元233。其后，保護(hù)膜形成單元237從平坦化膜形成單元234獲得元件，其中平坦化膜104層疊在硅基板101、保護(hù)膜110-2、遮光膜103和平坦化膜104的疊層上，硅基板101中形成光敏二極管102且設(shè)有在該硅基板下的配線層。然后，保護(hù)膜形成單元237在元件的平坦化膜104的光入射表面上形成且層疊保護(hù)膜110-1。接下來，保護(hù)膜形成單元237將設(shè)有保護(hù)膜110-1的元件供給到濾光片形成單元235。[0168]換言之，參考圖11的流程圖，保護(hù)膜形成單元237不僅在步驟S202的工藝和步驟S203的工藝之間執(zhí)行步驟S206的工藝以形成保護(hù)膜110-2，而且在步驟S204的工藝和步驟S205的工藝之間執(zhí)行步驟S206的工藝以形成保護(hù)膜110-1。[0169](制造工藝的流程2)[0170]應(yīng)注意，圖7的示例中的圖像拾取元件100可僅通過彼此并行地執(zhí)行圖11的步驟S205的工藝和步驟S206的工藝而制造。參考圖12的流程圖描述在此情況下制造工藝的流程示例。圖12的流程圖示出了制造圖7的示例中的圖像拾取元件100工藝的流程示例。[0171]具體而言，在此情況下，保護(hù)膜形成單元237從濾光片形成單元235獲得元件，其中彩色濾光片105之一形成在平坦化膜104的光入射表面(圖7A中的上側(cè))上的預(yù)定部分(像素)(例如，彩色濾光片105A形成在圖7A的左像素中)。然后，保護(hù)膜形成單元237從元件的彩色濾光片105A和平坦化膜104的光入射表面?zhèn)?圖7A中的上側(cè))形成且層疊保護(hù)膜110。接下來，保護(hù)膜形成單元237將設(shè)有保護(hù)膜110的元件供給到濾光片形成單元235。濾光片形成單元235在保護(hù)膜110的光入射表面上的預(yù)定部分(像素)上形成且層疊其余的彩色濾光片105(例如，彩色濾光片105B)。[0172]在開始制造工藝后，步驟S221至S224的工藝執(zhí)行為與圖11中的步驟S201至S204類似。因此，光敏二極管102形成在硅基板101中，并且配線層、遮光膜103和平坦化膜104形成。[0173]在步驟S225中，控制單元201控制濾光片形成單元235和保護(hù)膜形成單元237以執(zhí)行濾光片和保護(hù)膜形成工藝。因此，彩色濾光片105和保護(hù)膜110形成且層疊在平坦化膜104的光入射表面(圖7A中的上側(cè))上。[0174]在如圖7A所示形成彩色濾光片105和保護(hù)膜110后，在步驟S226中，控制單元201控制聚光透鏡形成單元236以在彩色濾光片105和保護(hù)膜110的光入射表面(圖7A中的上側(cè))上形成聚光透鏡106。[0175]在完成步驟S226的工藝后，設(shè)有聚光透鏡106的元件作為圖像拾取元件100供給到制造設(shè)備200之外。然后，完成制造工藝。[0176](濾光片和保護(hù)膜形成工藝的流程)[0177]接下來，參考圖13的流程圖，描述要在圖12中的步驟S225中執(zhí)行的濾光片和保護(hù)膜形成工藝的流程示例。應(yīng)注意，圖13的流程圖的流程示出了在形成紅(R)、綠(G)和藍(lán)(B)三色的彩色濾光片作為彩色濾光片105的情況下的工藝。[0178]在開始濾光片和保護(hù)膜形成工藝后，在步驟S241中，濾光片形成單元235在平坦化膜104的光入射表面(圖7A中的上側(cè))上的預(yù)定部分(像素)上形成且層疊藍(lán)色濾光片(在圖7A的示例中，彩色濾光片105A)。[0179]在步驟S242中，保護(hù)膜形成單元237在平坦化膜104的光入射表面(圖7A中的上側(cè))上形成且層疊保護(hù)膜110，藍(lán)色濾光片(彩色濾光片105A)在步驟S241中形成在該平坦化膜104的光入射表面的一部分上(換言之，在平坦化膜104和彩色濾光片105A二者上層疊保護(hù)膜110)。[0180]在步驟S243中，濾光片形成單元235在步驟S242中形成的保護(hù)膜110的光入射表面(圖7A中的上側(cè))上的預(yù)定部分(像素)上形成且層疊綠色濾光片(在圖7A的示例中，彩色濾光片105B)。[0181]在步驟S244中，濾光片形成單元235在步驟S242中形成的保護(hù)膜110的光入射表面(圖7A中的上側(cè))上的另一個預(yù)定部分(像素)上形成且層疊紅色濾光片。[0182]在形成三色的彩色濾光片105和保護(hù)膜110后，完成了濾光片和保護(hù)膜形成工藝。然后，流程進(jìn)行到步驟S226。[0183]通過由制造設(shè)備200如上所述執(zhí)行的工藝，可獲得應(yīng)用本技術(shù)的圖像拾取元件100(圖7A)。具體而言，當(dāng)如上所述制造圖像拾取元件100時，可實現(xiàn)高度減小以及靈敏度和遮蔽特性二者的提高，并且微型透鏡30(聚光透鏡106)的每一個可以高精度形成為具有高折射率。另外，可抑制彩色濾光片105的光譜變化的產(chǎn)生以及光敏二極管102中暗電流和白斑的產(chǎn)生，彩色濾光片105的每一個構(gòu)造為限定預(yù)定的波帶。因此，圖像拾取元件100能抑制捕獲圖像的質(zhì)量變壞。[0184]應(yīng)注意，在圖13的流程圖中，步驟S243的工藝或步驟S244的工藝可首先執(zhí)行。換言之，該工藝可以以任何順序執(zhí)行，只要在步驟S242之前執(zhí)行在保護(hù)膜110的與聚光透鏡106側(cè)相反的一側(cè)上形成被保護(hù)膜110保護(hù)的濾光片的工藝，并且形成沒有被保護(hù)膜110保護(hù)的濾光片的工藝在步驟S242后執(zhí)打。[0185]因此，例如，為了保護(hù)綠色濾光片(彩色濾光片105B)，步驟S243的工藝在步驟S242的工藝前執(zhí)行，并且步驟S241的工藝和步驟S244的工藝在步驟S242的工藝后執(zhí)行。此外，例如，為了保護(hù)紅色濾光片，步驟S244的工藝在步驟S242的工藝前執(zhí)行，并且步驟S241的工藝和步驟S243的工藝在步驟S242的工藝后執(zhí)行。這同樣應(yīng)用于彩色濾光片105的顏色用于其它組合的情況，并且也應(yīng)用于濾光片形成單元235形成彩色濾光片105之外濾光片的情況。[0186]另外，與圖7B和7C的示例一樣，為了在圖7A的保護(hù)膜110之外的位置形成附加保護(hù)膜，除了圖12的各步驟的工藝外，在預(yù)定的時間執(zhí)行圖11的步驟S206的工藝。[0187]具體而言，為了制造圖7B的構(gòu)造示例的圖像拾取元件100，保護(hù)膜形成單元237從遮光膜形成單元233獲得元件，其中遮光膜103層疊在其中形成光敏二極管102且設(shè)有在其下的配線層的硅基板101上。然后，保護(hù)膜形成單元237在元件的硅基板101的光入射表面上形成且層疊保護(hù)膜110-2，遮光膜103也形成在光入射表面上。接下來，保護(hù)膜形成單元237將設(shè)有保護(hù)膜110-2的元件供給到平坦化膜形成單元234。其后，保護(hù)膜形成單元237從濾光片形成單元235獲得元件，其中彩色濾光片105之一形成在平坦化膜104的光入射表面上的預(yù)定部分(像素)(例如，形成彩色濾光片105A)。然后，保護(hù)膜形成單元237在元件上形成且層疊保護(hù)膜110-1，具體而言，在彩色濾光片105(彩色濾光片105A)和平坦化膜104的光入射表面(圖7B中的上側(cè))上。接下來，保護(hù)膜形成單元237將設(shè)有保護(hù)膜110-1的元件供給到濾光片形成單元235。濾光片形成單元235在保護(hù)膜110的光入射表面上的預(yù)定部分(像素)上形成且層疊其余的彩色濾光片105(例如，彩色濾光片105B)。[0188]換言之，參考圖12的流程圖，保護(hù)膜形成單元237在步驟S223的工藝和步驟S224的工藝之間執(zhí)行圖11的步驟S206的工藝以形成保護(hù)膜110-2，并且執(zhí)行步驟S225的濾光片和保護(hù)膜形成工藝以形成保護(hù)膜110-1。[0189]此外，具體而言，為了制造圖7C的構(gòu)造示例的圖像拾取元件100，保護(hù)膜形成單元237從配線層形成單元232獲得元件，其中配線層形成在其中形成光敏二極管102的硅基板101之下。然后，保護(hù)膜形成單元237在元件的硅基板101的光入射表面上形成且層疊保護(hù)膜110-2。接下來，保護(hù)膜形成單元237將設(shè)有保護(hù)膜110-2的元件供給到遮光膜形成單元233。其后，保護(hù)膜形成單元237從濾光片形成單元235獲得元件，其中彩色濾光片105之一形成在平坦化膜104的光入射表面上的預(yù)定部分(像素)(例如，形成彩色濾光片105A)。然后，保護(hù)膜形成單元237在元件上形成且層疊保護(hù)膜110-1，具體而言，在彩色濾光片105(彩色濾光片105A)和平坦化膜104的光入射表面(圖7C中的上側(cè))上。接下來，保護(hù)膜形成單元237將設(shè)有保護(hù)膜110-1的元件供給到濾光片形成單元235。濾光片形成單元235在保護(hù)膜110的光入射表面上的預(yù)定部分(像素)上形成且層疊其余的彩色濾光片105(例如，彩色濾光片105B)。[0190]換言之，參考圖12的流程圖，保護(hù)膜形成單元237在步驟S222的工藝和步驟S223的工藝之間執(zhí)行圖11的步驟S206的工藝以形成保護(hù)膜110-2，并且執(zhí)行步驟S225的濾光片和保護(hù)膜形成工藝以形成保護(hù)膜110-1。[0191](3.第三實施例)[0192](成像設(shè)備)[0193]利用本技術(shù)如上面所述制造的圖像拾取元件100(成像傳感器)可應(yīng)用于諸如成像設(shè)備的裝置。換言之，本技術(shù)不僅可實施為圖像拾取元件，而且可實施為采用圖像拾取元件的裝置(例如，成像設(shè)備)。[0194]圖14是示出成像設(shè)備的主要構(gòu)造示例的框圖。圖14所示的成像設(shè)備600是構(gòu)造為成像照相物體且輸出照相物體的圖像作為電信號的設(shè)備。[0195]如圖14所示，成像設(shè)備600包括光學(xué)單元611、01?5傳感器6124/1)轉(zhuǎn)換器613、操作單元614、控制單元615、圖像處理單元616、顯示單元617、編解碼器處理單元(codecprocessingunit)618和記錄單兀619。[0196]光學(xué)單元611包括鏡頭、光闌和快門，鏡頭構(gòu)造為相對于照相物體調(diào)整焦點且從焦點位置聚集光束，光闌構(gòu)造為調(diào)整曝光，快門構(gòu)造為控制圖像捕獲時間。光學(xué)單元611構(gòu)造為通過其將光(入射光)從照相物體傳到CMOS傳感器612。[0197]CMOS傳感器612構(gòu)造為將入射光光電轉(zhuǎn)換成每個像素的信號(像素信號)，并且傳輸該信號到A/D轉(zhuǎn)換器613。[0198]A/D轉(zhuǎn)換器613構(gòu)造為將在預(yù)定時間從CMOS傳感器612提供的像素信號轉(zhuǎn)換成數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)項(圖像數(shù)據(jù)項)，并且在預(yù)定的時間順序提供該數(shù)據(jù)項到圖像處理單元616。[0199]操作單元614的示例包括緩動盤(jogdial，商標(biāo))、鍵、按鈕和觸摸屏。操作單元614構(gòu)造為接收使用者的輸入，并且傳輸與操作輸入對應(yīng)的信號到控制單元615。[0200]控制單元615構(gòu)造為響應(yīng)于與由使用者通過操作單元614輸入的操作對應(yīng)的信號而驅(qū)動且控制光學(xué)單元611、CM0S傳感器612、A/D轉(zhuǎn)換器613、圖像處理單元616、顯示單元617、編解碼器處理單元618和記錄單元619，以使這些單元執(zhí)行成像處理。[0201]圖像處理單元616構(gòu)造為對從A/D轉(zhuǎn)換器613提供的圖像數(shù)據(jù)項執(zhí)行各種圖像處理，例如顏色混合校正、黑電平校正(blacklevelcorrect1n)、白色平衡調(diào)整、去馬賽克處理(demosaicprocess)、矩陣處理、伽馬校正、YC轉(zhuǎn)換。圖像處理單兀616還構(gòu)造為將經(jīng)受圖像處理的圖像數(shù)據(jù)項提供到顯示單元617和編解碼器處理單元618。[0202]顯示單元617的示例包括液晶顯示器。顯示單元617構(gòu)造為基于從圖像處理單元616提供的圖像數(shù)據(jù)項顯示照相物體的圖像。[0203]編解碼器處理單元618構(gòu)造為根據(jù)預(yù)定方法對圖像處理單元616提供的圖像數(shù)據(jù)項執(zhí)行編碼處理，并且提供如此獲得的編碼數(shù)據(jù)項到記錄單元619。[0204]記錄單元619構(gòu)造為記錄來自編解碼器處理單元618的編碼數(shù)據(jù)項。記錄單元619中記錄的編碼數(shù)據(jù)項根據(jù)需要由圖像處理單元616讀取且解碼。通過解碼處理獲得的圖像數(shù)據(jù)項提供到顯示單元617，并且顯示與其對應(yīng)的圖像。[0205]上面描述的本技術(shù)應(yīng)用于上述成像設(shè)備600的CMOS傳感器612。換言之，應(yīng)用本技術(shù)的圖像拾取元件100用作CMOS傳感器612。具體而言，CMOS傳感器612包括聚光透鏡和保護(hù)膜，聚光透鏡的每一個由包含微金屬粒子的樹脂制造，保護(hù)膜由硅化合物制造且形成在聚光透鏡和濾光片或光敏二極管之間。因此，可實現(xiàn)高度減小以及靈敏度和遮蔽特性二者的提高，并且微型透鏡(聚光透鏡106)的每一個可以高精度形成為具有高折射率。另夕卜，可抑制彩色濾光片105的光譜變化的產(chǎn)生以及光敏二極管102中暗電流和白斑的產(chǎn)生。因此，CMOS傳感器612能夠抑制捕獲圖像的質(zhì)量上的變壞。結(jié)果，照相物體的圖像用成像設(shè)備600以較高質(zhì)量捕獲。[0206]應(yīng)注意，應(yīng)用本技術(shù)的成像設(shè)備不限于上面描述的構(gòu)造，而是可采用其它構(gòu)造。例如，成像設(shè)備不僅可應(yīng)用于數(shù)字相機(jī)和數(shù)字便攜式攝像機(jī)，而且可應(yīng)用于具有成像功能的信息處理設(shè)備，例如，移動電話、智能電話、平板裝置(tabletdevice)和個人計算機(jī)。此外，成像設(shè)備可應(yīng)用于照相機(jī)模塊，以通過安裝到其它信息處理設(shè)備而得到使用(或者結(jié)合于此作為內(nèi)置裝置)。[0207]應(yīng)注意，該說明書中的“系統(tǒng)”是指包括多個裝置(設(shè)備)的整個設(shè)備。[0208]此外，在上文描述為單一設(shè)備(或處理單元)的構(gòu)造可分成多個設(shè)備(或處理單元)。相反，在上文描述為多個設(shè)備(或處理單元)的構(gòu)造可集成為單一設(shè)備(或處理單元)。再此外，自然，在上文描述之外的構(gòu)造可加到該設(shè)備(或處理單元)的構(gòu)造。再此外，只要整個系統(tǒng)的構(gòu)造和操作基本上沒有變化，一定設(shè)備(或處理單元)的構(gòu)造的一部分可結(jié)合在另一個設(shè)備(或另一個處理單元)的構(gòu)造中。換言之，本技術(shù)的實施例不限于在上文描述的實施例，并且在不脫離本技術(shù)要旨的情況下可進(jìn)行各種修改。[0209]本技術(shù)可包括下面的構(gòu)造。[0210](I)一種圖像拾取元件，包括:[0211]聚光透鏡，由包含微金屬粒子的樹脂制造；[0212]光電轉(zhuǎn)換兀件，形成在娃基板中且每一個構(gòu)造為光電轉(zhuǎn)換入射光，該入射光從外面通過該聚光透鏡中對應(yīng)的一個進(jìn)入；以及[0213]保護(hù)膜，由硅化合物制造，該保護(hù)膜形成在該聚光透鏡和該硅基板之間。[0214](2)根據(jù)項(I)和項(3)至(27)中任何一個的圖像拾取元件，其中，該保護(hù)膜至少在該聚光透鏡側(cè)上具有非平面表面。[0215](3)根據(jù)項⑴和⑵以及項(4)至(27)中任何一個的圖像拾取元件，其中，該硅化合物包括二氧化硅(Si02)、氮氧化硅(S1N)和氮化硅(SiN)的任何一個。[0216](4)根據(jù)項⑴至⑶以及項(5)至(27)中任何一個的圖像拾取元件，其中，該保護(hù)膜具有20nm或更大的厚度。[0217](5)根據(jù)項(I)至(4)以及項(6)至(27)中任何一個的圖像拾取元件，還包括光學(xué)濾光片，該光學(xué)濾光片的每一個形成在該聚光透鏡中對應(yīng)的一個和該硅基板之間，并且每一個構(gòu)造為限制要通過其透射的入射光的波長帶，其中，[0218]該保護(hù)膜形成在該聚光透鏡和該光學(xué)濾光片之間。[0219](6)根據(jù)項⑴至(5)以及項(7)至(27)中任何一個的圖像拾取元件，其中，該光學(xué)濾光片至少包括包含二氧六環(huán)顏料的彩色濾光片。[0220](7)根據(jù)項⑴至(6)以及項⑶至(27)中任何一個的圖像拾取元件，其中，包含該二氧六環(huán)顏料的該彩色濾光片包括藍(lán)色濾光片。[0221](8)根據(jù)項(I)至(7)以及項(9)至(27)中任何一個的圖像拾取元件，還包括形成在該光學(xué)濾光片和該硅基板之間的平坦化膜，其中，[0222]該保護(hù)膜包括形成在該光學(xué)濾光片和該平坦化膜之間的另一個保護(hù)膜。[0223](9)根據(jù)項⑴至⑶以及項(10)至(27)中任何一個的圖像拾取元件，其中，該保護(hù)膜包括形成在該平坦化膜和該硅基板之間的再一個保護(hù)膜。[0224](10)根據(jù)項⑴至(9)以及項(11)至(27)中任何一個的圖像拾取元件，還包括遮光膜，其沿著該平坦化膜和該硅基板之間的像素邊緣部分形成且構(gòu)造為抑制該入射光進(jìn)入相鄰像素，其中，[0225]形成在該平坦化膜和該硅基板之間的該再一個保護(hù)膜形成在該平坦化膜與該遮光膜和該娃基板的疊層之間。[0226](11)根據(jù)項⑴至(10)以及項(12)至(27)中任何一個的圖像拾取元件，還包括形成在該光學(xué)濾光片和該硅基板之間的平坦化膜，其中，[0227]該保護(hù)膜包括形成在該平坦化膜和該硅基板之間的另一個保護(hù)膜。[0228](12)根據(jù)項⑴至(11)以及項(13)至(27)中任何一個的圖像拾取元件，還包括遮光膜，其沿著該平坦化膜和該硅基板之間的像素邊緣部分形成且構(gòu)造為抑制該入射光進(jìn)入相鄰像素，其中，[0229]該平坦化膜和該硅基板之間形成的其它保護(hù)膜形成在該平坦化膜與該遮光膜和該娃基板的置層之間。[0230](13)根據(jù)項⑴至(12)以及項(14)至(27)中任何一個的圖像拾取元件，還包括:[0231]光學(xué)濾光片，該光學(xué)濾光片的每一個形成在該聚光透鏡中對應(yīng)的一個和該硅基板之間，并且每一個構(gòu)造為限制要通過其透射的入射光的波長帶；以及[0232]平坦化膜，形成在該聚光透鏡和該硅基板之間，其中，[0233]該保護(hù)膜形成為延伸在該光學(xué)濾光片和該聚光透鏡中對應(yīng)的一個之間、在該光學(xué)濾光片之一和該光學(xué)濾光片的另一個之間、以及在其它光學(xué)濾光片和該平坦化膜之間。[0234](14)根據(jù)項⑴至(13)以及項(15)至(27)中任何一個的圖像拾取元件，其中，該光學(xué)濾光片之一至少包括包含二氧六環(huán)顏料的彩色濾光片。[0235](15)根據(jù)項⑴至(14)以及項(16)至(27)中任何一個的圖像拾取元件，其中，包含該二氧六環(huán)顏料的該彩色濾光片包括藍(lán)色濾光片。[0236](16)根據(jù)項⑴至(15)以及項(17)至(27)中任何一個的圖像拾取元件，其中，該保護(hù)膜包括該平坦化膜和該硅基板之間形成的另一個保護(hù)膜。[0237](17)根據(jù)項⑴至(16)以及項(18)至(27)中任何一個的圖像拾取元件，還包括遮光膜，其沿著該平坦化膜和該硅基板之間的像素邊緣部分形成且構(gòu)造為抑制該入射光進(jìn)入相鄰像素，其中，[0238]該平坦化膜和該硅基板之間形成的其它保護(hù)膜形成在該平坦化膜與該遮光膜和該娃基板的置層之間。[0239](18)根據(jù)項⑴至(17)以及項(19)至(27)中任何一個的圖像拾取元件，還包括:[0240]光學(xué)濾光片，該光學(xué)濾光片的每一個形成在該聚光透鏡中對應(yīng)的一個和該硅基板之間，并且每一個構(gòu)造為限制要通過其透射的入射光的波長帶；以及[0241]平坦化膜，形成在該聚光透鏡和該硅基板之間，其中，[0242]該保護(hù)膜形成在該光學(xué)濾光片和該平坦化膜之間。[0243](19)根據(jù)項⑴至(18)以及項(20)至(27)中任何一個的圖像拾取元件，其中，該保護(hù)膜包括形成在該平坦化膜和該硅基板之間的另一個保護(hù)膜。[0244](20)根據(jù)項(I)至(19)以及項(21)至(27)中任何一個的圖像拾取元件，還包括遮光膜，其沿著該平坦化膜和該硅基板之間的像素邊緣部分形成且構(gòu)造為抑制該入射光進(jìn)入相鄰像素，其中，[0245]該平坦化膜和該硅基板之間形成的其它保護(hù)膜形成在該平坦化膜與該遮光膜和該娃基板的置層之間。[0246](21)根據(jù)項(I)至(20)以及項(22)至(27)中任何一個的圖像拾取元件，還包括:[0247]光學(xué)濾光片，該光學(xué)濾光片的每一個形成在該聚光透鏡中對應(yīng)的一個和該硅基板之間，并且每一個構(gòu)造為限制要通過其透射的入射光的波長帶；以及[0248]平坦化膜，形成在該聚光透鏡和該硅基板之間，其中，[0249]該保護(hù)膜形成在該平坦化膜和該硅基板之間。[0250](22)根據(jù)項(I)至(21)以及項(23)至(27)中任何一個的圖像拾取元件，還包括遮光膜，其沿著該平坦化膜和該硅基板之間的像素邊緣部分形成且構(gòu)造為抑制該入射光進(jìn)入相鄰像素，其中，[0251]該平坦化膜和該硅基板之間形成的該保護(hù)膜形成在該平坦化膜與該遮光膜和該娃基板的置層之間。[0252](23)根據(jù)項⑴至(22)以及項(24)至(27)中任何一個的圖像拾取元件，其中，包含微金屬粒子的樹脂通過將金屬化合物的粒子加到共聚物樹脂且在該共聚物樹脂中分散所加入的該金屬化合物粒子而獲得。[0253](24)根據(jù)項⑴至(23)以及項(25)至(27)中任何一個的圖像拾取元件，其中，該共聚物樹脂包括丙烯酸樹脂、聚苯乙烯樹脂和硅烷樹脂的任何一個。[0254](25)根據(jù)項⑴至(24)以及項(26)和(27)中任何一個的圖像拾取元件，其中，該金屬化合物包括鈦(Ti)、鎂(Mg)、鋁(Al)和鋅(Zn)的任何一個。[0255](26)根據(jù)項⑴至(25)以及項(27)中任何一個的圖像拾取元件，其中，該包含微金屬粒子的樹脂的折射率在500nm波長下在1.6至2.0的范圍內(nèi)。[0256](27)根據(jù)項(I)至(26)中任何一個的圖像拾取元件，其中，該包含微金屬粒子的樹脂的透射比在400nm至700nm的波長帶上為90%或更大。[0257](28)—種成像設(shè)備，包括:[0258]圖像拾取元件，包括[0259]聚光透鏡，由包含微金屬粒子的樹脂制造，[0260]光電轉(zhuǎn)換兀件,形成在娃基板中，并且該光電轉(zhuǎn)換兀件的每一個構(gòu)造為光電轉(zhuǎn)換從外面通過該聚光透鏡中對應(yīng)的一個進(jìn)入的入射光，以及[0261]保護(hù)膜，由硅化合物制造，該保護(hù)膜形成在該聚光透鏡和該硅基板之間；以及[0262]圖像處理單元，構(gòu)造為在通過該圖像拾取元件捕獲的圖像數(shù)據(jù)項上執(zhí)行圖像處理。[0263](29)一種構(gòu)造為制造圖像拾取元件的制造設(shè)備，該制造設(shè)備包括:[0264]光電轉(zhuǎn)換元件形成單元，構(gòu)造為在硅基板中形成光電轉(zhuǎn)換元件，該光電轉(zhuǎn)換元件構(gòu)造為光電轉(zhuǎn)換入射光；[0265]保護(hù)膜形成單元，構(gòu)造為在該硅基板的入射側(cè)上形成由硅化合物制造的保護(hù)膜，在該硅基板中該光電轉(zhuǎn)換元件由該光電轉(zhuǎn)換元件形成單元形成，該入射光進(jìn)入該硅基板的該入射側(cè)；以及[0266]聚光透鏡形成單元，構(gòu)造為在由保護(hù)膜形成單元形成的保護(hù)膜的與該硅基板側(cè)相反的一側(cè)上形成聚光透鏡，該聚光透鏡的每一個由包含微金屬粒子的樹脂制造，該聚光透鏡構(gòu)造為聚集該入射光。[0267](30)一種構(gòu)造為制造圖像拾取元件的制造設(shè)備的制造方法，該制造方法包括:[0268]在硅基板中形成構(gòu)造為光電轉(zhuǎn)換入射光的光電轉(zhuǎn)換元件；[0269]在其中形成該光電轉(zhuǎn)換元件的該硅基板的入射側(cè)上形成由硅化合物制造的保護(hù)膜，該入射光進(jìn)入該硅基板的該入射側(cè)；以及[0270]在該保護(hù)膜的與該硅基板側(cè)相反的一側(cè)上形成聚光透鏡，該聚光透鏡的每一個由包含微金屬粒子的樹脂制造，該聚光透鏡構(gòu)造為聚集該入射光。[0271]本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解的是，在所附權(quán)利要求或其等同物的范圍內(nèi)，根據(jù)設(shè)計需要和其他因素，可以進(jìn)行各種修改、結(jié)合、部分結(jié)合和替換。[0272]本申請要求2013年7月31提交的日本優(yōu)先權(quán)專利申請JP2013-158558的權(quán)益，其全部內(nèi)容通過引用結(jié)合于此。【權(quán)利要求】1.一種圖像拾取元件,包括:聚光透鏡，由包含微金屬粒子的樹脂制造；光電轉(zhuǎn)換兀件，形成在娃基板中且每一個構(gòu)造為對入射光進(jìn)行光電轉(zhuǎn)換，該入射光從外面通過該聚光透鏡中對應(yīng)的一個進(jìn)入；以及保護(hù)膜，由硅化合物制造，該保護(hù)膜形成在該聚光透鏡和該硅基板之間。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖像拾取元件，其中，該保護(hù)膜至少在該聚光透鏡側(cè)具有非平面表面。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖像拾取元件，其中，該硅化合物包括二氧化硅、氮氧化硅和氮化硅中的任何一個。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的圖像拾取元件，其中，該保護(hù)膜具有20nm或更大的膜厚度。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖像拾取元件，還包括光學(xué)濾光片，該光學(xué)濾光片中的每一個形成在該聚光透鏡中對應(yīng)的一個和該硅基板之間且每一個構(gòu)造為限制要通過其透射的入射光的波長帶，其中，該保護(hù)膜形成在該聚光透鏡和該光學(xué)濾光片之間。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的圖像拾取元件，其中，該光學(xué)濾光片至少包括包含二氧六環(huán)顏料的彩色濾光片。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的圖像拾取元件，其中，包含該二氧六環(huán)顏料的該彩色濾光片包括藍(lán)色濾光片。8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的圖像拾取元件，還包括形成在該光學(xué)濾光片和該硅基板之間的平坦化膜，其中，該保護(hù)膜包括形成在該光學(xué)濾光片和該平坦化膜之間的另一個保護(hù)膜。9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的圖像拾取元件，其中，該保護(hù)膜包括形成在該平坦化膜和該硅基板之間的再一個保護(hù)膜。10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的圖像拾取元件，還包括遮光膜，該遮光膜沿著該平坦化膜和該硅基板之間的像素邊緣部分形成，并且構(gòu)造為抑制該入射光進(jìn)入相鄰像素，其中，形成在該平坦化膜和該硅基板之間的該再一個保護(hù)膜形成在該平坦化膜與該遮光膜和該娃基板的置層之間。11.根據(jù)權(quán)利要求5所述的圖像拾取元件，還包括形成在該光學(xué)濾光片和該硅基板之間的平坦化膜，其中，該保護(hù)膜包括形成在該平坦化膜和該硅基板之間的另一個保護(hù)膜。12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的圖像拾取元件，還包括遮光膜，該遮光膜沿著該平坦化膜和該硅基板之間的像素邊緣部分形成，并且構(gòu)造為抑制該入射光進(jìn)入相鄰像素，其中，該平坦化膜和該硅基板之間形成的該另一個保護(hù)膜形成在該平坦化膜與該遮光膜和該娃基板的置層之間。13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖像拾取元件，還包括:光學(xué)濾光片，該光學(xué)濾光片中的每一個形成在該聚光透鏡中對應(yīng)的一個和該硅基板之間，并且每一個構(gòu)造為限制要通過其透射的入射光的波長帶；以及平坦化膜，形成在該聚光透鏡和該硅基板之間，其中，該保護(hù)膜形成為延伸在該光學(xué)濾光片之一和該聚光透鏡中對應(yīng)的一個之間、在該光學(xué)濾光片之一和該光學(xué)濾光片中的另一個之間、以及其它光學(xué)濾光片和該平坦化膜之間。14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的圖像拾取元件，其中，該保護(hù)膜包括形成在該平坦化膜和該硅基板之間的另一個保護(hù)膜。15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖像拾取元件，還包括:光學(xué)濾光片，該光學(xué)濾光片中的每一個形成在該聚光透鏡中對應(yīng)的一個和該硅基板之間，并且每一個構(gòu)造為限制要通過其透射的入射光的波長帶；以及平坦化膜，形成在該聚光透鏡和該硅基板之間，其中，該保護(hù)膜形成在該光學(xué)濾光片和該平坦化膜之間。16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的圖像拾取元件，其中，該保護(hù)膜包括形成在該平坦化膜和該硅基板之間的另一個保護(hù)膜。17.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖像拾取元件，還包括:光學(xué)濾光片，該光學(xué)濾光片中的每一個形成在該聚光透鏡中對應(yīng)的一個和該硅基板之間，并且每一個構(gòu)造為限制要通過其透射的入射光的波長帶；以及平坦化膜，形成在該聚光透鏡和該硅基板之間，其中，該保護(hù)膜形成在該平坦化膜和該硅基板之間。18.—種成像設(shè)備，包括:圖像拾取元件，包括:聚光透鏡，由包含微金屬粒子的樹脂制造，光電轉(zhuǎn)換元件，形成在硅基板中且每一個構(gòu)造為對從外面通過該聚光透鏡中對應(yīng)的一個進(jìn)入的入射光進(jìn)行光電轉(zhuǎn)換，以及保護(hù)膜，由硅化合物制造，該保護(hù)膜形成在該聚光透鏡和該硅基板之間；以及圖像處理單元，構(gòu)造為對通過該圖像拾取元件捕獲的圖像數(shù)據(jù)項執(zhí)行圖像處理。19.一種構(gòu)造為制造圖像拾取兀件的制造設(shè)備，該制造設(shè)備包括:光電轉(zhuǎn)換元件形成單元，構(gòu)造為在娃基板中形成光電轉(zhuǎn)換元件，該光電轉(zhuǎn)換元件構(gòu)造為對入射光進(jìn)行光電轉(zhuǎn)換；保護(hù)膜形成單元，構(gòu)造為在該硅基板的入射側(cè)上形成由硅化合物制造的保護(hù)膜，在該硅基板中，該光電轉(zhuǎn)換元件由該光電轉(zhuǎn)換元件形成單元形成，該入射光進(jìn)入該硅基板的該入射側(cè)；以及聚光透鏡形成單元，構(gòu)造為在由該保護(hù)膜形成單元形成的保護(hù)膜的與該硅基板側(cè)相反的一側(cè)上形成聚光透鏡，該聚光透鏡的每一個由包含微金屬粒子的樹脂制造，該聚光透鏡構(gòu)造為聚集該入射光。20.一種構(gòu)造為制造圖像拾取元件的制造設(shè)備的制造方法，該制造方法包括:在娃基板中形成構(gòu)造為對入射光進(jìn)行光電轉(zhuǎn)換的光電轉(zhuǎn)換兀件；在形成有該光電轉(zhuǎn)換元件的該硅基板的入射側(cè)上形成由硅化合物制造的保護(hù)膜，該入射光進(jìn)入該硅基板的該入射側(cè)；以及在該保護(hù)膜的與該硅基板側(cè)相反的一側(cè)上形成聚光透鏡，該聚光透鏡的每一個由包含微金屬粒子的樹脂制造，該聚光透鏡構(gòu)造為聚集該入射光?！疚臋n編號】H01L27/146GK104347659SQ201410356266【公開日】2015年2月11日申請日期:2014年7月24日優(yōu)先權(quán)日:2013年7月31日【發(fā)明者】中食慎太郎,狹山征博,東宮祥哲,堂福忠幸,神脅豐美申請人:索尼公司