薄膜晶體管、其制造方法及制造平板顯示器背板的方法
【專利摘要】提供了薄膜晶體管(TFT)、其制造方法以及制造平板顯示器(FPD)背板的方法。本發(fā)明實施方案的制造TFT的方法包括：在襯底上形成柵電極；在所述襯底上形成絕緣層以覆蓋所述柵電極；使用鹵素氣體，對所述絕緣層的上表面進行等離子處理；在所述絕緣層上形成氧化物半導(dǎo)體層并定位為與所述柵極對應(yīng)；以及在所述絕緣層上和部分所述氧化物半導(dǎo)體層之上形成源極和漏極。
【專利說明】薄膜晶體管、其制造方法及制造平板顯示器背板的方法
[0001]相關(guān)申請
[0002]本申請要求于2013年7月26日向韓國知識產(chǎn)權(quán)局提交的第10-2013-0088971號韓國專利申請的權(quán)益，其公開的內(nèi)容通過援引的方式整體并入本文。
[0003]背景
[0004]1.領(lǐng)域
[0005]本發(fā)明的一個或多個實施方案大體上涉及平板顯示器。更具體地，一個或多個實施方案涉及薄膜晶體管、其制造方法及制造平板顯示器背板的方法。
[0006]2.相關(guān)技術(shù)描述
[0007]近些年，隨著對信息顯示器的關(guān)注和對便攜式信息媒體的需求增加，研究和商業(yè)化已集中在輕薄的平板顯示器(FPD)，其正替代陰極射線管(CRT)作為廣泛接受的顯示裝置。
[0008]因為有機發(fā)光顯示器(OLED)JP FPD的一種類型，是自發(fā)射型FPD，因此與液晶顯示器(IXD)相比，OLED趨于具有良好的視角和對比度。此外，OLED不需要背光，因此與IXD相比，可為輕薄的。OLED還在功耗方面是有利的。此外，OLED的優(yōu)勢在于它們可以由直流低壓驅(qū)動，并具有高響應(yīng)率。OLED還在制造成本方面是有利的。
[0009]最近的工作已集中于擴大OLED的顯示面積。對此，必須開發(fā)作為OLED驅(qū)動晶體管的具有恒定電流特性的薄膜晶體管(TFT)，以確保穩(wěn)定的運行和耐久性。氧化物半導(dǎo)體與硅半導(dǎo)體相比具有更高的遷移率，因此使用氧化物半導(dǎo)體的TFT得到越來越多的應(yīng)用。
[0010]概述
[0011]本發(fā)明的一個或多個方面提供了包括氧化物半導(dǎo)體的薄膜晶體管及其制造方法。
[0012]在下面說明書中部分示出其他方面，并且在某種程度上，其依據(jù)說明書而變得顯而易見，或可以由所提供的實施方案的實踐而獲悉。
[0013]根據(jù)本發(fā)明的一個或多個實施方案，制造薄膜晶體管(TFT)的方法包括:在襯底上形成柵電極；在所述襯底上形成絕緣層以覆蓋所述柵電極；對所述絕緣層的上表面進行等離子處理，所述等離子處理使用鹵素氣體；在所述絕緣層上形成氧化物半導(dǎo)體層并定位為與所述柵極對應(yīng)；以及在所述第一絕緣層上和部分所述氧化物半導(dǎo)體層之上形成源極和漏極。
[0014]所述鹵素氣體可以包括氮氟化物(NF3)。
[0015]所述絕緣層可以包括高介電氧化物膜。
[0016]所述絕緣層可以包括鉿氧化物(HfOx)。
[0017]所述形成絕緣層可以包括通過溶膠-凝膠法形成第一絕緣層。
[0018]所述形成絕緣層可以還包括使用包含溶解于包括乙腈和乙二醇至少之一的溶劑中的鉿氯化物(HfCl4)的溶液進行所述溶膠-凝膠法。
[0019]所述方法可以還包括退火所述絕緣層。
[0020]所述氧化物半導(dǎo)體層可以包括無定形金屬氧化物。
[0021 ] 所述氧化物半導(dǎo)體層可以包括鋅錫氧化物(ZTO)。
[0022]所述形成氧化物半導(dǎo)體層可以包括通過旋涂或噴墨印刷來形成所述氧化物半導(dǎo)體層。
[0023]根據(jù)本發(fā)明的一個或多個實施方案，薄膜晶體管(TFT)包括:襯底；布置在所述襯底上的柵極；布置在所述襯底上以覆蓋所述柵極的絕緣層，所述絕緣層具有使用齒素氣體進行等離子處理的上表面；布置在所述絕緣層上并定位為與所述柵極對應(yīng)的氧化物半導(dǎo)體層；以及布置在所述絕緣層上和部分所述氧化物半導(dǎo)體層之上的源極和漏極。
[0024]所述鹵素氣體可以包括氮氟化物(NF3)。
[0025]所述絕緣層可以包括高介電氧化物膜。
[0026]所述絕緣層可以包括鉿氧化物(HfOx)。
[0027]所述氧化物半導(dǎo)體層可以包括無定形金屬氧化物。
[0028]所述氧化物半導(dǎo)體層可以包括鋅錫氧化物(ZTO)。
[0029]根據(jù)本發(fā)明的一個或多個實施方案，制造平板顯示器(FPD)背板的方法包括:在襯底上形成柵極；在所述襯底上形成第一絕緣層以覆蓋所述柵極；對所述第一絕緣層的上表面進行等離子處理，所述等離子處理使用齒素氣體；在所述第一絕緣層上形成氧化物半導(dǎo)體層并定位為與所述柵極對應(yīng)；在所述第一絕緣層上和部分所述氧化物半導(dǎo)體層之上形成源極和漏極；在所述第一絕緣層上形成第二絕緣層以覆蓋所述半導(dǎo)體層及所述源極和漏極，所述第二絕緣層包括暴露所述源極和漏極的第一孔；以及在所述第二絕緣層上和所述第一孔內(nèi)形成像素電極。
[0030]附圖簡述
[0031]從以下實施方案的描述連同附圖，這些和/或其他方面會變得顯而易見且更容易理解，其中:
[0032]圖1為示出本發(fā)明實施方案的氧化物薄膜晶體管(TFT)的橫截面示意圖；
[0033]圖2為示出本發(fā)明實施方案的平板顯示器(FPD)背板的橫截面示意圖；
[0034]圖3至8為示出本發(fā)明實施方案的氧化物TFT的制造方法的橫截面示意圖；
[0035]圖9和10為示出鋅(Zn)的濺射深度譜的圖；以及
[0036]圖11和12為示出該氧化物TFT的電壓-電流特性的圖。
[0037]各個圖不必成比例。
[0038]詳細描述
[0039]現(xiàn)詳細參考實施方案，所述實施方案的實例在附圖中例示，其中相同的符號在全文指代相同的部件。對此，本文實施方案可以具有不同的形式且不應(yīng)解釋為受限于本文所示的描述。因此，參考附圖，僅通過以下描述實施方案來解釋本發(fā)明的方面。如本文所用，術(shù)語“和/或”包括相關(guān)列出項中的一個或多個項的任一及所有組合。諸如“至少一個”的表述當(dāng)在部件列之前時，修飾整個部件列，而不修飾該列的單個部件。
[0040]因為本公開可以具有不同的改進實施方案，所以示例性實施方案在附圖中例示并在本發(fā)明的詳細描述中描述。然而，這不會將本公開限制在具體實施方案之內(nèi)，而應(yīng)理解為本公開涵括本公開的理念和技術(shù)范圍內(nèi)的所有修進、等同和替換。將排除與公知的功能或構(gòu)造相關(guān)的詳細描述，從而對本發(fā)明的實施方案的特征進行清楚地解釋。
[0041]在以下描述中，技術(shù)術(shù)語僅用于解釋具體的示例性實施方案，而不限制本公開。單數(shù)形式的術(shù)語可以包括復(fù)數(shù)形式，除非上下文提及?！鞍?include) ”、“包含(comprise) ”、“具有(have) ”、“包括(including)，，、“包含(comprising) ”或“具有(having) ”的含義指明性質(zhì)、區(qū)域、定數(shù)、步驟、方法、部件、組分和/或相關(guān)組成部件的組合，但不排除其他性質(zhì)、區(qū)域、定數(shù)、步驟、方法、部件、組分和/或相關(guān)組成部件的組合。
[0042]應(yīng)理解，盡管術(shù)語“第一”、“第二”等在本文用于描述多個部件，但這些部件不應(yīng)受這些術(shù)語的限制。諸如此類的術(shù)語僅用于將一個組分或部件與其他組分或部件進行區(qū)分。
[0043]還應(yīng)理解，當(dāng)層(或膜)、區(qū)域或組分被稱為在另一部件“上”時，其可以直接在其他部件上，或還可以存在中介層、區(qū)域或組分。
[0044]參考附圖，下文將更詳細地描述本發(fā)明的示例性實施方案。
[0045]圖1為示出本發(fā)明實施方案的氧化物薄膜晶體管(TFT)的橫截面示意圖。參考圖1，本發(fā)明的該實施方案的氧化物TFT包括:襯底10、布置在襯底10上的柵極11、在襯底10上布置以覆蓋柵極11且其上表面12-1通過使用鹵素氣體而進行等離子處理的第一絕緣層12、布置在第一絕緣層12上以朝向柵極11的氧化物半導(dǎo)體層13、以及布置在第一絕緣層12上以接觸部分氧化物半導(dǎo)體層13的源極14a和漏極14b。
[0046]圖2為示出本發(fā)明實施方案的平板顯示器(FPD)背板的橫截面示意圖。參考圖2，本發(fā)明實施方案的FPD背板包括:圖1所示的氧化物TFT ;布置在第一絕緣層12上以覆蓋氧化物半導(dǎo)體層13以及源極14a和漏極14b的第二絕緣層15，所述第二絕緣層15包括暴露源極14a或漏極14b的孔；以及布置在第二絕緣層15上和在第二絕緣層15中的孔內(nèi)的像素電極16。
[0047]參考圖2，根據(jù)本發(fā)明的該實施方案，F(xiàn)PD背板還包括:布置在第二絕緣層15上以覆蓋像素電極16邊緣的第三絕緣層17、包括發(fā)射層且布置在像素電極16的被第三絕緣層17中的開口暴露的部分之上的中間層18、以及朝向像素電極16且中間層18插入其間的對電極19。
[0048]圖3至8為示出本發(fā)明實施方案的氧化物TFT的制造方法的橫截面示意圖。
[0049]首先，如圖3所示，提供襯底10。襯底10可以由主要由S12組成的透明玻璃材料形成。然而，襯底10不限于此，因此，襯底10可以由諸如透明材料、塑料材料或金屬材料的多種其他材料形成。
[0050]可以在襯底10上提供輔助層(未示出)，例如阻擋層、阻滯層和/或緩沖層，從而防止雜質(zhì)離子通過襯底10擴散并防止水或環(huán)境空氣滲入其中，以及使襯底10的表面平坦?？梢允褂肧12和/或SiNx，通過多種沉積方法，例如等離子體增強化學(xué)氣相沉積(PECVD)、常壓CVD(APCVD)和低壓CVD(LPCVD)，從而形成輔助層。然而，可以省略輔助層。
[0051]參考圖4，在襯底10上形成柵極11。為形成柵極11，可以在襯底10上層壓金屬層，然后選擇性蝕刻。然而，柵極11的形成不限于該方法。例如，可以經(jīng)由使用剝離法的掩模法，通過蝕刻來可替代地形成柵極11。
[0052]柵極11可以由導(dǎo)電材料形成。例如，柵電極11可以包括選自以下的至少一種材料:銀(Ag)、鎂(Mg)、鋁(Al)、鉬(Pt)、鈀(Pd)、金(Au)、鎳(Ni)、釹(Nd)、銥(Ir)、鉻(Cr)、鋰(Li)、鈣(Ca)、鑰(Mo)、鈦(Ti)、鎢(W)、鑰-鎢(MoW)及銅(Cu)。然而，柵極11的材料不限于此，因此，柵極11可以由任何導(dǎo)電材料，例如包含金屬等的導(dǎo)電材料形成。
[0053]如圖5所示，在襯底10上形成第一絕緣層12以覆蓋柵電極11。第一絕緣層12可以用作在柵極11與氧化物半導(dǎo)體層13(其將稍后描述)之間布置的柵極絕緣層以使柵極11與氧化半導(dǎo)體層13絕緣。
[0054]可以通過多種方法，例如諸如CVD或PECVD的化學(xué)氣相沉積法，通過諸如濺射的物理氣相沉積(PVD)法，或通過諸如旋涂或噴墨印刷的溶膠-凝膠法，來形成第一絕緣層12。
[0055]第一絕緣層12可以由無機物質(zhì)如硅氧化物或硅氮化物形成。然而，第一絕緣層12可以包括高介電氧化物膜，例如鉿氧化物或鋁氧化物。例如，鉿氧化物可以包括HfAlO、HfLaO, HfO2、HfON, HfS1 或 HfS1N。
[0056]例如，可以通過溶膠-凝膠法形成第一絕緣層12，以使第一絕緣層12包括上述鉿氧化物。例如，可以通過使用溶液的溶膠-凝膠法來形成第一絕緣層12，在所述溶液中，將鉿氯化物(HfCl4)溶解在包括乙腈和乙二醇的至少之一的溶劑中。
[0057]如圖5所示，使用鹵素氣體對第一絕緣層12的上表面進行等離子處理。等離子處理可以在20W功率下操作，并且處理時間為5秒、10秒或30秒。鹵素氣體可以與O2等離子混在一起，流量為20sccm和159sccm。
[0058]如圖6所示，可以通過等離子處理，在第一絕緣層12的上表面上形成表面處理層12-1。當(dāng)形成氧化物半導(dǎo)體層13 (其將在下文描述)時，氧化物半導(dǎo)體層13的組分可以滲入第一絕緣層12。然而，表面處理層12-1可以防止這些組分滲入或擴散入第一絕緣層12。因此，氧化物TFT可以保持其優(yōu)異的特性。此外，將參考圖9和12描述此類作用。
[0059]當(dāng)使用鹵素氣體對絕緣層進行等離子處理時，鹵素氣體可以包括鹵素物質(zhì)。例如，鹵素氣體可以包括氮氟化物(NF3)。然而，NF3僅是鹵素物質(zhì)的一個實例，并且鹵素氣體的組成不限于此。例如，鹵素物質(zhì)可以是任何鹵素化合物，例如三氯化硼(BCl3)、氯化氫(HCl)、五氟化磷(PF5)、四氟化碳(CF4)、氟化氫(HF)、氯(Cl2)及溴化氫(HBr)。
[0060]可以根據(jù)本發(fā)明的實施方案進一步進行第一絕緣層12的退火過程。例如，可以在約100°C至約300°C范圍的溫度下退火第一絕緣層12。
[0061]如圖7所示，可以在第一絕緣層12上形成氧化半導(dǎo)體層13以朝向柵極11?？梢远ㄎ谎趸锇雽?dǎo)體層13以朝向(即，在之上定位或重疊)柵極11且絕緣層12布置在其間。
[0062]氧化物半導(dǎo)體層13可以包括無定形金屬氧化物。例如，氧化物半導(dǎo)體層13可以包括氧化物材料，其選自12族、13族和14族的金屬元素，例如Zn、In、鎵(Ga)、錫(Sn)Jg(Cd)、鍺(Ge)或Hf和/或其任何組合。然而，這僅是實例，因此，氧化物半導(dǎo)體13的材料不限于此。例如，氧化物半導(dǎo)體層13可以包括鋅錫氧化物(ZTO)。
[0063]氧化物半導(dǎo)體層13可以通過溶膠-凝膠法形成。例如，氧化物半導(dǎo)體層13可以通過旋涂或噴墨印刷來形成。
[0064]參考圖8，在第一絕緣層12上形成源極14a和漏極14b以接觸一部分氧化物半導(dǎo)體層13。詳言之，可以在形成在第一絕緣層12上的表面處理層12-1上形成源極14a和漏極14b，以部分重疊氧化物半導(dǎo)體層13和表面處理層12-1。
[0065]參考圖8，氧化物半導(dǎo)體層13的頂表面不完全被源極14a和漏極14b覆蓋，并且源極14a和漏極14b彼此隔開。
[0066]金屬層可以被層壓在圖5所示的結(jié)構(gòu)上，然后選擇性蝕刻，從而形成源極14a和漏極14b。蝕刻法可以包括多種方法，例如濕法蝕刻和干法蝕刻。金屬層可以包括選自以下的至少一種材料:銀(Ag)、鎂(Mg)、鋁(Al)、鉬(Pt)、鈀(Pd)、金(Au)、鎳(Ni)、釹(Nd)、銥(Ir)、鉻(Cr)、鋰(Li)、鈣(Ca)、鑰(Mo)、鈦(Ti)、鎢(W)、鑰-鎢(Moff)及銅(Cu)。然而，源極14a和漏極14b的材料不限于此，因此，源極14a和漏極14b可以由任何導(dǎo)電材料，例如包含金屬等的導(dǎo)電材料形成。
[0067]例如，源極14a和漏極14b可以使用透明導(dǎo)電材料或?qū)щ娋酆衔铮玢熷a氧化物(ITO)和銦鋅氧化物(IZO)，并且可以具有其中層壓至少兩種導(dǎo)電材料的多層結(jié)構(gòu)。
[0068]然而，形成源極14a和漏極14b的方法不限于此。例如，可以通過使用剝離法的掩模法來蝕刻源極14a和漏極14b。
[0069]盡管未示出，但可以在氧化物半導(dǎo)體層13與源極14a和漏極14b之間布置額外的絕緣層。
[0070]通過在圖8的結(jié)構(gòu)上依次形成第二絕緣層15、像素電極16、第三絕緣層17、中間層18和對電極19，可以獲得圖2所示的平板顯示器(FPD)背板。在圖8的結(jié)構(gòu)上形成上述構(gòu)造以形成圖2的結(jié)構(gòu)的方法如下:
[0071]首先，可以在第一絕緣層12上形成第二絕緣層15以覆蓋氧化物半導(dǎo)體層13及源極14a和漏極14b。然后,在第二絕緣層15中形成第一孔，由其暴露源極14a和/或漏極14b。詳言之，可以在第一絕緣層12的表面處理層12-1上形成第二絕緣層15。
[0072]此后，可以在第二絕緣層15上形成像素電極16，因此填充第二絕緣層15的第一孔。像素電極16可以通過第二絕緣層15的第一孔與源極14a和漏極14b接觸。
[0073]然后，可以在第二絕緣層15上形成第三絕緣層17以覆蓋像素電極16的邊緣，并且可以包括暴露至少一部分像素電極16的開口。
[0074]然后，可以在像素電極16的由開口暴露的部分之上形成具有發(fā)射層的中間層18?？梢孕纬蓪﹄姌O19以朝向像素電極16，并且中間層18插入其間。
[0075]可以通過溶膠-凝膠法來形成第二絕緣層15和第三絕緣層17。
[0076]參考圖2，有機發(fā)光二極管可以具有像素電極16、中間層18和對電極19。因此，根據(jù)本發(fā)明實施方案制造的平板顯示器背板可以用作有機發(fā)光顯示器(OLED)背板。然而，本發(fā)明的實施方案不限于所示的構(gòu)造。例如，如果在像素電極16與對電極19之間布置液晶，則根據(jù)本發(fā)明實施方案制造的平板顯示器背板可以用作液晶顯示器背板。
[0077]圖9和10為示出鋅的濺射深度譜的圖，其中，當(dāng)通過濺射法向靶標(biāo)供給鋅時，通過鋅濃度與濺射時間關(guān)系可以觀察到鋅濃度隨著從靶標(biāo)表面的深度變化。詳言之，圖9和10為示出襯底10中鋅的濺射深度譜的圖，在所述襯底10上形成氧化物半導(dǎo)體層13。特別地，圖9和10為示出當(dāng)氧化物半導(dǎo)體層13由ZTO形成時，鋅組分的濺射深度譜的圖。
[0078]詳言之，圖9示出其中在第一絕緣層12上形成氧化物半導(dǎo)體層13而不對第一絕緣層12的上表面進行等離子處理的實例。圖10示出其中第一絕緣層12的上表面使用鹵素材料如NF3進行等離子處理來形成表面處理層12-1、然后在表面處理層12-1上形成氧化物半導(dǎo)體層13的實例。
[0079]在圖9和10中，圖中的橫坐標(biāo)軸表示對第一絕緣層12進行氧化物半導(dǎo)體層13的濺射所花費的時間。在濺射深度譜圖中，濺射時間與從靶標(biāo)表面的深度成比例，因為在濺射期間氧化物半導(dǎo)體層13的厚度不斷增加。因此，在圖9和10中，濺射時間與從氧化物半導(dǎo)體層13的深度成比例。在圖9和10中，圖中的縱坐標(biāo)軸表示鋅原子相對所有原子的百分比。
[0080]在如圖9和10所示的深度譜圖中，如果組分濃度急劇改變，其可能意味著兩層之間存在界面。在圖9和10中，鋅濃度急劇降低的區(qū)域可以認為是氧化物半導(dǎo)體層13與第一絕緣層12之間的界面。
[0081]與圖9和10相比，在氧化物半導(dǎo)體層13與第一絕緣層12之間的界面處的鋅濃度斜率在圖10的圖中比在圖9的圖中更陡。S卩，在圖10中，鋅更不滲透入第一絕緣層12，這歸因于通過對第一絕緣層12的上表面進行等離子處理而形成的表面處理層12-1。
[0082]圖11和12為示出根據(jù)本發(fā)明實施方案而構(gòu)造的氧化物TFT的電壓-電流特性的圖。詳言之，圖11為示出在第一絕緣層12上形成且不對第一絕緣層12的上表面進行等離子處理的氧化物TFT的電壓-電流特性的圖。圖12為示出其中使用鹵素物質(zhì)進行等離子處理第一絕緣層12的上表面以形成表面處理層12-1的氧化物TFT的電壓-電流特性的圖。
[0083]圖11和12中的多條曲線表示在具有不同偏壓的環(huán)境下測量的電壓-電流特性。參考圖11和12，氧化物TFT的電壓-電流特性根據(jù)圖11中偏壓的改變而稍微偏移。相反，在圖12中，即使偏壓改變，裝置的電壓-電流特性也保持得相對穩(wěn)定。此外，在圖12所示的閾電壓處的電壓-電流特性優(yōu)于圖11中的電壓-電流特性。
[0084]S卩，第一絕緣層12的上表面被等離子處理以形成表面處理層12-1，從而在氧化物半導(dǎo)體層13與第一絕緣層12之間具有優(yōu)異的界面特性，由此改善裝置特性。
[0085]在等離子處理的實驗條件下獲得圖10和12，所述實驗條件包括:功率為20W，處理時間為10s, NF3混合-O2等離子,流量為159sccm。
[0086]可以通過干法蝕刻或濕法蝕刻來進行用于形成上述氧化物TFT和FPD背板的掩模法。此外，盡管出于便于描述，在圖中示出僅一個晶體管以解釋本發(fā)明實施方案的Fro背板，但本發(fā)明的實施方案不限于此。例如，本發(fā)明實施方案的Fro背板可以包括多個晶體管，當(dāng)本發(fā)明實施方案的掩模法的次數(shù)增加。
[0087]如上所述，根據(jù)本發(fā)明上述實施方案中的一個或多個實施方案，可以提供具有更穩(wěn)定的裝置特性的氧化物TFT。
[0088]盡管已經(jīng)參考本發(fā)明的示例性實施方案具體地示出和描述了本發(fā)明的多種實施方案，但可以在不背離由下列權(quán)利要求所限定的本發(fā)明實施方案的精神和范圍的情況下，在其中進行各種形式和細節(jié)的改變。
[0089]應(yīng)理解，其中所述的示例性實施方案應(yīng)僅以描述性含義來考慮，并不用于限制目的。每一實施方案內(nèi)的特征或方面的描述通常應(yīng)認為可用于其他實施方案的其他類似的特征或方面。即，所述的多個實施方案的多個特征可以結(jié)合并匹配以形成其他實施方案。
[0090]盡管已經(jīng)參考附圖描述了本發(fā)明的一個或多個實施方案，但本領(lǐng)域普通技術(shù)人員應(yīng)理解，在不背離由下列權(quán)利要求限定的本發(fā)明實施方案的精神和范圍的情況下，可以在其中進行各種形式和細節(jié)的改變。
【權(quán)利要求】
1.制造薄膜晶體管(TFT)的方法，所述方法包括: 在襯底上形成柵極； 在所述襯底上形成絕緣層以覆蓋所述柵極； 對所述絕緣層的上表面進行等離子處理，所述等離子處理使用鹵素氣體； 在所述絕緣層上形成氧化物半導(dǎo)體層并定位為與所述柵極對應(yīng)；以及 在所述絕緣層上和部分所述氧化物半導(dǎo)體層之上形成源極和漏極。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述鹵素氣體包括氮氟化物(NF3)。
3.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述絕緣層包括高介電氧化物膜。
4.如權(quán)利要求3所述的方法，其中所述絕緣層包括鉿氧化物(HfOx)。
5.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述形成絕緣層包括通過溶膠-凝膠法形成第一絕緣層。
6.如權(quán)利要求5所述的方法，其中所述形成絕緣層還包括使用包含溶解于包括乙腈和乙二醇至少之一的溶劑中的鉿氯化物(HfCl4)的溶液進行所述溶膠-凝膠法。
7.如權(quán)利要求1所述的方法，其還包括退火所述絕緣層。
8.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述氧化物半導(dǎo)體層包括無定形金屬氧化物。
9.如權(quán)利要求8所述的方法，其中所述氧化物半導(dǎo)體層包括鋅錫氧化物(ZTO)。
10.薄膜晶體管(TFT)，包括: 襯底； 布置在所述襯底上的柵極； 布置在所述襯底上以覆蓋所述柵極的絕緣層，所述絕緣層具有使用齒素氣體進行等離子處理的上表面； 布置在所述絕緣層上并定位為與所述柵極對應(yīng)的氧化物半導(dǎo)體層；以及 布置在所述絕緣層上和部分所述氧化物半導(dǎo)體層之上的源極和漏極。
【文檔編號】H01L21/77GK104347498SQ201410353071
【公開日】2015年2月11日 申請日期:2014年7月23日 優(yōu)先權(quán)日:2013年7月26日
【發(fā)明者】薛英國, 金泰雄, 張震, 克里斯托夫·艾維斯 申請人:三星顯示有限公司, 慶熙大學(xué)校產(chǎn)學(xué)協(xié)力團