一種自調(diào)q激光器的制造方法
【專利摘要】一種自調(diào)Q激光器，由沿光路依次排列泵浦源、聚焦透鏡、自調(diào)Q激光晶體組成，泵浦源放置于聚焦透鏡前的焦距上，自調(diào)Q激光晶體放置于聚焦透鏡后的焦距上；在自調(diào)Q激光晶體的表面鍍有介質(zhì)膜。所述泵浦源為產(chǎn)生808nm光的半導(dǎo)體激光器。所述自調(diào)Q激光晶體采用Nd:LGS晶體。所述釹摻雜硅酸鎵鑭晶體靠近半導(dǎo)體激光器的通光面鍍以對1064nm高反射的介質(zhì)膜和808nm高透射的介質(zhì)膜；遠離半導(dǎo)體激光器的通光面鍍以對1064nm高透過的介質(zhì)膜，Nd:LGS晶體雙X面鍍金。本發(fā)明自調(diào)Q激光器采用釹摻雜硅酸鎵鑭晶體，實現(xiàn)激光晶體與調(diào)Q器件合二為一，簡化了系統(tǒng)結(jié)構(gòu)，提高了穩(wěn)定性，適合批量化生產(chǎn)。
【專利說明】—種自調(diào)Q激光器
[0001]

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0002]本發(fā)明屬于激光【技術(shù)領(lǐng)域】，特別涉及一種自調(diào)Q激光器。

【背景技術(shù)】
[0003]半導(dǎo)體泵浦的全固態(tài)激光器，近年來發(fā)展迅速，其具有高效率、長壽命、結(jié)構(gòu)緊湊及光束質(zhì)量好等優(yōu)點，在激光打孔、切割、焊接、打標(biāo)、光通訊、醫(yī)學(xué)診斷、激光雷達、激光光譜分析、高功率激光等領(lǐng)域都有重要應(yīng)用。
[0004]調(diào)Q技術(shù)的出現(xiàn)和發(fā)展，是激光發(fā)展史上的一個重要突破，它是將激光能量壓縮到寬度極窄的脈沖中發(fā)射，從而使光源的峰值功率可提高幾個數(shù)量級的一種技術(shù)。
[0005]一般調(diào)Q激光器核心包括泵浦源、激光晶體、調(diào)Q器件，其存在的缺點是:激光晶體與調(diào)Q器件需要獨立設(shè)置，結(jié)構(gòu)復(fù)雜，穩(wěn)定性較差，不適合批量化生產(chǎn)。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明針對現(xiàn)有調(diào)Q激光器的不足，提供一種基于釹摻雜硅酸鎵鑭晶體的自調(diào)Q激光器。
[0007]術(shù)語說明:
1、LD,半導(dǎo)體激光器的簡稱；
2、Nd:LGS，釹摻雜硅酸鎵鑭的通用簡稱；
本發(fā)明的技術(shù)方案如下:
一種自調(diào)Q激光器。該激光器由半導(dǎo)體激光器、聚焦透鏡、釹摻雜娃酸鎵鑭晶體以及表面介質(zhì)膜組成，可實現(xiàn)1064nm的自調(diào)Q激光輸出。
[0008]所述半導(dǎo)體泵浦源為產(chǎn)生808nm激光的半導(dǎo)體激光器(LD)；
所述的自調(diào)Q激光晶體是釹摻雜硅酸鎵鑭晶體；
根據(jù)本發(fā)明，所述的釹摻雜硅酸鎵鑭晶體的釹離子摻雜濃度為0.r30at% ;優(yōu)選的釹離子摻雜濃度為2?10at%。晶體按通光方向切割，切割方向為Z方向。晶體為圓柱形或者長方體；通光方向長度為20?80 mm ;優(yōu)選長度為35?50mm。
[0009]根據(jù)本發(fā)明，所述聚焦透鏡的焦距長為f 100mm，優(yōu)選的焦距長為5?30mm。
[0010]根據(jù)本發(fā)明，所述釹摻雜硅酸鎵鑭晶體靠近半導(dǎo)體激光器的通光面鍍以對1064nm高反射的介質(zhì)膜和808nm高透射的介質(zhì)膜，遠離半導(dǎo)體激光器的通光面鍍以對1064nm高透過的介質(zhì)膜，NdiLGS晶體雙X面鍍金。
[0011]本發(fā)明自調(diào)Q激光器采用釹摻雜硅酸鎵鑭晶體，實現(xiàn)激光晶體與調(diào)Q器件合二為一，簡化了系統(tǒng)結(jié)構(gòu)，提高了穩(wěn)定性，適合批量化生產(chǎn)。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0012]圖1為本發(fā)明的示意圖。
[0013]圖面說明如下:1.半導(dǎo)體激光器，2.聚焦透鏡，3.釹摻雜硅酸鎵鑭晶體，4.1064nm綠色激光。
[0014]

【具體實施方式】
[0015]下面結(jié)合實施例對本發(fā)明做進一步描述，但不限于此。
[0016]為了說明更簡潔實施例中采用以下方式對通光面進行說明:自調(diào)Q激光晶體靠近LD的通光面稱為前表面，遠離LD的通光面為后表面。倍頻晶體靠近LD的通光面為前表面，遠離LD的通光面為后表面。
[0017]實施例1:一種自調(diào)Q激光器，包括半導(dǎo)體激光器1、聚焦透鏡2、自調(diào)Q激光晶體
3、1064nm綠色激光4，沿光路依次排列。
[0018]結(jié)構(gòu)如圖1所示，發(fā)射波長為808nm的半導(dǎo)體激光器1，放置于聚焦透鏡2前的焦距上，聚焦透鏡2的聚焦長度為5mm，自調(diào)Q激光晶體3放置于聚焦透鏡2后的焦距上。
[0019]自調(diào)Q激光晶體3為Nd = LGS晶體，Nd摻雜濃度為5at%，通光方向長度為50mm，切害I]方向為Z方向，自調(diào)Q激光晶體3的前表面鍍以對1064nm高反射的介質(zhì)膜和對808nm高透射的介質(zhì)膜，后表面鍍以對1064nm高透過的介質(zhì)膜，NdiLGS晶體雙X面鍍金。
[0020]泵浦源半導(dǎo)體激光器I發(fā)出808nm激光，經(jīng)Nd = LGS晶體轉(zhuǎn)化為1064nm激光。當(dāng)Nd:LGS晶體側(cè)面有電壓信號時，激光輸出停止，激光能量集聚，當(dāng)去掉電壓信號時，集聚的能量釋放，輸出1064nm脈沖激光。
[0021]實施例2: —種自調(diào)Q激光器，包括半導(dǎo)體激光器1、聚焦透鏡2、自調(diào)Q激光晶體
3、1064nm綠色激光4，沿光路依次排列。
[0022]結(jié)構(gòu)如圖1所示，發(fā)射波長為808nm的半導(dǎo)體激光器1，放置于聚焦透鏡2前的焦距上，聚焦透鏡2的聚焦長度為5mm，自調(diào)Q激光晶體3放置于聚焦透鏡2后的焦距上。
[0023]自調(diào)Q激光晶體3為Nd = LGS晶體，Nd摻雜濃度為8at%，通光方向長度為40mm，切割方向為Z方向，NdiLGS晶體前表面鍍以對1064nm高反射的介質(zhì)膜和對808nm高透射的介質(zhì)膜，后表面鍍以對1064nm高透過的介質(zhì)膜，NdiLGS晶體雙X面鍍金。
[0024]泵浦源半導(dǎo)體激光器I發(fā)出808nm激光，經(jīng)Nd = LGS晶體轉(zhuǎn)化為1064nm激光。當(dāng)Nd:LGS晶體側(cè)面有電壓信號時，激光輸出停止，激光能量集聚，當(dāng)去掉電壓信號時，集聚的能量釋放，輸出1064nm脈沖激光。
[0025]摘要:
一種自調(diào)Q激光器，由沿光路依次排列泵浦源、聚焦透鏡、自調(diào)Q激光晶體組成，泵浦源放置于聚焦透鏡前的焦距上，自調(diào)Q激光晶體放置于聚焦透鏡后的焦距上；在自調(diào)Q激光晶體的表面鍍有介質(zhì)膜。所述泵浦源為產(chǎn)生808nm光的半導(dǎo)體激光器。所述自調(diào)Q激光晶體采用Nd = LGS晶體。所述釹摻雜硅酸鎵鑭晶體靠近半導(dǎo)體激光器的通光面鍍以對1064nm高反射的介質(zhì)膜和808nm高透射的介質(zhì)膜；遠離半導(dǎo)體激光器的通光面鍍以對1064nm高透過的介質(zhì)膜，NdiLGS晶體雙X面鍍金。本發(fā)明自調(diào)Q激光器采用釹摻雜硅酸鎵鑭晶體，實現(xiàn)激光晶體與調(diào)Q器件合二為一，簡化了系統(tǒng)結(jié)構(gòu)，提高了穩(wěn)定性，適合批量化生產(chǎn)。
【權(quán)利要求】
1.一種自調(diào)Q激光器，由沿光路依次排列泵浦源、聚焦透鏡、自調(diào)Q激光晶體組成，泵浦源放置于聚焦透鏡前的焦距上，自調(diào)Q激光晶體放置于聚焦透鏡后的焦距上；在自調(diào)Q激光晶體的表面鍛有介質(zhì)月吳。
2.如權(quán)利要求1所述的自調(diào)Q激光器，其特征在于，所述泵浦源為產(chǎn)生808nm光的半導(dǎo)體激光器。
3.如權(quán)利要求1所述的自調(diào)Q激光器，其特征在于，自調(diào)Q激光晶體按通光方向切割，切割方向為Z方向。
4.如權(quán)利要求1所述的自調(diào)Q激光器，其特征在于，所述自調(diào)Q激光晶體通光方向長度為20?80 mm ;優(yōu)選長度為35?50mm。
5.如權(quán)利要求1所述的自調(diào)Q激光器，其特征在于，所述自調(diào)Q激光晶體采用Nd:LGS晶體，其釹離子摻雜濃度為0.r30at% ;優(yōu)選的釹離子摻雜濃度為2?10at%。
6.如權(quán)利要求5所述的自調(diào)Q激光器，其特征在于，所述釹摻雜硅酸鎵鑭晶體靠近半導(dǎo)體激光器的通光面鍍以對1064nm高反射的介質(zhì)膜和808nm高透射的介質(zhì)膜；遠離半導(dǎo)體激光器的通光面鍍以對1064nm高透過的介質(zhì)膜，NdiLGS晶體雙X面鍍金。
7.如權(quán)利要求1所述的自調(diào)Q激光器，其特征在于，所述聚焦透鏡的焦距長為f 100mm，優(yōu)選的焦距長為5?30mm。
【文檔編號】H01S5/06GK104051959SQ201410316020
【公開日】2014年9月17日 申請日期:2014年7月4日 優(yōu)先權(quán)日:2014年7月4日
【發(fā)明者】馬長勤 申請人:青島鐳視光電科技有限公司