具有漸變緩沖層的背照式光敏器件的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種形成背照式光敏器件的方法，包括：在犧牲襯底上形成漸變犧牲緩沖層；在漸變犧牲緩沖層上形成均勻?qū)?；在均勻?qū)由闲纬傻诙u變緩沖層；在第二漸變緩沖層上形成硅層；將器件層接合至硅層；以及去除漸變犧牲緩沖層和犧牲襯底。本發(fā)明還提供了一種光敏器件。
【專利說明】具有漸變緩沖層的背照式光敏器件

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明總體涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，更具體地，涉及光敏器件。

【背景技術(shù)】
[0002]光敏器件廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中。例如，光敏器件陣列可用于形成數(shù)碼相機(jī)中使用的圖像傳感器陣列。光敏器件通常包括位于半導(dǎo)體材料內(nèi)的將來自于光子的能量轉(zhuǎn)換為電能的感光區(qū)域。
[0003]感光區(qū)域一般通過注入工藝以形成p-1-n結(jié)或p-n結(jié)而形成到半導(dǎo)體材料內(nèi)。內(nèi)部形成有感光區(qū)域的半導(dǎo)體材料除了硅之外還部分地由鍺組成。這為光敏器件帶來了很多優(yōu)勢。
[0004]光敏器件的工作效率受內(nèi)部形成了感光區(qū)域的半導(dǎo)體材料的特性影響。當(dāng)使用由硅鍺組成的半導(dǎo)體晶體時，由于硅和鍺之間不同的晶格常數(shù)可能會使晶體內(nèi)存在缺陷。這些缺陷有時被稱為錯位。這些缺陷對光敏器件的工作效率有不利影響。因此，需要盡可能地減少這些缺陷。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]根據(jù)本發(fā)明的一個方面，提供了一種形成背照式光敏器件的方法，該方法包括:在犧牲襯底上形成漸變犧牲緩沖層；在漸變犧牲緩沖層上形成均勻?qū)?；在均勻?qū)由闲纬傻诙u變緩沖層；在第二漸變緩沖層上形成硅層；在硅層上布置器件層；以及去除漸變犧牲緩沖層和犧牲襯底。
[0006]優(yōu)選地，均勻?qū)影ü桄N(SiGe)、純鍺(Ge)和其中形成有量子點、量子阱、光柵或者原位摻雜劑的半導(dǎo)體材料中的至少一種。
[0007]優(yōu)選地，漸變犧牲緩沖層包括硅和鍺，并且漸變犧牲緩沖層的鍺濃度隨著距離犧牲襯底更遠(yuǎn)而增大。
[0008]優(yōu)選地，第二漸變緩沖層包括硅和鍺，并且第二漸變緩沖層的鍺濃度隨著距離均勻?qū)痈龃蟆?br> [0009]優(yōu)選地，漸變犧牲緩沖層的厚度范圍是約0.1微米至1.0微米。
[0010]優(yōu)選地，均勻?qū)拥暮穸确秶羌s0.1微米至2.0微米。
[0011]優(yōu)選地，硅層的厚度范圍是約0.01微米至1.0微米。
[0012]優(yōu)選地，漸變犧牲緩沖層的鍺濃度變化介于每0.1微米約5%至20%的范圍內(nèi)。
[0013]優(yōu)選地，該方法還包括:使用注入工藝在均勻?qū)雍凸鑼又行纬筛泄鈪^(qū)。
[0014]優(yōu)選地，該方法還包括:在犧牲漸變緩沖層和均勻?qū)又g形成光柵。
[0015]優(yōu)選地，該方法還包括:使用原位摻雜工藝在均勻?qū)又朽徑跔奚鼭u變緩沖層的區(qū)域內(nèi)形成P+鈍化層。
[0016]優(yōu)選地，均勻?qū)影ü桄N量子點陣和光柵。
[0017]根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種光敏器件，包括:均勻?qū)樱粷u變緩沖層，位于均勻?qū)由戏?；硅層，位于漸變緩沖層上方；光敏感光區(qū)，位于均勻?qū)雍凸鑼觾?nèi)；器件層，位于硅層上；以及載具晶圓，接合至器件層；其中，均勻?qū)又械娜毕莸陀谙薅ǖ拈撝怠?br> [0018]優(yōu)選地，均勻?qū)影ü桄N、純鍺和其中形成有量子點或量子阱的半導(dǎo)體材料中的至少一種。
[0019]優(yōu)選地，漸變緩沖層包括硅和鍺，并且漸變緩沖層的鍺濃度隨著距離均勻?qū)痈龃蟆?br> [0020]優(yōu)選地，漸變緩沖層的鍺濃度的變化介于每0.1微米5%至20%的范圍內(nèi)。
[0021]優(yōu)選地，該器件還包括:使用原位摻雜工藝形成的鈍化層，鈍化層形成在均勻?qū)拥牡撞俊?br> [0022]優(yōu)選地，均勻?qū)影ü桄N量子點、硅鍺量子阱陣或者光柵。
[0023]根據(jù)本發(fā)明的又一方面，提供了一種形成背照式光敏器件的方法，該方法包括:在犧牲襯底上形成漸變犧牲緩沖層，漸變犧牲緩沖層中的鍺濃度是變化的；在漸變犧牲緩沖層上形成均勻?qū)?，均勻?qū)影ㄠ徑跐u變犧牲緩沖層的原位摻雜的鈍化層；在均勻?qū)由闲纬傻诙u變緩沖層，第二漸變緩沖層中的鍺濃度是變化的；在第二漸變緩沖層上形成硅層；在硅層上布置器件層；在均勻?qū)雍凸鑼觾?nèi)形成光敏感光區(qū)；將載具晶圓接合至器件層；以及去除漸變犧牲緩沖層和犧牲襯底。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0024]本發(fā)明的各方面最好在閱讀以下詳細(xì)說明時結(jié)合附圖來理解。需要強(qiáng)調(diào)的是，根據(jù)工業(yè)中的標(biāo)準(zhǔn)實踐，各種部件并不是按照比例繪制。實際上，為了更清楚的討論，各種部件的尺寸可能任意進(jìn)行被增加或減小。
[0025]圖1A至圖1E是根據(jù)本發(fā)明所述原理的一個實例的具有漸變緩沖層的背照式光敏器件的示例性形成過程的示意圖。
[0026]圖2A是示出了根據(jù)本發(fā)明所述原理的一個實例的形成在光敏器件的均勻?qū)觾?nèi)的示例性光柵結(jié)構(gòu)的示意圖。
[0027]圖2B是示出了根據(jù)本發(fā)明所述原理的一個實例的形成在光敏器件的均勻?qū)觾?nèi)的示例性鈍化層的示意圖。
[0028]圖3是示出了根據(jù)本發(fā)明所述原理的一個實例的形成具有漸變緩沖層的背照式光敏器件的示例性方法的流程圖。

【具體實施方式】
[0029]可以理解的是，以下公開的內(nèi)容包含為了實現(xiàn)本發(fā)明的不同特征的多個不同的實施例和實例。為了簡化本發(fā)明，對部件和裝置的具體實例進(jìn)行了以下描述。這些內(nèi)容，當(dāng)然，僅僅是實例而不是限制。此外，在下面的描述中，第二步驟在第一步驟之前執(zhí)行可以包括第二步驟在第一步驟后立刻執(zhí)行的實施例，也可以包括在第一步驟和第二步驟之間可能執(zhí)行了額外的步驟的實施例。為了簡單和清楚起見，一些部件可以以不同的比例任意繪制。此夕卜，在下面的描述中，第一部件在第二部件上方或第二部件上形成可以包括第一部件與第二部件直接接觸的實施例，也可以包括第一部件與第二部件之間可能形成有其他部件的結(jié)構(gòu)，即第一部件與第二部件可能不直接接觸。
[0030]而且，諸如“在…之下”、“之下”、“下部”、“之上”、“上部”等的空間相對術(shù)語在此可以被用于便于描述圖中所示的一個元件或部件與另一個(或多個)元件或部件的關(guān)系的說明。空間相對術(shù)語旨在包括除了在圖中描述的定向之外的在使用或操作中的設(shè)備的不同定向。例如，如果圖中的設(shè)備被翻轉(zhuǎn)，被描述為在其他元件或特征“之下”或“在…之下”的元件然后將被定向為在其他元件或特征“之上”。因此，實例性術(shù)語“之下”可以包括之上和之下的定向。裝置可以另外被定向(旋轉(zhuǎn)90度或者在其他定向)，并且在此使用的空間相對描述可以類似地相應(yīng)地解釋。
[0031]圖1A至圖1E是具有漸變緩沖層的背照式光敏器件100的實例性形成過程的示意圖。根據(jù)某些實例，犧牲漸變緩沖層104形成于犧牲襯底102上。這些層被稱為“犧牲”是因為他們最終將被清除，正如下文將要詳細(xì)討論的那樣。
[0032]犧牲襯底102由諸如硅的半導(dǎo)體材料構(gòu)成。犧牲襯底102用于支撐外延生長工藝以形成漸變緩沖層104。外延工藝是半導(dǎo)體晶體生長到現(xiàn)有的半導(dǎo)體材料上的工藝。外延生長層一般通過使用氣態(tài)前體形成。
[0033]犧牲漸變緩沖層104由與襯底相匹配的半導(dǎo)體材料和第二材料組成。例如，如果半導(dǎo)體襯底為硅，那么犧牲漸變緩沖層104就由硅和第二材料組成。第二材料基于將要在緩沖層104上面形成的層的材料。例如，如果上面形成的層包含鍺，那么第二材料可以是鍺。
[0034]犧牲漸變緩沖層104的第二材料(在本實例中為鍺)的濃度隨著距離犧牲襯底102越遠(yuǎn)而變化。例如，犧牲漸變緩沖層104與犧牲襯底102的邊界處的鍺濃度為零。隨著犧牲漸變緩沖層104的生長，鍺濃度也就增加。
[0035]圖1A示出了與犧牲襯底102和犧牲漸變緩沖層104共同相關(guān)的摻雜曲線。橫軸代表第二材料(在本例中為鍺)的濃度?？v軸代表沿光敏器件100的深度的位置。如圖所示，犧牲漸變緩沖層104的摻雜曲線106隨著距離犧牲襯底102的變遠(yuǎn)而在濃度上增大。
[0036]在一個實例中，漸變緩沖層的梯度可能隨每0.1微米的厚度變化而增加10%的濃度。在一些情況中，厚度每變化0.1微米，濃度變化可能在鍺濃度的5%至20%的變化范圍內(nèi)。犧牲漸變緩沖層104的總厚度大約在0.1至1.0微米的范圍內(nèi)。因此，如果示例性的漸變緩沖層104的厚度為0.4微米而梯度為每0.1微米濃度變化10%，那么漸變緩沖層104頂部的總鍺濃度將大約為40%。
[0037]在一些實例中，梯度可以是貫穿層104的厚度而從0%變化至100%。雖然摻雜曲線106如示意圖為線性曲線，但摻雜曲線106可能是非線性的?？墒褂酶鞣N方法來形成外延生長的漸變緩沖層。例如，為了減小應(yīng)力，溫度可能低于其他所選方式的溫度。例如，工藝可能在400攝氏度至700攝氏度的溫度范圍內(nèi)執(zhí)行。
[0038]圖1B是示出了在犧牲漸變緩沖層104上形成均勻?qū)?08的示意圖。均勻?qū)?08在其厚度上始終保持穩(wěn)定的濃度。因此，均勻?qū)?08的摻雜曲線110明顯為直線。均勻?qū)?08的厚度可能在0.1至2.0微米的范圍內(nèi)。
[0039]均勻?qū)?08可能由各種材料構(gòu)成。在一個實例中，均勻?qū)?08可能由硅鍺(SiGe)構(gòu)成。在一個實例中，均勻?qū)?08可能由純鍺構(gòu)成。在另一個實例中，均勻?qū)?08可能是內(nèi)部形成有量子點或量子阱陣的半導(dǎo)體材料。在一些實例中，硅鍺外延工藝可以允許原位摻雜P型或η型摻雜劑來降低對硅晶體的損傷，并且提高CIS性能。這些摻雜劑可能包括硼、磷或碳。原位使用這些摻雜劑的前體氣體分別為B2H6、PH3和CH3SiH3。
[0040]在均勻?qū)?08為硅鍺的實例中，鍺的濃度可能與犧牲緩沖層104頂部的鍺的濃度相匹配。所用實例的層頂部的鍺濃度為40%，那么均勻?qū)?08將在均勻?qū)?08的厚度上始終保持40%的濃度。
[0041]在均勻?qū)?08為純鍺的實例中，整個均勻?qū)?08將由純鍺構(gòu)成。在這種情況下，犧牲漸變緩沖層104的鍺濃度貫穿其厚度可能由0%變化至100%。因此，緩沖層104頂部的鍺濃度將與在本例中由純鍺構(gòu)成的均勻?qū)?08的鍺濃度相匹配。
[0042]以這種方式形成犧牲漸變緩沖層104可以使由在一種晶體上形成另一種晶體所導(dǎo)致的缺陷和錯位在緩沖層中被“捕捉”。因此，缺陷主要形成在最終將要被去除的區(qū)域中。如果沒有緩沖層，均勻?qū)?08直接形成于硅襯底上，那么缺陷或錯位將存在整個均勻?qū)?08中普遍存在。這將對形成在均勻?qū)?08內(nèi)的光敏感光區(qū)118的效率產(chǎn)生不利的影響。
[0043]在一些實例中，可有量子點或量子阱形成于均勻?qū)?08中。如本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解的是，半導(dǎo)體材料中可以形成量子點來提高光敏器件的效率。量子點的尺寸一般在5nm和50nm之間。量子點一般通過光刻圖案化的柵電極或通過對半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)構(gòu)中的二維電子氣體進(jìn)行蝕刻來限定。量子點陣或量子阱陣可形成在硅鍺均勻?qū)?08內(nèi)或純鍺均勻?qū)?08 內(nèi)。
[0044]圖1C是示出了形成第二漸變緩沖層112的示意圖。第二漸變緩沖層112的梯度與犧牲漸變緩沖層104的相反。如圖所示，第二漸變緩沖層112的摻雜曲線114再次下降至零。
[0045]第二漸變緩沖層112的底部的鍺濃度可能與均勻?qū)?08的鍺濃度匹配。隨著第二漸變緩沖層112的高度增加，這個濃度將緩慢的下降。因此，在均勻?qū)?08為40%的鍺的實例中，第二漸變緩沖層112的底部的鍺濃度將會為40%。這個濃度將會隨第二漸變緩沖層112的高度的增加而減小。在均勻?qū)?08為100%的鍺的實例中，第二漸變緩沖層112的底部的鍺濃度將會為100%。這個濃度也會隨第二漸變緩沖層112的高度的增加而減小。
[0046]第二漸變緩沖層112的摻雜曲線114并不一定是犧牲漸變緩沖層104的摻雜曲線106的鏡像。示出的摻雜曲線114呈線性曲線。然而，摻雜曲線114也可以是非線性的。第二漸變緩沖層112的厚度也可以在0.01微米至0.5微米的范圍內(nèi)。
[0047]圖1D是示出了在第二漸變緩沖層上形成純半導(dǎo)體層116的示意圖。純半導(dǎo)體層116由除了第二漸變緩沖層112的第二材料的材料構(gòu)成。例如，如果第二材料為鍺，并且第二漸變緩沖層112的剩余材料為硅，那么純半導(dǎo)體層116的材料也為硅。純半導(dǎo)體層116的厚度可能在0.01微米至1.0微米的范圍內(nèi)。
[0048]圖1D同樣示出了延伸穿過均勻?qū)?08、第二漸變緩沖層112以及部分純半導(dǎo)體層116的感光區(qū)118的形成。感光區(qū)118可通過注入形成。感光區(qū)118可能是p-n結(jié)或p_i_n結(jié)。在半導(dǎo)體層116中可形成其他多種部件，以將感光區(qū)118連接至用于與感光區(qū)118協(xié)調(diào)工作的其他部件(諸如，晶體管)或其他電路元件。
[0049]圖1E示出了器件層120和載具晶圓112形成于純半導(dǎo)體層116上。將器件層120設(shè)置在硅層116上。設(shè)置器件層120可包括將器件層形成在硅層116上?？蛇x地，設(shè)置器件層120可包括單獨地形成器件層120，然后將其接合至硅層116。隨著這些層的就位，犧牲層102和104就可以通過去除步驟124去除。因此，感光區(qū)118的背面就暴露出來，并且可以感測到投射在背面上的光。
[0050]器件層可以在形成光電二極管之前或之后通過半導(dǎo)體工藝來制造。器件層120可包括與感光區(qū)118連接的各種電路部件和金屬互連件。例如，在圖像傳感器陣列中，每個感光區(qū)118都通過金屬互連件被尋址。陣列中的每個感光區(qū)118都可與由圖像傳感器陣列形成的圖像內(nèi)的一個像素相對應(yīng)。因此，每個感光區(qū)118都可與具體的電路元件(諸如，晶體管)有關(guān)，以測量在特定波長下照射到感光區(qū)118上的光強(qiáng)。
[0051]器件層中的電路可以通過使用標(biāo)準(zhǔn)光刻技術(shù)來形成。例如，光刻步驟可能包括光刻膠涂層、軟烘、掩模對準(zhǔn)、曝光、曝光后烘烤、使光刻膠顯影和硬烘的工藝步驟。光刻步驟可能使用氟化氪(&?)準(zhǔn)分子激光器、氟化氬(紅?)準(zhǔn)分子激光器、紅？浸潤式光刻、極紫外線(￡-)或電子束(6束)寫入。光刻曝光步驟也可以通過使用其他合適的方法(例如，無掩模光刻、離子束寫入以及分子印跡)來執(zhí)行或替換。在對曝光的光刻膠層施加顯影液時，位于經(jīng)過曝光的光刻膠區(qū)域(對于正性光刻膠而言)下面的犧牲層也被部分或完全地去除。
[0052]為了去除各犧牲層，器件層120接合至載具晶圓122。這是因為器件層120和在它下面的所有層在結(jié)構(gòu)上不足以承受去除工藝124。去除工藝可以是蝕刻工藝或化學(xué)機(jī)械拋光((^?)工藝。去除步驟將犧牲襯底102和犧牲漸變緩沖層104都去除。因此，由鍺濃度逐漸增加所導(dǎo)致的缺陷和錯位就通過去除步驟124來去除。這使得均勻?qū)?08具有相對很少的缺陷或極低的缺陷密度。在某些情況下，低缺陷密度是限定了的，因此，均勻?qū)颖辉O(shè)計為根據(jù)本發(fā)明描述的原理而產(chǎn)生的缺陷低于該閾值的層。因此，其中形成的感光區(qū)118可以更有效地工作。
[0053]圖2八是示出了形成在光敏器件的均勻?qū)觾?nèi)的說明性的光柵結(jié)構(gòu)202的示意圖。根據(jù)某些說明性的實例，可以通過使用量子點或量子阱陣來形成光柵結(jié)構(gòu)。光柵可以在均勻?qū)?08形成的過程中形成。光柵層202可用于將光過濾到一個特定的頻率范圍內(nèi)。例如，光柵可以被設(shè)計為允許“紅”光或紅移光(紅移意味著波長移動至更長的波長)通過，而阻擋其他顏色的光通過。因此，感光區(qū)118可以用來測量“紅”光的強(qiáng)度。
[0054]圖28是示出了形成在光敏器件的均勻?qū)觾?nèi)的說明性鈍化層204的示意圖。根據(jù)某些說明性實例，可以使用？+型材料(諸如，硼)來形成鈍化層204。鈍化層可以在均勻?qū)?08形成的過程中形成。這可以通過將82??！6引入至外延生長工藝來實現(xiàn)。因此，鈍化層可以原位形成。另外，原位摻雜的碳還可以使得在外延后的退火工藝之后，硼擴(kuò)散遲緩。
[0055]鈍化層或？+型層204的厚度和濃度可在10納米至100納米以及1018^3至1021^3的范圍內(nèi)。例如，？+型層可以由硼組成。鈍化層204的目的是保護(hù)均勻?qū)?08的表面不受外部污染或其他可能造成均勻?qū)?08受損的東西的損害。此外，富硼層可以形成擴(kuò)散阻擋，以防止光誘生的電子的界面復(fù)合。
[0056]圖3是示出了形成具有漸變緩沖層的背照式光敏器件的說明性方法的流程圖。根據(jù)某些說明性實例，形成背照式光敏器件的方法300包括在犧牲襯底上形成漸變犧牲緩沖層的步驟302。該方法還包括在犧牲漸變緩沖層上形成均勻?qū)拥牟襟E304。該方法還包括在均勻?qū)由闲纬傻诙u變緩沖層的步驟306。該方法還包括在第二漸變緩沖層上形成硅層的步驟308。該方法還包括將器件層接合至第二漸變緩沖層的步驟310?？蛇x地，在步驟311中，在第二漸變緩沖層上形成器件層。該方法還包括去除漸變犧牲緩沖層和犧牲襯底的步驟 312。
[0057]根據(jù)某些說明性的實例，一種形成背照式光敏器件的方法包括:在犧牲襯底上形成漸變犧牲緩沖層；在漸變犧牲緩沖層上形成均勻?qū)?；在均勻?qū)由闲纬傻诙u變緩沖層；在第二漸變緩沖層上形成硅層；在硅層上布置器件層；以及去除漸變犧牲緩沖層和犧牲襯
。
[0058]根據(jù)某些說明性的實例，一種光敏器件包括:均勻?qū)?；位于均勻?qū)由戏降臐u變緩沖層；位于漸變緩沖層上方的硅層；位于均勻?qū)雍凸鑼觾?nèi)的光敏感光區(qū)；位于硅層上的器件層；以及接合至器件層的載具晶圓。均勻?qū)觾?nèi)的缺陷低于限定的閾值。
[0059]根據(jù)某些說明性的實例，一種形成背照式光敏器件的方法，包括在犧牲襯底上形成漸變犧牲緩沖層，并且漸變犧牲緩沖層中的鍺濃度是變化的。該方法還包括在漸變犧牲緩沖層上形成均勻?qū)樱鶆驅(qū)影ㄠ徑跔奚鼭u變緩沖層的原位摻雜的鈍化層。該方法還包括在均勻?qū)由闲纬傻诙u變緩沖層，并且第二漸變緩沖層中的鍺濃度是變化的。該方法還包括:在第二漸變緩沖層上形成硅層；在硅層上布置器件層；在均勻?qū)雍凸鑼觾?nèi)形成光敏感光區(qū)118 ；將載具晶圓接合至器件層上；以及去除漸變犧牲緩沖層和犧牲襯底。
[0060]可以理解的是，上面列出的實施例和步驟的不同組合可以以不同順序或并行使用，并且這里沒有關(guān)鍵的或必須的特定步驟。此外，盡管這里使用了術(shù)語“電極”，但可以認(rèn)為該術(shù)語包括“電極接觸件”的概念。此外，上面參照一些實施例進(jìn)行說明和討論的特征可以與上面參考其他實施例進(jìn)行說明和討論的特征相結(jié)合。因此，所有的類似修改都應(yīng)包括在本發(fā)明的范圍內(nèi)。
[0061]以上對多個實施例的特征進(jìn)行了描述。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該知曉，其可以使用本發(fā)明公開的內(nèi)容作為基礎(chǔ)來設(shè)計或修改其他工藝和結(jié)構(gòu)，以實現(xiàn)同樣的目的和/或獲得與這里介紹的實施例所實現(xiàn)的相同的有益效果。本領(lǐng)域技術(shù)人員也應(yīng)該意識到，這種等同解釋并不背離本申請的精神和公開的范圍，因此他們可以作出很多種并不背離本申請的精神和公開的范圍的改變、代替和替換。
【權(quán)利要求】
1.一種形成背照式光敏器件的方法，所述方法包括: 在犧牲襯底上形成漸變犧牲緩沖層； 在所述漸變犧牲緩沖層上形成均勻?qū)樱? 在所述均勻?qū)由闲纬傻诙u變緩沖層； 在所述第二漸變緩沖層上形成硅層； 在所述硅層上布置器件層；以及 去除所述漸變犧牲緩沖層和所述犧牲襯底。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述均勻?qū)影ü桄N(SiGe)、純鍺(Ge)和其中形成有量子點、量子阱、光柵或者原位摻雜劑的半導(dǎo)體材料中的至少一種。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述漸變犧牲緩沖層包括硅和鍺，并且所述漸變犧牲緩沖層的鍺濃度隨著距離所述犧牲襯底更遠(yuǎn)而增大。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述第二漸變緩沖層包括硅和鍺，并且所述第二漸變緩沖層的鍺濃度隨著距離所述均勻?qū)痈龃蟆?br> 5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述漸變犧牲緩沖層的厚度范圍是約0.1微米至1.0微米。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述均勻?qū)拥暮穸确秶羌s0.1微米至2.0微米。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述硅層的厚度范圍是約0.0l微米至1.0微米。
8.一種光敏器件，包括: 均勻?qū)樱? 漸變緩沖層，位于所述均勻?qū)由戏剑? 硅層，位于所述漸變緩沖層上方； 光敏感光區(qū)，位于所述均勻?qū)雍退龉鑼觾?nèi)； 器件層，位于所述硅層上；以及 載具晶圓，接合至所述器件層； 其中，所述均勻?qū)又械娜毕莸陀谙薅ǖ拈撝怠?br> 9.一種形成背照式光敏器件的方法，所述方法包括: 在犧牲襯底上形成漸變犧牲緩沖層，所述漸變犧牲緩沖層中的鍺濃度是變化的； 在所述漸變犧牲緩沖層上形成均勻?qū)樱鼍鶆驅(qū)影ㄠ徑谒鰸u變犧牲緩沖層的原位摻雜的鈍化層； 在所述均勻?qū)由闲纬傻诙u變緩沖層，所述第二漸變緩沖層中的鍺濃度是變化的； 在所述第二漸變緩沖層上形成硅層； 在所述硅層上布置器件層； 在所述均勻?qū)雍退龉鑼觾?nèi)形成光敏感光區(qū)； 將載具晶圓接合至所述器件層；以及 去除所述漸變犧牲緩沖層和所述犧牲襯底。
【文檔編號】H01L27/146GK104347758SQ201410314942
【公開日】2015年2月11日 申請日期:2014年7月3日 優(yōu)先權(quán)日:2013年8月9日
【發(fā)明者】鄭有宏, 朱彥璋, 吳政達(dá), 杜友倫, 蔡嘉雄, 陳曉萌 申請人:臺灣積體電路制造股份有限公司