一種柔性高陷光性徑向結(jié)異質(zhì)結(jié)高效晶體硅太陽(yáng)電池及其制備方法
【專利摘要】柔性高陷光性徑向結(jié)異質(zhì)結(jié)高效晶體硅太陽(yáng)電池的制備方法，1)采用厚度80～500um，電阻率0.1～1000Ω·cm的晶體硅片作為襯底；2)先在晶體硅襯底上制作太陽(yáng)電池正面結(jié)構(gòu)或半成品正面結(jié)構(gòu)；3)保護(hù)好已制作的正面結(jié)構(gòu)從背面減薄襯底：在已制作的太陽(yáng)電池正面結(jié)構(gòu)或半成品正面結(jié)構(gòu)上制作100nm～100um的保護(hù)層或同時(shí)在背面也制作邊框保護(hù)，將晶體硅襯底從背面減薄至5～50um；去除保護(hù)層或同時(shí)包括背面邊框保護(hù)層；4)制作背面結(jié)構(gòu)：在背面淀積異質(zhì)結(jié)硅基鈍化層2～100nm及背面場(chǎng)2～50nm。異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)大幅度的提高電池的轉(zhuǎn)換效率、開(kāi)路電壓、短路電流等；光電性能優(yōu)良的晶體硅作為柔性電池的吸收基區(qū)，是獲得較高轉(zhuǎn)換效率的保證。
【專利說(shuō)明】一種柔性高陷光性徑向結(jié)異質(zhì)結(jié)高效晶體硅太陽(yáng)電池及其制備方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種太陽(yáng)電池及其制備方法，特別是關(guān)于一種柔性高陷光性徑向結(jié)異質(zhì)結(jié)高效晶體硅太陽(yáng)電池及其制備方法。
技術(shù)背景
[0002]基于非晶體硅的柔性太陽(yáng)電池，由于材料質(zhì)量及其自身光電性質(zhì)的制約，電池的轉(zhuǎn)換效率偏低。
[0003]基于晶體硅的柔性太陽(yáng)電池，由于其技術(shù)路線是先使用外延生長(zhǎng)等方法制備柔性晶體硅襯底，再在其上完成電池的制備。導(dǎo)致技術(shù)路線難度高，工藝冗長(zhǎng)復(fù)雜；再加上在很薄的柔性晶體硅襯底上，制作電池結(jié)構(gòu)的技術(shù)工藝和常規(guī)非柔性晶體硅電池的不兼容，致使制備成本很高。
[0004]具有柔性的晶體硅其厚度是比較薄的(5?50um)，對(duì)太陽(yáng)光譜中的長(zhǎng)波長(zhǎng)光子的吸收相對(duì)較弱，致使短路電流密度相對(duì)降低，其轉(zhuǎn)換效率、開(kāi)路電壓等相對(duì)于常規(guī)厚度OlSOum)的晶體硅電池有所下降。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]針對(duì)上述問(wèn)題:本發(fā)明目的是，采用和常規(guī)非柔性晶體硅電池相兼容的光刻/電子束刻寫(xiě)及RIE刻蝕/金屬催化輔助刻蝕等技術(shù)在正面形成柱形陣列結(jié)構(gòu)，對(duì)太陽(yáng)光譜具有優(yōu)良的陷光性，從而較好改善了短路電流密度；采用異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)進(jìn)一步大幅度的提高了電池的轉(zhuǎn)換效率、開(kāi)路電壓、短路電流等；徑向結(jié)沿柱形材料的徑向分離光生載流子對(duì)，進(jìn)一步提高了載流子對(duì)的分離幾率，并降低了載流子對(duì)的復(fù)合幾率；利用易于低成本大規(guī)?；幕瘜W(xué)刻蝕方法，僅從背面將晶體硅襯底減薄至呈現(xiàn)柔性；晶體硅襯底保證了電池具有較高的轉(zhuǎn)換效率。
[0006]為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采取以下技術(shù)方案:
[0007]—種柔性高陷光性徑向結(jié)異質(zhì)結(jié)高效晶體硅太陽(yáng)電池的制備方法，包括步驟:1)采用厚度80?500um，電阻率0.1?1000 Ω -cm的晶體硅片作為襯底；2)先在晶體硅襯底上制作太陽(yáng)電池正面結(jié)構(gòu)或半成品正面結(jié)構(gòu)；完整的正面結(jié)構(gòu)的制備方法為:將晶體硅襯底預(yù)處理；利用光刻/電子束刻寫(xiě)及RIE刻蝕/金屬催化輔助刻蝕等，在正面形成高陷光性的柱形陣列結(jié)構(gòu)；在正面淀積異質(zhì)結(jié)娃基鈍化層(2?10nm)及發(fā)射區(qū)(2?50nm);在正面淀積TCO/金屬電極；3)保護(hù)好已制作的正面結(jié)構(gòu)從背面減薄襯底:在已制作的太陽(yáng)電池正面結(jié)構(gòu)或半成品正面結(jié)構(gòu)上制作10nm?10um的保護(hù)層(或同時(shí)在背面也制作邊框保護(hù)層)，保護(hù)層為SiNX、A10X、Si0X、PDMS、PMMA等的單層或疊層；在氫氧化鉀(KOH)、氫氧化鈉(NaOH)、氫氟酸+硝酸(HF+HN03)、氫氟酸+硝酸+醋酸(HF+HN03+CH3C00H)或乙二胺鄰苯二酹(Ethylene DiaminePyrocatechol)化學(xué)刻蝕體系中進(jìn)行刻蝕,將晶體娃襯底從背面減薄至5?50um;去除保護(hù)層(或并背面邊框保護(hù)層)；4)制作背面結(jié)構(gòu):在背面淀積異質(zhì)結(jié)娃基鈍化層(2?10nm)及背面場(chǎng)(2?50nm);在背面淀積TCO/金屬電極；5)根據(jù)情形，即制作刻蝕保護(hù)層前已制作的太陽(yáng)電池成品或半成品正面結(jié)構(gòu)，(或)再進(jìn)一步完成正面結(jié)構(gòu)。
[0008]采用厚度>80um，電阻率為0.1?1000 Ω.cm的晶體硅片作為襯底；所述晶體硅襯底是P型或η型單晶硅片，或是P型或η型多晶硅片。
[0009]對(duì)晶體硅襯底進(jìn)行預(yù)處理，包括常規(guī)清洗、去除損傷層、適度拋光或適度陷光化(制續(xù)化)等。
[0010]在正面形成高陷光性的柱形陣列結(jié)構(gòu)，也可以是孔形、錐形等陣列結(jié)構(gòu)，柱、孔、錐等表面還可以疊加上更小尺度的陷光粗糙結(jié)構(gòu)；制作技術(shù)可以采用光刻/電子束刻寫(xiě)、RIE刻蝕/金屬催化輔助刻蝕等技術(shù)，也可以采用壓印/單分散層微球、激光燒蝕等技術(shù)，可以是其中一種技術(shù)的單獨(dú)使用，也可以是其中多種技術(shù)的聯(lián)合使用。
[0011]正面發(fā)射區(qū)是摻雜的a/nc/uc-S1:H、a/nc/uc_SiCx:H 或 a/nc/uc_S1x:H等,可以是其中一種的單層，也可以是其中多種的疊層。
[0012]正面電極為T(mén)CO/金屬電極，TCO材料可以是IT0、FT0、AZ0等，金屬材料可以是Ag、Al等，制作技術(shù)涵蓋濺射、蒸鍍、絲網(wǎng)印刷等。
[0013]背面場(chǎng)是慘雜的a/nc/uc-S1:H、a/nc/uc_SiCx:H 或 a/nc/uc_S1x:H等,可以是其中一種的單層，也可以是其中多種的疊層。
[0014]背面電極是TCO/金屬電極，TCO材料可以是IT0、FT0、AZ0等，金屬材料可以是Ag、Al等，制作技術(shù)涵蓋濺射、蒸鍍、絲網(wǎng)印刷等；背面TCO層也可以缺省。
[0015]制作減薄背面刻蝕保護(hù)層前先在晶體硅襯底上制作至一定的正面結(jié)構(gòu)，即正面結(jié)構(gòu)的部分或全部，例如制作至形成高陷光性的柱形陣列結(jié)構(gòu)，或制作至淀積完異質(zhì)結(jié)娃基鈍化層及發(fā)射區(qū)，或制作至淀積完TCO/金屬電極；甚至襯底先不制作正面結(jié)構(gòu)，同時(shí)也不再需要制作正面保護(hù)層，直接在化學(xué)刻蝕體系里從雙面減薄襯底至呈現(xiàn)柔性，再將其制成柔性電池，也在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
[0016]在已制作的正面結(jié)構(gòu)上制作保護(hù)層(或在背面也制作邊框保護(hù)層)，保護(hù)層可以是SiNx、A10x、Si0x等，也可以是PDMS、PMMA等，可以是其中一種的單層，也可以是其中多種的疊層；如果在背面制作了邊框保護(hù)層，背面減薄刻蝕后，襯底將具有一個(gè)原襯底厚度的硬邊框，該邊框的存在可以保護(hù)中部的柔性襯底區(qū)域，非常便于后續(xù)的操作與工藝處理，中部柔性區(qū)域全部電池工藝完成后，可以用激光切片機(jī)切除該邊框，便獲得了中部的柔性電池。
[0017]用化學(xué)刻蝕方法從背面將襯底減薄到5?50um，呈現(xiàn)非常優(yōu)良的柔性，化學(xué)刻蝕體系可以是氫氧化鉀(KOH)、氫氧化鈉(NaOH)等堿性體系，也可以是氫氟酸+硝酸(HF+HN03)、氫氟酸+硝酸+醋酸(HF+HN03+CH3C00H)等酸性體系，還可以是乙二胺鄰苯二酌.(Ethylene DiaminePyrocatechol)等體系。
[0018]正面和背面在制作時(shí)可以采用正面鈍化層、背面鈍化層。正面鈍化層是本征的a/nc/uc-S1:H、a/nc/uc_SiCx:H 或 a/nc/uc_S1x:H 等，可以是其中一種的單層，也可以是其中多種的疊層；正面鈍化層也可以缺省。背面鈍化層是本征的a/nc/uc-S1:H、a/nc/uc-SiCx:H或a/nc/uc-S1x:H等,可以是其中一種的單層,也可以是其中多種的疊層；背面鈍化層也可以缺省。
[0019]本發(fā)明的有益效果:本發(fā)明采用和常規(guī)非柔性晶體硅電池相兼容的光刻/電子束刻寫(xiě)及RIE刻蝕/金屬催化輔助刻蝕等技術(shù)在正面形成柱形陣列結(jié)構(gòu)，對(duì)太陽(yáng)光譜具有優(yōu)良的陷光性，改善了短路電流密度；采用異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)進(jìn)一步大幅度的提高了電池的轉(zhuǎn)換效率、開(kāi)路電壓、短路電流等；徑向結(jié)沿柱形材料的徑向分離光生載流子對(duì)，進(jìn)一步提高了載流子對(duì)的分離幾率，并降低了載流子對(duì)的復(fù)合幾率；利用易于低成本大規(guī)?；幕瘜W(xué)刻蝕方法，僅從背面將晶體硅襯底減薄至呈現(xiàn)柔性；本發(fā)明使用化學(xué)刻蝕方法，易于低成本大規(guī)模產(chǎn)業(yè)化；晶體硅作為柔性電池的吸收基區(qū)，具有優(yōu)良的光電性能，是獲得高效柔性電池的基礎(chǔ)。本發(fā)明最終獲得的柔性晶體硅太陽(yáng)電池的轉(zhuǎn)換效率非常高，遠(yuǎn)高于一般的柔性薄膜電池，甚至高于常規(guī)非柔性單晶硅或多晶硅太陽(yáng)電池，因此具有更加多樣而廣泛的應(yīng)用前旦
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【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0020]圖1是本發(fā)明提供的一種柔性高陷光性徑向結(jié)異質(zhì)結(jié)高效晶體硅太陽(yáng)電池的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0021]圖2是本發(fā)明提供的一種柔性高陷光性徑向結(jié)異質(zhì)結(jié)高效晶體硅太陽(yáng)電池的制備流程圖。

【具體實(shí)施方式】
[0022]為使本發(fā)明的技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，以下結(jié)合具體實(shí)施例，并參照附圖1和圖2，對(duì)本發(fā)明進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。
[0023]圖中所示，I背面TCO/金屬電極、2背面場(chǎng)、3背面鈍化層、4柔性晶體硅、5正面鈍化層、6正面發(fā)射區(qū)、7正面TC0、8正面金屬電極。
[0024]一種柔性高陷光性徑向結(jié)異質(zhì)結(jié)高效晶體硅太陽(yáng)電池及其制備方法，其特征在于:實(shí)現(xiàn)完整正面結(jié)構(gòu)的制備方法:將晶體硅襯底預(yù)處理；利用光刻/電子束刻寫(xiě)及RIE刻蝕/金屬催化輔助刻蝕等，在正面形成高陷光性的柱形陣列結(jié)構(gòu)；在正面淀積異質(zhì)結(jié)硅基鈍化層及發(fā)射區(qū)；在正面淀積TCO/金屬電極。實(shí)現(xiàn)背面結(jié)構(gòu)的制備方法:在背面淀積異質(zhì)結(jié)硅基鈍化層及背面場(chǎng)；在背面淀積TCO/金屬電極。保護(hù)正面減薄背面實(shí)現(xiàn)柔性的制備方法:在正面制作至一定的正面結(jié)構(gòu)后，制作保護(hù)層將正面結(jié)構(gòu)保護(hù)好(或在背面也制作邊框保護(hù)層)，用化學(xué)刻蝕方法從背面將襯底減薄至呈現(xiàn)柔性(例如5?50um)，去除保護(hù)層(或并邊框保護(hù)層)。
[0025]實(shí)施例1，正面制作至形成高陷光性的柱形陣列結(jié)構(gòu)，保護(hù)正面刻蝕背面:
[0026]I)采用厚度200±20um，電阻率為I?3Ω.cm的p型單晶硅片作為襯底。
[0027]2)對(duì)襯底進(jìn)行常規(guī)堿制絨。
[0028]3)采用接觸式紫外光刻，在正面光刻膠上形成圓孔形陣列；在其上蒸鍍0.1?1um的金屬鉻，通過(guò)剝離光刻膠的方法形成鉻的圓形陣列；以金屬鉻的圓形陣列為掩膜版，采用氟基RIE刻蝕，形成晶體硅的柱形陣列；化學(xué)濕法去除金屬鉻及硅的表面損傷；最終在正面形成直徑2?20um、周期4?40um、高度3?1um的晶體娃柱形陣列結(jié)構(gòu)。
[0029]4)PECVD正面淀積300?600nm的SiNx作為保護(hù)層，背面淀積寬度?5mm，厚度300?600um的SiNx作為邊框保護(hù)層。
[0030]5)使用NaOH溶液，從背面將襯底減薄至20?40um，襯底呈現(xiàn)非常優(yōu)良的柔性。
[0031]6)去除正面的SiNx保護(hù)層及背面的SiNx邊框保護(hù)層。
[0032]7)正面PECVD先淀積2?1nm的本征a_S1: H,再淀積10?20nm的η型a_S1: H,形成正面鈍化層及異質(zhì)結(jié)。
[0033]8)背面PECVD先淀積2?1nm的本征a_S1:H，再淀積10?20nm的重?fù)诫sp型a-S1:H,形成背面鈍化層及背面場(chǎng)。
[0034]9)在正面磁控濺射淀積50?150nm的TC0，并在其上電子束蒸鍍具有柵線版形的銀電極，形成正面電極。
[0035]10)在背面熱蒸鍍0.5?2.5um的金屬鋁層，作為背面電極。
[0036]11)在較低溫度下熱退火。
[0037]12)使用激光切片機(jī)切除硬邊框，獲得中部的柔性電池。
[0038]實(shí)施例2，正面制作至淀積完TCO/金屬電極，保護(hù)正面刻蝕背面:
[0039]I)采用厚度200±20um，電阻率為50?500 Ω.cm的η型單晶硅片作為襯底。
[0040]2)對(duì)襯底進(jìn)行常規(guī)化學(xué)拋光。
[0041]3)采用接觸式紫外光刻，在正面光刻膠上形成圓形陣列；在其上電子束蒸鍍5?500nm的金屬銀，通過(guò)剝離光刻膠的方法形成銀的圓孔形陣列；以圓孔形陣列的金屬銀作催化輔助，進(jìn)行化學(xué)濕法刻蝕，形成晶體硅的柱形陣列；化學(xué)濕法去除金屬銀及硅的表面損傷；最終在正面形成直徑2?20um、周期4?40um、高度3?1um的晶體娃柱形陣列結(jié)構(gòu)。
[0042]4)正面PECVD先淀積2?1nm的本征a_S1: H,再淀積10?20nm的p型a_S1: H,形成正面鈍化層及異質(zhì)結(jié)。
[0043]5)在正面磁控濺射淀積50?150nm的TC0，并在其上電子束蒸鍍具有柵線版形的銀電極，形成正面電極。
[0044]6)正面旋涂50?10um的PDMS作為保護(hù)層，烘培固化。
[0045]7)使用HF+HN03+CH3C00H溶液，從背面將襯底減薄至20?40um，襯底呈現(xiàn)非常優(yōu)良的柔性。
[0046]8)去除正面的PDMS保護(hù)層。
[0047]9)背面PECVD先淀積2?1nm的本征a_S1: H，再淀積10?20nm的重?fù)诫sη型a-S1:H,形成背面鈍化層及背面場(chǎng)。
[0048]10)在背面熱蒸鍍0.5?2.5um的金屬鋁層，作為背面電極。
[0049]11)在較低溫度下熱退火。
[0050]以上所述的具體實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和有益效果進(jìn)行了進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明，所應(yīng)理解的是，以上所述僅為本發(fā)明的具體實(shí)施例而已，并不用于限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所做的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種柔性高陷光性徑向結(jié)異質(zhì)結(jié)高效晶體硅太陽(yáng)電池的制備方法，其特征是步驟包括:1)采用厚度80?500um，電阻率0.1?1000Ω ^cm的晶體硅片作為襯底；2)先在晶體硅片襯底上制作太陽(yáng)電池正面結(jié)構(gòu)或半成品正面結(jié)構(gòu)；完整的正面結(jié)構(gòu)的制備方法為:將晶體硅襯底預(yù)處理；利用光刻/電子束刻寫(xiě)及RIE刻蝕/金屬催化輔助刻蝕等，在正面形成高陷光性的柱形陣列結(jié)構(gòu)；在正面淀積異質(zhì)結(jié)娃基鈍化層(2?10nm)及發(fā)射區(qū)(2?50nm)；在正面淀積TCO/金屬電極；3)保護(hù)好已制作的正面結(jié)構(gòu)從背面減薄襯底:在已制作的太陽(yáng)電池正面結(jié)構(gòu)或半成品正面結(jié)構(gòu)上制作10nm?10um的保護(hù)層或同時(shí)在背面也制作邊框保護(hù)，保護(hù)層為SiNx、AlOx, S1x, PDMS, PMMA等的單層或疊層；在氫氧化鉀(KOH)、氫氧化鈉(NaOH)、氫氟酸+硝酸(HF+HN03)、氫氟酸+硝酸+醋酸(HF+HN03+CH3C00H)或乙二胺鄰苯二酚化學(xué)刻蝕體系中進(jìn)行刻蝕，將晶體硅襯底從背面減薄至5?50um ;去除保護(hù)層或同時(shí)包括背面邊框保護(hù)層；4)制作背面結(jié)構(gòu):在背面淀積異質(zhì)結(jié)硅基鈍化層2?10nm及背面場(chǎng)2?50nm ;在背面淀積TCO/金屬電極；5)根據(jù)情形，即制作刻蝕保護(hù)層前已制作的太陽(yáng)電池成品或半成品正面結(jié)構(gòu)，或再進(jìn)一步完成正面結(jié)構(gòu)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的柔性高陷光性徑向結(jié)異質(zhì)結(jié)高效晶體硅太陽(yáng)電池的制備方法，其特征是采用厚度>80um，電阻率為0.1?1000 Ω.cm的晶體硅片作為襯底；所述晶體硅襯底是P型或η型單晶硅片，或是P型或η型多晶硅片；對(duì)襯底進(jìn)行預(yù)處理，包括常規(guī)清洗、去除損傷層、適度拋光或適度陷光化即制絨化。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的柔性高陷光性徑向結(jié)異質(zhì)結(jié)高效晶體硅太陽(yáng)電池的制備方法，其特征是在正面形成高陷光性的柱形陣列結(jié)構(gòu)，也可以是孔形、錐形等陣列結(jié)構(gòu)，柱、孔、錐等表面還可以疊加上更小尺度的陷光粗糙結(jié)構(gòu)；制作技術(shù)可以采用光刻/電子束刻寫(xiě)、RIE刻蝕/金屬催化輔助刻蝕等技術(shù)，也可以采用壓印/單分散層微球、激光燒蝕等技術(shù)，是其中一種技術(shù)的單獨(dú)使用，或是其中多種技術(shù)的聯(lián)合使用。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的柔性高陷光性徑向結(jié)異質(zhì)結(jié)高效晶體硅太陽(yáng)電池的制備方法，其特征是正面發(fā)射區(qū)是摻雜的a/nc/uc-S1:H、a/nc/uc_SiCx:H或a/nc/uc_S1x:H,是其中一種的單層材料，或其中多種的疊層。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的柔性高陷光性徑向結(jié)異質(zhì)結(jié)高效晶體硅太陽(yáng)電池的制備方法，其特征是正面電極為T(mén)CO/金屬電極，TCO材料是IT0、FT0、AZ0，金屬材料是Ag、Al，制作技術(shù)包括濺射、蒸鍍、絲網(wǎng)印刷；背面電極是TCO/金屬電極，TCO材料是IT0、FT0、AZ0，金屬材料可以是Ag、Al，制作技術(shù)包括濺射、蒸鍍、絲網(wǎng)印刷；背面T⑶層能夠缺省。
6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的柔性高陷光性徑向結(jié)異質(zhì)結(jié)高效晶體硅太陽(yáng)電池的制備方法，其特征是背面場(chǎng)是摻雜的a/nc/uc-S1:H、a/nc/uc_SiCx:H或a/nc/uc_S1x:H,是其中一種的單層，或是其中多種的疊層。
7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的柔性高陷光性徑向結(jié)異質(zhì)結(jié)高效晶體硅太陽(yáng)電池的制備方法，其特征是，制作減薄背面刻蝕保護(hù)層前先在晶體硅襯底上制作至一定的正面結(jié)構(gòu)，即正面結(jié)構(gòu)的部分或全部，制作至形成高陷光性的柱形陣列結(jié)構(gòu)、制作至淀積完異質(zhì)結(jié)娃基鈍化層及發(fā)射區(qū)或制作至淀積完TCO/金屬電極；或當(dāng)襯底先不制作正面結(jié)構(gòu)，同時(shí)也不再需要制作正面保護(hù)層，直接在化學(xué)刻蝕體系里從雙面減薄襯底至呈現(xiàn)柔性，再將其制成柔性電池。
8.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的柔性高陷光性徑向結(jié)異質(zhì)結(jié)高效晶體硅太陽(yáng)電池的制備方法，其特征是，在已制作的正面結(jié)構(gòu)上制作保護(hù)層或在背面也制作邊框保護(hù)層，保護(hù)層是SiNx、AlOx, S1x,或是PDMS、PMMA,是其中一種的單層，或是其中多種的疊層；如果在背面制作了邊框保護(hù)層，背面減薄刻蝕后，襯底將具有一個(gè)原襯底厚度的硬邊框，該邊框的存在能保護(hù)中部的柔性襯底區(qū)域，非常便于后續(xù)的操作與工藝處理。中部柔性區(qū)域全部電池工藝完成后，可以用激光切片機(jī)切除該邊框，便獲得中部的柔性電池。
9.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的柔性高陷光性徑向結(jié)異質(zhì)結(jié)高效晶體硅太陽(yáng)電池的制備方法，其特征是用化學(xué)刻蝕方法從背面將襯底減薄到5?50um，化學(xué)刻蝕液是氫氧化鉀(KOH)、氫氧化鈉(NaOH)堿性體系，或是氫氟酸+硝酸(HF+HN03)、氫氟酸+硝酸+醋酸(HF+HN03+CH3C00H)酸性體系，或是乙二胺鄰苯二酌.(Ethylene DiaminePyrocatechol)體系O
10.根據(jù)權(quán)利要求1-9之I所述的制備方法得到的柔性高陷光性徑向結(jié)異質(zhì)結(jié)高效晶體硅太陽(yáng)電池，其特征是正面和背面在制作時(shí)釆用正面鈍化層、背面鈍化層；正面鈍化層是本征的a/nc/uc-S1: H、a/nc/uc-SiCx: H或a/nc/uc_S1x:H，是其中一種的單層或是其中多種的疊層；背面鈍化層是本征的a/nc/uc-S1:H、a/nc/uc_SiCx:H或a/nc/uc_S1x:H，是其中一種的單層，或是其中多種的疊層；鈍化層能夠缺省。
【文檔編號(hào)】H01L31/072GK104201234SQ201410295530
【公開(kāi)日】2014年12月10日 申請(qǐng)日期:2014年6月26日 優(yōu)先權(quán)日:2014年6月26日
【發(fā)明者】余林蔚, 李成棟 申請(qǐng)人:余林蔚, 李成棟