一種柔性薄膜晶體管的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種柔性薄膜晶體管，包括：柔性基板；阻擋層，設(shè)置于所述柔性基板之上；柵極，設(shè)置于所述阻擋層之上；柵極絕緣層，設(shè)置于所述阻擋層之上并覆蓋所述柵極；有源半導(dǎo)體層，設(shè)置于所述柵極絕緣層之上；以及源/漏電極，設(shè)置于所述有源半導(dǎo)體層之上并與所述有源半導(dǎo)體層電接觸，其中所述阻擋層為包括氮化硅層、氧化硅層和氧化鋁層的層疊結(jié)構(gòu)。本發(fā)明的柔性薄膜晶體管在阻擋層中加入具有優(yōu)異阻水/氧性能且缺陷極少的氧化鋁層，利用氧化鋁層具有較低應(yīng)力的特性同時(shí)形成多層層疊的阻擋層結(jié)構(gòu)，從而緩解薄膜的內(nèi)應(yīng)力的積累和疊加，改善了阻擋層與柔性基板的附著性，進(jìn)而減少薄膜出現(xiàn)脫落的現(xiàn)象。
【專利說明】一種柔性薄膜晶體管

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，特別涉及一種柔性薄膜晶體管。

【背景技術(shù)】
[0002] 有機(jī)發(fā)光二極管（0LED)是一種利用有機(jī)半導(dǎo)體材料在電流的驅(qū)動下產(chǎn)生的可逆 變色來實(shí)現(xiàn)顯示的技術(shù)。0LED具有超輕、超薄、高亮度、大視角、低電壓、低功耗、快響應(yīng)、高 清晰度、抗震、可彎曲、低成本、工藝簡單、使用原材料少、發(fā)光效率高和溫度范圍寬等優(yōu)點(diǎn)， 被認(rèn)為是最有發(fā)展前途的新一代顯示技術(shù)。
[0003] 目前有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極管（AM0LED)柔性器件在具備平板顯示器件的功能 夕卜，由于其所具有的自由卷曲和彎折性能，使其在任何條件下被自由處理；即為采用柔性材 料在卷起或者彎曲時(shí)，柔性顯示器件具有相同的顯示性能，成為顯示行業(yè)新的發(fā)展方向。
[0004] AM0LED柔性器件中的驅(qū)動電路部分為薄膜晶體管，薄膜晶體管通常由基板、阻擋 層、柵電極、柵極絕緣層、有源半導(dǎo)體層、源/漏電極幾個(gè)部分組成，現(xiàn)有的器件中采用雙層 結(jié)構(gòu)氮化硅/氧化硅薄膜或者單層結(jié)構(gòu)的氮化硅或氧化硅薄膜作為阻擋層，容易出現(xiàn)內(nèi)應(yīng) 力的疊加和累積，在進(jìn)行卷起或者彎曲時(shí)，會出現(xiàn)整面性的薄膜脫落現(xiàn)象，如圖1A和圖1B 所示，顯示區(qū)域和外圍走線區(qū)域出現(xiàn)明顯的薄膜脫落現(xiàn)象。這樣會導(dǎo)致液晶面板出現(xiàn)黑線、 亮線或斑點(diǎn)，甚至直接導(dǎo)致顯示屏的毀壞，影響產(chǎn)品良率。
[0005] 因此，需要對阻擋層進(jìn)行改進(jìn)，以抵消薄膜應(yīng)力產(chǎn)生的影響。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0006] 針對上述問題，發(fā)明人經(jīng)過長期的深入研究，提出在柔性薄膜晶體管的阻擋層中 加入氧化鋁層，形成多層結(jié)構(gòu)并控制氧化鋁層的厚度比例，從而緩解薄膜的內(nèi)應(yīng)力的積累 和疊加，進(jìn)而減少薄膜出現(xiàn)脫落的現(xiàn)象。
[0007] 本發(fā)明提供一種柔性薄膜晶體管，包括：
[0008] 柔性基板；
[0009] 阻擋層，設(shè)置于所述柔性基板之上；
[0010] 柵極，設(shè)置于所述阻擋層之上；
[0011] 柵極絕緣層，設(shè)置于所述阻擋層之上并覆蓋所述柵極；
[0012] 有源半導(dǎo)體層，設(shè)置于所述柵極絕緣層之上；以及
[0013] 源/漏電極，設(shè)置于所述有源半導(dǎo)體層之上并與所述有源半導(dǎo)體層電接觸，
[0014] 其中所述阻擋層為包括氮化硅層、氧化硅層和氧化鋁層的層疊結(jié)構(gòu)。
[0015] 在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式中，所述阻擋層包括氮化硅層；氧化硅層，設(shè)置于所述氮 化硅層之上；以及氧化鋁層，設(shè)置于所述氧化硅層之上。
[0016] 在本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施方式中，所述阻擋層的總厚度為2000?6000人。
[0017] 在本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施方式中，所述阻擋層中所述氧化鋁層的厚度占所述阻擋層 總厚度的1/20?1/5,所述氧化硅層的厚度占所述阻擋層總厚度的1/5?1/2,其余為氮化 娃層。
[0018] 在本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施方式中，所述阻擋層中所述氧化鋁層的厚度占所述阻擋層 總厚度的1/10?1/8,所述氧化硅層的厚度占所述阻擋層總厚度的1/3,其余為氮化硅層。
[0019] 在本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施方式中，所述柵極絕緣層為包括氮化硅層、氧化硅層和氧 化鋁層的層疊結(jié)構(gòu)。
[0020] 在本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施方式中，所述柵極絕緣層包括氮化硅層；氧化硅層，設(shè)置于 所述氮化硅層之上；以及氧化鋁層，設(shè)置于所述氧化硅層之上。
[0021] 在本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施方式中，所述柵極絕緣層的總厚度為2000?5000A。
[0022] 在本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施方式中，所述柵極絕緣層中所述氧化鋁層的厚度占所述柵 極絕緣層總厚度的1/20?1/5,所述氧化硅層的厚度占所述柵極絕緣層總厚度的1/5? 1/2,其余為所述氮化硅層。
[0023] 在本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施方式中，所述薄膜晶體管還包括刻蝕阻擋層，所述刻蝕阻 擋層設(shè)置于所述源/漏電極之上，且所述刻蝕阻擋層包含至少一層氧化鋁層。
[0024] 在本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施方式中，所述刻蝕阻擋層的厚度為丨500?2500 A。
[0025] 在本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施方式中，所述薄膜晶體管還包括保護(hù)層，所述保護(hù)層設(shè)置 于所述柵極絕緣層和所述刻蝕阻擋層之上，且所述保護(hù)層包含至少一層氧化鋁層。
[0026] 在本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施方式中，所述保護(hù)層的厚度為500?2000 A。
[0027] 本發(fā)明的柔性薄膜晶體管在阻擋層中加入具有優(yōu)異阻水/氧性能且缺陷極少的 氧化鋁層，利用氧化鋁層具有較低應(yīng)力的特性同時(shí)形成多層層疊的阻擋層結(jié)構(gòu)，從而緩解 薄膜的內(nèi)應(yīng)力的積累和疊加，改善了阻擋層與柔性基板的附著性，進(jìn)而減少薄膜出現(xiàn)脫落 的現(xiàn)象。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0028] 圖1A示出了現(xiàn)有技術(shù)中薄膜晶體管顯示區(qū)域的薄膜脫落；
[0029] 圖1B示出了現(xiàn)有技術(shù)中薄膜晶體管外圍走線區(qū)域的薄膜脫落；
[0030] 圖2示出了根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施方式的薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0031] 圖3示出了根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施方式的薄膜晶體管中阻擋層與基板之間的粘附 狀態(tài)。
[0032] 其中，附圖標(biāo)記說明如下：
[0033] 1柔性基板
[0034] 2阻擋層
[0035] 21氮化硅層
[0036] 22氧化硅層
[0037] 23氧化鋁層
[0038] 3 柵極
[0039] 4柵極絕緣層
[0040] 41氮化硅層
[0041] 42氧化硅層
[0042] 43氧化鋁層
[0043] 5有源半導(dǎo)體層
[0044] 6源/漏電極
[0045] 7刻蝕阻擋層
[0046] 8保護(hù)層
[0047] 9平坦化層
[0048] 10接觸孔

【具體實(shí)施方式】
[0049] 下面根據(jù)具體實(shí)施例對本發(fā)明的技術(shù)方案做進(jìn)一步說明。本發(fā)明的保護(hù)范圍不限 于以下實(shí)施例，列舉這些實(shí)例僅出于示例性目的而不以任何方式限制本發(fā)明。
[0050] 現(xiàn)參照圖2,以說明根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施方式的柔性薄膜晶體管。
[0051] 如圖2所示，柔性薄膜晶體管包括：
[0052] 柔性基板1 ;
[0053] 阻擋層2,設(shè)置于柔性基板1之上；
[0054] 柵極3,設(shè)置于阻擋層2之上；
[0055] 柵極絕緣層4,設(shè)置于阻擋層2之上并覆蓋柵極3 ;
[0056] 有源半導(dǎo)體層5,設(shè)置于柵極絕緣層4之上；以及
[0057] 源/漏電極6,設(shè)置于有源半導(dǎo)體層5之上并與有源半導(dǎo)體層5電接觸，
[0058] 其中阻擋層2為包括氮化硅層21、氧化硅層22和氧化鋁層23的層疊結(jié)構(gòu)。
[0059] 目前，柔性薄膜晶體管基板的材料主要有薄玻璃、塑料、金屬薄片三種。柔性基板 1的材料例如為輕薄、堅(jiān)固且柔韌性極佳的塑料基板，例如PC、PET、PEN、PES、PI等聚合物 基板，其中聚酰亞胺（PI)基板具有柔韌性好、可操作性強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)，是目前被廣泛采用的柔 性基板材料。柔性基板1也可為玻璃與聚酰亞胺的組合，例如最下層為玻璃，其上為聚酰亞 胺。
[0060] 聚合物基板本身自由體積分?jǐn)?shù)較小且鏈段平均自由度較大，決定了其水/氧滲透 率較大，容易導(dǎo)致氧氣及水汽滲透進(jìn)入發(fā)光器件，從而縮短器件壽命。為解決聚合物基板水 /氧滲透的問題，通常在聚合物襯底之上形成阻擋水/氧滲透的阻擋層。
[0061] 阻擋層2為包括氮化硅層21、氧化硅層22和氧化鋁層23的層疊結(jié)構(gòu)，但不限于三 層結(jié)構(gòu)，可包括多層氮化硅層21、多層氧化硅層22和多層氧化鋁層23。阻擋層2的厚度為 2000?6000 A，例如為2500?3500人。氧化鋁具有較低的薄膜內(nèi)應(yīng)力，同時(shí)其介電常數(shù) 優(yōu)于氮化硅和氧化硅，因此氧化鋁層23在結(jié)合氮化硅層21和氧化硅層22構(gòu)成阻擋層2時(shí) 能更好地松弛薄膜應(yīng)力，同時(shí)提供良好的介電性能。在阻擋層2中，氮化硅層21通常作為 最下層與柔性基板1接觸，氧化硅層22作為中間層，而氧化鋁層23作為最上層。
[0062] 在阻擋層2中，氧化鋁層23的厚度占阻擋層2總厚度的1/20?1/5,例如為 1/10-1/8,氧化硅層22的厚度占阻擋層2總厚度的1/5?1/2,例如為1/3,其余為氮化硅 層21。
[0063] 本發(fā)明對阻擋層2中氧化鋁層23的厚度變化與薄膜整體應(yīng)力變化進(jìn)行了研究，結(jié) 果如表1所示。
[0064] 表1阻擋層2中氧化鋁層23的厚度占比與薄膜整體應(yīng)力變化
[0065] 氧化鋁層23的厚度占比~?ΤΤδ ?ΤΤβ ?ΤΤδ [ΤΤ-- [1720 薄膜整體應(yīng)力（MPa) 33Γ2 2?7? Τ7Γ2 16.9 28. 3
[0066] 當(dāng)氧化鋁層23的厚度占阻擋層2總厚度的1/10?1/8時(shí)，薄膜整體應(yīng)力最小，因 此，當(dāng)氧化鋁層23的厚度占阻擋層2總厚度的1/10?1/8,氧化硅層22的厚度占阻擋層2 總厚度的1/3,其余為氮化硅層21時(shí)，能明顯減少薄膜整體應(yīng)力。
[0067] 氮化硅層21和氧化硅層22通常采用PECVD (等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積）的方法 進(jìn)行制備。制備氮化硅層時(shí)，采用350?1200W的功率，在溫度為345°C、壓力為5?30Torr 的條件下，通入100?150sccm的SiH4和500?1500sccm的N20,以制得氮化娃層21。制 備氧化硅層時(shí)，采用500?1500W的功率，在溫度為320°C、壓力為2?lOTorr的條件下，通 入 100 ?500sccm 的 SiH4、100 ?300sccm 的 NH3 和 2000 ?4000sccm 的 N2，以制得氮化硅 層22。
[0068] 氧化鋁薄膜有多種制備技術(shù)，其性質(zhì)取決于制備薄膜的過程參數(shù)，不同的應(yīng)用環(huán) 境對其性能要求不同，所采用的制備工藝與技術(shù)也隨之不同。氧化鋁薄膜的制備方法主要 有物理氣相沉積（PVD)、化學(xué)氣相沉積（CVD)、溶膠凝膠法（sol-gel)、原子層沉積（ALD)等， 優(yōu)選為原子層沉積。
[0069] 原子層沉積氧化鋁薄膜是通過高精度的在線控制，脈沖交替地將有機(jī)金屬鋁源氣 相前軀體（TMA)和氧化劑（水、氧氣或臭氧）通入沉積室，并在基底上化學(xué)吸附且反應(yīng)成 膜，利用該技術(shù)所沉積的薄膜不但均勻，而且純度高、保形性好，具有較低的薄膜內(nèi)應(yīng)力。
[0070] ALD制備一層單分子層的A1203的每個(gè)周期，包含兩個(gè)"半反應(yīng)"，第一個(gè)半反應(yīng)中， 三甲基鋁（TMA)分子與吸附在表面的羥基團(tuán)發(fā)生反應(yīng)。在第一個(gè)半反應(yīng)結(jié)束的時(shí)候，鋁原 子與甲基團(tuán)將表面覆蓋，而沉積腔室中剩余的TMA分子也不會再與表面反應(yīng)。而后再經(jīng)過 惰性氣體或氧氣吹掃腔室后，ALD周期的第二個(gè)半反應(yīng)即會開始。在基底上方將激發(fā)形成 氧等離子體，含氧自由基并能有效地與甲基團(tuán)及基底表面的鋁反應(yīng)生成氧化鋁。
[0071] 制備氧化鋁層23時(shí)，可采用AKT5500PX TFE CVD系統(tǒng)，在溫度為180?230°C、壓 力為0· 1?6Torr的條件下，通入400?lOOOsccm的TMA和1500?2200sccm的03作為 原料氣體，以500?1200W的功率進(jìn)行沉積，制得氧化鋁層23。
[0072] 在阻擋層2之上設(shè)置柵極3。柵極3例如為&1〇、1、或41等金屬，且可通過濺射 或蒸鍍的方法形成。
[0073] 在阻擋層2之上設(shè)置柵極絕緣層4,柵極絕緣層4覆蓋柵極3。TFT對柵絕緣層有 以下幾個(gè)方面的要求：好的絕緣耐壓性能、高的穩(wěn)定性能以及與有源層之間形成好的界面 特性等。現(xiàn)有技術(shù)中通常選用氮化硅層、氧化硅層或氮化硅/氧化硅雙層結(jié)構(gòu)作為絕緣層， 但本發(fā)明的薄膜晶體管在柵極絕緣層中加入氧化鋁層，可進(jìn)一步降低薄膜內(nèi)應(yīng)力的疊加與 累積。
[0074] 柵極絕緣層4為包括氮化硅層、氧化硅層和氧化鋁層的層疊結(jié)構(gòu)，但不限于三層 結(jié)構(gòu)，可包括多層氮化硅層41、多層氧化硅層42和多層氧化鋁層43。
[0075] 在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式中，采用氮化硅層41、氧化硅層42和氧化鋁層43的三層 層疊結(jié)構(gòu)作為柵極絕緣層4,其厚度為2000~5000 A，例如為250(K350〇A。
[0076] 柵極絕緣層4直接決定著薄膜晶體管的性能，因此需要將含氫的氮化硅層41置于 底層，在其上依次形成氧化硅層42和氧化鋁層43,以防止氫的擴(kuò)散。
[0077] 柵極絕緣層4中氮化硅層41、氧化硅層42和氧化鋁層43的制備方法與阻擋層2 中氮化硅層21、氧化硅層22和氧化鋁層23的制備方法相同，氧化鋁層43的厚度占柵極絕 緣層4總厚度的1/20?1/5,例如為1/10-1/8,氧化硅層42的厚度占柵極絕緣層4總厚度 的1/5?1/2,例如為1/3,其余為氮化硅層41。
[0078] 在柵極絕緣層4之上設(shè)置有源半導(dǎo)體層5。有源半導(dǎo)體層5為金屬氧化物層，例如 為IGZ0(銦鎵鋅氧化物）層，且可采用射頻磁控濺射法、溶液旋涂法或脈沖激光沉積法等進(jìn) 行制備。IGZ0不僅遷移率高，還具有成膜溫度低、工藝簡單等特性，因此更適合于薄膜晶體 管。
[0079] 在有源半導(dǎo)體層5之上設(shè)置源/漏電極6,源/漏電極6與有源半導(dǎo)體層5電接 觸。源/漏電極6可為本領(lǐng)域常規(guī)材料如Mo、MoW、A1等金屬層薄膜或如ΙΤΟ、ΑΖ0等透明 導(dǎo)電薄膜，且可使用濺射或蒸鍍的方法形成。
[0080] 在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式中，在源/漏電極6之上還設(shè)置刻蝕阻擋層7,刻蝕阻擋 層7包含至少一層氧化鋁層，即可為單層氧化鋁層、氧化鋁/氮化硅的雙層結(jié)構(gòu)、氧化鋁/ 氧化硅的雙層結(jié)構(gòu)、氧化鋁/氮化硅/氧化硅的三層結(jié)構(gòu)等，以利用氧化鋁的低應(yīng)力特性來 進(jìn)一步降低薄膜內(nèi)應(yīng)力的疊加與累積?？涛g阻擋層7可通過化學(xué)氣相沉積或?yàn)R射或是旋涂 的方法形成，其厚度為1500?2500人，例如為2000 A。
[0081] 在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式中，在刻蝕阻擋層7和柵極絕緣層4之上還設(shè)置保護(hù)層 8,以阻止空氣中水和氧氣對器件性能造成影響。如圖2所示，保護(hù)層8設(shè)置于柵極絕緣層4 之上，并具有分別覆蓋有源半導(dǎo)體層5和刻蝕阻擋層7的兩層結(jié)構(gòu)。保護(hù)層8包含至少一 層氧化鋁層，即可為單層氧化鋁層、氧化鋁/氮化硅的雙層結(jié)構(gòu)、氧化鋁/氧化硅的雙層結(jié) 構(gòu)、氧化鋁/氮化硅/氧化硅的三層結(jié)構(gòu)等，以利用氧化鋁的低應(yīng)力特性來進(jìn)一步降低薄膜 內(nèi)應(yīng)力的疊加與累積。保護(hù)層8可通過化學(xué)氣相沉積或?yàn)R射或是旋涂的方法形成，其厚度 為500?2000 A，例如為1500 A。
[0082] 在保護(hù)層8之上可設(shè)置平坦化層9,平坦化層9的材料包括但不限于旋轉(zhuǎn)涂布式玻 璃材料（S0G)、苯環(huán)丁烯（BCB)或丙烯酸酯，形成平坦化層240的方法包括但不限于旋轉(zhuǎn)涂 布。
[0083] 在源/漏電極6之上可設(shè)置接觸孔10,接觸孔10穿過保護(hù)層8和平坦化層9,從 而將源/漏電極6引出。
[0084] 對本發(fā)明的柔性薄膜晶體管進(jìn)行了性能驗(yàn)證，經(jīng)過脫粘并進(jìn)行彎折試驗(yàn)，沒有出 現(xiàn)明顯的脫離現(xiàn)象，表明應(yīng)力能夠很好地釋放，阻擋層2與柔性基板1之間的粘附性如圖3 所示。
[0085] 綜上所述，本發(fā)明的柔性薄膜晶體管在阻擋層中加入具有優(yōu)異阻水/氧性能且缺 陷極少的氧化鋁層，利用氧化鋁層具有較低應(yīng)力的特性同時(shí)形成多層層疊的阻擋層結(jié)構(gòu)， 從而緩解薄膜的內(nèi)應(yīng)力的積累和疊加，改善了阻擋層與柔性基板的附著性，進(jìn)而減少薄膜 出現(xiàn)脫落的現(xiàn)象。
[0086] 本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)注意的是，本發(fā)明所描述的實(shí)施方式僅僅是示范性的，可在 本發(fā)明的范圍內(nèi)作出各種其他替換、改變和改進(jìn)。因而，本發(fā)明不限于上述實(shí)施方式，而僅 由權(quán)利要求限定。
【權(quán)利要求】
1. 一種柔性薄膜晶體管，包括： 柔性基板； 阻擋層，設(shè)置于所述柔性基板之上； 柵極，設(shè)置于所述阻擋層之上； 柵極絕緣層，設(shè)置于所述阻擋層之上并覆蓋所述柵極； 有源半導(dǎo)體層，設(shè)置于所述柵極絕緣層之上；以及 源/漏電極，設(shè)置于所述有源半導(dǎo)體層之上并與所述有源半導(dǎo)體層電接觸， 其中所述阻擋層為包括氮化硅層、氧化硅層和氧化鋁層的層疊結(jié)構(gòu)。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1的柔性薄膜晶體管，其中所述阻擋層包括： 氮化娃層； 氧化硅層，設(shè)置于所述氮化硅層之上；以及 氧化鋁層，設(shè)置于所述氧化硅層之上。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2的柔性薄膜晶體管，其中所述阻擋層的總厚度為2000?6000Λ。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3的柔性薄膜晶體管，其中所述阻擋層中所述氧化鋁層的厚度占所述 阻擋層總厚度的1/20?1/5,所述氧化硅層的厚度占所述阻擋層總厚度的1/5?1/2,其余 為氮化娃層。
5. 根據(jù)權(quán)利要求3的柔性薄膜晶體管，其中所述阻擋層中所述氧化鋁層的厚度占所述 阻擋層總厚度的1/10?1/8,所述氧化硅層的厚度占所述阻擋層總厚度的1/3,其余為氮化 娃層。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1的柔性薄膜晶體管，其中所述柵極絕緣層為包括氮化硅層、氧化硅 層和氧化鋁層的層疊結(jié)構(gòu)。
7. 根據(jù)權(quán)利要求6的柔性薄膜晶體管，其中所述柵極絕緣層包括： 氮化娃層； 氧化硅層，設(shè)置于所述氮化硅層之上；以及 氧化鋁層，設(shè)置于所述氧化硅層之上。
8. 根據(jù)權(quán)利要求7的柔性薄膜晶體管，其中所述柵極絕緣層的總厚度為 2000?5000A。
9. 根據(jù)權(quán)利要求8的柔性薄膜晶體管，其中所述柵極絕緣層中所述氧化鋁層的厚度 占所述柵極絕緣層總厚度的1/20?1/5,所述氧化硅層的厚度占所述柵極絕緣層總厚度的 1/5?1/2,其余為所述氮化硅層。
10. 根據(jù)權(quán)利要求1至9中任一項(xiàng)的柔性薄膜晶體管，還包括刻蝕阻擋層，所述刻蝕阻 擋層設(shè)置于所述源/漏電極之上，且所述刻蝕阻擋層包含至少一層氧化鋁層。
11. 根據(jù)權(quán)利要求10的柔性薄膜晶體管，其中所述刻蝕阻擋層的厚度為 1500?2500 A。
12. 根據(jù)權(quán)利要求10的柔性薄膜晶體管，還包括保護(hù)層，所述保護(hù)層設(shè)置于所述柵極 絕緣層和所述刻蝕阻擋層之上，且所述保護(hù)層包含至少一層氧化鋁層。
13. 根據(jù)權(quán)利要求12的柔性薄膜晶體管，其中所述保護(hù)層的厚度為500?2000A。
【文檔編號】H01L51/50GK104051652SQ201410276830
【公開日】2014年9月17日 申請日期:2014年6月19日 優(yōu)先權(quán)日:2014年6月19日
【發(fā)明者】寇浩 申請人:上海和輝光電有限公司