發(fā)光器件和包括發(fā)光器件的照明設(shè)備的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供發(fā)光器件和包括發(fā)光器件的照明設(shè)備。發(fā)光器件呈現(xiàn)改進(jìn)的電流擴(kuò)展。發(fā)光器件包括：包含第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層、第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層以及布置在第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層和第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層之間的有源層的發(fā)光結(jié)構(gòu)；布置在第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層上的第一電極；以及布置在第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層上的第二電極。發(fā)光結(jié)構(gòu)包括部分地蝕刻第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層、有源層以及第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層的臺(tái)面蝕刻區(qū)域，從而暴露第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層的一部分。第一電極布置在第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層的暴露的部分上。第一電極層被布置在第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層和第二電極之間。第二電極層布置于在臺(tái)面蝕刻區(qū)域的相對(duì)側(cè)處被相互隔開的第一電極層的部分之間。
【專利說明】發(fā)光器件和包括發(fā)光器件的照明設(shè)備
[0001]本申請(qǐng)要求在2013年6月19日在韓國(guó)提交的韓國(guó)專利申請(qǐng)N0.10-2013-0070104的權(quán)益，正如在此得到充分闡述的那樣，其全部?jī)?nèi)容通過引用被包含于此。

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0002]實(shí)施例涉及一種發(fā)光器件和包括發(fā)光器件的照明設(shè)備。

【背景技術(shù)】
[0003]由于薄膜生長(zhǎng)技術(shù)和器件材料的發(fā)展，使用II1-V族或者I1-VI族化合物半導(dǎo)體材料的諸如發(fā)光二極管(LED)和激光二極管的發(fā)光器件可以呈現(xiàn)諸如紅、綠、藍(lán)和紫外的各種顏色。使用熒光材料或通過顏色混合高效地產(chǎn)生白光也是可能的。此外，與諸如熒光燈和白熾燈的傳統(tǒng)的光源相比較，發(fā)光器件具有諸如低功耗、半永久壽命、快速響應(yīng)時(shí)間、安全性和環(huán)境友好性的優(yōu)點(diǎn)。
[0004]因此，這些發(fā)光器件越來越多地被應(yīng)用于光學(xué)通信單元的傳輸模塊、替代組成液晶顯示器(LCD)器件的背光的冷陰極熒光燈(CCFL)的發(fā)光二極管背光、和使用替代熒光燈或者白熾燈的白光發(fā)光二極管的照明設(shè)備、用于車輛和交通燈的頭燈。
[0005]圖1是傳統(tǒng)的發(fā)光器件的截面圖。圖2是圖示圖1中的發(fā)光器件的電流擴(kuò)展的頂部圖像視圖。圖1圖示沿著圖2的線A-A截取的截面圖。
[0006]參考圖1，通過附圖標(biāo)記“I”指定的傳統(tǒng)的發(fā)光器件，包括襯底10，和被布置在襯底10上的發(fā)光結(jié)構(gòu)20。發(fā)光結(jié)構(gòu)20包括第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層22、有源層24、以及第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層26。發(fā)光結(jié)構(gòu)20具有通過蝕刻去除第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層26、有源層24、以及第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層22的部分的臺(tái)面蝕刻區(qū)域M。
[0007]第一電極30被布置在通過蝕刻區(qū)域M暴露的第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層22的一部分上。第二電極40被布置在第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層26的未被蝕刻的部分上。透明電極層50被布置在第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層26和第二電極40之間。
[0008]然而，傳統(tǒng)的發(fā)光器件I可以具有下述問題。
[0009]參考圖2，來自第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層26的電流流動(dòng)同時(shí)繞過(bypass)臺(tái)面蝕刻區(qū)域，因?yàn)樵谂_(tái)面蝕刻區(qū)域M中不存在透明電極層50。結(jié)果，電流擴(kuò)展不是有效的，并且正因如此，可能存在其中電流被集中在第二電極40周圍的現(xiàn)象。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0010]實(shí)施例提供一種呈現(xiàn)被改進(jìn)的電流擴(kuò)展的發(fā)光器件和包括發(fā)光器件的照明設(shè)備。
[0011]在實(shí)施例中，發(fā)光器件包括:發(fā)光結(jié)構(gòu)，該發(fā)光結(jié)構(gòu)包括第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層，第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層，以及有源層，該有源層被布置在第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層和第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層之間；第一電極，該第一電極被布置在第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層上；以及第二電極，該第二電極被布置在第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層上，其中發(fā)光結(jié)構(gòu)包括部分地蝕刻第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層、有源層、以及第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層的臺(tái)面蝕刻區(qū)域，從而暴露第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層的一部分，并且第一電極被布置在臺(tái)面蝕刻區(qū)域中的第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層的暴露的部分上，其中第一電極層被布置在第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層和第二電極之間，并且第二電極層被布置于在臺(tái)面蝕刻區(qū)域的相對(duì)側(cè)處被相互隔開的第一電極層的部分之間。
[0012]第一電極層和第二電極層中的每一個(gè)可以是透明電極層。
[0013]第二電極層可以在第二電極層的相對(duì)的末端處重疊第一電極層。
[0014]第二電極層可以重疊臺(tái)面蝕刻區(qū)域的一部分。
[0015]第一電極可以被布置在第二電極層之下。
[0016]絕緣層可以被布置在臺(tái)面蝕刻區(qū)域和第二電極層之間。
[0017]絕緣層可以被布置在通過臺(tái)面蝕刻區(qū)域暴露的發(fā)光結(jié)構(gòu)的一部分的內(nèi)部。
[0018]在第二電極層和第一電極之間可以存在空(empty)的空間。
[0019]絕緣層可以填充在第二電極層和第一電極之間的空間。
[0020]第二電極層可以接觸第一電極層，并且可以在第二電極層接觸第一電極層的位置處具有比第一電極層高的水平面(level)。
[0021 ] 第二電極層可以比第一電極層厚。
[0022]絕緣層可以圍繞第一電極。
[0023]在另一實(shí)施例中，發(fā)光器件包括發(fā)光結(jié)構(gòu)，該發(fā)光結(jié)構(gòu)包括第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層，第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層，以及有源層，該有源層被布置在第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層和第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層之間；第一電極，該第一電極被布置在第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層上；以及第二電極，該第二電極被布置在第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層上，其中發(fā)光結(jié)構(gòu)包括部分地蝕刻第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層、有源層、以及第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層的臺(tái)面蝕刻區(qū)域，從而暴露第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層的一部分，并且第一電極被布置在臺(tái)面蝕刻區(qū)域中的第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層的被暴露的部分上，其中第一電極層被布置在第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層和第二電極之間，并且多個(gè)第二電極層單元被布置于在臺(tái)面蝕刻區(qū)域的相對(duì)側(cè)處被相互隔開的第一電極層的部分之間。
[0024]第一電極層和第二電極層中的每一個(gè)可以是透明電極層。第二電極層單元的鄰近單元可以具有非均勻的間距。
[0025]在從第二電極的焊盤部分到第二電極的末端部分的方向上第二電極層單元之間的間距可以被逐漸地減小。
[0026]在第二電極的焊盤部分到第二電極的末端部分的方向上第二電極層單元可以在數(shù)目上被逐漸地增加。
[0027]第二電極單元可以分別具有非均勻的寬度。在從第二電極的焊盤部分到第二電極的末端部分的方向上第二電極層單元的寬度可以被逐漸地增加。
[0028]絕緣層可以被布置在臺(tái)面蝕刻區(qū)域和第二電極層之間。
[0029]絕緣層可以被布置在通過臺(tái)面蝕刻區(qū)域暴露的發(fā)光結(jié)構(gòu)的一部分的內(nèi)部。
[0030]絕緣層可以填充第二電極層和第一電極之間的空間。
[0031]在另一實(shí)施例中，照明設(shè)備包括光源模塊，該光源模塊包括根據(jù)上述實(shí)施例中的一個(gè)的發(fā)光器件；反射板，該反射板被布置在底蓋上；導(dǎo)光板，該導(dǎo)光板被布置在反射板上；以及光學(xué)片，該光學(xué)片被布置在導(dǎo)光板上。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0032]可以參考下面的附圖詳細(xì)地描述布置和實(shí)施例，其中相同的附圖標(biāo)記指代相同的兀件并且其中:
[0033]圖1是傳統(tǒng)的發(fā)光器件的截面圖；
[0034]圖2是圖示圖1中的發(fā)光器件的電流擴(kuò)展的頂部圖像視圖；
[0035]圖3是根據(jù)第一實(shí)施例的發(fā)光器件的截面圖；
[0036]圖4是根據(jù)第一實(shí)施例的發(fā)光器件的平面圖；
[0037]圖5是根據(jù)第二實(shí)施例的發(fā)光器件的平面圖；
[0038]圖6是根據(jù)第三實(shí)施例的發(fā)光器件的平面圖；
[0039]圖7是根據(jù)第四實(shí)施例的發(fā)光器件的平面圖；
[0040]圖8是根據(jù)第五實(shí)施例的發(fā)光器件的截面圖；
[0041]圖9是圖示包括根據(jù)上述實(shí)施例的發(fā)光器件中的一個(gè)的根據(jù)實(shí)施例的發(fā)光器件封裝的視圖；
[0042]圖10是圖示根據(jù)實(shí)施例的頭燈(head lamp)的視圖，其中根據(jù)上述實(shí)施例中的一個(gè)的發(fā)光器件或者發(fā)光器件封裝被布置；以及
[0043]圖11是圖示根據(jù)實(shí)施例的照明系統(tǒng)的視圖，其中根據(jù)上述實(shí)施例的發(fā)光器件封裝被布置。

【具體實(shí)施方式】
[0044]在下文中，將會(huì)參考附圖描述實(shí)施例。
[0045]將會(huì)理解的是，當(dāng)元件被稱為是在另一元件“上”或者“下”面時(shí)，其能夠直接地在元件上/下面，并且也可以存在一個(gè)或者多個(gè)介于中間的元件。當(dāng)元件被稱為是在元件“上”或者“下”面時(shí)，基于元件能夠包括“在元件下面”以及“在元件上面”。
[0046]在附圖中，為了說明方便和清楚起見，每個(gè)層的厚度或尺寸被夸大、省略或者概略地示出。此外，每個(gè)組成元件的尺寸或者面積沒有完全地反映其實(shí)際尺寸。
[0047]圖3是根據(jù)第一實(shí)施例的發(fā)光器件的截面圖。圖4是根據(jù)第一實(shí)施例的發(fā)光器件的平面圖。圖3圖示沿著圖4的線B-B截取的截面圖。
[0048]參考圖3和圖4，通過附圖標(biāo)記“100A”指定的根據(jù)第一實(shí)施例的發(fā)光器件，可以包括襯底110，和被布置在襯底110上的發(fā)光結(jié)構(gòu)120。
[0049]發(fā)光器件100A包括使用多個(gè)化合物半導(dǎo)體層，例如，II1-V族或者I1-VI族元素的半導(dǎo)體層的發(fā)光二極管(LED)。LED可以是發(fā)射藍(lán)、綠、或者紅光的彩色LED、白色LED、或者紫外(UV) LED。通過組成半導(dǎo)體層的材料的種類和濃度的變化從LED發(fā)射的光可以被多樣化，盡管本公開不限于此。
[0050]發(fā)光結(jié)構(gòu)120包括第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層122、有源層124、以及第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層126。
[0051]使用例如，金屬有機(jī)化學(xué)汽相淀積(MOCVD)、化學(xué)汽相淀積(CVD)、等離子體增強(qiáng)化學(xué)汽相淀積(PECVD)、分子束外延(MBE)、氫化物氣相外延(HVPE)等等可以形成發(fā)光結(jié)構(gòu)120。當(dāng)然，形成方法不限于上述方法。
[0052]第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層122可以是由半導(dǎo)體化合物，例如，II1-V族或者I1-VI族化合物半導(dǎo)體制成。第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層122可以被摻雜有第一導(dǎo)電類型雜質(zhì)。當(dāng)?shù)谝粚?dǎo)電類型半導(dǎo)體層122是η型半導(dǎo)體層時(shí)，第一導(dǎo)電類型雜質(zhì)是η型雜質(zhì)。η型雜質(zhì)可以包括S1、Ge、Sn、Se、Te等等，盡管本公開不限于此。當(dāng)?shù)谝粚?dǎo)電類型半導(dǎo)體層122是ρ型半導(dǎo)體層時(shí)，第一導(dǎo)電類型雜質(zhì)是P型雜質(zhì)。P型雜質(zhì)可以包括Mg、Zn、Ca、Sr、Ba等等,盡管本公開不限于此。
[0053]第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層122可以包括具有AlxInyGai_x_yN(0彡X彡1，0彡y彡1，并且O彡x+y彡I)的公式的半導(dǎo)體材料。第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層122可以包括Ga、N、In、Al、As、以及P中的至少一個(gè)元素。第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層122可以是由GaN、InN、AlN、InGaN、AlGaN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, InGaAs, AlInGaAs, GaP、AlGaP、InGaP、AlInGaP、以及 InP中的至少一個(gè)制成。
[0054]第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層126可以是由半導(dǎo)體化合物，例如，II1-V族或者I1-VI族化合物半導(dǎo)體制成。第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層126可以被摻雜有第二導(dǎo)電類型雜質(zhì)。當(dāng)?shù)诙?dǎo)電類型半導(dǎo)體層126是ρ型半導(dǎo)體層時(shí)，第二導(dǎo)電類型雜質(zhì)是P型雜質(zhì)。P型雜質(zhì)可以包括Mg、Zn、Ca、Sr、Ba等等，盡管本公開不限于此。當(dāng)?shù)诙?dǎo)電類型半導(dǎo)體層126是η型半導(dǎo)體層時(shí)，第二導(dǎo)電類型雜質(zhì)是η型雜質(zhì)。η型雜質(zhì)可以包括S1、Ge、Sn、Se、Te等等,盡管本公開不限于此。
[0055]第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層126可以包括具有AlxInyGanyN(O ^ x ^ I, O ^ y ^ I, O ^ χ+Y ^ I)的公式的半導(dǎo)體材料。第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層126可以包括Ga、N、In、Al、As、以及P中的至少一個(gè)元素。第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層126可以是由GaN、InN、AIN、InGaN、AlGaN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、InGaAs、AlInGaAs、GaP、AlGaP、InGaP、AlInGaP、以及 InP 中的至少一個(gè)制成。
[0056]結(jié)合示例將會(huì)給出下面的描述，在該示例中第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層122是η型半導(dǎo)體層，并且第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層126是ρ型半導(dǎo)體層。
[0057]在第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層126之上，可以形成具有與第二導(dǎo)電類型相反的極性的半導(dǎo)體層。例如，當(dāng)?shù)诙?dǎo)電類型半導(dǎo)體層126是ρ型半導(dǎo)體層時(shí)，η型半導(dǎo)體層(未示出)可以被形成在第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層126之上。因此，發(fā)光結(jié)構(gòu)120可以被實(shí)現(xiàn)為η-ρ結(jié)結(jié)構(gòu)、ρ-η結(jié)結(jié)構(gòu)、η-ρ-η結(jié)結(jié)構(gòu)、以及ρ_η_ρ結(jié)結(jié)構(gòu)中的一個(gè)。
[0058]有源層124被布置在第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層122和第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層126之間。
[0059]在有源層124中，電子和空穴會(huì)合，并且正因如此，發(fā)射具有通過有源層124 (發(fā)光層)的材料的固有能量帶確定的能量的光。當(dāng)?shù)谝粚?dǎo)電類型半導(dǎo)體層122是η型半導(dǎo)體層，并且第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層126是ρ型半導(dǎo)體層時(shí)，電子可以從第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層122注入到有源層124，并且空穴可以從第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層126注入到有源層124。
[0060]有源層124可以具有單量子阱結(jié)構(gòu)、多量子阱結(jié)構(gòu)、量子線結(jié)構(gòu)、以及量子點(diǎn)結(jié)構(gòu)中的至少一個(gè)。例如，有源層124可以通過三甲基鎵氣體(TMGa)、氨氣(NH3)、氮?dú)?N2)、以及三甲基銦氣體(TMIn)的注入具有多量子阱結(jié)構(gòu)，盡管本公開不限于此。
[0061]當(dāng)有源層124具有量子阱結(jié)構(gòu)時(shí)，有源層124可以具有阱層和勢(shì)壘層，其具有 InGaN/GaN、InGaN/InGaN、GaN/AlGaN、InAlGaN/GaN、GaAs (InGaAs)/AlGaAs、以及GaP(InGaP)AlGaP的層對(duì)結(jié)構(gòu)中的至少一個(gè)，盡管本公開不限于此。阱層可以是由具有比勢(shì)壘層的帶隙低的帶隙的材料制成。
[0062]由被布置在發(fā)光結(jié)構(gòu)120之下的襯底110支撐發(fā)光結(jié)構(gòu)120。
[0063]使用適于半導(dǎo)體材料的生長(zhǎng)的材料或者具有優(yōu)異的導(dǎo)熱性的材料可以形成襯底
10。襯底 110 可以是由藍(lán)寶石(Al2O3)、SiC、GaAs、GaN、ZnO、S1、GaP、InP、Ge、以及 Ga2O3 中的至少一個(gè)制成。可以對(duì)襯底100執(zhí)行濕洗或者等離子體處理，以從襯底110的表面去除雜質(zhì)。
[0064]緩沖層112可以被布置在發(fā)光結(jié)構(gòu)120和襯底110之間。緩沖層可以適于減小在襯底110的材料和發(fā)光結(jié)構(gòu)120的材料之間的晶格失配和熱膨脹系數(shù)差。緩沖層可以是由II1-V族或者I1-VI族化合物半導(dǎo)體，例如，GaN、InN, AIN, InGaN、AlGaN、InAlGaN、以及AlInN中的至少一個(gè)制成。
[0065]未被摻雜的半導(dǎo)體層114可以被布置在襯底110和第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層122之間。未被摻雜的半導(dǎo)體層114是被形成以實(shí)現(xiàn)第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層122的結(jié)晶度的增加的層。未被摻雜的半導(dǎo)體層114可以是由與第一導(dǎo)電層122的材料相同或者不同的材料制成。未被摻雜的半導(dǎo)體層114呈現(xiàn)比第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層122低的導(dǎo)電性，因?yàn)樵谄渲袥]有摻雜第一導(dǎo)電類型雜質(zhì)。未被摻雜的半導(dǎo)體層114可以被布置在緩沖層112之上同時(shí)接觸第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層122。在比緩沖層112的生長(zhǎng)溫度高的溫度生長(zhǎng)未被摻雜的半導(dǎo)體層112。未被摻雜的半導(dǎo)體層112呈現(xiàn)比緩沖層112高的結(jié)晶度。
[0066]發(fā)光結(jié)構(gòu)120包括通過蝕刻去除第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層126、有源層124、以及第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層122的部分的臺(tái)面蝕刻區(qū)域M。通過臺(tái)面蝕刻區(qū)域M，第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層122被部分地暴露。
[0067]第一電極130被布置在第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層122上。第二電極140被布置在第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層126上。詳細(xì)地，第一電極130被布置在通過臺(tái)面蝕刻區(qū)域M暴露的第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層122的部分上。第二電極140被布置在第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層126的未被蝕刻的部分上。
[0068]第一電極層130 可以包括 Mo、Cr、N1、Au、Al、T1、Pt、V、W、Pd、Cu、Rh、以及 Ir 中的至少一個(gè)。第一電極層120可以被形成以具有單層結(jié)構(gòu)或者多層結(jié)構(gòu)。
[0069]參考圖4,第一電極130和第二電極140可以包括分別具有相對(duì)大的寬度的第一和第二電極焊盤部分130P和140P。第一和第二電極焊盤部分130P和140P可以是為了將電流供應(yīng)到發(fā)光器件100A將布線(未示出)被結(jié)合到的區(qū)域。
[0070]電極層150被布置在發(fā)光結(jié)構(gòu)120之上。電極層150可以是透明電極層。電極層150可以被布置在第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層126之上同時(shí)覆蓋臺(tái)面蝕刻區(qū)域M的至少一部分。
[0071]因?yàn)橄鄬?duì)于第二電極40第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層126可以呈現(xiàn)低劣的歐姆特性，所以電極層150被適合于改進(jìn)這樣的電氣特性。電極層150可以具有層結(jié)構(gòu)或者多圖案結(jié)構(gòu)。
[0072]對(duì)于電極層150，透明導(dǎo)電層或者金屬可以被選擇性地使用。例如，電極層150可以是由銦錫氧化物(ITO)、銦鋅氧化物(IZO)、銦鋅錫氧化物(IZTO)、銦鋁鋅氧化物(IAZO)、銦鎵鋅氧化物(IGZO)、銦鎵錫氧化物(IGTO)、鋁鋅氧化物(AZO)、銻錫氧化物(ATO)、鎵鋅氧化物(GZO)、IZO 氮化物(IZON)、Al-GaZnO (AGZO)、In-GaZnO(IGZO)、ZnO、IrOx、RuOx、N1、RuOx/1 TO, Ni/IrOx/Au、Ni/Ir0x/Au/IT0、Ag、N1、Cr、T1、Al、Rh、Pd、Ir、Sn、In、Ru、Mg、Zn、Pt、Au、以及Hf中的至少一個(gè)制成，盡管本公開不限于此。
[0073]電極層150包括:被布置在第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層126和第二電極140之間的第一電極層151 ;和第二電極層152，該第二電極層152被布置于在臺(tái)面蝕刻區(qū)域M的相對(duì)側(cè)處被相互隔開的第一電極層151的部分之間。
[0074]第一電極層151被布置在第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層126的未被蝕刻的部分上。第二電極層152被布置為對(duì)應(yīng)于臺(tái)面蝕刻區(qū)域M。第二電極層152可以連接通過臺(tái)面蝕刻區(qū)域M隔開的第一電極層151的部分。
[0075]根據(jù)實(shí)施例，透明電極層也可以被布置在臺(tái)面蝕刻區(qū)域M中，不僅在發(fā)光結(jié)構(gòu)120之上均勻地?cái)U(kuò)展從第二電極140注入的電流，而且減少其中電流被集中在第二電極140周圍的現(xiàn)象。當(dāng)電流被擴(kuò)展直到臺(tái)面蝕刻區(qū)域M時(shí)，可以實(shí)現(xiàn)發(fā)光器件100A的光量的增加和發(fā)光器件100A的操作電壓的改進(jìn)。
[0076]第二電極層152在第二電極層的相對(duì)的末端處接觸第一電極層151。在實(shí)施例中，第二電極層152的相對(duì)的末端可以重疊第一電極層151。在這樣的情況下,可能在第一電極層151和第二電極層152接觸的位置處存在臺(tái)階。即，在第一電極層151和第二電極層152接觸的位置處第二電極層152具有比第一電極層151高的水平面。
[0077]第二電極層152可能比第一電極層151厚。第二電極層152被排列成對(duì)應(yīng)于不是發(fā)射區(qū)域的臺(tái)面蝕刻區(qū)域M，并且正因如此，不存在通過第二電極層152的光吸收的可能性。因此，通過形成第二電極層152以比第一電極層151厚最大化電流擴(kuò)展效應(yīng)是可能的。
[0078]因?yàn)榈诙姌O層152被排列成對(duì)應(yīng)于臺(tái)面蝕刻區(qū)域M，所以第一電極130被布置在第二電極層152之下。
[0079]第二電極層152覆蓋臺(tái)面蝕刻區(qū)域M的至少一部分。覆蓋臺(tái)面蝕刻區(qū)域M的第二電極層152的位置和尺寸可以根據(jù)實(shí)施例而變化，只要第二電極層152連接通過臺(tái)面蝕刻區(qū)域M隔開的第一電極層151的部分。在圖4中，第二電極層152被圖示為被布置在第一電極焊盤部分130P之上。當(dāng)然，本公開不限于被圖示的情況。第二電極層152可以被排列成完全地覆蓋臺(tái)面蝕刻區(qū)域M或者部分地覆蓋臺(tái)面蝕刻區(qū)域M。即，第二電極層152可以重疊臺(tái)面蝕刻區(qū)域M的一部分。
[0080]參考圖3，絕緣層160可以被布置在臺(tái)面蝕刻區(qū)域M中的第二電極層152之下。絕緣層160也可以被布置在其中沒有布置第一電極層151的區(qū)域中的發(fā)光結(jié)構(gòu)120的上表面上。絕緣層160可以保護(hù)通過蝕刻被暴露的發(fā)光結(jié)構(gòu)120的側(cè)壁同時(shí)防止在有源層124和第二電極層152之間或者在第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層122和第二電極層152之間的電氣短路。絕緣層160可以被布置在通過臺(tái)面蝕刻區(qū)域M中的臺(tái)面蝕刻暴露的發(fā)光結(jié)構(gòu)120的側(cè)壁處。絕緣層160可以用作支持第二電極層152。
[0081]絕緣層160可以是由非導(dǎo)電氧化物或者氮化物制成。例如，絕緣層160可以包括氧化硅(S12)層、氮氧化物層、或者氧化鋁層，盡管本公開不限于此。
[0082]在第二電極層152和第一電極130之間可以存在空的空間。第二電極層152可以采用天橋(air bridge)的形式。
[0083]圖5是根據(jù)第二實(shí)施例的發(fā)光器件的平面圖。沿著圖5的線B-B截取的圖5的發(fā)光元件的截面圖與圖3相同，并且正因如此，沒有被再次示出并且參考圖3。將不會(huì)再描述重復(fù)先前的實(shí)施例的本實(shí)施例的內(nèi)容，并且正因如此，僅結(jié)合實(shí)施例的不同將會(huì)給出描述。
[0084]參考圖5，通過附圖標(biāo)記“100B”指定的根據(jù)第二實(shí)施例的發(fā)光器件，不同于根據(jù)第一實(shí)施例的發(fā)光器件100A在于,朝著第二電極140的末端部分E第二電極層152被布置在臺(tái)面蝕刻區(qū)域M中。即，臺(tái)面蝕刻區(qū)域M被暴露在鄰近于第二電極焊盤部分140P的區(qū)域中，并且朝著第二電極140的末端部分E布置第二電極152。
[0085]在傳統(tǒng)的發(fā)光器件中，因?yàn)橥ㄟ^第二電極140注入的電流流動(dòng)同時(shí)繞過臺(tái)面蝕刻區(qū)域M所以其中電流被集中的現(xiàn)象發(fā)生，并且正因如此，在第二電極140的末端部分E處沒有呈現(xiàn)電流的平滑流動(dòng)。然而，根據(jù)本實(shí)施例，朝著第二電極140的末端部分E第二電極層152被布置在臺(tái)面蝕刻區(qū)域M中，并且正因如此，在繞過臺(tái)面蝕刻區(qū)域M之前電流可以流動(dòng)通過第二電極層152。因此，電流的平滑電流可以被實(shí)現(xiàn)。
[0086]圖6是根據(jù)第三實(shí)施例的發(fā)光器件的平面圖。沿著圖6的線B-B截取的圖6的發(fā)光器件的截面圖與圖3的相同，并且正因如此，沒有被再次被示出并且參考圖3。將不再描述重復(fù)先前的實(shí)施例的本實(shí)施例的內(nèi)容，并且正因如此，僅結(jié)合實(shí)施例的不同給出描述。
[0087]參考圖6，在通過附圖標(biāo)記“100C”指示的根據(jù)第三實(shí)施例的發(fā)光器件中，第二電極層152可以包括多個(gè)隔開的第二電極層單元152a。雖然在圖6中圖示第二電極層單元152a1、152a2、以及152a3，但是根據(jù)實(shí)施例可以變化第二電極層單元152a的數(shù)目。
[0088]多個(gè)第二電極層單元152a中的鄰近單元可以是不均勻的。例如，參考圖6，在被布置在最左邊處的第二電極層單元152&1和被布置在中間處的第二電極層單元152a2之間的間距(即，間距D1)不同于在被布置在中間處的第二電極層單元152a2和被布置在最右邊處的第二電極層單元152a3之間的間距(S卩，間距D2)。
[0089]根據(jù)實(shí)施例，在從第二電極140的焊盤部分140P到第二電極140的末端部分E的方向上可以逐漸地減小鄰近的兩個(gè)第二電極層單元152a之間的間距(Di>D2)。即，在朝著第二電極140的末端部分E的方向上在臺(tái)面蝕刻區(qū)域M中可以逐漸地增加第二電極層單元152a的數(shù)目。
[0090]在傳統(tǒng)的發(fā)光器件中，因?yàn)橥ㄟ^第二電極140注入的電流流動(dòng)同時(shí)繞過臺(tái)面蝕刻區(qū)域M所以其中電流被集中的現(xiàn)象發(fā)生，并且正因如此，在第二電極140的末端部分E處沒有呈現(xiàn)電流的平滑流動(dòng)。然而，根據(jù)本實(shí)施例，朝著第二電極140的末端部分E多個(gè)第二電極層單元152a被布置在臺(tái)面蝕刻區(qū)域M中，并且正因如此，可以實(shí)現(xiàn)電流的平滑流動(dòng)。
[0091]圖7是根據(jù)第四實(shí)施例的發(fā)光器件的平面圖。沿著圖6的線B-B截取的圖7的發(fā)光器件的截面圖與圖3的相同，并且正因如此，沒有被再次被示出并且參考圖3。將不再描述重復(fù)先前的實(shí)施例的本實(shí)施例的內(nèi)容，并且正因如此，僅結(jié)合實(shí)施例的不同給出描述。
[0092]參考圖7，在通過附圖標(biāo)記“100D”指示的根據(jù)第四實(shí)施例的發(fā)光器件中，第二電極層152可以包括多個(gè)隔開的第二電極層單元152a。雖然在圖7中圖示兩個(gè)第二電極層單元152?和152?，但是根據(jù)實(shí)施例可以變化第二電極層單元152a的數(shù)目。
[0093]多個(gè)第二電極層單元152a可以具有不均勻的寬度。每個(gè)第二電極層單元152a的寬度意指在垂直于臺(tái)面蝕刻區(qū)域M的縱向方向的方向上的寬度。例如，參考圖7，被布置在左側(cè)處的第二電極層單元152&1的寬度(S卩，寬度W1)不同于被布置在右側(cè)處的第二電極層單元152?的寬度(S卩，寬度W2)。
[0094]根據(jù)實(shí)施例，在從第二電極140的焊盤部分140P到第二電極140的末端部分E的方向上可以逐漸地增加多個(gè)第二電極層單元152a的寬度(W1(W2)。
[0095]在傳統(tǒng)的發(fā)光器件中，因?yàn)橥ㄟ^第二電極140注入的電流流動(dòng)同時(shí)繞過臺(tái)面蝕刻區(qū)域M所以其中電流被集中的現(xiàn)象發(fā)生，并且正因如此，在第二電極140的末端部分E處沒有呈現(xiàn)電流的平滑流動(dòng)。然而，根據(jù)本實(shí)施例，在朝著第二電極140的末端部分E的方向上可以逐漸地增加多個(gè)第二電極層單元152a的寬度，并且正因如此，可以實(shí)現(xiàn)電流的平滑流動(dòng)。
[0096]圖8是根據(jù)第五實(shí)施例的發(fā)光器件的截面圖。將不再描述重復(fù)先前的實(shí)施例的本實(shí)施例的內(nèi)容，并且正因如此，僅結(jié)合實(shí)施例的不同給出描述。
[0097]參考圖8，在通過附圖標(biāo)記“100E”指示的根據(jù)第五實(shí)施例的發(fā)光器件中，絕緣層160可以被布置在臺(tái)面蝕刻區(qū)域M中。另外，絕緣層160可以被布置在發(fā)光結(jié)構(gòu)120和第二電極層152之間。絕緣層160可以保護(hù)通過蝕刻被暴露的發(fā)光結(jié)構(gòu)120的側(cè)壁和第一電極130并且防止在有源層124或者第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層122與第二電極層152之間的電氣短路。絕緣層160不僅可以被布置在通過臺(tái)面蝕刻暴露的發(fā)光結(jié)構(gòu)120的側(cè)壁處，而且可以被布置在第二電極層152和第一電極130之間。S卩，絕緣層160可以被布置成圍繞第二電極層152之下的第一電極130。
[0098]在第五實(shí)施例中，通過填充在第二電極層152和第一電極130之間的空間，絕緣層160可以用作更加穩(wěn)固地支持第二電極層152。
[0099]根據(jù)第五實(shí)施例的發(fā)光器件100E的平面圖可以與圖4至圖7的相似。參考圖4至圖7描述的第二電極層152的變化也可以被應(yīng)用于第五實(shí)施例。對(duì)于這樣的變化將不會(huì)給出描述。
[0100]圖9是圖示包括根據(jù)上述實(shí)施例的發(fā)光器件中的一個(gè)的根據(jù)實(shí)施例的發(fā)光器件封裝的視圖。
[0101]通過附圖標(biāo)記“300”指示的根據(jù)本實(shí)施例的發(fā)光器件封裝，包括:主體310 ;第一和第二引線框架321和322，該第一和第二引線框架321和322被布置在主體310處；根據(jù)上述實(shí)施例中的一個(gè)的發(fā)光器件100,其被布置在主體300處，以被電氣地連接到第一和第二引線框架321和322 ；以及模具340，該模具340被形成在腔體中，該腔體可以被形成在主體310處。如上所述，發(fā)光器件100具有包括被串聯(lián)或者并聯(lián)地連接的多個(gè)發(fā)光單元的單芯片結(jié)構(gòu)。
[0102]主體310可以是由硅材料、合成樹脂材料、或者金屬材料制成。當(dāng)主體310是由諸如金屬材料的導(dǎo)電材料制成時(shí)，盡管未示出，絕緣層可以被涂覆在主體310的表面之上，以便避免在第一和第二引線框架321和322和金屬主體之間的電氣短路。因此，能夠避免在第一引線框架321和第二引線框架322之間的電氣短路。
[0103]第一和第二引線框架321和322被相互電氣地絕緣，并且將電流供應(yīng)給發(fā)光器件100。第一和第二引線框架321和322也反射從發(fā)光器件100產(chǎn)生的光以便實(shí)現(xiàn)照明效率的增強(qiáng)。另外，第一和第二引線框架321和322可以用作向外地散發(fā)從發(fā)光器件100產(chǎn)生的熱。
[0104]發(fā)光器件100可以被安裝在主體310上或者在第一引線框架321或者第二引線框架322上。在本實(shí)施例中，發(fā)光器件100被直接地電氣地連接到第一引線框架321同時(shí)經(jīng)由布線330被連接到第二引線框架322。使用倒裝芯片方法或者管芯鍵合方法，替代引線鍵合方法，發(fā)光器件100可以被電氣地連接到引線框架321和322。
[0105]模具340可以封裝發(fā)光器件100，以保護(hù)發(fā)光器件100。模具340可以包括熒光體(phosphors) 350,以改變從發(fā)光器件100發(fā)射的光的波長(zhǎng)。
[0106]突光體350可以包括石槽石基突光體、娃酸鹽基突光體、氮化物基突光體、或者氧氮化物基熒光體。
[0107]例如，石榴石基熒光體可以是YAG(Y3Al5O12 = Ce3+)或者TAG(Tb3Al5O12:Ce3+)。硅酸鹽基熒光體可以是(Sr，Ba，Mg，Ca)2Si04:Eu2+。氮化物基熒光體可以是包含SiN的CaAlSiN3:Eu2+。氧氮化物基熒光體可以是 Si6_xAlx0xN8_x:Eu2+(0〈x〈6)。
[0108]通過熒光體350激勵(lì)從發(fā)光器件100發(fā)射的第一波長(zhǎng)范圍的光，并且正因如此，將其變成第二波長(zhǎng)范圍的光。當(dāng)?shù)诙ㄩL(zhǎng)范圍的光經(jīng)過透鏡(未示出)時(shí)，其光學(xué)路徑可以被改變。
[0109]其中的每一個(gè)具有根據(jù)被圖示的實(shí)施例的上述結(jié)構(gòu)的多個(gè)發(fā)光器件封裝被制備，并且然后被排列在基板上。光學(xué)構(gòu)件，即，導(dǎo)光板、棱鏡片、擴(kuò)散片等等，可以被布置在發(fā)光器件封裝的光學(xué)路徑上。這樣的發(fā)光器件封裝、基板、以及光學(xué)構(gòu)件可以用作光單元。根據(jù)另一實(shí)施例，使用結(jié)合上述實(shí)施例描述的半導(dǎo)體發(fā)光器件或者發(fā)光器件封裝可以實(shí)現(xiàn)顯示設(shè)備、指示設(shè)備或者照明系統(tǒng)。例如，照明系統(tǒng)可以包括燈或者街燈。
[0110]在下文中，將會(huì)描述頭燈和背光單元作為包括上述發(fā)光器件或者發(fā)光器件封裝的照明系統(tǒng)的實(shí)施例。
[0111]圖10是圖示根據(jù)實(shí)施例的頭燈的視圖，其中布置根據(jù)上述實(shí)施例中的一個(gè)的發(fā)光器件或者發(fā)光器件封裝。
[0112]參考圖10，在通過反射體720和遮光物730反射之后從發(fā)光模塊710發(fā)射的光經(jīng)過透鏡740，以便被直射車輛主體的前面，在發(fā)光模塊710中布置了根據(jù)上述實(shí)施例中的一個(gè)的發(fā)光器件或者發(fā)光器件封裝。
[0113]發(fā)光模塊710可以包括被安裝在電路板上的多個(gè)發(fā)光器件，盡管本公開不限于此。
[0114]圖11是圖示根據(jù)其中根據(jù)上述實(shí)施例的發(fā)光器件封裝被布置的實(shí)施例的照明系統(tǒng)的視圖。
[0115]如在圖11中所示，通過附圖標(biāo)記“800”指示的根據(jù)被圖示的實(shí)施例的照明系統(tǒng)，包括光源模塊830-835 ;反射板820，該反射板820被布置在底蓋810上；導(dǎo)光板840，該導(dǎo)光板840被布置在反射板820前面，以將從光源模塊830-835發(fā)射的光導(dǎo)向照明系統(tǒng)800的前側(cè)；光學(xué)片，該光學(xué)片包括被布置在導(dǎo)光板840的前面的第一和第二棱鏡片850和860,面板870，該面板870被布置在光學(xué)片的前面；以及濾色器880，該濾色器880被布置在面板870的前面。
[0116]光源模塊830-835包括電路板830和被安裝在電路板830上的發(fā)光器件封裝835。在此，電路板(PCB)可以被用作電路板830。發(fā)光器件封裝835可以具有結(jié)合圖9在上面描述的配置。
[0117]底蓋810可以容納照明系統(tǒng)800的組成元件。反射板820可以被設(shè)置作為單獨(dú)的兀件，如在圖11中所不，或者可以通過將具有聞反射率的材料涂覆在導(dǎo)光板840的后表面或者底蓋810的前表面之上形成。
[0118]在此，反射板820可以是由具有高反射率的材料并且能夠被形成為超薄結(jié)構(gòu)的材料制成。聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯(PET)可以被用于反射板820。
[0119]導(dǎo)光板840用作散射從光源模塊830-835發(fā)射的光以便將光均勻地分布在照明系統(tǒng)的所有區(qū)域。因此，導(dǎo)光板840可以是由具有高折射率以及透射率的材料制成。導(dǎo)光板840的材料可以包括聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚碳酸酯(PC)、聚乙烯(PE)等等。導(dǎo)光板840可以被省略。在這樣的情況下，可以實(shí)現(xiàn)空氣引導(dǎo)系統(tǒng)，其在反射片820之上的空間中傳輸光。
[0120]可以通過將呈現(xiàn)透光率和彈性的聚合體涂覆在基底膜的一個(gè)表面之上形成第一棱鏡片850。第一棱鏡片850可以具有棱鏡層,該棱鏡層具有多個(gè)以被重復(fù)的圖案的形式的多個(gè)三維結(jié)構(gòu)。在此，圖案可以是其中山脊和山谷被重復(fù)的帶狀。
[0121]第二棱鏡片860可以具有與第一棱鏡片850相類似的結(jié)構(gòu)。第二棱鏡片860可以被構(gòu)造使得被形成在第二棱鏡片860的基底膜的一個(gè)表面上的山谷和山脊的排列方向與被形成在第一棱鏡片850的基底膜的一個(gè)表面上的山脊和山谷的排列方向垂直。這樣的配置用作朝著面板870的整個(gè)表面均勻地分布從光源模塊830-850和反射片820透射的光。
[0122]在本實(shí)施例中，通過第一棱鏡片850和第二棱鏡片860可以組成光學(xué)片。然而,光學(xué)片可以包括其它的組合，例如，顯微透鏡陣列、擴(kuò)散片和顯微透鏡陣列的組合、以及棱鏡片和顯微透鏡陣列的組合。
[0123]液晶顯示面板可以被用作面板870。此外，替代液晶顯示面板870，要求光源的其它種類的顯示裝置可以被提供。
[0124]顯示面板870被配置使得液晶位于玻璃主體之間，并且偏光板被安裝在兩個(gè)玻璃主體上以便利用光的偏振特性。在此，液晶在液體和固體之間具有屬性。即，是具有像液體一樣的流動(dòng)性的有機(jī)分子的液晶被規(guī)則地定向，并且正因如此，由于外部電場(chǎng)導(dǎo)致使用這樣的分子排列方向的變化顯示圖像。
[0125]在照明系統(tǒng)中使用的液晶顯示面板是有源矩陣型，并且使用晶體管作為開關(guān)以調(diào)節(jié)被施加到每個(gè)像素的電壓。
[0126]濾色器880被設(shè)置在面板870的前表面上，并且每個(gè)像素透射從面板870投射的光的紅、綠、或者藍(lán)光分量，從而顯示圖像。
[0127]根據(jù)上述實(shí)施例，可以實(shí)現(xiàn)直到臺(tái)面蝕刻區(qū)域的電流擴(kuò)展，并且正因如此，可以實(shí)現(xiàn)發(fā)光器件的光量的增加和發(fā)光器件的操作電壓的改進(jìn)。
[0128]雖然已經(jīng)參考其多個(gè)說明性實(shí)施例而描述了實(shí)施例，但是應(yīng)當(dāng)理解，本領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)人員可以設(shè)計(jì)落在本公開的原理的精神和范圍內(nèi)的多種其它修改和實(shí)施例。更具體地，在本公開、附圖和所附的權(quán)利要求的范圍內(nèi)的主題組合布置的部件部分和/或布置中，各種改變和修改是可能的。除了在部件部分和/或布置中的改變和修改，替代物使用對(duì)于本領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)人員也是顯然的。
【權(quán)利要求】
1.一種發(fā)光器件，包括: 發(fā)光結(jié)構(gòu)，所述發(fā)光結(jié)構(gòu)包括第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層，第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層，以及有源層，所述有源層被布置在所述第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層和所述第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層之間； 第一電極，所述第一電極被布置在所述第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層上；以及 第二電極，所述第二電極被布置在所述第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層上， 其中，所述發(fā)光結(jié)構(gòu)包括部分地蝕刻所述第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層、所述有源層、以及所述第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層的臺(tái)面蝕刻區(qū)域，從而暴露所述第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層的一部分，并且所述第一電極被布置在所述臺(tái)面蝕刻區(qū)域中的所述第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層的暴露的部分上， 其中，第一電極層被布置在所述第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層和所述第二電極之間，并且第二電極層被布置于在所述臺(tái)面蝕刻區(qū)域的相對(duì)側(cè)處被相互隔開的所述第一電極層的部分之間。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中，所述第一電極層和所述第二電極層中的每一個(gè)是透明電極層。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或者2所述的發(fā)光器件，其中，所述第二電極層在所述第二電極層的相對(duì)的末端處重疊所述第一電極層。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或者2所述的發(fā)光器件，其中，所述第二電極層重疊所述臺(tái)面蝕刻區(qū)域的一部分。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或者2所述的發(fā)光器件，其中，絕緣層被布置在所述臺(tái)面蝕刻區(qū)域和所述第二電極層之間。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的發(fā)光器件，其中，所述絕緣層被布置在通過所述臺(tái)面蝕刻區(qū)域暴露的所述發(fā)光結(jié)構(gòu)的一部分的內(nèi)部。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的發(fā)光器件，其中，在所述第二電極層和所述第一電極之間存在空的空間。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的發(fā)光器件，其中，所述絕緣層填充在所述第二電極層和所述第一電極之間的空間。
9.根據(jù)權(quán)利要求1或者2所述的發(fā)光器件，其中，所述第二電極層接觸所述第一電極層，并且在其中所述第二電極層接觸所述第一電極層的位置處具有比所述第一電極層高的水平面。
10.根據(jù)權(quán)利要求1或者2所述的發(fā)光器件，其中，所述第二電極層比所述第一電極層厚。
11.根據(jù)權(quán)利要求5所述的發(fā)光器件，其中，所述絕緣層圍繞所述第一電極。
12.一種發(fā)光器件，包括: 發(fā)光結(jié)構(gòu)，所述發(fā)光結(jié)構(gòu)包括第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層，第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層，以及有源層，所述有源層被布置在所述第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層和所述第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層之間； 第一電極，所述第一電極被布置在所述第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層上；以及 第二電極，所述第二電極被布置在所述第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層上， 其中，所述發(fā)光結(jié)構(gòu)包括部分地蝕刻所述第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層、所述有源層、以及所述第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層的臺(tái)面蝕刻區(qū)域，從而暴露所述第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層的一部分，并且所述第一電極被布置在所述臺(tái)面蝕刻區(qū)域中的所述第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層的暴露的部分上， 其中，第一電極層被布置在所述第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層和所述第二電極之間，并且多個(gè)第二電極層單元被布置于在所述臺(tái)面蝕刻區(qū)域的相對(duì)側(cè)處被相互隔開的所述第一電極層的部分之間。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的發(fā)光器件，其中，所述第一電極層和所述第二電極層中的每一個(gè)是透明電極層。
14.根據(jù)權(quán)利要求12或者13所述的發(fā)光器件，其中，所述第二電極層單元中的鄰近單元具有非均勻的間距。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的發(fā)光器件，其中，在從所述第二電極的焊盤部分到所述第二電極的末端部分的方向上所述第二電極層單元之間的間距被逐漸地減小。
16.根據(jù)權(quán)利要求12或者13所述的發(fā)光器件，其中，在所述第二電極的焊盤部分到所述第二電極的末端部分的方向上所述第二電極層單元在數(shù)目上被逐漸地增加。
17.根據(jù)權(quán)利要求12或者13所述的發(fā)光器件，其中，所述第二電極單元分別具有非均勻的寬度。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的發(fā)光器件，其中，在從所述第二電極的焊盤部分到所述第二電極的末端部分的方向上所述第二電極層單元的寬度被逐漸地增加。
19.根據(jù)權(quán)利要求12或者13所述的發(fā)光器件，其中，所述絕緣層被布置在所述臺(tái)面蝕刻區(qū)域和所述第二電極層之間。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的發(fā)光器件，其中，所述絕緣層被布置在通過所述臺(tái)面蝕刻區(qū)域暴露的所述發(fā)光結(jié)構(gòu)的一部分的內(nèi)部。
21.根據(jù)權(quán)利要求19所述的發(fā)光器件，其中，所述絕緣層填充所述第二電極層和所述第一電極之間的空間。
22.一種照明設(shè)備，包括: 光源模塊，所述光源模塊包括根據(jù)權(quán)利要求1和2中的任意一項(xiàng)或者權(quán)利要求12和13中的任意一項(xiàng)所述的發(fā)光器件； 反射板，所述反射板被布置在底蓋上； 導(dǎo)光板，所述導(dǎo)光板被布置在所述反射板上；以及 光學(xué)片，所述光學(xué)片被布置在所述導(dǎo)光板上。
【文檔編號(hào)】H01L33/38GK104241487SQ201410275911
【公開日】2014年12月24日 申請(qǐng)日期:2014年6月19日 優(yōu)先權(quán)日:2013年6月19日
【發(fā)明者】吳沼泳, 黃盛珉 申請(qǐng)人:Lg伊諾特有限公司